兆易创新荣膺“十大中国IC设计公司”及“年度最佳存储器”奖

Release time:2025-03-28
author:AMEYA360
source:兆易创新
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  今日,兆易创新在"中国IC设计成就奖"颁奖典礼中斩获双项大奖,荣膺"十大中国IC设计公司"称号,其1.8V GD25LF512MF SPI NOR Flash产品更是一举夺得"年度最佳存储器"奖项,再次彰显了公司卓越的技术实力和行业影响力。

兆易创新荣膺“十大中国IC设计公司”及“年度最佳存储器”奖

  “中国IC设计成就奖”作为中国IC设计行业重要的风向标,已连续举办二十三载,是中国集成电路产业成长与发展的见证者。此奖项旨在表彰于中国IC设计链中占据领先地位、拥有卓越能力和服务水平的公司及团体,并对其为工程师提供电子系统产品开发支持所做出的贡献给予肯定。

  二十年深耕,多元化产品矩阵助力行业发展

  2025年,是兆易创新成立第二十周年。与“中国IC设计成就奖”携手并进,在这二十年历程中,兆易创新始终以科技创新为引领,以卓越品质为基石,构建起以存储器、MCU、传感器、模拟产品为核心的产品矩阵,广泛覆盖工业、汽车、消费电子、物联网等关键领域,为不同行业的智能化转型升级提供了坚实支撑。

  在产品研发方面,兆易创新长期保持高水平的研发投入,不断追求差异化的技术突破,以精准响应市场多元化需求。并且秉持精益求精、品质为先的质量理念,公司精细化雕琢每一颗产品,确保其拥有出色的品质与可靠性。截至目前,兆易创新的SPI NOR Flash产品累计出货量已突破270亿颗,全球市场占有率位列第二。此外, GD32 MCU累计出货量超过19.8亿颗,是中国32位通用MCU的信赖之选。

  GD25LF512MF SPI NOR Flash产品,

  以出色性能领航储存市场

  兆易创新推出的供电电压为1.8V、容量为512Mb 的GD25LF512MF SPI NOR Flash产品成为需要大容量、高数据吞吐量储存器应用的理想选择。凭借高安全与高可靠的特性,产品能够满足工业、车载、计算机以及网通等相关应用领域的严苛要求。

  该产品支持单通道、双通道、四通道STR以及四通道DTR指令集,其最高时钟频率STR达到166MHz,DTR达到104MHz,数据吞吐率为104MB/s,同时,片上配备DQS和DLP功能,为高速系统设计提供了保障,可以满足高效率的代码数据读取需求。在安全性方面,GD25LF512MF支持高级密钥保护读写数据,为数据安全构筑了坚固的防护盾。并且内置ECC算法与CRC校验功能,大幅提升了产品的可靠性。此外,启动时的安全自检功能也进一步增强了产品的功能安全性。

  此次荣获“十大中国IC设计公司”和“年度最佳存储器”的殊荣,是业界对兆易创新芯片设计卓越能力的高度肯定与权威背书。展望未来,兆易创新将继续践行“科技创新,赋能美好生活”的企业使命,通过前瞻性的技术布局与高品质的产品和服务,紧密贴合客户需求,与业界同仁携手并进,共同推动半导体行业的持续发展。

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兆易创新亮相SNEC光伏展,以光储充全场景应用赋能数字能源变革
  6月3日,业界领先的半导体器件供应商兆易创新(GigaDevice)携光、储、充、AIDC全场景数字能源应用方案,亮相SNEC PV+ 第十九届(2026)国际太阳能光伏和智慧能源(上海)大会暨展览会5.1H—D335展台。  此次展会,兆易创新以高性能MCU和模拟器件为基座,融合AI算法,将端侧AI赋能至各应用环节,充分展现其作为数字能源全域解决方案服务商的深厚技术实力。6月3日下午,兆易创新数字电源应用主管工程师叶鸽还将在国家会展中心上海洲际酒店多功能厅5+6带来《基于GD32G5系列MCU的10kW三相维也纳PFC方案》演讲,深度解析数字电源技术在能源领域的创新应用。  当前,全球能源结构向绿色低碳转型持续深化,光伏、储能、充电基础设施、数据中心等正加速协同发展。新能源场景对高可靠、高集成、高智能的电源与主控芯片需求激增。面对能源产业数字化、智能化升级浪潮,兆易创新立足芯片底层技术创新,构建MCU、模拟芯片与存储产品协同的全场景布局,形成覆盖能源控制、电源管理、数据存储的一站式解决方案,为光储充产业高质量发展筑牢技术根基。  覆盖光储充AIDC等核心场景  打造全域数字能源方案  本次展会,兆易创新聚焦光伏、储能、充电、AIDC等场景,集中展示多款标杆级应用方案,充分彰显其全场景覆盖能力。  当前,光伏产业正从规模扩张转向技术驱动、安全智能、光储融合的高质量发展新阶段。其中,电弧安全隐患防控已成为刚需。兆易创新基于GD32H7/GD32G5系列MCU的AI直流拉弧检测方案覆盖多应用场景,以智能感知保障光伏系统安全运行。  在储能领域,市场化驱动、场景多元化、智能管控已成为其发展的主旋律,户用、工商业、便携式储能,以及阳台储能需求的爆发,使BMS系统的安全性、可扩展性成为核心竞争要素。兆易创新基于GD32F527和GD32VW553 MCU的工商业储能BMS、基于GD30BM2016 BMS AFE芯片的高性价比工商储/户储解决方案、基于GD30BM1018和GD30BM3020工商储方案、以及基于GD30BM1118和GD30BM3022大型储能方案等,覆盖便携/阳台、户用、工商业、大型储能等多元场景,能够为储能系统提供高效控制与安全管理保障。  与此同时,充电产业正朝着兆瓦超充、AI智能、光储充融合的高效互联互通方向发展。大功率快充与超充场景对高效PFC、多协议兼容及系统高可靠性提出了更高要求。兆易创新针对通信监控和功率控制领域,提供覆盖主流充电基础设施场景的MCU产品,满足行业对高效、智能、兼容的发展需求。同时,公司还推出了7kW直流充电桩、三相维也纳PFC等方案,以加速客户产品上市周期。  而在人工智能数据中心(AIDC)领域,随着算力密度的激增,数字电源正朝着高功率密度、高转换效率与深度智能的方向演进。兆易创新紧跟高密度服务器电源需求,带来的12kW AI服务器电源等前沿方案,将推动下一代AI数据中心的高效运行。  技术赋能,推动能源控制智能化革新  从光伏到储能,从充电设施到AIDC,这些全场景化方案的高效落地,依托于兆易创新数字电源实验室强大的技术实力。该实验室占地200平米,拥有规范化的HIL(硬件在环)仿真平台,并配备80kVA供电能力。覆盖芯片功能验证至系统级闭环测试全流程。平台可精准模拟光伏、储能、充电桩等场景动态工况,高效完成功率控制芯片性能验证,为能源产品及方案落地提供全周期技术支撑。  在持续完善研发验证体系的同时,兆易创新也以AI推动能源控制技术革新。公司中央研究院所设立的AI实验室,聚焦“MCU+边缘智能”,依托Arm® Cortex®-M7内核高性能MCU的强大算力支撑,实现轻量级AI模型在端侧实时推理,无需云端即可完成故障检测、负载识别等智能分析,让AI技术深度融入能源控制全流程,大幅提升系统响应速度与运行安全性。  从芯片研发到成套系统方案,从单一应用到全域场景覆盖,兆易创新始终以技术创新为依托、以市场需求为导向,深耕数字能源赛道。此次亮相SNEC光伏展会,既是公司全栈解决方案的集中展示,也是公司芯片产品赋能数字能源升级的实力印证。
2026-06-04 09:14 reading:211
兆易创新将亮相 SNEC 2026 上海光伏展,聚焦光储新发展
兆易创新GD25LX128J系列车规SPI NOR Flash荣膺AEIF“2026国产车规芯片新品十强”
  5月20日,兆易创新(GigaDevice)旗下GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash凭借卓越的技术创新性与市场表现,在第十三届汽车电子创新大会(AEIF 2026)高峰论坛上一举斩获“2026国产车规芯片新品十强”以及“汽车电子金芯奖 · 卓越产品奖”两大奖项,充分展现了兆易创新在国产车规存储芯片领域的硬核实力。  在车载芯片国产化加速突破的行业背景下,主机及tier1零部件企业亟待选择一批质量过硬、性能稳定、供货可靠、有可控自主知识产权的芯片企业,作为合作对象。针对这一行业痛点,AEPC 汽车电子专业委员会(以下简称“AEPC”)推出行业首个综合性评价指标,暨“AEPC车规芯片健康指数标准”(AEPC standard for automotive Chip health index,简称 AsaChi “艾思齐”),为整车厂、Tier1 厂商以及投融资机构的决策提供科学依据。“2026 TOP 10 国产车规芯片新品榜单”便是依据“艾思齐”标准,对《国产车规芯片可靠性分级目录(2026)》中收录的300余款车规芯片进行综合评选后得出。  此次获奖的GD25LX128J系列车规级SPI NOR Flash可适用于智能网联、智能座舱、自动驾驶等对高性能有严格要求的应用,已批量供货于国内搭载最新导航辅助驾驶的各主流车型。该产品容量为128Mb,工作电压为1.8V,采用Octal SPI接口,支持DTR功能,最高时钟频率达200MHz,可实现400MB/s的数据吞吐率。芯片支持XIP(Execute-In-Place) 、DQS、DLP功能,以及ECC纠错及CRC校验,凭借高性能、高可靠性优势为智能网联与智能座舱提供了坚实的核心存储支撑。  本次荣膺双奖不仅是业界对兆易创新在车规级存储领域长期投入与技术积淀的高度认可,更彰显了公司在国产汽车供应链中的关键价值。兆易创新还将持续深耕汽车电子赛道,携手整车及零部件企业,共同推动中国汽车芯片产业的安全、自主与高质量发展。
2026-05-21 09:40 reading:525
兆易创新推出全新三相栅极驱动器,多电压平台赋能电机驱动革新
  5月19日,兆易创新(GigaDevice)推出三款全新三相无刷电机专用栅极驱动器——GD30DR1001、GD30DR1401以及GD30DR1901。产品精准覆盖了40V/120V/600V主流电压平台,凭借高集成度、强驱动能力及卓越的可靠性,为消费电子、家用电器、电动工具及工业设备提供一站式电机驱动解决方案。该新产品的发布,进一步扩充了兆易创新的电机驱动芯片版图,有利于打造更紧凑、更高效、更稳定的电机控制系统。  覆盖多电压平台,精准匹配应用需求  随着智能设备、电动工具及工业自动化对电机控制性能要求的不断提升,系统设计正面临更高的效率、可靠性与集成度挑战。兆易创新此次推出的三款模拟器件均基于三相独立半桥架构,兼容3.3V/5V逻辑输入,支持直接驱动MOSFET或IGBT功率器件,在简化系统设计的同时,有效降低整体BOM成本和开发复杂度。  GD30DR1001是一款驱动P/N MOSFET功率管40V三相栅极驱动芯片,工作电源电压5.5V~40V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流50mA,可为芯片内部逻辑和外部MCU供电。芯片内部集成欠压保护/输入直通保护等多种保护功能,内置60ns死区时间,并采用高度集成的SOP16/QFN16封装。该型号适用于落地风扇、空气净化器、小型泵阀等直流无刷电机应用。  GD30DR1401是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片,专为驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或GaN而设计,悬浮偏移电压+120V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流100mA以及12V的控制电路,输出电流能力IO+2.0A/-2.5A。内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于服务器风机、民用无人机、电动工具、园林工具、清洁电器、厨房电器等应用。  GD30DR1901同样集成了三个独立的半桥栅极驱动芯片,可驱动双N型沟道高压MOSFET功率管或IGBT,悬浮偏移电压+600V,兼容3.3V/5V输入逻辑,集成5V LDO带载电流50mA,内置死区时间、欠压保护、直通防止功能等安全保护功能。该型号适用于个人护理、白色家电、工业变频器、高压风机/水泵、光伏逆变等应用。  兼顾集成度、可靠性与易用性的设计优势  GD30DR1001/GD30DR1401/GD30DR1901系列在架构设计与功能集成层面进行了系统性优化。通过在单芯片内整合关键功能模块,并引入完善的保护机制与标准化接口,该系列在简化系统设计的同时,进一步提升整体运行稳定性与开发效率。  1.高集成架构,简化系统设计  单芯片内集成LDO、死区控制及多种保护功能,部分型号内置自举二极管,有效减少外部二极管、分立电阻及稳压器件的使用。这一高度集成的设计不仅降低了BOM成本,同时显著简化PCB布局,提高系统紧凑性与整体可靠性。  2.多重保护机制,提升系统鲁棒性  器件内置完善的保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、功率管直通防护以及LDO短路保护等,可有效避免低压驱动、上下管直通带来的潜在风险。结合–40°C至+125°C的宽工作温度范围,使其能够在高温及高电磁干扰环境下保持长期稳定运行,满足工业级应用需求。  3.标准化接口设计,加速系统开发  支持3.3V/5V逻辑输入接口,可直接与兆易创新GD32 MCU等主流微控制器连接,便于构建“MCU+Driver”的完整电机控制方案。标准化的接口与驱动架构有助于降低设计门槛,缩短开发周期,加快产品导入与量产进程。  目前,GD30DR1001/GD30DR1401/GD30DR1901已全面开放样品申请并实现量产,全系列采用标准卷带封装形式,支持自动化生产需求,可助力客户快速实现产品落地、抢占市场先机。
2026-05-20 09:08 reading:512
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