手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

Release time：2025-10-27
author：AMEYA360
source：力芯微
reading：624

　　产品概述

　　随着手机快充技术的飞速迭代，“充电5分钟，通话两小时”早已不是新鲜事——各大厂商为追求更快充电速度，纷纷加码高压大电流方案，这也给充电电路的核心元器件提出了更高要求。而力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源级双N MOS，正是为解决手机快充痛点而来，堪称智能手机快充的“理想搭档”。

　　为什么现在的手机快充，离不开这款双N MOS?如今的手机充电场景早已不单一：既要支持有线快充，又要兼容无线充电，还得兼顾充电口的安全防护与低功耗。过去依赖OVP(过压保护)电路的方案，逐渐跟不上“高压大电流+双充电路径”的需求——而EM14DN30Z的出现，恰好补上了这一缺口。

　　它专为手机快充设计，采用背靠背共源级双N MOS结构，能完美实现有线充电与无线充电的路径隔离，避免不同充电模式切换时的电路冲突;同时配合Switched Capacitor Direct Charger(开关电容直充技术)的GATE驱动与过压检测，直接替代传统OVP电路，既简化了设计，又提升了防护可靠性。

　　EM14DN30Z产品介绍

　　产品特性

　　· 漏源电压：30V;

　　· 最大通流：14A;

　　· 超低导通内阻(RON)：R_DSON(D1,D2) = 7.2mΩ @ VGS = 10V

　　· 背靠背双向阻断功能;

　　· 小型化封装CSP22L (2.0mm*2.0mm, ball pitch=0.4mm)

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图1. EM14DN30Z封装信息

　　EM14DN30Z三大核心亮点

　　一款优秀的快充元器件，既要“能扛压”，又要“低损耗”，还得“不占地”——EM14DN30Z在这三点上做到了全面突破：

　　亮点1

　　强性能：30V耐压+14A大电流，扛住高压大电流冲击作为快充电路的“核心关卡”，EM14DN30Z的漏源电压高达30V，能轻松应对主流手机快充的高压需求;同时支持最大14A通流，即便是65W、120W级别的大电流快充，也能稳定承载，避免因电流过载导致的发热或性能衰减。

　　亮点2

　　低损耗：超低导通内阻，充电更快、更省电

　　导通内阻(RON)是影响充电效率的关键指标——内阻越小，电能损耗越少，充电时的发热也越低。EM14DN30Z在这一指标上表现惊艳：

　　- 当VGS=10V时，RD1D2(on)仅7.2mΩ;

　　- 即便在VGS=4.5V的低电压驱动下，RD1D2(on)也仅9.5mΩ。

　　超低内阻不仅能减少充电过程中的能量损耗，让充电速度再提一档，还能降低元器件发热，间接提升手机充电时的安全性与续航表现。

　　亮点3

　　小尺寸：2.0mm×2.0mm封装，给手机内部“省空间”如今的智能手机追求轻薄化，内部元器件的封装尺寸至关重要。EM14DN30Z采用CSP22L小型化封装，尺寸仅为2.0mm×2.0mm，球间距0.4mm——相比传统封装，能大幅节省PCB板空间，为手机厂商设计更轻薄的机身、更大容量的电池留出更多余地。

　　EM14DN30Z典型应用

　　硬核防护+广泛适配，覆盖主流快充场景。除了核心性能出众，EM14DN30Z的安全防护与场景适配能力也不容小觑：

　　浪涌防护升级

　　配合力芯微30V TVS(型号ES30P4N3LX)使用时，可实现±300V 8/20μs的浪涌防护，轻松应对充电过程中可能出现的电压波动，为手机充电口和内部电路筑起“安全屏障”;

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图2. EM14DN30配合TVS和驱动器的浪涌测试线路图(过压点配置7.2V)

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图3. EM14DN30配合TVS和驱动器300V 8/20us浪涌测试波形

　　场景全面覆盖

　　无论是单Type-C有线快充方案，还是Type-C有线+无线充的双输入方案，EM14DN30Z都能完美适配，满足不同手机机型的设计需求。

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图4. 单Type C 有线充典型应用图

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图5. Type C 有线充与无线充双输入应用

　　从“能充电”到“快充电、安全充电、高效充电”，手机快充技术的每一步升级，都离不开核心元器件的突破。力芯微EM14DN30Z以“高压耐压大电流承载、超低内阻、小型化封装”为三大亮点，为智能手机快充提供了更优越的解决方案——如果你是手机行业从业者，或是对快充技术感兴趣的科技爱好者，这款MOS管绝对值得关注!


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高性价比低功耗高性能线性充电IC | 力芯微推出系列性高性价比线性充电IC
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高性价比低功耗高性能线性充电IC | 力芯微推出系列性高性价比线性充电IC

　　产品概述　　随着现代化电子产品的大量普及，更多便携式产品也进入了人们的生活，为了方便日常的携带和使用，这一类的产品通常对体积有较高的要求，为此力芯微推出了外围简单且封装较小的一系列线性充电产品。　　此系列产品最大输入耐压36V，输入端集成7V过压保护，充电电流可以通过外部电阻进行配置，部分产品最大充电电流可以达到1A，BAT端口具有防反插保护功能(-5V至17V)，在没有适配器时芯片自身功耗最低可低至5nA，有助于提高产品电池的续航;另外还集成了输入欠压保护，热调整保护，充电状态指示以及自动复充等功能。　　产品特点　　输入电压范围：4.5V~6V(耐压36V)　　电池端口耐压:-5V~17V　　超低电池功耗5nA　　具有充电以及充满状态指示功能　　可选电池充满电压：4.2V 或 4.35V　　部分产品支持可配置充电电流最高至1A　　具有热调整功能　　产品矩阵　　典型应用　　管脚定义    
2026-01-16 15:33 reading：296
力芯微：TWS应用1.2V生态的霍尔器件选型指南
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力芯微：TWS应用1.2V生态的霍尔器件选型指南

　　市场趋势　　无论是 充电盒，还是耳机本体，TWS 真无线耳机系统都有着高度一致的工程特征：　　体积极小，PCB 资源极度受限　　电池容量有限，μA 级功耗都会被无限放大　　长期待机 + 高频唤醒并存　　Always-On 器件越来越多　　在 TWS 这样的系统中，功耗不再只是续航指标，而是直接决定用户体验、产品竞争力和系统可扩展性的核心因素。　　随着语音唤醒、入耳检测、智能交互等功能持续下沉到 Always-On 域，TWS 系统已经从“优化单一器件功耗”，演进到“重构系统电压与功耗架构”。一个明确的趋势正在形成：主控 SoC 的核心电压与 Always-On 电压域，正在向 1.2V 甚至更低电压演进。这不仅是制程进步的结果，更是系统功耗优化的必然选择。　　从典型 TWS 应用框图看，SoC 核心电压是1.2V，Always-On 域是1.2V，所以关键低功耗器件(霍尔 / 传感)的理想状态应直连 1.2V 电源。对于长期上电的霍尔开关而言，如果仍停留在 1.8V / 3.3V，不仅会引入额外 LDO 和静态功耗，也会增加系统架构复杂度。　　解决方案　　基于这一趋势，ETEK 推出了面向 1.2V SoC 平台的低功耗霍尔开关解决方案，其中 ET3725Axx为双路输出全极型霍尔开关系列，支持 1.0V–3.5V 宽电压工作，天然适配 1.2V Always-On 域，并采用1mm × 1mm的超小型 DFN4 封装，可全极磁场检测，广泛适用于 TWS 充电盒开盖检测、平板保护盖检测等场景;同时，针对功能更简化、成本更敏感的应用，ETEK 还提供单路输出、同样支持 1.2V 供电的 ET3715A系列，为 1.2V SoC 平台提供更灵活的选择。值得一提的是，ETEK的1.2V霍尔产品全系列以“小体积、低功耗、高可靠”的核心优势，已在三星旗舰项目中实现大批量应用，累计出货超百万颗，其稳定性和可靠性都经过了长期的市场验证。　　当 SoC 正式进入 1.2V 时代，Always-On 器件也必须同步进化，ETEK 的 1.2V 霍尔开关，正是为新一代 TWS 与便携式电子系统量身打造的系统级解决方案。　　产品矩阵
2026-01-15 10:18 reading：267
支持1.2V电源 | 力芯微双路输出小型化霍尔开关 ET3725A30
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支持1.2V电源 | 力芯微双路输出小型化霍尔开关 ET3725A30

　　产品概述　　在便携式电子设备日益普及的今天，低功耗和小型化成为了产品设计的关键需求。为了满足这一市场需求，力芯微电子推出了一款支持1.2V工作电压的双路输出小型化霍尔开关——ET3725A30。这款产品不仅具备超低功耗和高灵敏度，还采用了1mm x 1mm的超小型DFN4封装，为便携设备的设计提供了更多可能性。　　作为霍尔开关领域的领先企业，力芯微电子拥有全套高性能、低功耗、小型化的霍尔开关产品线。我们的产品不仅在技术上处于行业前沿，还在全球范围内得到了广泛应用，长期为三星、索尼等国际知名品牌大批量供货。无论是智能手机、平板电脑，还是家用电器，力芯微的霍尔开关都能为客户提供可靠的解决方案。　　产品特性　　1.2V工作电压，超低功耗设计　　ET3725A30是一款高灵敏度、高精度的全极型霍尔效应开关IC，能够在1.0V至3.5V的宽电压范围内工作，尤其适合1.2V低电压应用场景。其平均电流消耗仅为12µA，极大延长了电池供电设备的续航时间。无论是智能手机、平板电脑，还是便携式游戏机，ET3725A30都能为其提供高效、稳定的磁场检测解决方案。　　1mm x 1mm超小型封装，助力高密度集成　　随着电子设备越来越轻薄，元器件的尺寸也成为了设计中的重要考量。ET3725A30采用了1mm x 1mm的超小型DFN4封装，极大节省了PCB空间，非常适合高密度集成的应用场景。无论是翻盖手机的开关检测，还是智能设备的保护盖检测，ET3725A30都能轻松应对。　　双路输出，支持N/S极检测　　ET3725A30具备双路CMOS输出，能够分别检测N极和S极磁场。当检测到的磁通密度大于操作点(BOP)时，输出电压会被拉低;当磁通密度小于释放点(BRP)时，输出电压会恢复为高电平。这种设计使得ET3725A30在各种应用中都能提供精准的开关检测功能。　　管脚定义　　应用框图
2026-01-15 10:01 reading：270
20MHz低噪声精密运放 | 力芯微推出高性价比的运算放大器
行业新闻

20MHz低噪声精密运放 | 力芯微推出高性价比的运算放大器

　　随着现代物联网的发展，智能化设备会集成许多微小的元器件来转换信号或者放大信号，比如光电二极管在许多应用中用于将光信号转换为电信号，跨导放大器将输入差分电压信号线性地转换为输出电流信号等。　　力芯微推出了专为信号转换或放大而设计的高性价比运算放大ET85202，ET85202是一款双通道低电压(1.8V至5.5V)运算放大器，具有极低噪声和高带宽特性,非常适合用于噪声会产生重要影响的应用如光电二极管跨导放大器，因为光电二极管的电容会在高频时导致电路的有效噪声增益增加，其他应用还包括驱动采样模数转换器(ADC)等。　　产品特点　　低失调电压：250µV(最大值)　　高带宽：20MHz　　低噪声：10kHz 时为 7nV/√Hz　　单电源电压范围：1.8V 至 5.5V　　静态电流：1.55 mA/Ch　　压摆率：10V/us　　高共模抑制比 (CMRR)：114dB　　轨至轨输入和输出　　单位增益稳定　　扩展级工业温度范围：-40°C ~ 125°C　　典型应用　　管脚定义　　核心特点　　(1)ET85202具有低失调电压，下图为失调电压VOS@VS=±2.75V在VCM全电压范围内的变化。　　　(2)ET85202具有高增益带宽积(GBP)：20MHz。　　(3)ET85202具有极佳的小信号瞬态响应。　　　(4) ET85202具有超低的噪声，不会对前后级器件产生干扰，下图为VS=±2.75V时的0.1Hz~10Hz输入噪声电压。
2026-01-13 13:38 reading：449
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