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恩智浦推出了全新的i.MX 93x<span style='color:red'>系列</span>处理器

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恩智浦推出了全新的i.MX 93x系列处理器

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恩智浦

发布时间：2023-01-31 11:32 阅读量：2450 继续阅读>>

村田推出面向GaN器件门驱动器的绝缘DC-DC转换器MGN1<span style='color:red'>系列</span>”

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村田推出面向GaN器件门驱动器的绝缘DC-DC转换器MGN1系列”

　　据Ameya360村田推出面向下一代功率半导体之一的GaN器件门驱动器的绝缘DC-DC转换器“MGN1系列”商品化。现已开始量产。氮化镓（GaN）是由镓和氮的化合物制成的化合物半导体。被认为是下一代功率半导体之一，因为它与目前用于半导体的硅同样耐电压，并且具有更广的电感应控制范围（带隙）。　近几年，在需要快速充电的电动汽车（EV）充电站等场所，能够承受高电压且功率损耗低的下一代功率半导体已开始普及。即使在下一代功率半导体当中，GaN也因具有能够以高频率进行开关操作的特点，所以特别需要能够承受因开关动作而产生的电压波动和高电压的绝缘DC-DC转换器。　　因此，据Ameya360了解到村田开发了具有以下特点的产品。　　产品特点：　　初级和次级之间的绝缘电容低　　减少因开关操作而产生的电压波动导致从输出流到输入的电流降低。　　共模瞬态耐电压　　共模瞬态耐电压>200kV/?s，因此能够应对高频开关操作产生的电压波动，并减少这种电压波动对初级电路的电气影响。　　高绝缘耐电压　　即使施加高电压也能保持绝缘性能。　　此外，由于本产品是薄型设计，因此可以在有限的空间内安装。

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村田

发布时间：2023-01-13 10:24 阅读量：4771 继续阅读>>

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松下液态铝电解电容器FH系列

松下集团是全球领先的电子产品制造商，主要从事为住宅空间非住宅空间、移动领域以及个人领域的消费者提供先进的电子技术和系统解决方案。本文AMEYA360将介绍松下新品液态铝电解电容器FH系列。特点▶高温无铅回流焊应对产品（50v除外）▶耐高温：105℃▶长寿命：10000h▶已应对RoHS指令注：≤50v已经在售，≥63v预计2023年4月开始销售参考：FH系列数据参数V-FH.pdf 铝电解电容器研发背景近来，有客户需求能达到10000h长寿命的产品，用于基站和服务器方面铝电解电容器产品规格 V-FH系列耐高温105℃，使用寿命更长铝电解电容器替换案例基站DC电源方面铝电解电容器替换案例服务器方面

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铝电解电容器 FH 耐高温长寿命

发布时间：2023-01-11 16:15 阅读量：8803 继续阅读>>

同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx<span style='color:red'>系列</span>” ～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～

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同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。产品介绍资料（2.6MB）近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种需求，ROHM对以往的PrestoMOS™产品进行了改进，开发出具有比同等普通产品更低的导通电阻、有助于进一步降低应用产品功耗的新产品。此次开发的新系列产品采用ROHM的新工艺实现了业界超快的反向恢复时间（trr*1），同时，与反向恢复时间存在此消彼长关系的导通电阻*2最多也可以比同等的普通产品低20%。在反向恢复时间方面，继承了PrestoMOS™系列产品已经实现的105ns（纳秒）业界超快（与TO-220FM同等封装产品相比）反向恢复时间，而且开关时的功率损耗比同等普通产品低约17%。基于这两大特点，与同等的通用产品相比，新系列可大大提高应用产品的效率。除了上述系列之外，作为标准型600V耐压超级结 MOSFET，ROHM还开发了具有更低导通电阻的“R60xxYNx系列”，此次又新增了两款机型。客户可以根据应用需求选择合适的产品群。新产品已于2022年1月开始暂以月产10万个（样品价格900日元/个，不含税）的规模投入量产。今后，ROHM将继续开发抗噪性能更出色的新系列产品，不断扩大超级结 MOSFET系列产品的阵容，通过降低各种应用产品的功耗助力解决环境保护等社会问题。＜新产品特点＞1．实现业界超快的反向恢复时间，同时实现业界超低的导通电阻PrestoMOS™“R60xxVNx系列”通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻，与同等普通产品相比，最多可减少20%（与TO-220FM同等封装产品相比），有助于进一步降低各种应用产品的功耗。2．具有业界超快的反向恢复时间，开关损耗更低通常，当工艺向更微细的方向发展时，导通电阻等基本性能会得到改善，但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。而ROHM的PrestoMOS™“R60xxVNx系列”采用自有的速度提升技术，实现了比同等普通产品更低的导通电阻的同时，还实现了业界超快的105ns（纳秒）反向恢复时间（与TO-220FM同等封装产品比较）。由于抑制了额外的电流量，因此与同等的普通产品相比，开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下，包括“R60xxYNx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300～400ns（纳秒）。由于上述两大特点，在搭载了追求高效率的同步整流升压电路*3的评估板上，与导通电阻60mΩ级的产品进行比较时，“R60xxVNx系列”表现出比同等普通产品更出色的效率，非常有助于降低光伏逆变器和不间断电源（UPS）等应用的功耗。＜产品阵容＞R60xxVNx系列（PrestoMOS™型）耐压VDS[V]导通电阻RONtyp.[mΩ]VGS=15V反向恢复时间trrtyp.[ns]封装TO-252＜DPAK＞（TO-220FM）＜TO-220FP＞TO-220ABTO-247AD（TO-247）60025065☆ R6013VND3☆ R6013VNX18068R6018VNX13080R6024VNXR6024VNX39592R6035VNXR6035VNX359112☆ R6055VNX☆ R6055VNX3R6055VNZ442125R6077VNZ422167☆ R60A4VNZ4☆: 开发中封装采用JEDEC标准。（）内表示ROHM封装，〈〉内表示GENERAL代码。R60xxYNx系列（标准型）耐压VDS[V]导通电阻RONtyp.[mΩ]VGS=12V反向恢复时间trrtyp.[ns]封装TO-252＜DPAK＞（TO-220FM）＜TO-220FP＞TO-220ABTO-3PFTO-247AD（TO-247）MO-299（TOLL）600324200～600☆ R6010YND3☆ R6010YNX☆ R6010YNX3215☆ R6014YND3R6014YNX☆ R6014YNX3154R6020YNX☆ R6020YNX3☆ R6020YNZ4☆ R6020YNJ2137☆ R6022YNX☆ R6022YNX3☆ R6022YNZ4☆ R6022YNJ2112☆ R6027YNX☆ R6027YNX3☆ R6027YNZ4☆ R6027YNJ280☆ R6038YNX☆ R6038YNX3☆ R6038YNZ4☆ R6038YNJ268☆ R6049YNX☆ R6049YNX3☆ R6049YNZ4☆ R6049YNJ250☆ R6061YNX☆ R6061YNX3☆ R6061YNZ449☆ R6063YNJ236☆ R6086YNZ☆ R6086YNZ421☆ R60A4YNZ4☆: 开发中封装采用JEDEC标准。（）内表示ROHM封装，〈〉内表示GENERAL代码。＜应用示例＞■电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器（功率调节器）、不间断电源（UPS）等■空调等白色家电■其他各种设备的电机驱动和电源电路等＜什么是PrestoMOS™？＞Presto意为“非常快”，是源于意大利语的音乐术语。PrestoMOS™是采用了ROHM自有的Lifetime控制技术、并以业界超快的反向恢复时间（trr）著称的功率MOSFET。・PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标。＜用语说明＞*1) trr：反向恢复时间（Reverse Recovery Time）内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。*2) 导通电阻MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。*3) 同步整流升压电路通常，在由MOSFET和二极管组成的升压电路中，用来将二极管改为MOSFET以提升效率的电路。由于MOSFET导通电阻带来的损耗要小于二极管VF带来的功率损耗，因此这种电路的效率更高。＜宣传单＞600V耐压超级结MOSFET新系列高速二极管内置型(PrestoMOS™) R60xxVNx系列/低导通电阻型R60xxYNx系列 (PDF:1.21MB)＜相关信息＞特设网页: 实现高速开关和低导通电阻　Super Junction MOSFE

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MOSFET 开关损耗降低功耗

发布时间：2022-04-12 15:22 阅读量：3265 继续阅读>>

ROHM车载市场中小型高效SBD“RBR/RBQ<span style='color:red'>系列</span>”产品阵容进一步扩大

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ROHM车载市场中小型高效SBD“RBR/RBQ系列”产品阵容进一步扩大

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出小型高效的肖特基势垒二极管（以下简称SBD※1）“RBR系列”共12款产品，“RBQ系列”共12款产品，这些产品非常适用于车载设备、工业设备和消费电子设备等各种电路的整流和保护。至此，这两个系列的产品阵容中已达178款产品。在各种应用产品中，通常使用二极管来实现电路整流和保护。随着各种应用产品对更低功耗的要求，比其他二极管效率更高的SBD正越来越多地被采用。另一方面，如果为了追求效率而降低VF，则存在此消彼长关系的IR将会升高，热失控的风险会随之增加，因此在设计电路的过程中，选择SBD时需要很好地权衡VF和IR，这一点很重要。在这种背景下，ROHM追求低VF特性和低IR特性之间的平衡，并进一步加强了SBD小型化产品阵容，以车载市场为中心创造了非常优异的业绩。此次，ROHM针对已经颇具量产成果的RBR和RBQ系列，面向大电流、高电压和小型化，进一步扩大了产品阵容，从而可以在更广泛的应用中实现整流和保护工作。通过采用新工艺，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升，与ROHM以往产品相比，效率提高了25%。不仅如此，RBR系列具有出色的低VF（正向电压）※2特性（该特性是提高效率的关键），并实现了低损耗。该系列产品非常适用于要求提高效率的应用，比如车载设备中的车载充电器，以及消费电子设备中的笔记本电脑等。此次又新增了12款小型封装产品，还将有助于削减安装面积（比以往产品少42%）。而RBQ系列则具有出色的低IR（反向电流）※3特性，可在高温环境下稳定工作，尤其是可降低SBD可能会发生的热失控※4风险。非常适用于需要在高温环境中工作的汽车动力系统和工业设备的高电压电源等应用。为满足更高耐压的需求，此次又新增了12款100V产品。此外，RBR系列和RBQ系列均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※5，可确保高可靠性。这两个系列的新产品从2021年6月开始已经全部投入量产。今后，ROHM将继续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续加强具有ROHM特色的产品阵容，为应用产品进一步实现小型化和更低功耗贡献力量。＜特点＞通过采用新工艺，RBR和RBQ系列与相同尺寸的ROHM以往产品相比，效率提高了25%，这两个系列的产品分别具有以下特点：1. RBR系列1-1.具有低VF特性，损耗更低RBR系列不仅保持了与低VF特性存在此消彼长关系的低IR特性，与相同尺寸的ROHM以往产品相比，VF特性降低约25%，损耗更低。因此，不仅非常适用于要求更高效率的车载充电器等车载设备，还非常适用于要求更节能的笔记本电脑等消费电子设备。此外，与同等性能的产品相比，RBR系列还可实现芯片的小型化，因此受芯片尺寸影响的封装也可以采用更小型的封装形式。例如，如果以往产品尺寸为3.5mm×1.6mm（PMDU封装），则通过将其替换为2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封装）的产品，可使安装面积减少约42%。1-2.新增小型封装，产品阵容更丰富在RBR系列中，此次新增了12款 2.5mm×1.3mm的PMDE封装产品（消费电子和车载领域各6款）。至此，该系列已拥有共140款产品的丰富产品阵容（耐压：30V、40V、60V；电流：1A～40A），进一步扩大了在车载设备和消费电子设备领域的应用范围。※点击以下产品列表中带有下划线的文字可以转跳到产品页面。2. RBQ系列2-1. 具有低IR特性，可在高温环境下稳定工作RBQ系列采用ROHM自有的势垒形成技术，实现了非常适合开关电源的VF特性和IR特性之间的平衡。与ROHM以往产品相比，反向功率损耗降低了60%，可进一步降低高温环境下热失控的风险。因此，该系列产品非常适用于需要在高温环境中工作的汽车动力系统和工业设备用的电源等应用。2-2.新增100V产品，产品阵容更丰富在RBQ系列中，此次新增了12款100V产品（消费电子和车载领域各6款）。至此，包括共阴极型和单芯片型产品在内，该系列已拥有共38款产品的丰富产品阵容（耐压：45V、65V、100V；电流：10A～30A）。※点击以下产品列表中带有下划线的文字可以转跳到产品页面。＜支持应用例＞■RBR系列・车载充电器・LED前照灯・汽车配件・笔记本电脑■RBQ系列・工业设备电源・音响・笔记本电脑・xEV・引擎ECU・AC/DC、DC/DC电路的二次侧整流＜术语解说＞*1) 肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode：SBD）利用金属与和半导体接触形成肖特基结、从而获得整流性能（二极管特性）的二极管。没有少数载流子存储效应，具有优异的高速特性。*2) 正向电压： VF（Forward Voltage）当电流沿从＋到－的方向流动时产生的电压降。该值越低，效率越高。*3) 反向电流： IR（Reverse Current）施加反向电压时产生的反向电流。该值越低，功耗（反向功耗）越小。*4) 热失控当向二极管施加反向电压时，内部的芯片发热量超过了封装的散热量，导致IR值增加，最终造成损坏的现象称为“热失控”。IR值高的SBD尤其容易发生热失控，因此在设计电路时需要格外注意。*5) 汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和大型电子元器件制造商联手制定的针对汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是有关分立半导体元器件（晶体管、二极管等）的标准。

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ROHM SBD“RBR/RBQ系列

发布时间：2021-08-20 00:00 阅读量：2039 继续阅读>>

ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C<span style='color:red'>系列</span>” ——损耗比以往IGBT产品低67％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗～

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ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列” ——损耗比以往IGBT产品低67％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗～

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。该产品适用于以电气化车辆为首的电动汽车（xEV）中的车载充电器和DC/DC转换器、以及太阳能发电用的功率调节器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。近年来，在全球“创建无碳社会”和“碳中和”等减少环境负荷的努力中，电动汽车（xEV）得以日益普及。为了进一步提高系统的效率，对各种车载设备的逆变器和转换器电路中使用的功率半导体也提出了多样化需求，超低损耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和传统的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在经历技术变革。ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案，不仅专注于行业先进的SiC功率元器件，还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。此次，开发了能够为普及中的车载、工业设备提供更高性价比的Hybrid IGBT。“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反馈单元（续流二极管）中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD），成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗（以下称“开通损耗”*3）。在车载充电器中采用本产品时，与以往IGBT产品相比，损耗可降低67％，与超级结MOSFET （SJ-MOSFET）相比，损耗可降低24％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。新产品已于2021年3月开始出售样品（样品价格：1,200日元/个，不含税），预计将于2021年12月起暂以月产2万个的规模投入量产。另外，在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据，其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市场。今后，ROHM将继续开发满足各种需求的低损耗功率元器件，同时，提供设计工具以及各种解决方案，通过助力应用系统的节能和小型化为减轻环境负荷贡献力量。＜新产品特点＞●损耗比以往IGBT产品低67％，为普及中的车载电子设备和工业设备提供更高性价比“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反馈单元（续流二极管）中采用了ROHM的低损耗SiC SBD。与以往使用Si快速恢复二极管（Si-FRD）的IGBT产品相比，成功地大幅降低了开通损耗，在车载充电器应用中损耗比以往IGBT产品低67％。与通常损耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比，损耗也可降低24％。在转换效率方面，新产品可以在更宽的工作频率范围确保97％以上的高效率，并且在100kHz的工作频率下，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。●符合AEC-Q101标准，可在恶劣环境下使用新系列产品还符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”，即使在车载和工业设备等严苛环境下也可以安心使用。＜Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”产品阵容＞＜应用示例＞・车载充电器・车载DC/DC转换器・太阳能逆变器（功率调节器）・不间断电源装置（UPS）＜术语解说＞*1) 汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是专门针对分立半导体元器件（晶体管、二极管等）制定的标准。*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）、SJ-MOSFET（Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）两者均为通常使用Si衬底生产的功率半导体，它们的器件结构不同。IGBT比其他功率半导体的成本更低，但存在需要续流二极管才能工作（需要双芯片结构才能工作）、关断损耗较大的课题；与IGBT相比，SJ-MOSFET无需续流二极管即可工作（单芯片结构即可工作），而且关断损耗较小，但存在难以应对大功率的问题。作为一项突破，IGBT的续流二极管采用SiC SBD 而非传统的Si-FRD，推出了可以降低损耗的Hybrid IGBT。*3) 开通损耗和关断损耗两者均为晶体管等半导体元件开关时产生的损耗（开关损耗）。开通损耗是在元件ON时产生的损耗，关断损耗是在元件OFF时产生的损耗。理想情况下，这些损耗应该为零，但实际上，由于结构上的缘故，在ON和OFF之间切换时，不可避免地会流过不必要的电流，从而产生损耗，因此对于功率半导体来说，设法减少这些损耗是非常重要的工作。

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RGWxx65C系列

发布时间：2021-07-28 00:00 阅读量：2489 继续阅读>>

EEPROM“BR24H-5AC<span style='color:red'>系列</span>”-3.5ms超高速写入、支持125℃工作

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EEPROM“BR24H-5AC系列”-3.5ms超高速写入、支持125℃工作

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载摄像头和传感器出厂设置、安全气囊的弹出记录以及需要长时间通电的FA设备和服务器的数据记录系统等，开发出在严苛環境下也可稳定进行数据存储和写入、且支持I2C总线*1和125℃工作的EEPROM“BR24H-5AC系列”。　　在车载和工业设备领域，由于安全性和可追溯性管理要求，需要将系统运行数据记录在系统里的非易失性存储器*2中。其中，与非易失性FLASH存储器相比，非易失性EEPROM存储器在严苛环境下能够更稳定地保存和写入数据，因此，在车载和工业设备领域，常被用于车载摄像头和安全气囊、FA设备和服务器等对可靠性要求相对较高的应用中。　　作为已有20多年EEPROM开发历史的半导体制造商，ROHM致力于开发独具特色且可靠性高的存储单元，并为客户提供高品质的产品，在车载、工业设备和消费电子产品各领域获得了高度好评。此次，在支持I2C总线的EEPROM中面向车载和工业设备推出的新系列产品，将有助于减少出厂前的生产工时。　　本系列产品是采用ROHM自有的数据写入/读取电路技术、实现了3.5ms(毫秒)的高速写入、支持125℃工作的EEPROM。与普通产品5ms的写入速度相比，写入时间可以减少30%。例如，在电子设备的制造过程中，对10万台产品进行256Kbit的初始数据写入(512次写入处理)的情况下，工厂生产线占用时间可减少约1天。　　此外，普通产品保证的擦写次数为100万次，而本系列产品则高达400万次，不仅有助于延长电子设备的使用寿命，而且还非常适用于必须频繁擦写数据的状态记录的设备。　　本系列产品已于2020年10月起以月产100万个的规模逐步开始量产(样品单价200日元/个，不含税)，可从AMEYA360、SEKORM、Right IC等网售平台购买，1枚起售。　　未来，ROHM将继续扩大本系列产品阵容，同时还将开发支持SPI总线的产品，为提高各种车载和工业设备的可靠性和减少出厂前的生产工时贡献力量。　　<新产品特点>“BR24H-5AC系列”通过降低对存储单元特性方面的制造差异，并充分发挥存储性能，采用先进的数据写入/读取电路技术，实现了以下四大特点，有助于提高电气系统效率。　　1. 支持I2C总线， 3.5ms超快写入速度，使电子设备出厂前的初始写入时间减少30%作为支持I2C总线和125℃的EEPROM，“BR24H-5AC系列”实现了3.5ms(毫秒)的高速写入。相比普通产品5ms的写入速度，写入时间可减少30%，因此有助于减少电子设备出厂前的EEPROM初始写入时间，并可以提高应急数据记录系统的可靠性。　　例如，在电子设备的制造过程中，对10万台产品进行256Kbit的初始数据写入处理的情况下，与普通产品相比，工厂生产线占用时间可减少约1天(普通产品：5ms×10万台 × 512次 = 约71小时，新产品：3.5ms×10万台×512次 = 约50小时)。　　2.支持400万次擦写，有助于延长电子产品的使用寿命为支持125℃的EEPROM，本系列产品实现了业界高水平的400万次的擦写次数。与普通产品100万次的擦写次数相比，本系列产品高出4倍，不仅有助于延长电子设备的使用寿命，还非常适用于必须频繁擦写数据的状态记录的应用。　　3.1.7V低电压工作，还适用于电池驱动的应用作为支持125℃的EEPROM，本系列产品支持1.7V低电压工作，因此不仅支持一般的5V和3V级别的应用，还支持无钥匙进入系统等需要电池驱动的1.8V低电压级别的应用。　　4. 满足全球高可靠性要求本系列产品符合汽车电子产品可靠性国际标准AEC-Q100，不仅支持高可靠性产品标准的125℃工作，并且该系列中的所有产品均搭载了ECC(Error Check and Correction ：错误检查和纠正)功能，在存储器偶然发生意外故障时，可以起到保护重要数据的作用。另外，由于采用标准的EEPROM引脚配置，而且常用的贴片封装和容量(逐步开发中)产品阵容正在不断完善，所以可轻松替换现有产品。

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BR24H-5AC

发布时间：2021-01-28 00:00 阅读量：2541 继续阅读>>

ROHM新品——AC电压零交叉检测IC：BM1Z<span style='color:red'>系列</span>

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ROHM新品——AC电压零交叉检测IC：BM1Z系列

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出AC电压零交叉检测ICBM1Z系列是高精度输出AC电压零交叉时序检测信号的IC。无需以往用途中所需的光电耦合器和外接零部件，大幅度减少了部件个数，可实现小型、高可靠性的电源应用。而且，与以往的光电耦合器控制相比，有助于大幅度降低待机功耗。›‹Matching PartsDC Motor Voltage MonitoringRectifierZero Cross Delay TimeOutput WaveformCircuit Current at Standby (Typ.)[uA]Circuit Current at Operation (Typ.)[uA]Vin1 (Min.)[V]Vin1 (Max.)[V]SW frequency (Max.)[kHz]BR PINThermal Shut-downUnder Voltage Lock OutOperating Temperature (Min.)[°C]Operating Temperature (Max.)[°C]PackageBM1Z001FJ (开发中)-Normal / Double+300us to +500usPulse5016010280.065YesYesYes-40105SOP-J7SBM1Z002FJ (开发中)-NormalVariablePulse5016010280.065YesYesYes-40105SOP-J7SBM1Z003FJ (开发中)-NormalVariableEdge5016010280.065YesYesYes-40105SOP-J7SBM1Z101FJ (新产品)600V High Voltage MonitorNormal / Double+300us to +500usPulse5016010280.065YesYesYes-40105SOP-J11BM1Z102FJ (开发中)600V High Voltage MonitorNormalVariablePulse5016010280.065YesYesYes-40105SOP-J11BM1Z103FJ (开发中)600V High Voltage MonitorNormalVariableEdge5016010280.065YesYesYes-40105SOP-J11关于 LSI 产品封装的热阻、热特性参数点击查看详情在该应用笔记中，有rohm制造的LSI芯片的封装群的热电阻和热特性参数的定义及其活用方法。

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ROHM BM1Z

发布时间：2020-07-10 00:00 阅读量：2218 继续阅读>>

新品发布丨Panasonic高抗震铝电解电容器(表面贴装型)FN-V<span style='color:red'>系列</span>

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新品发布丨Panasonic高抗震铝电解电容器(表面贴装型)FN-V系列

高抗震铝电解电容器(表面贴装型)FN-V系列Panasonic的铝电解电容器(表面贴装型)FN-V系列具有高耐震性，广泛应用于包括车载在内的各个行业表面贴装型FN 系列 V 型6.3 V ～ 50 V : 高温无铅回流焊应对产品63 V ～ 100 V : 标准无铅回流焊应对产品商品特点● 高耐用在高温环境下性能稳定（105 ℃）。2000 小时保证产品。● 宽电压6.3 V ～ 100 V的宽电压范围。● 高容量容量达到 FK系列的 1.2 ～ 1.8倍。● 高抗震可满足耐振要求（30G保证）（φ6 ≦)。● 符合AEC-Q200● 已应对 RoHS 指令查看所有型号商品规格产品尺寸应用市场●车载●工业设备●消费类设备产品特性

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Panasonic,松下

发布时间：2020-03-13 00:00 阅读量：3819 继续阅读>>

ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C<span style='color:red'>系列</span>”

企业动态

ROHM开发出车载专用接地检测比较器“BA8290xYxxx-C系列”

ROHM开发出抗干扰性能优异的比较器“BA8290xYxxx-C系列”2019年10月30日Ameya360电子元器件平台代理的品牌—ROHM（，全球知名半导体制造厂商，总部位于日本京都）面向汽车动力系统和引擎控制单元等在严苛环境下使用车载传感器的车载电装系统，开发出抗EMI性能*1（以下称“抗干扰性能”）极其出色的接地检测比较器*2“BA8290xYxxx-C系列”（BA82903YF-C / BA82903YFVM-C / BA82901YF-C / BA82901YFV-C）。点击购买在国际标准“ISO11452-2”的抗扰度测试中，本产品作为传感器输出信号等的阈值判断用比较器，在各种噪声频段均表现出极其出色的抗干扰性能，输出电压波动均在±1%以内。普通产品受噪声干扰的影响，输出电压波动达±20%以上，甚至可能发生误动作（High / Low反转），而本产品不会受到噪声干扰的影响，因此，可减轻以往采用各种滤波器降噪的设计负担，有助于减少系统的设计工时并提高可靠性。该比较器系列将与2017年ROHM推出的抗EMI性能优异的运算放大器*2系列一起，作为实现了极其出色的抗干扰性能的“EMARMOUR系列”之一而供应。未来，ROHM会将具有卓越抗干扰性能的技术应用到电源IC等产品中，为进一步简化车载系统的设计并提高其可靠性贡献力量。近年来，随着用于电动汽车和ADAS（高级驾驶辅助系统）的车载电装系统的电子化、高密度化日益加速，噪声环境也越来越严峻。通常，在汽车开发中，难以对电路板和系统单体做噪声评估，一般需要组装后进行评估，然而一旦评估结果NG，就需要大规模修改，因此噪声设计一直是很大的课题。ROHM针对该课题，于2017年推出了抗噪性能极其出色、可减轻噪声设计负担的运算放大器，并在车载市场获得了高度好评。此次，为了满足市场强劲的需求，ROHM运用自身技术，开发出抗EMI性能优异的比较器。● 什么是“EMARMOUR”？“EMARMOUR”是ROHM产品的品牌名，该品牌产品融入了ROHM的“电路设计技术”、“布局技术”及“工艺技术”优势开发而成，并在ISO11452-2的国际抗扰度评估测试中，实现在各种噪声频段的输出电压波动均在±3%以内的抗干扰性能。由于抗干扰性能非常出色，有助于解决车载电装系统开发过程中的噪声干扰问题，因而可减少设计工时并提高可靠性。● 新产品特点1. 抗干扰性能极其出色，有助于减少设计工时在各种噪声频段，普通产品的输出电压波动达±20%以上，甚至可能发生误动作（High / Low反转），相比之下，“BA8290xYxxx-C系列”的抗干扰性能非常出色，输出电压波动仅±1%以内，且不会发生误动作。因此，可减轻在车载电装系统中发挥重要作用车载传感器的噪声设计负担，从而有助于减轻系统的设计工时并提高可靠性。2. 降噪用部件数量减少因为该系列产品的抗干扰性能极其出色，所以可减少普通产品必不可少的外置降噪部件（电源、输入、输出的三种CR滤波器）。以四通道比较器为例，与普通产品相比，共可减少28个降噪部件。 3. 满足全球汽车领域的要求（AEC-Q100）“BA8290xYxxx-C系列”不仅满足全球汽车电子产品可靠性标准AEC-Q100，而且，与普通产品相比，消耗电流仅为0.6mA（普通产品为0.8mA），失调电压仅为±5mV（普通产品±7mV）。另外，产品采用标准的比较器引脚配置、常用的表面贴装型封装和通道数，可轻松替换可能有噪声问题的现有产品。● 抗干扰性能极其出色的“EMARMOUR系列”产品阵容● 应用示例★EV/HEV的逆变器 ★引擎控制单元 ★自动变速箱★电动助力转向系统 ★车灯 ★组合开关★EV充电器 ★汽车导航 ★汽车空调等对电子电路降噪要求高的各种车载电装系统●术语解说*1) 抗EMI（Electromagnetic Interference: 电磁干扰）性能抗EMI性能是表示对周围产生的噪声干扰的耐受性的指标。如果抗EMI性能较差，则当周围产生噪声干扰时，元器件或系统有可能产生误动作，因此需要使用滤波器（电容器、电阻器等）和屏蔽（金属板）来降低噪声。反之，如果抗EMI性能优异，则无需担心噪声干扰的影响，这在减少针对噪声的设计工时方面具有非常明显的优势。*2) 运算放大器和比较器运算放大器简称“运放”，可放大输入信号。通过放大传感器输出信号等微小信号，使之达到微控制器等可识别的电压电平。比较器用于判断输入信号的阈值。可对传感器的输出信号等进行阈值判断，并可输出数字（High/Low）信号。

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ROHM Semiconductor

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