手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

Release time：2025-10-27
author：AMEYA360
source：力芯微
reading：722

　　产品概述

　　随着手机快充技术的飞速迭代，“充电5分钟，通话两小时”早已不是新鲜事——各大厂商为追求更快充电速度，纷纷加码高压大电流方案，这也给充电电路的核心元器件提出了更高要求。而力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源级双N MOS，正是为解决手机快充痛点而来，堪称智能手机快充的“理想搭档”。

　　为什么现在的手机快充，离不开这款双N MOS?如今的手机充电场景早已不单一：既要支持有线快充，又要兼容无线充电，还得兼顾充电口的安全防护与低功耗。过去依赖OVP(过压保护)电路的方案，逐渐跟不上“高压大电流+双充电路径”的需求——而EM14DN30Z的出现，恰好补上了这一缺口。

　　它专为手机快充设计，采用背靠背共源级双N MOS结构，能完美实现有线充电与无线充电的路径隔离，避免不同充电模式切换时的电路冲突;同时配合Switched Capacitor Direct Charger(开关电容直充技术)的GATE驱动与过压检测，直接替代传统OVP电路，既简化了设计，又提升了防护可靠性。

　　EM14DN30Z产品介绍

　　产品特性

　　· 漏源电压：30V;

　　· 最大通流：14A;

　　· 超低导通内阻(RON)：R_DSON(D1,D2) = 7.2mΩ @ VGS = 10V

　　· 背靠背双向阻断功能;

　　· 小型化封装CSP22L (2.0mm*2.0mm, ball pitch=0.4mm)

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图1. EM14DN30Z封装信息

　　EM14DN30Z三大核心亮点

　　一款优秀的快充元器件，既要“能扛压”，又要“低损耗”，还得“不占地”——EM14DN30Z在这三点上做到了全面突破：

　　亮点1

　　强性能：30V耐压+14A大电流，扛住高压大电流冲击作为快充电路的“核心关卡”，EM14DN30Z的漏源电压高达30V，能轻松应对主流手机快充的高压需求;同时支持最大14A通流，即便是65W、120W级别的大电流快充，也能稳定承载，避免因电流过载导致的发热或性能衰减。

　　亮点2

　　低损耗：超低导通内阻，充电更快、更省电

　　导通内阻(RON)是影响充电效率的关键指标——内阻越小，电能损耗越少，充电时的发热也越低。EM14DN30Z在这一指标上表现惊艳：

　　- 当VGS=10V时，RD1D2(on)仅7.2mΩ;

　　- 即便在VGS=4.5V的低电压驱动下，RD1D2(on)也仅9.5mΩ。

　　超低内阻不仅能减少充电过程中的能量损耗，让充电速度再提一档，还能降低元器件发热，间接提升手机充电时的安全性与续航表现。

　　亮点3

　　小尺寸：2.0mm×2.0mm封装，给手机内部“省空间”如今的智能手机追求轻薄化，内部元器件的封装尺寸至关重要。EM14DN30Z采用CSP22L小型化封装，尺寸仅为2.0mm×2.0mm，球间距0.4mm——相比传统封装，能大幅节省PCB板空间，为手机厂商设计更轻薄的机身、更大容量的电池留出更多余地。

　　EM14DN30Z典型应用

　　硬核防护+广泛适配，覆盖主流快充场景。除了核心性能出众，EM14DN30Z的安全防护与场景适配能力也不容小觑：

　　浪涌防护升级

　　配合力芯微30V TVS(型号ES30P4N3LX)使用时，可实现±300V 8/20μs的浪涌防护，轻松应对充电过程中可能出现的电压波动，为手机充电口和内部电路筑起“安全屏障”;

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图2. EM14DN30配合TVS和驱动器的浪涌测试线路图(过压点配置7.2V)

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图3. EM14DN30配合TVS和驱动器300V 8/20us浪涌测试波形

　　场景全面覆盖

　　无论是单Type-C有线快充方案，还是Type-C有线+无线充的双输入方案，EM14DN30Z都能完美适配，满足不同手机机型的设计需求。

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图4. 单Type C 有线充典型应用图

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图5. Type C 有线充与无线充双输入应用

　　从“能充电”到“快充电、安全充电、高效充电”，手机快充技术的每一步升级，都离不开核心元器件的突破。力芯微EM14DN30Z以“高压耐压大电流承载、超低内阻、小型化封装”为三大亮点，为智能手机快充提供了更优越的解决方案——如果你是手机行业从业者，或是对快充技术感兴趣的科技爱好者，这款MOS管绝对值得关注!


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　　产品概述　　ET3164是力芯微推出的一款单通道负载开关，它能够配置上升时间以减少浪涌电流。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，其输入电压范围为 0.1V 至 5.5V，且能够支持最大 10A 的连续电流。　　此开关由使能引脚(ON)控制，该引脚能够直接与低电压 GPIO 信号(VIH = 0.8V)对接。ET3164 器件设有一个可选的 QOD 引脚，用于在开关关闭时实现快速输出放电，并且输出的下降时间(tf)可通过外部电阻进行调整。设备上有PG信号，当主 MOSFET 完全导通时，可用于驱动下游负载。集成的热关断功能确保在高温环境下的保护。ET3164 采用 QFN10 封装，其在 - 40°C 至 + 125°C 的环境温度范围内可稳定运行。　　典型应用　　图1：ET3164 Application Circuit　　管脚定义　　图2：TOP VIEW
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　　产品概述　　在通信技术跨越式发展的今天，5G的高速连接、AI的实时决策与物联网的泛在组网，正推动电子设备向更高速、更智能、更融合的方向演进。信号传输系统作为数字世界的“神经网络”，不仅需要处理多电压、多协议的复杂兼容挑战，更面临着低延时、高能效与极致集成化的严苛要求。　　力芯微推出一款8通道自动双向适用于推挽和开漏应用的电平转换芯片 ETS0108，纳秒级传输延时，自动双向传输无需额外控制，内置10kΩ上拉电阻减少外围器件，可在1.8V到5V之间转换电平，兼容I²C、UART、SPI等多种通信协议，显著降低系统集成复杂度，推挽应用下支持24Mbps信号传输，其在消费电子、工业控制与自动化等领域广泛适用。　　产品特点　　无需控制自动转换传输方向　　输入输出端口内置10kΩ上拉电阻　　最大传输速率：　　24Mbps (Push Pull)　　2Mbps (Open Drain)　　VCCA工作电压1.65V到3.6V (VVCCA ≤ VVCCB)　　VCCB工作电压2.3V到5.5V　　B端口ESD能力 HBM达到8kV　　封装尺寸TSSOP20 (4.4mm × 6.5mm)　　典型应用图1：典型应用电路　　管脚定义图2：管脚定义　　功能框图图3：功能框图　　其他亮点　　one-shot功能：输出单稳态触发器(one-shot)检测A或B输入端口的上升沿，在上升沿期间，单稳态触发器(one-shot)会短暂接通输出上拉MOS管，可加快输出信号从低电平到高电平的转换速度。
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　　产品概述　　ET81311是一款高度集成、宽输入电压、3A输出，同步降压转换器。该器件可实现较少的外部组件数量，并且优化了待机电流。此转换器采用自适应恒定导通时间(ACOT)结构，提供快速瞬态响应。　　它支持低等效串联电阻(ESR)输出电容器和超低ESR陶瓷电容器，无需外部补偿组件。在轻载运行期间，ET81311以脉冲频率调制(PFM)模式工作，保持轻载高效。　　ET81311的输入电压范围为4.5V到18V，输出可调范围为0.76V到7V，可以广泛应用于12V/9V输入电源供电的场景。　　另外该器件还具有限流保护、短路打嗝保护、过温保护等保护机制，能够为系统提供全方位的保护。　　ET81311采用了FCSOT23-6形式的封装，配合高度集成的内部电路以及简单的外部器件。　　产品特点　　3A转换器集成90mΩ和50mΩFET　　采用快速瞬态响应的ACOT模式控制　　输入电压范围：4.5V至18V　　输出电压范围：0.76V至7V　　轻载时采用PFM模式　　开关频率：580KHzHz　　关断电流低，小于5uA　　输出电压软启动　　周期性过流限制　　打嗝模式过流保护　　非锁存欠压保护和过热保护　　典型应用　　图1：VOUT=1.05V典型应用　　管脚定义图2：TOP VIEW　　功能框图图3：功能框图
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　　产品概述　　随着现代智能化的发展，各样式的产品对音频的要求也是不断变高的，需要保证音频信号的稳定传输，做到不失真以满足客户的需求。　　力芯微推出了专门为高性能音频和便携式设备而设计的，高线性度和低失真的高性能模拟音频开关。ET32123是一款单路SPST的高性能音频开关，可以传输负压信号(-5V 至 +20V)，高持续带载能力(±1500mA)，以及极低的导通内阻(85mΩ)，确保信号完整性和超低失真度。　　如图1展示的是ET32123应用在智能手机扬声器与听筒二合一的切换场景。　　产品特点　　电源电压范围(VCC)：2.3V~5.5V　　可通负压的传输电压范围(VIS)：-5V~+20V　　低导通内阻(RON)：85mΩ　　通道持续通流能力：±1500mA　　低待机功耗(ICC)：1uA　　低总谐波失真(THD+N)：-102dB　　支持1.2V逻辑控制　　工作温度范围：-40°C ~ 85°C　　典型应用图1：手机扬声器与听筒二合一的切换应用　　管脚定义图2：ET32123 TOP VIEW　　核心特点　　(1)低内阻(85mΩ)，可通负压的传输电压范围(-5V~+20V)。　　(2)-3dB带宽实测达180MHz。　　(3)优异的关断隔离度(-95dB@1kHz)，通道关断后对后级信号的影响极小。
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