电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

从封装到散热：<span style='color:red'>功率模块</span>设计中的常见误区

行业新闻

从封装到散热：功率模块设计中的常见误区

　　功率模块作为电力电子系统中的核心组件，其设计的合理与否直接影响系统的性能、可靠性和寿命。在功率模块设计过程中，封装和散热是两个关键环节，常常决定模块能否稳定长期运行。下面就简单了解功率模块设计中的常见误区吧!　　功率模块封装的常见误区　　1. 忽视封装材料的热性能　　封装材料的热导率直接影响模块的散热效率。部分设计者为了节约成本，选用热导率较低的材料，导致内部热量无法有效传导到散热器，增加模块工作温度，严重影响器件寿命和稳定性。　　2. 设计中未充分考虑机械应力　　功率模块在工作时会经历频繁的热循环，封装材料不同热膨胀系数导致应力集中，如果设计时未合理考虑，会引发内部焊点开裂、材料剥离等问题，降低产品可靠性。　　3. 忽略封装尺寸与布局对电气性能的影响　　模块封装尺寸和布局直接关联寄生电感、电阻。设计时若不合理，会导致开关速度降低，产生额外的开关损耗和电磁干扰。　　功率模块散热的常见误区　　1. 散热方案设计不匹配实际工作条件　　设计时常见误区是散热方案未根据功率模块实际工作环境和负载情况准确评估散热需求，导致散热能力不足或过度设计，浪费成本。　　2. 散热介质选择不当　　空气冷却、风冷、水冷等散热方式各有优缺点，设计时未根据模块功率密度与运行环境选择合适的散热手段，影响整体散热效果。　　3. 忽视界面热阻的影响　　模块与散热器之间的热界面材料选择和施工工艺至关重要。不恰当的界面材料或者接触不良会大大增加热阻，阻碍热量传导，导致模块温度升高。　　4. 散热器设计不合理　　散热器体积过小、表面积不足、通风不畅，均会降低散热效率。另外，散热器安装位置及紧固不牢固也会影响散热效果和模块可靠性。　　优化功率模块设计的方法建议　　封装材料选择：优先选用热导率高、热膨胀系数匹配的封装材料，减少热应力和内部损坏。　　布局设计优化：合理规划电气布局，降低寄生参数，提升电气性能及散热通道。　　准确热分析：利用仿真工具进行详细热分析，根据实际工况设计散热方案。　　界面材料与工艺控制：选择合适的导热膏、导热垫，确保模块与散热器之间良好接触。　　散热器设计与安装：根据模块功率和环境选取合适散热器规格，保证安装稳固，提升散热效率。

关键词：

功率模块

发布时间：2026-10-08 16:37 阅读量：159 继续阅读>>

行业新闻

士兰微丨ZPAK碳化硅功率模块开启电驱高密度新时代

　　8月28日，为期三天的PCIM Asia Shenzhen 2026进入收官日。本届展会聚焦电动交通、AI数据中心、新能源三大高价值应用场景。作为展会的重要组成部分，同期举办的多场主题论坛覆盖碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体前沿技术，深入探讨电动汽车、碳化硅、电机驱动与运动控制等热门议题，各主题论坛现场座无虚席。　　在国际研讨会“电机驱动与电动化交通专场”上，士兰微PIM产品线杨博士代表公司出席并以《汽车电驱SiC功率模块的低杂感、高功率密度及均流优化设计》为主题做出精彩演讲。　　随着新能源汽车产业加速向高压、高功率密度方向演进，电驱系统对功率模块的体积、效率与可靠性提出了更高要求，传统功率模块在杂散电感、均流特性与封装密度等方面的瓶颈日益突出。　　本次演讲杨博士从电驱系统的严苛需求出发，针对上述行业共性难题，并系统分享了士兰微电子ZPAK高性能碳化硅功率模块，为汽车牵引逆变器提供有竞争力解决方案。　　据介绍，ZPAK碳化硅模块采用士兰与致瞻科技联合开发的ZPAK封装外形，基于士兰自主研发的第四代(G4)SiC-MOSFET芯片，采用士兰独创的3D互联封装方案。芯片可用面积占AMB面积的比例约为70%，而传统HPD模块仅为40%。该模块在900V电压平台夏最大输出电流可达420-450Arms，体积比目前广泛采用的HPDmini模块缩小约60%。　　均流控制方面　　ZPAK-SiC模块采用了一项士兰自主知识产权的创新技术——CBI(电流平衡互连Current-Balancing Interconnection)。确保4颗并联芯片间的动态电流不平衡率极低，仅为5.7%，显著提升了模块的可靠性与一致性。　　杂散电感优化方面　　ZPAK-SiC模块层叠式直流端子设计使系统级杂散电感低至12nH，从而减少40%的开关损耗，为新能源汽车电驱系统提供了更高效、更可靠的功率支撑。　　与市场主流模块相比，ZPAK模块在多项关键指标上实现全面超越：　　功率密度提升54%;　　杂散电感降低43%;　　动态均流改善70%;　　开关损耗降低46%;　　同时具备宽范围的功率可扩展性，可灵活适配不同功率等级的电驱应用需求。　　这一系列数据充分印证了ZPAK模块在新能源汽车电驱领域的领先优势。　　整场演讲干货十足，杨博士深入浅出的技术解读赢得了现场阵阵掌声。演讲结束后，多位参会嘉宾围绕ZPAK模块的车规级可靠性验证、芯片封装、客户导入进展及碳化硅模块规模化量产等话题与专家展开进一步交流，现场气氛热烈。　　未来，士兰微电子将继续深耕碳化硅等第三代半导体前沿领域，持续推动车规级功率模块的技术迭代与产业化落地，携手产业链伙伴共建高效、可靠的新能源汽车电驱生态，为国产功率半导体高质量发展贡献力量。

关键词：

士兰微

发布时间：2026-09-04 13:21 阅读量：400 继续阅读>>

行业新闻

喜报 | 士兰微电子B7功率模块荣登“2026国产车规芯片新品十强”榜首

　　5月20日，第十三届汽车电子创新大会暨2026车规半导体技术应用展(AEIF 2026)在上海开幕。本届大会以“软件定义汽车，智算重构生态”为主题，汇聚了来自全国各地的汽车电子领域专家、企业高管及产业链决策者。会上，士兰微电子B7功率模块产品荣获“2026国产车规芯片新品十强”及金芯奖“卓越产品奖”殊荣。　　本次“2026国产车规芯片新品十强”评选由中国集成电路设计创新联盟、AEPC汽车电子专业委员会、《中国集成电路》杂志社联合组织。依托“艾思齐”标准，评审组首先对《国产车规芯片可靠性分级目录(2026)》收集的、来自127家企业的341款产品进行严格筛选，挖掘出了处理器、MCU、功率半导体、存储器等领域实现突破的一批国产新秀，产生“2026国产车规芯片新品TOP 30”。　　为进一步遴选出年度标杆产品，评审组从TOP 30的这批头部国产车规芯片中优选出了一批表现优异的芯片，进入当天上午AEIF 2026会议现场的闭门答辩环节。由长安、东风、上汽、上汽大众、北汽、蔚来、小鹏、理想等车企用户单位，联合电子、联创电子等一级供应商甲方评委，上海汽车芯片工程中心、上海交通大学、中国汽车技术研究中心、国家汽车芯片质量检验检测中心、中国集成电路设计创新联盟等行业有关独立第三方专家组成的豪华评审团近20位评委(其中共计11家甲方评委)，依据“艾思齐”标准四大核心维度进行严格的现场质询与独立评分。　　经过现场答辩评审，最终评选出10家公司的产品获得“2026国产车规芯片新品十强”称号。士兰微电子应用于新能源汽车领域的B7功率模块SGM270SS8B7TFM 在此次评选中脱颖而出，荣登榜首。　　士兰SGM270SS8B7TFM功率模块　　该产品采用士兰微自主开发的Trench-Field-Stop五代IGBT工艺，具备低杂散电感、高阻断电压、高功率密度、高可靠性等优异特点，并结合创新设计结构带来高灵活性，使产品性能达到行业领先水平。在大会晚宴阶段举行的颁奖仪式上，该产品同时获评金芯奖“卓越产品奖”。　　作为国内领先的IDM企业，士兰微电子已基于FS V和FS V++的IGBT平台及先进封装平台，成功拓宽并布局了更多元的新产品矩阵，包括具备更大电流能力的IGBT模块SGM480SS8B7HTFM，以及封装SiC芯片的TPAK及TPAK PLUS封装产品。通过构建高性能、多维度的产品矩阵，士兰微正全面满足从主流到高端、全功率段的新能源汽车应用需求，持续以创新的芯片重构绿色出行生态。　　本次大会期间，士兰微还随会展出了SGM500PB8BA2TFM_TR2、SSM2R1PB12EZ1BTFM、SGM350PP8E2ETFM等具有代表性的汽车电子功率器件及功率模组产品。未来，随着士兰汽车电子产品矩阵的不断丰富与技术迭代的持续深入，士兰微电子将继续以创新的芯片赋能绿色出行，为中国汽车电子产业贡献更多力量。　　士兰汽车电子明星产品　　链接：关于“AEPC车规芯片健康指数标准”——AsaChi “艾思齐”　　在车载芯片国产化加速突破、资本聚焦高端核心领域的行业背景下，主机厂及Tier1零部件企业亟待选择一批质量过硬、性能稳定、供货可靠、拥有自主知识产权的芯片企业作为国产化合作对象，投资机构也需寻找具备长期发展潜力的企业群作为战略投资方向。但目前行业缺乏适用的综合性指标作为遴选依据。　　针对这一痛点，AEPC汽车电子专业委员会组织相关行业专家，推出行业首个综合性评价指标——“AEPC车规芯片健康指数标准”(AEPC standard for automotive Chip health index，简称AsaChi“艾思齐”)，填补了国产车规芯片健康度量化评估的行业空白。该标准由AEPC整合科研机构、高等院校、头部整车企业、Tier1供应商、芯片检测认证机构等多方资源联合打造，涵盖芯片可靠性、实体可靠度、整车配套成熟度、知识产权与工具四大核心维度，细化为AEC-Q测试合规度、制造基地、前装供货经验、国产第三方IP及EDA工具占比等10余项可量化评估指标，采用“企业自测+专家评审”双轨评分机制，确保评估结果的客观性与权威性，将为整车厂、Tier1厂商及投融资机构的决策提供科学依据。

关键词：

士兰微

发布时间：2026-05-25 10:22 阅读量：982 继续阅读>>

行业新闻

士兰微新一代灌封功率模块——MiniPack系列&SPD模块系列，为汽车电驱注入长效稳定动力

　　士兰微新一代自主研发、具备自有知识产权的灌封解决方案，依托结构优化、材料升级与芯片迭代深度耦合设计，打造高功率密度、低杂感、高可靠车规级功率模块，全面适配纯电、混动等多平台电驱需求。以先进封装技术提升系统稳定性与散热性能，助力汽车电驱高效化、集成化升级，为新能源汽车产业提供国产化核心支撑。　　产品介绍　　Silan全新推出的自主研发、具备自有知识产权的灌封系列模块，相较于传统方案实现全方位升级。产品在功率密度、电流输出能力、电热耦合性能、系统集成度与长期可靠性上大幅突破，同时深度优化单体成本与整体系统设计成本，以更高效、更可靠、更具性价比的一体化方案，为新能源汽车电驱系统带来核心性能与价值双提升。　　MiniPACK系列(BA2/BA3)发电&中小功率驱动应用　　SPD系列 (BB1)适配中大功率应用　　竞争优势　　1、更高功率密度　　Silan新一代灌封模块对底板和外壳装配结构进行优化，相比miniHPD模块Y方向尺寸减小15mm，X方向尺寸减小57mm，体积可降低约50%，功率密度提高。　　2、优异电性能　　Silan通过功率端子优化，采用DC+/DC-/DC+三端子设计，显著降低功率回路寄生电感。　　3、更低开关损耗和导通压降　　Silan灌封模块搭载士兰FS5++芯片技术，具有更低开关损耗和导通压降，同样出流能力下芯片尺寸更小。　　在新能源汽车电控功率模块领域，士兰微电子深度洞察客户需求与行业发展趋势，创新打造PIM灌封模块全新平台化产品。产品凭借领先的功率密度与能效表现，持续突破系统性能边界，为新能源汽车电控系统高效、稳定运行提供核心支撑。

关键词：

士兰微

发布时间：2026-03-02 15:42 阅读量：1601 继续阅读>>

极海电机产品线再扩容：首款GHP500N05智能<span style='color:red'>功率模块</span>与GHD1620T电机专用栅极驱动器双箭齐发

行业新闻

极海电机产品线再扩容：首款GHP500N05智能功率模块与GHD1620T电机专用栅极驱动器双箭齐发

　　电机控制器作为动力调节和运动控制的核心模块，广泛应用在工业自动化、新能源汽车、机器人、无人机等领域。在科技持续革新的推动下，电机驱动与控制技术正经历多维突破，其核心器件电机驱动IC正加速向高效率、高集成、智能化方向演进。　　面向电机市场用户需求，极海持续拓展电机专用芯片产品阵容，致力于为用户提供多元化产品选择。为满足用户在系统设计上的多样化需求，极海正式推出 GHD1620T 600V电机专用栅极驱动器及首款GHP500N05智能功率模块IPM新品。　　GHD1620T：600V双N沟道单相电机专用栅极驱动器　　GHD1620T内部集成低压差自举二极管，可为高侧电路提供足够的电压驱动开关;同时内置温度传感器输出，实现温度补偿和自适应控制，优化电机控制能效;支持宽电压范围10V~20V，提供3.3V/5V逻辑输入兼容，悬浮偏移电压+600V，适用于各种直流无刷/有刷电机应用方案。GHD1620T芯片框图　　该系列产品内置多重保护功能，如VCC/VBS欠压保护、过温保护、直通防止功能以及内置400ns死区时间，可有效保护功率器件稳定运行。　　内嵌输入/输出下拉电阻，提供稳定的驱动能力;具备高低侧通道匹配和输出/输入同相，简化控制逻辑，有效提升电机效率;峰值输出电流45mA@15V，1nF负载上升时间550ns;峰值输入电流230mA@15V，1nF负载下降时间70ns，有效降低功率器件开关损耗。　　GHP500N05：500V/5A高性能MOSFET半桥电机IPM　　极海推出的首款智能功率模块GHP500N05，集成600V耐压栅极驱动器及500V /5A高性能快恢复MOSFET，内置自举二极管、温度传感器输出以及具备多重保护功能，实现驱动+MOSFET一体化，简化外围电路设计，提升系统效率。GHP500N05芯片框图　　GHP500N05支持电源电压工作范围10V~20V，3.3V/5V逻辑输入兼容，实现与不同逻辑电平电路工作;内置直通防止功能和400ns死区时间，防止直通触发短路，提升电路安全性与稳定性;具备50V/ns的dvs/dt抗干扰度，VS引脚逻辑运行电压-11V，逻辑输入负电压容差-11V，确保模块在电压快速变化时仍能正常工作。　　应用场景　　产品均可应用于：高压吊扇、高速风筒、油烟机、高压水泵等场景。　　极海具备完善的电机生态系统，配备工具链、多场景DEMO以及快速响应的技术支持服务，为客户提供一站式开发体验，助力客户缩短产品上市周期。极海还将持续为电机应用市场推出高效率、低功耗、小型化、集成化的产品及解决方案，以满足客户在工业控制、新能源汽车、智能机器人、智能家电等领域深度开发需求。　　●GHD1620T芯片工作温度范围为-40℃~105℃，提供SOP8封装　　●GHP500N05芯片工作温度范围为-40℃~105℃，提供ESOP9封装

关键词：

极海

发布时间：2026-02-06 16:32 阅读量：1543 继续阅读>>

村田电子：采用SiC的车载<span style='color:red'>功率模块</span>，如何实现更精确的高温检测？

行业新闻

村田电子：采用SiC的车载功率模块，如何实现更精确的高温检测？

　　碳化硅(SiC)半导体器件正逐渐替代硅IGBT，成为电动汽车(xEV)中功率电子技术中的关键器件。特别是在主逆变器中使用SiC功率半导体，能够提升电动汽车的续航能力，降低电池成本，并将主逆变器的体积减小一半，大大提高车辆布局设计的灵活性。　　然而，SiC功率管是基于高速开关的技术，所需的结温也不断提高，一些SiC模块的额定运行温度可以超过200°C，这对SiC的内置或周边元件提出了高温要求。特别是功率模块内置的热敏电阻，要实现更精确的高温检测，需要耐高温，且更靠近功率器件。而传统热敏电阻应用中，热敏电阻与半导体之间的焊盘是分开的，远离半导体器件影响温度检测的精度。　　应对上述技术挑战，村田制作所开发并成功商品化了“FTI系列”的功率半导体用NTC热敏电阻。该产品采用树脂模塑结构、且支持引线键合，可用细金属线连接半导体芯片和电极，从而将该产品设置在功率半导体附近，准确测量温度，并减少贴装面积，提高设计灵活性并降低系统成本。　　FTI系列工作温度确保范围为-55°C至175°C，适合用于产生大量热量的汽车动力总成用途——比如汽车逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等将动力源产生的动力传输至车轮以使车辆行驶的系统。村田近期发布的产品选型指南《xEV功率电子解决方案》中，详细介绍了“FTI系列”的特性、参数、以及未来的新品规划。　　该技术指南的内容还包括村田Y电容器、吸收电容器在xEV的功率电子中的解决方案以及应用案例。

关键词：

村田电子

发布时间：2025-11-05 13:22 阅读量：1455 继续阅读>>

森国科推出SOT227封装碳化硅<span style='color:red'>功率模块</span>，赋能高效能源系统升级

行业新闻

森国科推出SOT227封装碳化硅功率模块，赋能高效能源系统升级

　　碳化硅(SiC)功率半导体技术引领者森国科，推出了采用SOT227封装的SiC MOSFET及JBS功率模块系列。这一突破性封装方案结合了高功率密度与系统级可靠性，为新能源发电、工业电源及电动汽车等领域提供高效能解决方案。　　SOT227作为成熟工业级封装标准，其结构性优势完美适配SiC器件的特性需求，是释放SiC 功率器件性能潜力的最优载体。SOT227 有如下的封装结构及工艺特性：　　PART.01超低寄生参数　　--超低寄生参数：　　一体成型的端子布局与紧凑内部结构，寄生电感<10nH，显著抑制开关振荡，使SiC MOSFET的超快开关性能(开关频率达100kHz+)得以充分发挥。　　--紧凑型模块设计　　SOT227是一种内绝缘封装，基板(DBC)面积大于TO-247，可容纳更多或更大尺寸的SiC芯片(如多芯片并联或混合拓扑集成)，同时整体体积显著小于传统大功率模块，适用于空间受限的高密度设计。　　引脚设计：终端引脚尺寸更大，支持更高电流承载能力(例如1200V SiC MOSFET通流能力达121A，较TO-247提升9%)。　　--绝缘与散热优化　　内绝缘陶瓷垫片：内置Al₂O₃或AlN陶瓷绝缘层，无需外加绝缘垫片，减少外部热阻并简化安装流程;　　低热阻设计：结到散热器的热阻(Rθ-jHs)比TO-247降低50%以上。例如，部分SiC MOSFET模块的结壳热阻低至0.67 K/W，显著提升散热效率。　　--机械与安全特性　　高绝缘可靠性：端子间爬电距离≥10.4mm，隔离电压达2500Vrms，满足工业安全标准(如IEC 60601);　　简化安装：支持标准M4螺钉安装，扭矩规格明确(1.5N·m)，降低装配复杂度并提高生产良率。　　PART.02电气性能优势高频与低损耗特性　　--开关性能　　SiC器件支持超高速开关(如Turn-On Delay 19ns，Rise Time 27ns)，开关损耗极低(175℃时Eon=500μJ, Eoff=250μJ)，适用于高频应用(如射频电源、LLC谐振转换器)。　　--低导通损耗　　SiC MOSFET导通电阻可低至7.6mΩ。　　SiC肖特基二极管正向压降低至1.36V，电容电荷(Qc)仅56nC，显著降低导通与开关损耗。　　--高温与可靠性表现　　工作温度：支持高达175℃环境温度，正温度系数特性便于多器件并联均流。　　鲁棒性设计：内置SiC SBD续流二极管无反向恢复问题(反向恢复时间16ns)，避免电压尖峰和EMI噪声;雪崩耐量设计增强抗负载突变能力。　　SOT227 封装的SiC 模块出色的性能，可在如下的典型应用场景中大显身手：01　　中高功率工业系统　　填补功率缺口：适用于数十至数百千瓦功率段(如TO-247与62mm模块之间的空白)，覆盖光伏逆变器、充电桩、工业UPS等场景。　　高频电源：AC/DC PFC、DC/DC超高频整流(如电信电源、服务器电源)，依赖低Qc和高速开关实现>95%效率。　　02　　精密与严苛环境设备　　半导体制造设备：等离子体射频发生器、PECVD电源，需高精度功率控制与低EMI特性。　　医疗与航空航天：密封设计适配高湿度环境，金属法兰安装增强机械稳定性(如至信微模块应用于航空航天领域)。　　森国科基于自研SiC MOSFET 及JBS晶圆，基于SOT227 封装，适时推出了SOT227 封装的SiC MOSFET 及 JBS 模块产品　　KC017Z12J1M1 SiC MOSFET　　KC100D12J1M1 SiC JBS　　SOT227封装赋予了SiC器件系统级创新的战略支点。森国科的SOT227模块化方案让客户在保持设计兼容性的同时，直接解锁SiC的能效红利。SOT-227封装通过结构创新(内绝缘、紧凑布局)与SiC材料优势(高频、耐高温)的结合，解决了中高功率系统在功率密度、散热效率和安装成本上的痛点。其标准化设计(如引脚兼容性)进一步推动了对传统硅基器件的替代，尤其在高频、高温及可靠性要求严苛的领域具备不可替代性。

关键词：

森国科

发布时间：2025-08-15 15:54 阅读量：2187 继续阅读>>

行业新闻

森国科推出2000V SiC MOSFET、JBS & Easy3B 功率模块系列产品，满足1500V 以上高压应用场景

　　在如今的科技发展浪潮中，电力电子器件的性能对众多领域的发展至关重要。随着1500V 光储系统的广泛应用，1000V/800V 新能源汽车架构平台的蓬勃发展，高压兆充的快速布局，森国科及时推出了 2000V SiC 分立器件及模块产品。森国科的2000V SiC产品系列正是顺应市场需求而生，它能在提高效率、降低损耗等方面发挥重要作用。　　众所周知，1500V高压光伏系统具备多方面显著优势。其通过增加串联光伏组件块数、减少并联电路数量，有效削减接线盒及线缆数量。电压提升后，线缆损耗进一步降低，系统发电效率得以提高。　　同时，设备(逆变器、变压器)的功率密度提升，体积减小，降低运输和维护工作量，有利于降低光伏系统成本。此外，顺应高压并网发展趋势，该系统在未来的能源格局中更具适应性和竞争力。　　在光伏发电侧，当光伏组串的母线电压高达1500V的时候，就要求逆变器的输入侧能承受1500V的电压，从而要求逆变器内部的高压侧功率器件的耐压要求高达2000V以上，而电压越高就越能发挥SiC功率器件的优势，　　上面的光伏发电框图直观展示了光伏发电系统的整体架构与运行流程。逆变器与2000V SiC器件紧密相连。2000V SiC 器件有利于简化光伏逆变器的拓扑结构、提升功率密度、提升系统效率、降低系统成本。具体来说，它可以支持1500V的MPPT升压电路，减少系统损耗，提升效率。在组串式逆变器领域，对于8kW - 150kW的大功率逆变器，能将直流 - 交流转换效率提升至99%以上，显著降低能量损耗。　　在光伏逆变器中，有以上三种升压变换电路拓扑，分别是1100V System、1500V FC - Boost System和1500V 2-level System。这些电路拓扑有显著优势。使用SiC器件比传统Si器件频率更高、效率更高，能让电路运行更高效。　　01　　森国科针对1500V 工作电压系统需求，推出了2000V/35mΩ的SiC MOSFET KWM035200A，2000V/20A 的SiC JBS KWS20200A，两款产品的温度适用范围广，都可以在-55℃到175℃间稳定工作，且通过了JEDEC的严格测试，包括HV - HTRB和HV - H3TRB，可靠性极高。其驱动电压在15V至18V，采用开尔文源极引脚的封装设计可减少开关损耗，提升开关速度。　　02　　基于森国科自研的2000V SiC MOSFET & JBS 晶圆，森国科还推出了一款2000V/19 mΩ SiC 模块KC019DF20W3M1，这是一款全碳化硅模块(4 通道 Boost)，其工作温度范围在 -55℃到 175℃之间，通过了 JEDEC 的严格测试，包括 HV - HTRB 和 HV - H3TRB。　　该模块采用 3B 封装并加装铜金属底座，既安装牢固，又消除了塑料底座老化隐患，安全性大幅提升。内部集成 4 相升压电路，共用电源接地并分 2 组，还集成热敏电阻监测温度，能灵活适配 2 路或 4 路直流输入，满足多样设计需求。对比分立器件方案，它大幅提升功率密度，简化电路设计。　　在前面的分享中，我们详细介绍了森国科2000V SiC功率器件的出生背景、优势、相关电路拓扑以及具体的器件型号和模块型号等内容。随着越来越多的高压应用的快速发展，森国科将推出更多2000V系列的SiC 功率器件，针对不同的应用场景，推出最合适的功率器件及模块产品。

关键词：

森国科

发布时间：2025-08-13 13:54 阅读量：1828 继续阅读>>

行业新闻

森国科推出电机驱动专用的高集成、高性能IPM智能功率模块

　　随着全球家用电器变频化的加速渗透，5G、AI以及数据计算等终端系统复杂度的提升，也为智能功率模块市场带来大量增长。IPM智能功率模块不仅可以简化电路设计，减少在电路中的占用空间，还可以提高电路的运行可靠性，广泛应用于消费电子、家电、汽车、轨道交通、工业设备、新能源、智能电网等众多领域。　　为响应市场需求，森国科推出一款紧凑型全塑封SOP-23H封装的IPM智能功率模块KG05AS05B1M1(500V，5A) ，这是一款高集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路模块，目前可为风扇类、厨房烟机、高速风筒、风机、泵类等小功率电机驱动产品提供经济高效的解决方案。　　森国科IPM智能功率模块KG05AS05B1M1集成了6个MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路，具备欠压保护和失效保护功能，以保证电子设备的安全和可靠性。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。KG05AS05B1M1封装采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，使其具备开关速度快、功耗低、抗干扰能力强和高可靠性等优点，有利于近一步降低系统成本。　　性能特点　　开关频率10kHz以上　　三相500V快恢复功率MOS管，内置保护功能栅极驱动　　内置自举二极管　　独立的负直流端便于三相变频器电流检测的应用　　完全兼容 3.3V 和 5V 的 MCU 的接口，高电平有效　　优化并采用了低电磁干扰设计　　内置负温度系数电阻用于温度检测　　内置欠压保护高压栅极驱动电路　　1500Vrms/min绝缘级别　　应用电路　　IPM智能功率模块因其高效稳定、多重保护、灵活可调和应用广泛等特点受到了汽车、工业设备、新能源等产业等多个领域的需求驱动。预计未来IPM市场将继续保持增长，并呈现出更多的应用领域。

关键词：

森国科

发布时间：2025-04-02 13:23 阅读量：1658 继续阅读>>

安森美推出基于碳化硅的智能<span style='color:red'>功率模块</span>以降低能耗和整体系统成本

行业新闻

安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本

　　安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM 31智能功率模块(IPM)系列。　　与使用第7代场截止(FS7)IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他领先解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调(HVAC)系统、伺服电机、机器人、变频驱动器(VFD)以及工业泵和风机等应用中的电子换向(EC)风机。　　EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美IGBT SPM 31 IPM 产品组合(涵盖15A至35A的低电流)形成互补，提供从40A到70A的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界领先的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。　　随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。　　随着数据中心的数量和规模不断增长，预计对EC风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境，对于准确、无误的数据传送至关重要。SiC IPM可确保EC风机以更高能效可靠运行。　　与压缩机驱动和泵等许多其他工业应用一样，EC风机需要比现有较大的IGBT解决方案具有更高的功率密度和能效。通过改用EliteSiC SPM 31 IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。例如，与使用当前IGBT功率集成模块(PIM)的系统解决方案相比，在70%负载时的功率损耗为500W，而采用高效的EliteSiC SPM 31 IPM 可使每个EC风机的年能耗和成本降低52%。　　全集成的EliteSiC SPM 31 IPM 包括一个独立的上桥栅极驱动器、低压集成电路(LVIC)、六个EliteSiC MOSFET 和一个温度传感器(电压温度传感器(VTS)或热敏电阻)。该模块基于业界领先的 M3 SiC 技术，缩小了裸片尺寸，并利用SPM 31封装提高短路耐受时间(SCWT)，从而针对硬开关应用进行了优化，适用于工业用变频电机驱动。MOSFET采用三相桥式结构，下桥臂采用独立源极连接，充分提高了选择控制算法的灵活性。　　此外，EliteSiC SPM 31 IPM 还包括以下优势：　　▷低损耗、额定抗短路能力的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止设备和元件发生灾难性故障，如电击或火灾。　　▷内置欠压保护(UVP)，防止电压过低时损坏设备。　　▷作为 FS7 IGBT SPM 31 的对等产品，客户可以在使用相同 PCB 板的同时选择不同的额定电流。　　▷获得UL认证，符合国家和国际安全标准　　▷单接地电源可提供更好的安全性、设备保护和降噪。　　▷简化设计并缩小客户电路板尺寸，这得益于　　栅极驱动器控制和保护　　内置自举二极管(BSD)和自举电阻(BSR)　　为上桥栅极升压驱动提供内部升压二极管　　集成温度传感器(由LVIC和/或热敏电阻输出VTS)　　内置高速高压集成电路

关键词：

安森美

发布时间：2025-03-18 15:15 阅读量：1463 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址