低<span style='color:red'>开关损耗</span>，轻载高效 | 维安FR-VDMOSFET适配冰箱新国标
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低开关损耗，轻载高效 | 维安FR-VDMOSFET适配冰箱新国标

　　2026年6月1日开始实施 《家用电冰箱耗电量限定值及能效等级》GB 12021.2-2025。核心变化是，能效指标大幅度提升，准入门槛大幅度提高，耗电量限定值准入门槛提高30%~40%，预计约20%以上的高耗能产品将被淘汰。为应对该国标的执行，倒逼企业在高效压缩机、隔热材料、控制系统三大核心领域技术升级。　　冰箱材料成本进一步增加，为应对行业发展及降本的需求， 维安(WAYON) 开发出FR-MOSFET应用于冰箱压缩机变频控制。　　MOSFET与　　IGBT器件的特点与对比　　MOSFET与IGBT器件对比　　MOSFET与IGBT效率的对比　　1　　轻载区间(<150W)　　MOSFET(红色曲线)效率显著高于 IGBT(蓝色曲线)。　　MOSFET 开关速度为 ns 级，开关损耗极低;轻载下开关损耗是总损耗主要部分，IGBT 存在电流拖尾，开关损耗大，因此轻载效率劣势明显。　　2　　中载交叉点(约 150W)　　两者效率曲线交汇，此时两种器件的开关损耗 + 导通损耗总和基本持平。　　3　　重载 / 满载区间(>150W)　　IGBT 效率反超 MOSFET 且持续上升，MOSFET 效率开始回落。　　重载时导通损耗成为主要损耗来源，IGBT 饱和压降VCE(sat)固定，大电流下导通损耗增长平缓;MOSFET 导通损耗随电流平方上升(P=I2RDS(ON))，大电流下导通损耗快速恶化，效率下降。　　FR-VDMOSFET与　　IGBT实测对比　　A、器件损耗对比：　　FRMOS 的开关损耗低于IGBT。　　B、耗能对比：　　FRMOS 能耗相较于IGBT降低了15.8%。　　C、温升对比　　环境温度26℃的情况下，IGBT与维安FRMOS的温升基本一致。　　典型应用：电机驱动　　基于以上对比，维安开发的FR‑VDMOSFET，适用于 200W 以下冰箱压缩机驱动，更好的适配冰箱工况，提升效率，降低成本。　　推荐选型
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发布时间：2026-08-31 10:28 阅读量：233 继续阅读>>
如何降低电源的<span style='color:red'>开关损耗</span>？
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如何降低电源的开关损耗？

　　开关电源使用过程中有开关损耗，若其开关损耗过大，容易影响整体效率。为了提升电源性能，工程师需要在电源设计合理降低MOSFET和二极管的开关损耗，如何做到？　　01选择低导通电阻RDS(ON)的MOSFET　　具体选择：优先选用具有低RDS(ON)值的MOSFET，同时考虑芯片尺寸与漏源极击穿电压(VBR(DSS))的平衡，以达到最优的导通损耗。　　温度管理：保持MOSFET的结温在较低水平，以减少RDS(ON)的温漂影响。　　栅极电压优化：使用足够大的栅极电压以降低RDS(ON)，但需权衡栅极驱动损耗的增加。　　02优化MOSFET的开关速度　　降低米勒电容：选择具有低米勒电容(CRSS或CGD)的MOSFET，以减少开关过程中的充电时间和损耗。　　开关频率调整：根据MOSFET的电容特性，谨慎选择电路的开关频率，以平衡开关损耗和传导损耗。　　03选择合适的二极管　　低VF二极管：对于小尺寸、低额定电压的应用，选择导通压降VF较低的二极管。　　快恢复二极管：根据需求选择快恢复二极管或超高速快恢复二极管，以降低反向恢复时间和损耗。　　肖特基二极管应用：在低压低功耗应用中，考虑使用肖特基二极管，其反向恢复时间几乎为零，VF也较低。　　04采用同步整流技术　　MOSFET替代二极管：在同步整流架构中，用MOSFET替代二极管，与主MOSFET同步工作，以降低传导损耗。　　同步整流MOSFET选择：选择具有低RDS(ON)的同步整流MOSFET，并确保其驱动功耗在可接受范围内。
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发布时间：2025-05-22 16:10 阅读量：1508 继续阅读>>

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