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极海双芯入选“2025<span style='color:red'>中国</span>汽车芯片创新成果”

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极海双芯入选“2025中国汽车芯片创新成果”

　　2025年11月24日-26日，由中国汽车工业协会主办的“2025中国汽车供应链大会”在安徽芜湖举办。本届大会以“链动产业生态，新质驱动未来”为主题，与会发布2025中国汽车芯片创新成果。极海凭借GURC01超声波传感和信号处理器与GALT61120汽车前灯LED矩阵控制芯片分别入选“2025中国汽车芯片创新成果-传感类”和“2025中国汽车供应链创新成果-技术创新类-智能网联汽车技术”。　　GURC01：超声波传感和信号处理器　　GURC01是国产首款顺利量产的超声波传感和信号处理器，突破了国际专利垄断，主要用于汽车距离测量辅助系统中，在测量长短距离物体上具有优异的性能表现;该芯片集成丰富的配置资源，具备高精度定位、即时信号处理、快速实时响应等功能;同时具备小体积、算法集成、抗干扰性强等特点。通过AEC-Q100 Grade 2车规可靠性认证。　　GALT61120：汽车前灯LED矩阵控制芯片　　GALT61120汽车前灯LED矩阵控制芯片，专为汽车智能照明系统设计。在技术层面已经达到了国际领先水平，成功填补国内市场空白，显著增强了智驾车灯系统的互操作性与驾驶安全，为汽车智能照明带来更多创新功能，并且解决了汽车前大灯在设计时面临的照射长距离、光束自由切换、防眩光等问题，通过AEC-Q100 Grade 1车规可靠性认证。　　面向未来，中国汽车供应链的可持续发展既需要技术创新的持续驱动，更需要产业链上下游的协同共进。极海正通过夯实研发根基、完善产品矩阵、构建开放生态，以实际行动推动产业向高端化、自主化迈进。极海将携手产业链伙伴，持续为构建安全、高效、创新的汽车供应链体系注入源源不断的动力。

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极海

发布时间：2025-11-28 09:48 阅读量：273 继续阅读>>

芯力特SIT1463Q芯片获推“2025<span style='color:red'>中国</span>汽车芯片创新成果”

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芯力特SIT1463Q芯片获推“2025中国汽车芯片创新成果”

　　11月25日，2025中国汽车供应链大会在安徽芜湖隆重举行。本次大会以“链动产业生态，新质驱动未来”为主题，汇聚了来自政府部门、行业组织、高等院校及产业链核心企业的多位高层代表，共同探讨汽车供应链高质量发展的新路径与新机遇。　　在本届大会上，中国汽车工业协会正式发布“2025中国汽车供应链创新成果”和“芯片创新成果”，83个企业、96个项目获协会推荐。其中2025中国汽车芯片创新成果覆盖驱动、功率等10大类别，覆盖34家优秀企业，共诞生39款创新产品，在产业转型升级、技术瓶颈突破等方面具有至关重要的意义。芯力特受邀参加了发布仪式，并凭借其研发的新一代高性能CAN SIC收发器芯片SIT1463Q，获推通信类芯片产品"2025中国汽车芯片创新成果"。芯力特SIT1463Q芯片从众多参赛产品中脱颖而出，标志着行业对芯力特在汽车芯片领域创新实力的高度认可。　　01 创新技术引领行业发展　　SIT1463Q芯片作为芯力特CAN SIC系列的最新产品，搭载了升级版的CAN SIC(CAN Signal Improvement Capability)技术，在信号完整性、系统稳定性和电磁兼容性等方面实现重大突破。该芯片特别针对下一代智能电动汽车对高可靠通信的需求，在复杂车载电气环境中展现出卓越的信号调理能力和抗干扰性能。　　02 量产实力获市场验证　　SIT1463Q通过第三方AEC-Q100测试、CAN通信一致性测试、德国C&S IOPT兼容性测试等权威机构测试认证。在与某主机厂测试部门一起进行的振铃抑制性能对比测试中，SIT1463Q在星型与线型两种拓扑结构下，其信号完整性和信号改善效果经测试验证显著优于竞品，优异性能获得客户的高度认可。目前，SIT1463Q已通过多家主流车企和Tier1供应商的严格测试验证，并实现规模化量产和稳定交付，应用于智能座舱、辅助驾驶、车身控制等领域。这不仅体现了芯力特产品的技术优势，更彰显了其可靠的量产保障能力。　　03 持续深耕汽车芯片领域　　作为国内最早实现CAN与CAN FD收发器量产的企业，芯力特在车载通信芯片领域持续深耕。截至目前，公司CAN、CAN FD、LIN等车载通信芯片累计出货已突破9亿颗，产品覆盖车身控制、车灯、智能座舱、高级辅助驾驶、底盘动力等关键领域，成为国内车载接口芯片领域产品线最全、出货量最大的IC设计企业之一。　　此次获推"2025中国汽车芯片创新成果"，不仅是对芯力特技术创新能力的肯定，更是对中国汽车芯片产业发展的有力见证。未来，芯力特将继续秉持"芯片驱动智能出行"的理念，为全球汽车产业智能化升级贡献更多"中国芯"力量。

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芯力特

发布时间：2025-11-28 09:40 阅读量：266 继续阅读>>

TOP 100 | 2025年<span style='color:red'>中国</span>内资PCB百强排行榜

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TOP 100 | 2025年中国内资PCB百强排行榜

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PCB

发布时间：2025-10-29 16:34 阅读量：648 继续阅读>>

苏州明皜传感再次荣获“<span style='color:red'>中国</span>MEMS十强企业”称号

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苏州明皜传感再次荣获“中国MEMS十强企业”称号

　　10月22日下午，2025第六届中国MEMS制造大会在苏州国际博览中心拉开帷幕。本届大会在传承往届优势的基础上，实现了全面升级与突破，继续携手SEMI/MSIG打造国际专场，并聚焦“代工与封装”、“具身感知”、“先进传感与光电子技术”及“新工艺”四大专题方向，设立专业论坛。大会汇聚了来自国内外权威行业协会、科研院所、知名企业的代表，以及高校专家学者等500余位MEMS产业链领军人物，共同探寻产业发展的新机遇与未来路径。　　同时，大会为入选“2024中国MEMS十强”的企业进行了颁奖仪式，中国MEMS十强榜单，是国内MEMS领域规模最大、最具影响力的评选，由中国半导体行业协会MEMS分会进行综合评估。自该奖项设立以来，明皜传感已经连续多年入选该名单。

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明皜传感

发布时间：2025-10-28 16:25 阅读量：345 继续阅读>>

<span style='color:red'>中国</span>PCB覆铜箔板、道具、材料等企业排行榜！

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中国PCB覆铜箔板、道具、材料等企业排行榜！

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发布时间：2025-10-27 14:24 阅读量：348 继续阅读>>

<span style='color:red'>中国</span>光刻胶领域取得新突破！

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中国光刻胶领域取得新突破！

　　自半导体产业诞生以来，光刻技术始终发挥着关键作用，是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。　　在芯片制造过程中，光刻承担着将集成电路图案转印至晶圆表面的任务，并通过光刻胶溶解在显影液中形成纳米尺度的电路图形。然而，光刻领域长期存在一个难以窥探的“黑匣子”——即光刻胶在显影液中的微观行为，该行为直接影响光刻图案的精确度与缺陷率。　　近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授、高毅勤教授、郑黎明博士与清华大学王宏伟教授、香港大学刘楠博士等率先通过冷冻电子断层扫描(cryo-electron tomography，cryo-ET)技术，成功揭开了这个“黑匣子”的神秘面纱。研究团队首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，分辨率优于5纳米。这一发现不仅揭示了光刻胶分子在溶液中的微观物理化学行为，更指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案，有效清除了12英寸晶圆图案表面的光刻胶残留，为提升光刻精度与良率开辟新路径。　　“显影”是光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到硅片上。这一“液固界面”直接决定了数以亿计晶体管图案的精确度与缺陷率。尽管产业界投入巨大，但由于液态环境本身具有复杂性与动态性，传统表征技术如扫描电子显微镜(SEM)无法对溶液中聚合物进行原位观察，而原子力显微镜(AFM)等手段所能提供的信息也十分有限。因此，人们对光刻胶聚合物的溶解机制、扩散行为、相互作用及其缺陷形成机理等基本问题仍知之甚少。这也导致工业界的工艺优化长期依赖于反复“试错”，成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。　　为破解这一难题，研究团队首次将冷冻电镜断层扫描(cryo-ET)技术引入到半导体领域。他们设计了一套与光刻流程紧密结合的样品制备方法：在晶圆上进行标准的光刻曝光后，将含有光刻胶聚合物的显影液快速吸取到电镜载网上，并在毫秒内将其急速冷冻至玻璃态。这种超快冷冻速度(>104 K/s)能瞬间“冻结”光刻胶在溶液中的真实构象，最大限度地保持其原生状态。　　随后，研究人员在冷冻电镜中倾斜该冷冻样品，从−60°到+60°采集一系列倾斜角度下的二维投影图像。基于计算机三维重构算法，将这些二维图像融合成一张高分辨率的三维视图，分辨率优于5纳米。这种方法一举克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点。　　图1：冷冻电镜断层扫描技术解析溶液中的光刻胶高分子　　Cryo-ET的三维重构带来了一系列新奇发现：　　界面富集：与业界长期认为的“溶解后聚合物主要分散在液体内部”不同，三维重构图像显示绝大多数光刻胶聚合物倾向于吸附在气液界面，而非分散在溶液体相中。这一现象在365纳米、248 纳米和193纳米等多种光刻胶体系中均得到验证，且在不同厚度(25~100纳米)的液膜中普遍存在。　　高分子缠结：研究首次在实空间直接观测到了光刻胶聚合物之间的缠结(entanglement)行为。高分辨率图像显示，这种缠结并非相互贯穿的“拓扑缠结”，而是“凝聚缠结”——其特征是聚合物链段局部平行排列，依靠较弱的范德华力或疏水相互作用结合，链间距离通常在5纳米以下。这使得缠结体结构较为松散。　　大尺寸团聚体与缺陷根源：观测发现，吸附在气液界面的聚合物更易发生缠结，形成平均尺寸约30纳米的团聚颗粒，其中尺寸超过40纳米的颗粒占比高达约20%。这些“团聚颗粒”正是潜在的缺陷根源。在工业显影过程中，由于化学放大光刻胶本身疏水性强(水接触角~85°)，液膜容易发生去润湿，导致这些团聚体重新沉积到精密的电路图案上，造成如“桥连”(bridging)等致命缺陷。研究团队通过缺陷表征发现，一块12英寸晶圆上的缺陷数量可高达6617个，这是大规模工业生产所无法接受的。　　为深入理解现象背后的物理化学机制，团队进行了分子动力学(MD)模拟。模拟结果与实验观测高度吻合：光刻胶高分子会自发地扩散并吸附至气液界面，并通过弱相互作用形成“凝聚缠结”。整个过程是能量驱动的，且缠结与解缠结是一个高度动态的、可逆的过程，这为通过外部条件(如温度)控制缠结提供了理论依据。　　基于上述机理性发现，研究团队提出了两项简单、高效且与现有半导体产线兼容的解决方案：　　抑制缠结：既然缠结是弱相互作用且具有热敏感性，团队通过适当提高光刻工艺中的曝光后烘烤(PEB)温度，有效地抑制了聚合物缠结，使其解缠结并分散，从源头上显著减少了超大团聚体的生成。cryo-ET图像对比显示，提高PEB温度后，界面聚合物形态从40—80纳米的团聚体变为更分散、尺寸更小的链。　　界面捕获：通过优化显影工艺，确保在整个显影过程中晶圆表面维持一层连续的液态薄膜。这层液膜可以作为一个有效的“捕集器”，将聚合物可靠地捕获在气液界面，并随着液体的流动将其彻底带走，从而有效避免它们因去润湿效应而重新沉积到图案表面。　　将这两种策略结合后，12英寸晶圆表面的光刻胶残留物引起的图案缺陷被成功消除，缺陷数量降幅超过99%，且该方案具备极高的可靠性和重复性。　　该研究展示的冷冻电子断层扫描(cryo-ET)技术，其应用潜力远不限于芯片与光刻领域。它为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应(如催化、合成与生命过程)提供了强大工具，也有助于阐释高分子、增材制造和生命科学中广泛存在的“缠结”现象。对半导体产业而言，深入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，将推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升。　　该研究工作以《冷冻电镜断层成像重构液态薄膜中的聚合物以实现兼容晶圆厂的光刻工艺》(“Cryo-electron tomography reconstructs polymer in liquid film for fab-compatible lithography”)为题，于2025年9月30日发表在《自然-通讯》( Nature Commun.2025，16，8671)。彭海琳、高毅勤、王宏伟、刘楠为论文共同通讯作者，北京大学化学与分子工程学院郑黎明博士、夏义杰博士以及清华大学生命科学学院贾霞为论文共同第一作者。该工作得到国家自然科学基金、国家重大科学研究计划、北京分子科学国家研究中心、北京生物结构前沿研究中心、清华-北大生命科学联合中心、中国博士后科学基金、腾讯新基石科学基金会等资助，并得到了北京大学化学与分子工程学院的分子材料与纳米加工实验室(MMNL)等仪器平台的支持。

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光刻胶

发布时间：2025-10-27 11:56 阅读量：432 继续阅读>>

传美光科技将退出<span style='color:red'>中国</span>数据中心服务器芯片业务！

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传美光科技将退出中国数据中心服务器芯片业务！

　　当地时间10月17日，路透社援引两名知情人士消息报道称，美国存储芯片巨头美光科技计划退出其在中国的数据中心服务器芯片业务。　　知情人士称，美光计划停止向中国数据中心供应服务器芯片，但将继续向两家在中国境外拥有重要数据中心业务的中国客户供货。知情人士还称，美光在上一财年来自中国大陆的收入约为34亿美元，占其全球总收入的12%。未来，美光仍将继续向中国市场的汽车和智能手机领域客户销售芯片。　　据了解，2023年用于计算的数据中心在中国的投资额激增九倍，达到247亿元人民币。而这一空白为中国本土存储行业企业带来了利好，在这期间，以长江存储、长鑫存储为代表的企业抓住机会积极扩张。　　据美光科技此前公布的财务数据，在截至8月28日的2025财年第四季度，美光科技营收113.2亿美元，同比增长46%，上年同期为1.18美元。2025财年全年，美光科技营收达到373.78亿美元。其中，用于AI数据处理的HBM是美光利润最高的产品之一。包括为数据中心客户提供HBM在内，美光专注为超大规模云计算客户服务的云存储业务(CMBU)营收45.43亿美元，同比增长213.5%。　　另一方面，知情人士还提到，美光在中国的数据中心团队雇员超过300人。但目前尚不清楚此次业务调整将影响到多少岗位。　　值得注意的是，《南华早报》在不久之前的8月份曾爆料称，美光科技启动了在华新一轮裁员，主要涉及移动NAND产品有关部门。此前，因移动NAND产品长期处于市场疲软状态，财务表现持续不佳，美光已宣布在全球范围内停止移动 NAND产品的开发。随后，该公司针对其中国大陆业务部门进行了裁员，涉及研发、测试及支持等岗位。一名不愿具名的员工当时透露称，该次裁员涉及了超过300个职位。　　此外，美光并非首家调整在华业务的跨国科技公司。今年以来，已有IBM、微软、亚马逊等多家知名科技公司对其在华业务进行了调整。

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美光

发布时间：2025-10-21 15:08 阅读量：485 继续阅读>>

2025年最新<span style='color:red'>中国</span>PCB百强排行榜

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2025年最新中国PCB百强排行榜

　　2025年最新中国PCB百强排行榜如下：

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PCB

发布时间：2025-10-21 14:36 阅读量：461 继续阅读>>

守护国家时间基石，泰晶科技铸就“<span style='color:red'>中国</span>心跳”

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守护国家时间基石，泰晶科技铸就“中国心跳”

　　近日，关于美方攻击中国国家授时中心的报道，揭示了大国竞争一个至关重要的前沿：时间战略资源控制权的争夺。国家授时中心，作为中国的时间原点，其产生的“北京时间”是北斗卫星导航系统的灵魂，是金融、通信、能源等国家命脉行业同步运行的基准。攻击授时中心，其战略意图非常明确：通过瘫痪对方的“时间感官”，使其社会运作、军事行动和经济活动陷入全局性混乱。　　在这场关乎“时间主权”的较量中，人们将目光聚焦于顶级的原子钟和卫星信号。然而，一个更深层、更基础的战略要素决定了这场争夺的最终韧性——那就是遍布于从尖端武器到日常手机中的晶体振荡器(晶振)。　　授时系统与晶振　　现代社会的精密计时建立在一个由授时系统与晶振构成的分层体系之上：　　本地守时是基础　　当设备无法接收外部授时信号时，其内置的晶振便成为独立的“心跳”，负责维持计时。晶振的稳定性(如恒温晶振OCXO)直接决定了设备在“失联”期间的时间精度。　　同步校准是关键　　由于晶振存在微小误差且会随时间漂移，需要外部授时信号(如北斗卫星)定期对其进行校准，将本地时间“拉回”正轨，确保亿万设备的时间保持一致。　　分层体系是结构　　整个时间网络呈金字塔结构：　　塔尖：国家授时中心的原子钟，提供终极时间基准。　　中间：通信基站等关键节点，接收卫星授时并用高性能晶振守时。　　底层：手机等海量终端，间接获取时间并用晶振在两次同步间维持运行。　　总而言之，晶振与授时共同构成了现代数字社会的时间基石：授时系统如同统一号令的“原子钟”，通过卫星、网络向全球分发标准时间;而晶振则是嵌入每个电子设备内部的“心跳”，在接收授时信号校准的同时，为设备提供独立的本地计时。二者协同形成"中央授时+终端守时"的分层体系，确保国防安全、通信网络、金融系统、工业与电网等关键领域保持精准同步。这个精密的时间网络既是技术基础设施，更已成为关乎国家经济运行和国防安全的核心战略资源。　　在这一关乎国家安全的战略链条中，终端守时能力的强弱，最终取决于一颗颗小小晶振的精度与可靠性。因此，大力发展自主可控的高端晶振产业，已不仅是技术议题，更是国家安全的战略必需。作为中国时频领域的核心企业，泰晶科技深知肩上的重任，我们致力于攻克高精度晶振的技术壁垒，我司研发生产的高精度、高稳定性晶振(如恒温晶振(OCXO)、温补晶振(TCXO) 等系列产品)，广泛应用于北斗导航、5G通信、智能电网等关键领域，为我国数字基础设施建设筑牢时间基石，让国家安全命脉的每一次搏动都精准可靠、永续不停。

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泰晶

发布时间：2025-10-21 13:54 阅读量：403 继续阅读>>

2025年<span style='color:red'>中国</span>OLED企业核心竞争力排名前20(TOP 20)

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2025年中国OLED企业核心竞争力排名前20(TOP 20)

　　中国OLED企业核心竞争力排名前20

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OLED

发布时间：2025-10-14 14:45 阅读量：391 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
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