国内<span style='color:red'>存储芯片</span>企业概况
  半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业,集成电路又分为逻辑、模拟和存储等细分行业。在半导体行业中,最重要的方向莫过于存储器。其应用领域广泛,几乎所有常见的电子设备都需要使用存储器。  半导体存储器件是半导体行业市场占比最高的分支,根据 WSTS 2019 年 11 月估计数据,2019 年全球半导体行业的整体规模在 4000 亿美元 以上,存储器的市场规模超过 1000 亿,是半导体中规模最大的子行业,占比超过 1/4。  DRAM 和 NAND Flash 是最主流的半导体存储器,市场规模占比超过 95%,价格受需求与供给的影响呈现较为明显的周期性,2019 年下半年价格下落至低点后企稳回升,目前在服务器等下游需求的刺激下,价格正处于向上反弹的阶段,根据集邦咨询,此上升趋势有望在下半年趋稳。  NOF Flash 是除 DRAM 和 NAND Flash 之外最大规模的利基型存储,其市场曾随着功能手机的消亡而逐步萎缩,目前凭借着其“芯片内执行”的特点在物联网、TWS 耳机、5G、车载等领域广泛应用,市场规模整逐步恢复,到 2025 年市场规模有望超过 40 亿美元。半导体存储器件的主要市场由海外巨头公司掌握,国产公司处于相对落后的位置,但已经在各个细分行业展开追赶,并已获得显著的进展。  存储行业的发展历程大致可分为 3 个阶段。1990 年以前,DRAM 为存储芯片市场上主要的产品,且伴随少量的 EPROM 和 EEPROM。1990 年至 2000 年,NOR Flash 开始逐步占据一定比例的市场份额。  2000 年以后,NAND Flash 开始爆发式增长,其市场规模直逼 DRAM, 而 NOR Flash 的市场规模于 2006 年达到顶峰后开始逐渐下滑,但于近两年又开始有微小上升趋势。  DRAM 和 NAND Flash 是最主流的半导体存储器,市场规模占比超过 95%,价格受需求与供给的影响呈现较为明显的周期性。  DRAM 市场由三星、美光、海力士垄断了 95%的份额,目前国产厂商合肥长鑫已经开始量产并在官网上架了相关产品,紫光集团也已建立 DRAM 事业部准备建厂。此外国内还有较多 DRAM 设计企业,包括收购了 ISSI 的北京君正等,兆易创新也正在开展 DRAM 的研发工作;  NOR Flash 是除 DRAM 和 NAND Flash 之外最大规模的利基型存储,其市场曾随着功能手机的消亡而逐步萎缩,目前凭借着其“芯片内执行”的特点在物联网、TWS 耳机、5G、车载等领域广泛应用,市场规模整逐步恢复,到 2025 年市场规模有望超过 40 亿美元。  NAND Flash 的市场由三星、西数、铠侠等 6 家企业垄断。目前 NAND Flash 的发展方向是 3D 堆叠,国外先进企业均已纷纷开发出 100 层以上堆叠的 NAND Flash。国产厂商长江存储已宣布 128 层产品研发成功,与国外先进企业的差距越来越小,已成为存储国产自主化的中坚力量。国内还有 SLC NAND 的设计企业,包括北京君正、兆易创新等;  以下是《存储芯片投资地图》部分内容:
发布时间:2020-09-21 00:00 阅读量:2609 继续阅读>>
<span style='color:red'>存储芯片</span>价格1周内猛涨15% 韩日争端或导致全球供应中断
据外媒报道,存储芯片现货价格今年以来首次上涨,表明随着韩国和日本之间的贸易争端持续下去,该领域正出现“前所未见”的严峻警告迹象,即供应中断可能会成为现实。DRAM芯片行业过去始终受到供过于求和需求疲软的困扰,然而其价格在一周内却猛涨了15%。此前日本收紧了对韩国多种芯片制造材料的出口限制,而韩国是全球最大的两家存储芯片制造商三星和SK Hynix总部所在地。需要澄清的是,行业跟踪公司DRAMeXchange显示的存储芯片价格飙升指的是现货市场,因为大多数主要科技公司都是通过签署中长期合同进行采购的,现货市场占内存芯片领域的比例还不到十分之一。几位业内人士表示,在这种背景下,iPhone制造商苹果等主要客户尚未开始囤积存储芯片,但价格飙升已开始加剧人们的担忧,即日本的限产措施将很快影响全球供应。Bernstein分析师马克·纽曼(Mark Newman)表示:“如果日本出口限制继续延续,存储芯片价格将出现前所未有的飙升,因为75%的DRAM和45%的NAND全球产出都面临风险,毕竟韩国在这些内存芯片供应方面占据主导地位。”韩国一家芯片制造商的消息人士表示,客户正“密切关注形势”,但“由于需求仍然疲软,目前仍采取了观望态度”。三星和SK Hynix拒绝置评。但索尼子公司Vaio的发言人表示:“如果这种影响成为现实,我们将需要应急计划,选项包括寻找韩国以外的替代芯片供应商。”不过这位发言人称,这家日本电脑制造商的业务尚未受到冲击。全球最大的合同芯片制造商台积电已经发布警告称,日本的高科技材料出口限制将是影响第四季度业绩的“最大不确定性因素”。应急预案日本收紧了对三种芯片制造材料的出口限制,包括用于智能手机屏幕的氟化聚酰亚胺、用于将电路图案转移到半导体晶片上的光刻胶以及在制造芯片时用作蚀刻气体的氟化氢。韩国工业数据显示,今年前五个月,韩国94%的氟化聚酰亚胺、92%的光刻胶以及44%的氟化氢来自日本。韩国表示,它正在寻求使其供应链更加独立的方案,并希望能从俄罗斯和中国获得更多氟化氢。据当地媒体报道,韩国正在考虑降低来自其他国家的这些产品的进口关税,以填补任何潜在的供应缺口。研究公司TrendForce表示:“我们确实看到某些(芯片)模块制造商根据材料限制提高报价或宣布停产的迹象。”在NAND闪存市场,日本东芝(Toshiba)内存上个月因停电而停产也损害了供应。东芝Memory消息人士表示,该工厂于7月中旬恢复运营,但发货量完全恢复还需要一段时间,该公司仍在赶工现有订单。经纪公司瑞银(UBS)本周表示,预计第三季度NAND合同芯片价格将下降5%,低于此前预测的10%的季度环比降幅,理由是东芝的减产和日本的出口限制。但该公司保持对DRAM合同价格下降17%的预测不变。NAND芯片存在于移动设备以及存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器中,而DRAM用于支持电子设备执行多任务。Bernstein的分析师纽曼表示,芯片价格上涨带来的明显赢家将是美光、东芝、Nanya和西部数据。他说:“三星和SK Hynix虽然可能受到生产问题的影响,但也将受益于价格大幅上涨,具有讽刺意味的是,它们仍可能是赢家。”自日本7月1日宣布限制出口以来,美光的股价上涨了12%,而西部数据和SK Hynix的股价分别上涨了8%和7%,Nanya股价则上涨了5%。然而,三星的股价在这段时间里下跌了2%,原因是该公司预测,由于内存芯片价格暴跌,第二季度利润将暴跌56%。 
发布时间:2019-07-19 00:00 阅读量:1900 继续阅读>>
<span style='color:red'>存储芯片</span>一跌再跌,三星/美光/SK海力士等只能走上削减产能之路?
  在经历了2017年的价格猛涨之后,2018年上半年DRAM以及NAND FLASH价格仍维持在一定高位,但是进入四季度,全球DRAM及NAND FLASH市场价格出现大幅下跌。  根据DigiTimes的调研数据显示,2018年第四季度,三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26%,环比也减少了18%,其中DRAM下滑了17%、NAND FLASH下滑了20%。  另外,集邦咨询旗下的半导体研究中心(DRAMeXchange)的统计数据也显示,2018年第四季度全球DRAM行业总收入228.85亿美元,环比下跌18.3%,其中前三名三星电子、SK海力士、美光分别跌了25.7%、12.3%、9.2%,三者合计份额高达恐怖的96.0%。之后的南亚、华邦也分别跌了30.8%、16.8%,只有排名第六的力晶涨了10.3%。  同期NAND FLASH行业总收入141.6亿美元,环比下跌16.8%,其中前四强三星电子、东芝、美光、西数分别跌了28.9%、14.7%、2.2%、14.2%,四家合计份额80.4%。  进入2019年,DRAM价格下滑趋势进一步加剧。DRAMeXchange预计2019年一季度DRAM合约价格跌幅预计从之前预测的25%扩大到30%,这将是自2011年以来DRAM芯片价格单季度最大跌幅。  随后,美光公布的2019会计年度第2季(截至2月28日)财报也证显示,美光当季营收降至58.35亿美元,与去年同期相比少了2成,也较上一季下滑了26.3%,这也是两年多来首度衰退。同事,美光还预测2019财年第三季度,收入将连续下降约17%至46.5亿美元,毛利率将从上一季度的50%下滑至37-40%。而造成美光营收及毛利大幅下滑的主要原因则是DRAM/NAND FLASH价格的持续下滑。  而为了避免的DRAM/NAND FLASH价格的持续下滑,对应营收及毛利带来的不利冲击,美光计划通过削减产能来进行调控!  近日美光宣布计划将其DRAM和NAND FLASH产品的产量削减5%,并将资本支出将调降5亿美元,用以抵消内存价格下跌带来的影响。  而除了美光之外,三星、海力士等公司此前宣布计划削减2019年的资本支出以减少NAND Flash、DRAM 的产能,三星还计划增加其晶圆代工在市场上的份额以弥补储存芯片降价导致的损失。
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发布时间:2019-03-25 00:00 阅读量:1991 继续阅读>>
全球<span style='color:red'>存储芯片</span>市场遇冷,Intel半导体收入有望超越三星重回第一
2018年全球半导体厂商收入排名出炉,<span style='color:red'>存储芯片</span>市场营收比重仍在提升
2019年1月7日,Gartner关于全球半导体厂商2018年收入的数据公开之后,三星电子以15.9%的市场份额,继续稳住了全球半导体产业中厂商年收入排名第一的地位。从市场研究公司Gartner发布的2018年全球半导体市场初步报告的数据显示,全球半导体厂商2018年营收达到了4767亿美元,与2017年同比增长13.4%。2017年全球半导体收入总计4197亿美元,较2016年增长22.2%。可见,全球半导体厂商年收入增长情况也在明显减少,年增长率几乎降低了快10%。2018年表现强劲的主要内存供应商包括了由DRAM驱动的SK hynix和因收购Microsemi的Microchip Technology。因而也可以看到2017年排名前四的内存供应商在2018年继续保持了排名。 分析显示,内存供应商未来需要在新兴内存技术和新制造技术方面有所创新,来减弱市场供应过剩带来的压力。非内存供应商必须增加关键客户的活动设计,这些客户一直在承受高内存价格。在智能手机和平板电脑市场持续饱和的情况下,应用处理器供应商必须在可穿戴设备、物联网(IOT)端点和汽车领域寻求邻近的机会。因此,就半导体而言,内存在2018年收入增长27.2%。除2018年第四季度外,全年大部分时间DRAM的平均销售价格ASP都在增加。同时,受固态硬盘(SSD)采用率提高和智能手机内容增加的推动,这类设备的2018年收入仍有6.5%的增长。 另外,全球第二大半导体类型ASSP应用特定标准产品由于智能手机市场停滞不前,加上平板电脑市场持续下滑,该行业仅实现5.1%的有限增长。包括高通和联发科在内的这一细分领域的领先供应商,正积极向增长前景更为强劲的邻近市场扩张,比如汽车和物联网应用。 三星电子2018年的半导体营收达759亿美元,半导体营收同比增长了26.7%,市场份额为15.9%,在全球排名第一,继续超越英特尔。 英特尔的半导体收入2018年的半导体营收达659亿美元,2018年与2017年相比增长了12.2%,市场份额为13.8%,在全球排名第二,虽然低于三星电子的排名,但整体增长情况还算可以,在TOP10半导体供应商年增长情况中不算最低的。当然,这也是由单位销售价格和平均销售价格(ASP)增长共同推动的结果。 SK海力士排名第三,营收为364亿美元,市场份额7.6%,营收同比增长38.2%,在全球半导体行业前十大公司中增速最快,年增长率排名第一。 由此,从全球半导体厂商2018年收入TOP10排名中可以看到,年增长率最高的为SK海力士和美光科技,分别超过了30%年增长,美光为33.8%,属于年增率排名第二。 如果从年增率的情况来分析,2018年比2017年的年增长率平均在18.5%,最高的年增长率为SK海力士38.2%。但是2017年比2016年的年增长率平均在22.2%,最高的年增率为WD120.2%,同时SK海力士2017年增长率达到了79%,美光科技2017年增长率达到了78.1%,三星电子2017年增长率达到了52.5%。 由此可见,全球半导体厂商2018年收入TOP10的年增率明显减缓,也影响着了整个全球半导体增长减缓,这个趋势在2019年有可能还会持续,并减缓更为明显。数据来源:Gartner
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发布时间:2019-01-15 00:00 阅读量:1895 继续阅读>>
<span style='color:red'>存储芯片</span>市场预期产能将过剩 世界芯片老大之位或添变数
市场调研机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)近日预测,存储芯片市场在今年第四季度开始,将发生全面调整,这将给三星带来不小的挑战,全球第一芯片厂商的宝座,有可能在半年内又将换人。存储芯片市场预期转向供过于求近日,统计机构DRAMeXchange公布调研数据预测,明年平均DRAM价格将同比下降15%至20%。此前,DRAM内存和NAND闪存芯片的价格已经连续增长了9个季度,高昂的价格也让许多消费者非常不满。与此同时,DRAMeXchange预计,明年DRAM产量同比提高22%。该调研机构表示,明年智能手机销量涨势不再、服务器出货量存在不确定因素,英特尔CPU缺货也可能影响电脑的出货量,在这种情况下,DRAM制造商预计供应过剩的可能性很高。这一趋势也将影响NAND闪存芯片,其今年第三季度价格已经下降10%,预计第四季度将再下降10%-15%。由于3D NAND生产能力的增加,企业SSD市场明年竞争更加激烈,明年NAND闪存芯片价格下降幅度将在25%-30%左右。值得注意的是,DRAM内存和NAND闪存芯片是当前存储芯片的“主力军”。这意味着,从现在开始,存储芯片市场将迎来大调整。三星存储芯片红利已到尽头?10月31日,三星发布了第三季度的财报数据,第三季度三星的营收将达到65.4万亿韩元,同比增长5.5%,运营利润为17.5万亿韩元,同比增长20.9%。与该公司本月初发布的初步财报的数据吻合。按照这样的业绩,三星将在第三季度创下史上最佳的单季度业绩。今年一月份,三星创下了史上最佳的单季度营业利润,而其第三季度比第一季度的营业利润高11%。然而,带来这样业绩的却已不是当年为大家所熟悉的智能手机业务。三星的智能手机业务近两年来表现不佳,这两年来,三星最得意的是其半导体业务,三星在DRAM内存和NAND闪存芯片上赚得盆满钵满,上季度三星的运营利润是11.61万亿韩元,而半导体业务贡献了78%,而从目前的情况来看,第三季度三星半导体业务的运营利润贡献比将突破80%。不过,这样的情况是基于存储芯片价格一路飙红、卖方市场的情况下,随着存储芯片市场风向发生变化,三星近两年来享受的红利可能到头了。英特尔已“嗅”到反扑的机会实际上,当前,三星是全球最大的存储芯片企业,其占有NAND Flash市场超过45%的市场份额,在DRAM市场也占有近四成的市场份额,存储芯片价格的持续上涨让它在去年取代英特尔成为全球最大的半导体企业,而此前英特尔霸占这个位置已长达24年。英特尔发布了第三季财报,营收及每股收益超出市场预期。以GAAP计,英特尔三季度营收为192亿美元,同比增长19%,净利润为64亿美元,同比增长42%,每股收益1.38美元。今年三季度,英特尔总营收创造历史新高,每个业务领域都实现了增长,并在个人电脑业务、数据中心业务、物联网集团、内存业务等四大业务取得创纪录的季度营收。个人电脑业务(CCG)收入102亿美元,同比增长16%,数据中心(DCG)收入61亿美元,同比增长26%,物联网集团(IOTG)收入9.19亿美元,同比增长8%。内存业务(NSG)收入21亿美元,同比增长21%。可编程解决方案(PSG)收入4.96亿美元,同比增长6%。Mobileye也取得了1.91亿美元的创纪录营收。英特尔预计,四季度该公司的营收将达190亿美元,每股收益为1.16美元。2018全年总营收为712亿美元,高于该公司七月给出的全年预期,即685亿美元至705亿美元;每股收益达到4.52美元。这意味着,今年全年或者明年上半年,英特尔在总营收上可能反超三星,夺回全球第一大芯片制造商的宝座。处理器和服务器芯片市场更为稳定2017年三星虽然超越了英特尔,不过其实领先优势并不大,前者的半导体业务营收为690亿美元,后者的营收为630亿美元,两者的差距只有不到10%,而且三星占优势的存储芯片业务存在着周期性,存储芯片的价格一旦下跌不知何处是底,这从NAND Flash在这短短半年时间就可以下跌50%可见一斑。业内人士分析指出,相比之下,英特尔所处的PC处理器和服务器芯片市场价格则较为稳定,而且它在这两个市场所取得的优势市场地位较三星在存储芯片的市场地位更为稳固,它在PC处理器占有约八成的市场份额,在服务器芯片市场更占有97%的市场份额,尤其是在服务器芯片市场由于拥有垄断性的市场地位,从2007年至今服务器芯片价格一直稳步上涨,而目前为止似乎尚未看到有谁可以撼动英特尔在服务器芯片市场的霸主地位。值得注意的是,在存储芯片领域,英特尔与全球三大DRAM芯片厂商之一的美光合作研发了3D Xpoint存储芯片,这是一种介于DRAM和NAND Flash之间的一种独特的存储芯片,它正将这种存储芯片与它的服务器芯片相结合提升服务器芯片的整体性能。不过,英特尔当前的隐患来自于其CPU的供应问题。多家机构认为,虽然英特尔在加大供应,但英特尔CPU供货不足的影响还将持续两三个季度。摩根大通分析师Gokul Hariharan则认为,英特尔CPU的短缺影响将持续到明年上半年,可能在四季度达到最大影响,将波及笔记本和台式电脑,且可能影响商用及高端消费者电脑。“英特尔处理器短缺至少会持续到2019年第二季度。惠普消费级PC明年会有30%采用AMD处理器,戴尔在商用PC中也会更多采用AMD处理器。”
发布时间:2018-11-02 00:00 阅读量:1801 继续阅读>>
供过于求,<span style='color:red'>存储芯片</span>局势浅析
下游需求结构来看,手机、服务器、PC三大应用消耗了绝大部分存储器芯片。主流存储器市场以DRAM及NANDFlash为主,立基型存储器则以EEPROM、小容量DRAM、NorFlash、SLCNAND等特殊型存储器市场。从存储容量需求来看,据美光数据2018-2020年DRAM的比特容量需求复合增速达到20-25%,NANDFlash的比特容量需求复合增速增速达到40-45%。云计算即将跨入AI时代,单台AI服务器需要2.5TBDRAM,是传统服务器配置容量的数十倍。随着AI服务器应用的普及,服务器DRAM的容量需求将不断提升。预计到2021年,包括硬件、软件、系统服务在内的全球AI市场规模将达到576亿美金. NANDFlash的增长主要受手机容量升级、SSD固态硬盘普及推动。手机闪存容量配置不断升级,目前主流手机品牌旗舰机型搭载64GB作为入门版设置,在视频应用、游戏应用驱动下,主流容量有进一步向128GB攀升趋势。SSD固态硬盘产品已经触及价格甜蜜点,未来将快速替代机械硬盘,2018-2020年是固态硬盘普及的黄金时期,渗透率曲线有望进入最陡峭的阶段。NandFlash全面进入3D时代,技术路线的变化为存储芯片国产化提供契机。目前三星、美光、intel的3DNAND生产比重已经突破80%,预计到2019年底3DNAND的出货比重将超过90%。相比2D平面NANDFlash产品,3DNAND的单位比特成本更低,并且在不断向更高层数的产品演进。2018年是3DNAND从64层向96层过渡的一年,目前市场主流出货产品为64层3DNAND,三星及东芝的96层研发工作已经完成,目前已进入试产阶段。特殊型存储器产品形态多样化,涵盖SpecialityDRAM、NORFlash、SLCNAND、EEPROM、SRAM等。特殊型存储器行业具有下游应用风扇、竞争格局好、产业向大陆转移等特点,是能诞生高成长公司的好赛道。汽车智能化的需求愈演愈烈,ADAS、车联网的ECU搭载率越来越高,国内本土存储芯片企业有望持续扩大市场占有率。云计算即将跨入AI时代,单台AI服务器需要2.5TBDRAM,是传统服务器配置容量的数十倍。随着AI服务器应用的普及,服务器DRAM的容量需求将不断提升。预计到2021年,包括硬件、软件、系统服务在内的全球AI市场规模将达到576亿美金。NANDFlash的增长主要受手机容量升级、SSD固态硬盘普及推动。手机闪存容量配置不断升级,目前主流手机品牌旗舰机型搭载64GB作为入门版设置,在视频应用、游戏应用驱动下,主流容量有进一步向128GB攀升趋势。SSD固态硬盘产品已经触及价格甜蜜点,未来将快速替代机械硬盘,2018-2020年是固态硬盘普及的黄金时期,渗透率曲线有望进入最陡峭的阶段。NandFlash全面进入3D时代,技术路线的变化为存储芯片国产化提供契机。目前三星、美光、intel的3DNAND生产比重已经突破80%,预计到2019年底3DNAND的出货比重将超过90%。相比2D平面NANDFlash产品,3DNAND的单位比特成本更低,并且在不断向更高层数的产品演进。2018年是3DNAND从64层向96层过渡的一年,目前市场主流出货产品为64层3DNAND,三星及东芝的96层研发工作已经完成,目前已进入试产阶段。特殊型存储器产品形态多样化,涵盖SpecialityDRAM、NORFlash、SLCNAND、EEPROM、SRAM等。特殊型存储器行业具有下游应用风扇、竞争格局好、产业向大陆转移等特点,是能诞生高成长公司的好赛道。汽车智能化的需求愈演愈烈,ADAS、车联网的ECU搭载率越来越高,国内本土存储芯片企业有望持续扩大市场占有率。
发布时间:2018-07-26 00:00 阅读量:2065 继续阅读>>
美光<span style='color:red'>存储芯片</span>禁售后,国产芯片如何替代?
手机存储芯片产业正迎来新一轮洗礼。7月3日,福建晋华和台湾联电各自发布声明,称因涉嫌专利侵权,福州中院发布“临时禁令”,要求美光停止在华销售部分DRAM和NAND产品。在此之前,媒体披露,由于涉嫌操纵哄抬内存价格,国际三大存储巨头三星、 SK海力士、美光遭中国反垄断调查,或遭罚款8-80亿元。而更早之前,去年12月,美光科技在美国加州提起民事诉讼,控告台湾联电及福建晋华侵害DRAM的营业秘密。从诉方变成反诉方,从反诉方变成诉方,以及有关机构的介入,各方利益博弈的背后,隐藏着产业链的众生相,有需求者的无奈、领军者的得意、入局者的失落、监管者的警觉。但,更是暴露出我国存储芯片产业缺“芯”现状。“作为全球集成电路领域最大消费国,我国在一些核心元器件上却处于‘零自制率’境遇。”赛迪顾问半导体副总裁李珂在接受采访时表示。 巨头垄断下的无奈每次手机发布会上被厂商着重泼墨的存储芯片,我国却一直依赖进口。 统计数据显示,我国每年芯片进口额超过两千亿美元,其中,存储芯片占比接近50%。2017年,中国进口存储芯片889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元增长39.56%。 用于智能手机里的存储芯片分为两大类,动态随机存储器DRAM和闪存NAND Flash。简单来说,手机厂商宣传的4GB内存对应的便是DRAM,32GB或64GB存储对应的是NAND Flash。这两大存储芯片市场长期被几家巨头垄断。 在DRAM市场,三星、海力士、美光的市场份额分别为44%、27%、22%,三家合计占比超过90%;在NAND Flash市场,三星、东芝、西部数据、美光、海力士的市场份额分别是39%、16.8%、15.1%、11.3%、10.5%,五家占比同样超过90%。 巨头垄断也意味着他们对于存储芯片的定价拥有着话语权。据悉,从2016年开始,DRAM的价格多次提高,2017年的价格涨幅更是高达40%。从今年年初到现在,DRAM价格涨幅开始有所下降,不到10%,但对利润空间本来就很小的中国手机品牌厂来说,承受着巨大的压力。 反观三星,2017年,全球DRAM市场增长74%,规模达到722亿美元,“头部企业”三星、海力士、美光成为最大的受益者,销售收入也随之水涨船高。海力士2017年报显示,营收30.1094万亿韩元(约合人民币1796亿元),同比增长75%;净利13.7213万亿韩元,同比增长319%。 回避,不如主动出击“三大巨头能如此肆无忌惮涨价,是否也暴露出我们核心技术受制于人的窘境呢?”李珂一语道出问题关键所在。 因此,对于技术受制于人的局面,专家直言,我们不能回避,只能借鉴和吸收国外先进技术,主动出击,实现破局。 当前,我国存储芯片产业地图已经初步形成。既有投入NAND Flash市场的长江存储,也有专注于移动式内存的合肥长鑫,亦有致力于利基型内存的福建晋华。从三家厂商披露的信息看,各自产品已进入量产倒计时阶段。试产时间预计将在2018年下半年,量产时间则可能集中在2019年上半年。 筑起专利护城河在国内存储芯片研发仍处于爬坡上坎阶段的时候,需要指出的是,无论DRAM还是NAND Flash,比拼的除了先进工艺和规模,更重要的是专利难题。这是因为,对于存储器产业,小小的一个零部件都有着严苛的专利保护。而这些专利往往掌握在巨头手中,巨头市场占有量又非常大。因此,要避开所有现有的专利来进行开发,挑战非常大。 国家知识产权局知识产权发展研究中心研究员王雷就对记者表示,传统DRAM产品被大量专利保护。“即使中国厂商千辛万苦创新突破完成DRAM技术研发,但很可能还没有运作到量产阶段,就先收到巨头的专利投诉。”王雷指出。因此,在技术攻关之外,筑起专利护城河也是国内企业进入市场的重要手段。行业分析师付亮对记者表示,对于新进入者,唯一能做的就是扩大自身专利池。只有壮大自身实力把产品做好,始终坚持自主研发。当大家都是核心专利时,才有资格和他厂谈判,走专利互授权路线。福建晋华和台湾联电提起的专利侵权诉讼,便很好地佐证了付亮的看法,只有做好自己的专利池,才能在维护自身利益的同时对大厂进行反制。 王雷还表示,除了庞大的资金投入外,企业在当前新形势下发展存储器产业,不应只是简单的追赶,而应该更加注重技术和市场的创新;应做好长期储备,在资金上确保持续投入;更重要的是要在立足自身市场特点的基础上追求世界领先水平。 我国存储芯片产业正从边缘突破,形成技术优势,从而迈进市场准入门槛,乐观估计,5-10年内将改写存储芯片市场被国际大厂垄断的局面。
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发布时间:2018-07-06 00:00 阅读量:2273 继续阅读>>
三星一季度利润再创新高,<span style='color:red'>存储芯片</span>又成最大功臣
三星电子周五公布了2018年第一季度初步财报。财报显示,该公司第一季度的利润实现58%的强劲增长,高于分析师预期,主要原因是市场对其内存芯片的需求依然强劲,抵消了对苹果显示器供应放缓的担忧……该公司在截至3月的第一季度内实现营业利润15.6万亿韩元(约合147亿美元)。此前分析师平均预计为14.5万亿韩元(约合135.55亿美元)。该公司第一季度营收达到60万亿韩元(约合560.88亿美元),此前分析师平均预计为61.3万亿韩元(约合573.03亿美元)。第一季度业绩包括了2月发布的Galaxy S9智能手机的销量,在苹果iPhone销量低于预期后,这有望缓解市场对三星显示器业务的担忧。不过,手机和服务器对存储芯片需求的恢复会让这家电子制造商继续发布创纪录的年度利润。事实上,该公司已经在去年取代英特尔,成为全球销售额最高的半导体公司。韩国元大证券(Yuanta Securities Co.)分析师Lee je -yun表示:“存储芯片是三星电子的拳头产品。不过,该产品销售增长势头到今年年底前可能会有所放缓,而价格上涨幅度可能会低于去年。在韩国股市早盘交易中,三星电子股价下跌1.6%。由于对美国关税的担忧,韩国综合股价指(KOSPI)也出现下跌。今年以来,三星电子股价累计下跌超过5%,而2017年累计上涨了41%。这是“三星太子”李在镕今年2月被释放后发布的第一份财报。这位49岁的副董事长之后前往欧洲会见许多商业伙伴,并且还曾出现在加拿大。他的父亲李健熙2014年因心脏病入院后一直住院至今。三星在发布最终业绩之前不会披露净利润数据和各个部门的表现,该公司可能会在4月26日发布最终业绩。半导体业务为三星贡献了最多的利润,据inSpectrum Tech Inc.的数据,今年3月,128G(gigabits)的多级单元 (MLC) NAND闪存芯片的价格较去年同期下降了10.7%,而同期32G的DRAM服务器模块的合同价格同比上涨了5.6%。“价格有望维持高位。”法国研究公司Yole Development存储研究副总裁麦克·霍华德(Mike Howard)说,“从整个存储芯片业务来看,2018年很有可能实现更高的利润。”在上月的股东大会上,三星对领导层进行重组,分割了高管和董事会的职责,以此应对外界关于透明度和问责制的要求。该公司股东也批准了50:1的拆股计划,并将在4月30日至5月3日的的停牌结束后生效。“服务器需求抵消了iPhone X和中国高端手机销量增速放缓的影响。”KTB Investment & Securities分析师Kim Yang-jae在财报发布前的研报中说,“需求仍然超出市场预期。”
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发布时间:2018-04-09 00:00 阅读量:1931 继续阅读>>
三星西安<span style='color:red'>存储芯片</span>二期项目正式开工
3月28日,三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目开工奠基仪式在西安举行,三星电子在未来三年将为该项目投资70亿美元,工厂扩建预计到2019年结束。3月28日上午,去年8月底正式签约的三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目举行开工奠基仪式,工信部部长苗圩、西安省政府官员以及三星电子首席执行官金奇南社长等出席了开工仪式。2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,其一期项目总投资达100亿美元。该项目成为三星海外投资历史上投资规模最大的项目,也是改革开放以来我国电子信息行业最大外商投资项目,陕西乃至西部地区引进的最大外商投资高新技术项目。三星电子存储芯片一期项目2014年5月竣工投产,该项目带动了100多家配套企业落户西安高新区,使西安形成了较为完整的半导体产业链。除三星(中国)半导体有限公司之外,三星集团还先后在西安高新区设立了6家公司,涉及动力电池、半导体研发、金融、贸易、建筑等多个领域。为满足全球IT市场对高端V-NAND 产品需求的增加,2017年8月30日,三星电子株式会社与陕西省政府签署投资合作协议,决定在西安高新综合保税区内建设三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目,当时三星电子宣布,未来3年将为该项目投资70亿美元,扩大其在中国西安工厂的NAND Flash存储芯片产能。三星电子期待通过此次二期投资,能在中国提高制造业竞争力,并能更加快速地应对中国市场的需求。金奇南在致辞中表示,“将会通过二期的成功运营生产最尖端的存储芯片,为客户提供独具匠心的解决方案,并以此为全球IT市场的成长做出贡献。”据悉,三星电子向媒体表示,该项目整个工厂的扩建工作要到2019年结束。
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发布时间:2018-03-29 00:00 阅读量:1749 继续阅读>>

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