光伏芯动力” | <span style='color:red'>华润微</span>电子携全链产品方案亮相SNEC 2026，赋能光储充全场景
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光伏芯动力” | 华润微电子携全链产品方案亮相SNEC 2026，赋能光储充全场景

　　6月3日至5日，第十九届国际太阳能光伏和智慧能源(上海)大会暨展览会(SNEC)在上海虹桥国家会展中心隆重举行。本届展会吸引了全球95个国家与地区的3000多家企业参展，其中国际展商比例达30%，已成为在中国、亚洲及全球最具影响力的国际化、专业化、规模化的光伏盛会。　　在国家“双碳”政策指引下，构建“清洁低碳、安全充裕、经济高效、供需协同、灵活智能”的新型电力系统已成为国家能源战略核心方向。作为国内领先的IDM半导体企业，华润微电子以硅基产品稳固新能源基本盘，以SiC/GaN等第三代半导体开拓新增量，实现对新能源汽车、光伏、储能、电网系统核心赛道的全品类覆盖。目前，新能源业务已成为公司前几大终端应用领域之一。公司正推动新能源业务从规模扩张向高质量增长转型，依托光储深度融合、算电协同发展，加快技术迭代，借力全球市场扩容，形成国内大基地与海外新市场的双轮驱动路径，致力于推出更多具有竞争力的绿色能源产品与解决方案。　　本次展会，华润微电子以“光伏芯动力”为主题精彩亮相，集中展示了功率器件、模块、IC及系统方案。展会期间，众多国际客户及行业专家到访展台，深入了解公司在光伏、储能、充电桩等应用领域的产品布局，以硬核实力成为全场焦点。　　是怎样的创新实力，吸引了全球行业客户的目光?　　又是哪些硬核产品，成为展会现场的焦点?　　让我们一同走进华润微电子展台，一探究竟!　　为满足光、储、充产业客户的核心需求，华润微电子推出了多款标杆性产品。　　第7代750V/1200V IGBT系列产品:通过结构优化与功率密度提升，在同体积可实现更大功率输出、同工况下具备更高可靠性，适配光伏逆变器等大功率工业场景，助力可再生能源并网效率提升。　　第四代650V/1200V/1700V碳化硅系列产品:为客户创造了“高效率、高密度、高可靠性、低碳化”的核心价值，赋能绿色能源产业升级。　　品类丰富的栅极驱动IC产品：CS42系列低侧栅极驱动、CS43系列隔离型栅极驱动、CS571系列250V栅极驱动及CS5732系列600V栅极驱动，可全面适配不同电压平台的功率驱动需求。　　系统级解决方案：覆盖光储充全链路　　面向工业与能源领域，华润微电子展示了变频器、便携储能、户储逆变器及电力储能四大场景的系统级解决方案。　　变频器方案优势　　高集成PIM模块驱动，出色的短路能力，过载能力;　　优化功率器件降低能耗，提升整机能效等级;　　抗干扰性强，运行更可靠;　　全链自研技术保障产能与成本优势，支撑稳定批量交付。　　便携式储能方案优势　　电能转换损耗低、逆变效率高;　　高低压切换响应快速，输出波形纯净稳定;　　温升低、抗干扰性强。　　户储逆变器方案优势　　充放电转换效率高;　　系统响应快、损耗低;　　具备优异的抗干扰与安全防护能力。　　电力储能方案优势　　开关损耗低、双向变流效率高，充放电响应快速准确;　　电能变换纹波小、运行稳定可靠。　　本次SNEC展会，华润微电子凭借在光伏与新能源领域深厚的技术积累与创新成果，成功吸引了众多行业客户的高度关注，进一步提升了品牌知名度与行业影响力。未来，华润微电子将持续发挥全产业链资源优势，秉持“技术为先、深耕场景”的理念，为功率半导体产业蓬勃发展注入强劲“芯”动力，成为全球能源转型与可持续发展道路上的推动者与先行者，携手产业链上下游共同奏响绿色可持续发展主旋律。
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发布时间：2026-06-23 09:39 阅读量：160 继续阅读>>
纳秒级保护+安培级驱动：<span style='color:red'>华润微</span>电子CS42275BT为高可靠功率系统护航
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纳秒级保护+安培级驱动：华润微电子CS42275BT为高可靠功率系统护航

　　在变频空调、数字PFC电源等高性能功率系统中，控制器根据精密算法输出控制信号，最终通过栅极驱动芯片实现对功率开关管的可靠控制，这“最后一步”的驱动可靠性，直接关系到整机的运行效率、降噪表现与使用寿命。面对设备频繁启停、动态负载调节、复杂电磁干扰等工况，高性能栅极驱动芯片可提升开关电源能效、降低温升、增强运行稳定性，有效规避谐波超标、能效衰减、高频异响及异常停机等问题。　　华润微电子功率集成事业群(PIBG)凭借在功率驱动IC应用方案与专项设计上的深厚经验积累，推出CS42275BT单路低侧栅极驱动电路，针对性破解上述系统痛点。该产品将驱动与多重保护电路集成于微型SOT23-6封装，兼具强驱动、快保护、智能管理等核心优势。历经严苛验证，CS42275BT致力于为客户的数字功率系统提供坚实可信的“执行与守护”终端。　　产品封装形式：SOT23-6　　强劲驱动搭配高负压耐受，减小开关损耗，提升系统抗干扰能力　　传统驱动芯片响应速度慢、驱动能力不足，导致开关损耗大、系统效率低下。此外，复杂工况下的功率地噪声如同“信号雾霾”，极易引发器件误触发，使各类开关电源在高频升压或稳压等持续工作状态下，出现发热严重、输出不稳、纹波超标等问题。　　CS42275BT兼具强驱动与抗干扰两大核心优势：可提供±2.5A瞬态峰值拉灌电流能力，为系统注入磅礴动力，能快速、可靠地控制功率管的导通与关断，传输延迟低至50ns，有效降低开关损耗，直接助力提升整机效率。针对噪声环境，其逻辑输入引脚不仅兼容3.3V/5V电平，更能承受-10V的负压噪声，即便在功率地噪声较强的工况下也能稳定运行，大幅提升电源转换效率。　　可靠安全的过流保护，为核心功率器件保驾护航　　在变频空调压缩机启动或数字PFC电路遭遇负载骤变时，功率开关管可能承受远大于额定值的瞬间电流。传统的软件保护环路响应时间通常在微秒级，此时功率管可能已因过热而永久损坏，导致“功率心肌梗塞”。　　CS42275BT内部集成高精度、快速响应的硬件保护电路，化身“纳秒级除颤仪”。其过流保护(OCP)功能采用-247mV(精度±5%)的固定阈值，一旦检测到异常，能在典型230ns内直接关断驱动输出。在应用中可以准确捕捉空调压缩机启动、洗衣机变频调速切换及开关电源负载突变产生的瞬时尖峰电流，为核心功率器件争取了关键的生存窗口，从根源避免功率管烧毁、电路板炸机等量产通病，同时标配UVLO欠压锁定功能，高度适配设备上电待机、低压电网、电压骤升骤降等各类异常场景。　　单引脚集成使能与故障管理，显著简化保护逻辑外围　　当前，变频空调、超薄洗衣机及小型化开关电源等设备正朝着结构紧凑、机身轻薄的方向发展。传统驱动方案为实现完善保护，需额外搭建故障检测、使能控制外围电路，元器件多、布线繁琐、挤占宝贵的布板空间。同时，发生故障后若只是简单重启，极易导致系统在间歇性故障时陷入反复“打嗝”的震荡状态，且不同品类设备还需重新调试适配，灵活性较差。　　CS42275BT将使能控制、故障报告与恢复延时三大功能集成于单一的EN/FLT引脚，化身电路“智慧管家”。发生故障时，它立即拉低引脚发出明确告警信号;故障解除后，进入由外部RC自由设定的“冷静期”，待时机成熟再智能恢复，避免盲目重启。该芯片采用微型SOT23-6封装，以高集成度简化外围电路设计，有效优化设备内部散热布局，高度适配壁挂空调、超薄变频洗衣机、微型开关电源等各类小型化设备的设计需求，助力客户精简物料、优化成本，提升终端产品的市场竞争力。　　多场景通用优选:　　变频空调：商用或家用空调PFC电路、压缩机驱动、风机电机驱动　　工业伺服系统：工业伺服驱动器PFC升压电路　　通用电源：服务器电源、通信电源的PFC级或DC/DC级低侧驱动　　白电：洗衣机、冰箱电机的低侧驱动　　结语　　CS42275BT的价值，在于它超越了传统驱动芯片“信号中转”的定位，高度集成了应对功率系统核心痛点的关键保护与管理功能。它以安培级力道的驱动输出和纳秒级速度的硬件保护化解“功率心肌梗塞”风险，以及单引脚集成的智能逻辑，将系统从繁复的外围设计中解放出来。　　CS42275BT深刻诠释了华润微电子对高可靠性功率系统的理解：真正的可靠，在于防患于未然的前置守护，亦在于危机来临时的快速响应与处置。无论是家用变频家电，还是工业通用开关电源的新品开发与老方案升级，CS42275BT都是兼具高性价比与高可靠性的理想驱动解决方案!
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发布时间：2026-06-22 11:29 阅读量：203 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>电子推出车规超声波雷达芯片QCS7209BF，助力智能辅助驾驶供应链安全再升级
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华润微电子推出车规超声波雷达芯片QCS7209BF，助力智能辅助驾驶供应链安全再升级

　　随着汽车智能化的飞速发展，市场对高性能、高效率、高可靠性的超声波雷达解决方案的需求日益增长。华润微电子功率集成事业群(PIBG)依托在车规级芯片研发与IC设计领域积累的深厚技术优势，近日正式推出新一代车规级超声波雷达驱动及信号处理芯片——QCS7209BF。该产品全面支持智能辅助驾驶与全场景智能泊车应用，助力推动车规级超声波雷达驱动及信号处理芯片的全国产化进程。产品封装形式：QFN20(4mm×4mm)　　一、产品简介　　PIBG推出的QCS7209BF综合性能达到国际先进水平，已通过AEC-Q100(Grade 2)可靠性认证。QCS7209BF通过驱动换能器发送超声波信号，对接收到的回波信号进行放大和模数转换，并通过信号处理单元进行时间增益控制(TGC)、阈值产生(TG)、阈值调整(TA)、信号增强(SE)、回波检测(RWD)等优化处理，从而实现物体距离探测。芯片内部集成高可靠主控模块，确保各功能模块间的高效稳定运行，并兼顾低功耗管理。此外，芯片内置非易失性存储器，可用于存储出厂设置及用户自定义参数配置，充分满足用户应用的灵活性需求。　　二、产品优势　　1、性能指标　　供电电压：7-18V，最大耐压40V　　支持换能器频率：30-83KHz　　内部集成高精度时钟振荡器，频率12MHz　　内部集成类EEPROM　　内部集成温度传感器　　驱动器性能可配置，包括驱动电流、脉冲频率、脉冲数量　　放大器增益可配置　　接口类型：三线接口　　探测距离：0.2-6m　　环境温度：-40-105℃　　ESD HBM：所有IO > 4KV　　2、创新特点　　创新高效的架构设计，驻车待机模式的功耗更低　　增加硬件保护机制提升系统稳定性和可靠性，系统异常时可自我保护并恢复工作状态　　ESD HBM防护，所有IO > 4KV，ESD可靠性更高　　内置温度传感器增加可校准设计，出厂前可进行校准，温度精度更高　　新增EEPROM低压烧写和写保护功能，无需额外高压供电，系统应用更灵活　　自主开发主控测试系统，可灵活适配Tier1客户的场景定制化敏捷开发　　三、产品应用　　1、典型应用场景　　QCS7209BF可广泛应用于包括传统的泊车辅助、自动泊车、盲点监测、前碰撞预防、停车距离控制等场景。　　2、典型应用图　　四、展望未来　　随着新一代超声波雷达技术的持续升级，PIBG正积极规划推出更多系列化的车载超声波雷达驱动及信号处理芯片，以灵活满足不同客户的多样化应用需求。我们始终坚持技术创新，致力于提供更高效、可靠的汽车电子芯片解决方案，助力汽车行业迈向更加智能、安全的未来。
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发布时间：2026-03-05 11:09 阅读量：972 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>电子推出第五代高效RC-IGBT系列产品，赋能大功率家电能效升级
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华润微电子推出第五代高效RC-IGBT系列产品，赋能大功率家电能效升级

　　近两年，我国家电消费市场呈现持续回暖态势，家电行业正加速向智能化、高端化、绿色化转型，市场对更高质量、更低能耗的产品需求日益迫切。华润微电子功率集成事业群(简称PIBG)瞄准家电行业对高效节能技术的迫切需求，推出第五代RC-IGBT(逆导型绝缘栅双极晶体管)系列产品。该系列产品兼具高耐压、低损耗、参数一致性好、优异的温升控制特性以及出色的过电流能力等优势，有助于构建低碳、高效、安全的大功率家电应用场景，在电磁炉、微波炉、电饭煲等家电中具有非常好的应用适配性。　　一、产品优点　　PIBG第五代RC-IGBT系列(以下简称RC5)基于先进的8英寸微沟槽栅双面光刻工艺平台，在设计上采用优化的VLD高可靠性终端结构，相比第三代RC产品，RC5的元胞电流密度、产品参数一致性以及器件可靠性均实现大幅提升。依托平台及工艺优势，该系列器件在常温及高温工况下展现出显著的性能优势：耐压能力更强、静态导通损耗与动态开关损耗更低、过电流能力大幅提升、产品VF一致性更优。此外在高温环境下，其集成的续流二极管 (FRD) 具有低压降和软恢复特性，与正面IGBT的开关性能形成协同优化效应，显著提升器件在谐振及软开关拓扑应用中的并联一致性。　　二、产品性能　　选取RC5系列中的CRG25T135AKR5H产品与国外厂商的同类RC-IGBT产品进行了实测对比。　　(一)静态特性　　根据静态参数实测对比(如图1-3)，PIBG的CRG25T135AKR5H的关键参数优于友商同规格、同封装产品。具体表现为：耐压值较竞品提升2.5%，饱和压降VCE(sat)较竞品降低6.7%，二极管正向导通压降较竞品降低13%。　　(二)动态特性　　如图4所示，CRG25T135AKR5H在常温、高温条件下关断损耗具有明显优势、Trade-off有显著提升;其动态参数中的开关损耗均优于友商产品。　　以CRG25T135AKR5H为代表的RC5系列产品均通过严格的可靠性考核，特别在HV_HAST和HV_H3TRB等关键可靠性考核项目中表现出很强的参数稳定性。RC5系列产品可覆盖家用、商用大功率电器应用。　　(三)整机测试　　在2100W电磁炉样机上进行应用对比测试，在不同测试电压下，CRG25T135AKR5H壳温和散热片温度均表现良好，且明显低于友商产品。目前，该产品已在国内主流品牌的微波炉、电磁炉中实现量产应用。　　三、产品列表　　PIBG基于第五代RC-IGBT平台进行产品系列化，推出了15A、 25A、30A三款产品，以满足不同应用需求，为客户提供更灵活的选择。　　四、结语　　PIBG第五代高效RC-IGBT系列器件具备正温度系数特性、稳定的高温特性、高可靠性和优异的并联适配性等核心优势，为多种大功率家电提供了高性价比解决方案，共创高效、低碳、安全的智能家居未来。PIBG将于近期推出面向高集成化智能家电市场的650V RC-IGBT Gen5单管及IPM模块，敬请期待!
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发布时间：2026-02-26 14:48 阅读量：1047 继续阅读>>
蝉联SiC和GaN双十强！<span style='color:red'>华润微</span>电子荣获2025行家极光奖两项殊荣
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蝉联SiC和GaN双十强！华润微电子荣获2025行家极光奖两项殊荣

　　12月4日，2025行家说第三代半导体年会“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳举行。行家极光奖被誉为产业“金标杆”，华润微电子再度荣膺“中国SiC器件IDM十强企业”与“中国GaN器件十强企业(润新微)”称号，蝉联“双十强”荣誉彰显了行业对华润微在第三代半导体领域技术实力与市场地位的高度认可。　　华润微依托IDM商业模式优势，在第三代半导体领域深耕多年，产品技术规模国内领先，SiC和GaN产品销售收入同比实现高速增长。　　华润微电子再度荣膺“中国SiC器件IDM十强企业”　　在SiC领域，公司最新SiC MOS G4与JBS G3平台已全部量产，基于MOS G4平台开发了650V/1200V两大电压共数十颗产品，陆续通过AEC-Q101认证;相较于G2代产品，G4代产品RSP下降20%，Ron温升系数也优化下降，功率密度和转换效率显著提升。器件支持QDPAK、TOLT、MSOP等顶部散热封装，适用于OBC、AI服务器电源等高功率密度场景。模块方面，基于G4芯片的HPD/DCM/VD3等封装的主驱模块产品完成系列化，最低导通电阻仅1.6mΩ，系统损耗再降一档，目前部分产品已实现批量上车。　　技术布局上，8英寸SiC MOS于2025年8月顺利产出，参数、良率均达预期，已经开始产品系列化工作。2200V高压平台完成验证并启动系列化，公司实现650V-2200V全电压段一站式覆盖，自有晶圆产线掌握核心工艺，良率与质量管控满足高端车规，新能源汽车、充电桩、光伏、数据中心等标杆客户均已稳定批量提货。　　华润微电子再度荣膺“中国GaN器件十强企业(润新微)”　　在GaN领域，华润微在技术迭代、产能建设与客户合作等多个维度取得关键突破。针对不同电压等级GaN器件，公司采取双轨技术路线：在650V及以上高压器件领域，公司首先采用D-mode技术路线并依托6英寸晶圆产线实现规模化量产。其中，600V-900V产品已完成G3迭代,且进入了量产阶段,G4平台的大功率工控类产品已成功通过客户验证，并完成DFN、TOLL、TOLT、TO-252、TO-247、TO-220等多类封装规格的拓展适配，G5平台已启动研发。　　在40V-650V器件领域，公司同步采用E-mode技术路线，并依托8英寸晶圆产线进行生产。G1平台的工艺开发已经完成，其中40V双向充电OVP保护器件已通过可靠性验证，进入小批量试产阶段并进入国内头部手机用户供应商序列;40V单向、80V、100V、650V等不同规格的器件研发持续推进。此外，华润微已在GaN E-mode外延结构及器件领域完成多项自有专利布局，为后续角逐高端市场竞争构筑起坚实的技术壁垒。　　产能建设方面，公司外延中心正式投用，产能稳步提升;8英寸E-mode外延能力打通，计划于年底启动研发。 D-mode和E-mode成熟工艺平台加速迭代，产品供应持续扩大;新建平台开发工作持续稳步推进，预计在较短时间内会形成产品交付能力。华润微GaN产品具有高效率、低能耗、高频率、小体积等优点，可广泛应用于手机快充、数据中心电源、5G通信电源、高端电源、伺服电机、车载信息娱乐系统及汽车、人工智能计算芯片供电、人形机器人、激光雷达等应用领域。　　在全球数字化与智能化浪潮中，以SiC和GaN为代表的第三代半导体正迎来前所未有的市场机遇期。未来，华润微电子将坚持技术引领，坚定全产业链布局，加速SiC和GaN产品迭代与产能释放，以更高效、更可靠的半导体解决方案，助力客户实现价值突破，携手产业链伙伴共同推动第三代半导体产业的创新升级与可持续发展。
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发布时间：2025-12-09 14:28 阅读量：1598 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车
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华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车

　　近日，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要突破，PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片，采用ValueDual封装，6/8管并联设计，最低导通电阻1.6mΩ，兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势，在商用车主驱系统应用中表现优异。　　一、产品核心特性　　高阻断电压与低导通电阻　　驱动简单易并联　　低电感封装避免振荡　　采用AMB技术　　二、应用领域　　xEV应用　　电机驱动　　智能电网、并网分布式发电　　三、产品列表　　第四代SiC MOS平台　　已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时，通过设计和工艺创新，进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数，显著提升功率密度和运行效率，为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。　　PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化，开发650V和1200V两个电压平台，推出十余个标准规格产品，同时搭配公司成熟的插件、贴片封装，包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装，产品综合性能表现优异，已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户，并实现批量供货，为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。　　第四代SiC MOS产品列表　　结语　　依托华润微电子在SiC领域长期沉淀的深厚技术积累，以及IDM商业模式所具备的独特优势，PDBG将持续对SiC产品系列进行迭代升级，不断优化产品性能。与此同时，积极开发与SiC特性相匹配的新型单管和模块封装形式，最大化发挥SiC器件的优势。未来，PDBG将凭借领先的技术和优质的产品，助力整机应用朝着高效化、轻量化的方向升级，为客户提供更具竞争力的产品选择。
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发布时间：2025-10-16 15:06 阅读量：1493 继续阅读>>
30000片！<span style='color:red'>华润微</span>电子重庆12吋项目提前达成项目规划目标
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30000片！华润微电子重庆12吋项目提前达成项目规划目标

　　9月5日，华润微电子在重庆园区召开12吋功率半导体晶圆生产线产品上量专题会，会上宣布项目提前一年半达成月产出30000片目标。华润微电子董事长何小龙，重庆经信委、发改委有关领导，大基金、西永微电园等股东代表，华芯投资相关领导，华润微电子副总裁庄恒前、战略发展部总经理李金明、功率器件事业群总经理李超及重庆12吋项目团队代表等共同见证这一重要时刻。　　华润微电子副总裁庄恒前代表项目团队作项目总结报告，宣布重庆12吋项目已于2025年8月达成月产出30000片项目目标，较原规划节点提前达成。这一重要进展标志着华润微电子在重庆成功建成国内竞争优势突出的12吋车规级功率半导体晶圆制造平台，实现了高端功率芯片技术自主可控、制造全流程可信供应。　　从项目启动到产能爬坡，团队直面行业周期性波动、产能竞争加剧、高端人才紧缺及多线协同管理等挑战，始终以技术创新为根本、以责任担当为驱动、以卓越运营为支撑，一路提速攻坚——仅用一年完成产线通线，两年半即实现月产出30000片目标，不仅刷新行业同类型晶圆制造项目建设速度纪录，更提前撞线原规划节点，为功率器件制造领域树立起新的标杆。　　重庆12吋项目致力于打造对标国际一流的高端功率器件晶圆生产线，已形成五大核心竞争力：　　设备领先：全新业界主流机台占比达95%，铸就全球一流的12吋功率器件专业晶圆生产线。　　智能制造：全球顶尖品牌天车系统及自动化排产系统，匹配自动化立体仓储，打造业界领先的无人化工厂。　　技术前瞻：产品布局对标全球最新工艺代次，SGT G6、SJ G4、IGBT G7等核心技术平台全面服务汽车、AI、算力中心等高端应用领域。　　IDM一体化：配套7万平米车规级功率模块封测基地，提供一站式IDM高效服务。　　质量可靠：建立全流程车规级质量体系，配备投资超2亿元、面积超4000平米，并通过30余项CNAS认可的车规级实验室，产品在线良率稳定在99.65%以上。　　华润微电子在重庆深耕八载，已建成涵盖设计研发、外延中心、晶圆制造、封装测试、销售服务等全产业链的车规级功率半导体产业基地。以12吋月产30000片为“加速键”，华润微电子在渝晶圆产能已占重庆已建产能的半壁江山(折合8吋)，助力重庆功率半导体规模跻身全国前三。
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发布时间：2025-09-08 11:52 阅读量：1822 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>电子G5-IPM模块：以优异性能赋能电机驱动应用
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华润微电子G5-IPM模块：以优异性能赋能电机驱动应用

　　2025年7月14日，华润微电子功率器件事业群(简称PDBG)举办了第二次“攀登者计划”表彰活动，对“登顶”项目——《基于IGBT5的IPM模块开发及产业化》项目予以表彰，该项目在G5-IPM模块产品开发及产业化上取得显著成效。　　8吋工艺+第五代IGBT技术，PDBG快速向电机驱动市场推出G5-IPM模块　　一、产品简介　　PDBG基于华润微电子8吋功率器件晶圆产线成熟的工艺平台，快速开发并成功推出了全新的G5-IPM模块系列产品——CRM60GHXXEB系列。该系列产品采用Trench FS V IGBT技术(简称G5)，以DIP-24B封装形式呈现，覆盖600V电压平台15/20/30A电流规格，主要适用于电机驱动场景，能够有效填补工业控制领域(工业变频器、水泵、伺服电机)和智能家电(空调压缩机)的市场需求缺口。　　CRM60GHXXEB系列G5-IPM模块的性能显著优于采用Trench FS III IGBT技术(简称G3)的IPM模块。通过优化动态特性及增强抗闩锁能力，CRM60GHXXEB系列产品能够为用户提供更高效、可靠的解决方案。这一突破不仅彰显了PDBG在功率器件领域的技术实力和创新能力，更体现了其对市场需求的敏锐洞察和快速响应能力。　　△ CRM60GHXXEB 封装外形　　二、产品性能优势　　G5系列产品，采用先进的8英寸晶圆工艺，相较于G3系列产品，晶圆良率大幅提升，芯片结温提高至175℃，饱和压降降低10%，开关速度提升，开关损耗降低35%。模块化封装后，产品在高温环境下的工作特性与运行稳定性方面表现更加优异。　　(1)导通损耗：以600V 15A器件为例，在轻载工况下，G5-IPM模块内置IGBT的导通损耗明显低于G3及友商同规格产品，内置FRD的导通损耗在全工况下表现优异，使得G5-IPM模块的综合导通损耗表现更佳。△G3/G5-IPM模块的VCESAT与友商产品对比　　△G3/G5-IPM模块的VF与友商产品对比　　(2)开关特性：G5-IPM模块的开关损耗与友商同规格产品接近，较G3有显著提升。同时，通过优化开关波形，提升开关速度，优化开通dV/dt，有效降低了关断尖峰电压应力，提升了EMI表现。△G3/G5-IPM模块的开通损耗与友商产品对比　　△G3/G5-IPM模块的关断损耗与友商产品对比△G3/G5-IPM模块的关断尖峰与友商产品对比△G3/G5-IPM模块的开通dV/dt与友商产品对比　　综上，PDBG的G5-IPM模块在温升控制与效率提升方面表现出色，适配变频器、伺服电机、空调压缩机等应用场景，为设备的高效稳定运行提供坚实保障。此外，基于8英寸晶圆工艺量产的Trench FS V IGBT，通过规模化生产优势实现了制造成本优化，为市场提供了更具性价比的高性能产品。　　三、产品应用优势　　G5-IPM模块凭借其优异的性能(较G3-IPM开关损耗降低33%)和显著提升的FT良率(较G3-IPM提高1~2个百分点)，展现出强劲的市场竞争力。目前，该模块已连续半年向变频器领域头部客户实现大批量供货，同时在伺服控制领域顺利通过标杆客户验证。　　该系列产品是专为伺服控制、泵类以及低功率变频器等应用精心设计的一款三相智能功率模块(IPM)。该模块集成了6颗低损耗的第五代IGBT和2.5代FRD，同时还具备欠压保护、过流保护、故障输出以及温度输出功能。　　产品列表　　四、应用案例　　在伺服驱动及变频水泵领域，PDBG可提供功率段小于2200W的解决方案，主要应用拓扑图如下：　　随着8英寸Trench FS V工艺的成熟，PDBG已快速完成G5-IPM模块的系列化开发。凭借更低的导通压降与开关损耗，G5-IPM模块为工业控制和智能家电领域提供了更高效、更可靠的解决方案。　　未来，PDBG将坚持创新驱动发展，优化现有产品性能，打造华润微IPM品牌的差异化竞争优势，并全面推进系列化产品开发，助力工业控制及智能家电产业客户实现产品升级;同时，公司将通过核心技术突破和全产业链协同创新，推动产品进入汽车空调等领域。我们期待与更多合作伙伴携手，共同构建绿色高效的产业新生态!
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发布时间：2025-07-18 11:38 阅读量：2407 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行
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华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。　　一、产品简介　　PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。　　△产品封装外形　　二、产品优势　　01产品性能显著提升　　(1)体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰(EMI)表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。　　(2) 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：　　△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)　　从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。　　(3)UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：　　△实测UIS波形(CRSK010NE2L6 264A未失效波形)　　△实测UIS波形(竞品A 263A未失效波形)　　CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。　　02技术亮点　　先进12吋fab低压小线宽工艺　　产品采用ONO resurf 结构　　Rsp值已达到行业优异水平　　薄片工艺，减薄厚度50um　　三、应用领域　　CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块(buck)、砖块电源等。
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发布时间：2025-06-03 13:07 阅读量：2420 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>电子氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式在大连举行
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华润微电子氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式在大连举行

　　5月16日，华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式，活动以“亿芯突破·智启新程”为主题。华润微电子副总裁庄恒前，华润微电子功率器件事业群总经理李超，润新微电子总经理梁辉南，大连高新区党工委副书记、管委会主任胡凡，高新区党工委委员、管委会副主任国翔宇，大连金运副总经理张作伟，达晨财智高级副总裁梁国智，华润集团战略管理部代表，润新微股东代表及员工代表出席仪式，与众多项目建设伙伴、客户及供应商代表共同见证外延生产基地启幕。　　氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式　　活动现场，公司举行氮化镓亿颗芯片庆典，庆祝氮化镓芯片成功出货一亿颗，标志着公司迈入了新的发展阶段，具有里程碑意义。　　华润微电子及功率器件事业群管理层、润新微电子管理团队、大连高新区有关领导、项目建设代表共同为外延生产基地通线剪彩。润新微电子外延生产基地从立项到建成仅用九个月，采用了前沿的工艺技术和创新理念，致力于打造国内一流、国际领先的外延片生产基地。　　华润微电子副总裁庄恒前致辞　　华润微电子副总裁庄恒前在致辞中对长期以来给予华润微电子、润新微电子鼎力支持的大连高新区政府、投资机构及合作伙伴致以诚挚的感谢。他介绍了华润微电子在第三代半导体领域的业务布局和技术优势，并强调润新微电子是公司在氮化镓赛道进行战略规划的关键战略举措。润新微电子外延生产基地的建成，标志着华润微电子在氮化镓产线布局上实现新的关键里程碑。未来，华润微电子将依托该生产基地，结合自身在氮化镓晶圆制造及封测领域的技术优势，通过共享市场销售网络、提供资金保障等措施，助力润新微电子成为国内氮化镓细分领域领军企业。　　嘉宾致辞　　大连高新区党工委委员、管委会副主任国翔宇在致辞中对华润微电子在大连的投资成效表示感谢，希望华润微电子持续深耕半导体领域，充分发挥行业龙头带动效应，加速战略性新兴产业的集聚，为大连高新区的新质生产力发展注入源源不断的强劲动能。　　嘉宾互动　　2022年，华润微电子通过战略投资控股润新微电子，加速了公司在氮化镓领域的战略布局。近年来，依托华润微电子的IDM全产业链资源优势，润新微电子在D-mode氮化镓领域持续深耕，构建起从外延材料制备到器件工艺优化的完整技术链条，成功与电源管理等领域的头部客户达成合作，市场品牌影响力大幅提升。2024年，基于“战略所向、经营所需”的双重考量，华润微电子投资建设润新微电子外延生产基地，通过垂直整合核心制造环节，进一步夯实了在外延能力上的竞争优势。活动当天，与会人员共同参观了华润微电子氮化镓外延基地生产线，深入了解生产线布局及工艺流程。　　展望未来，华润微电子将继续秉持创新驱动理念，进一步加大研发投入，持续深化宽禁带半导体等高端领域布局，以更高标准不断提升产品性能和质量，精准满足市场对高端外延片日益增长的需求。同时还将积极强化与产业链上下游企业的深度合作，携手共进，共同攻克技术难题，完善产业生态，全力推动半导体产业链的协同发展，向着更高层次、更深领域探索前行，为我国半导体产业的自主可控、安全可靠持续贡献力量，助力第三代半导体等高端应用市场蓬勃发展。
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发布时间：2025-05-19 09:43 阅读量：1754 继续阅读>>

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