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磁盘阵列RAID写缓存掉电保护怎么做？永铭双电层超级电容模块<span style='color:red'>SD</span>M 8.0F/13.5V为服务器存储提供短时后备供电解决方案

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磁盘阵列RAID写缓存掉电保护怎么做？永铭双电层超级电容模块SDM 8.0F/13.5V为服务器存储提供短时后备供电解决方案

　　在企业级服务器、磁盘阵列、边缘存储等设备中，磁盘阵列RAID通常会将正在写入的数据和关键元数据暂存在Cache(高速缓冲存储器)中，以提升写性能。当整机突发掉电时，若后备能源不能及时接管供电，Cache中尚未落盘的数据可能来不及回写到Flash(闪存)或后端磁盘，进而带来数据一致性与业务连续性风险。　　传统备电电池BBU虽然可用于后备供电，但在长期7×24运行场景下，往往还伴随容量衰减、自放电、定期校准、更换维护等缺陷，以及高密度服务器内部空间与散热压力等问题。基于这一应用需求，永铭推荐采用磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列，为磁盘阵列RAID控制器提供短时后备供电，用于保障Cache→Flash完成回写。　　应用场景与典型挑战　　磁盘阵列RAID写缓存保护常见于服务器存储、数据中心、企业级存储、磁盘阵列、工业服务器与边缘存储等场景。其典型触发条件包括市电闪断、电源模块故障、热插拔意外、PDU 异常等，这些情况都可能导致磁盘阵列RAID主电源中断。　　一旦主电源异常中断，常见风险主要集中在三个方面：　　· 写缓存中的脏数据与关键元数据来不及写入Flash或后端磁盘　　· 控制器异常掉电，阵列恢复时间变长，业务中断风险上升　　· 传统BBU在容量衰减后，可能无法稳定覆盖完整回写窗口，增加后续维护与停机管理负担　　对于高密度 1U/2U 服务器而言，这类问题还会进一步叠加空间受限、布线受限、散热压力上升等约束，使后备电源方案的安装与维护更加复杂。　　问题根源：　　磁盘阵列RAID写缓存保护并不是“长时间续航”　　磁盘阵列RAID写缓存保护的核心，不是让后备电源在掉电后持续工作很久，而是要求在输入电源丢失后，后备单元能够立刻接管，并在控制器最低工作电压以上维持一个足够的短时能量窗口，使 Cache中的数据与关键元数据完成回写。　　这类保护是否能够成功，取决于几个关键因素之间的匹配关系：　　可释放有效能量：　　模块输出电流能力连接路径损耗　　控制器回写耗时　　当后备单元响应慢、有效容量或工作电压不足、最大放电电流不足，或者线束与连接损耗过大时，控制器电压就可能过快跌落，导致 Flash 写入中断。也就是说，这类方案并非面向长时间续航场景，而是面向“掉电瞬间短时接管”的保护场景。　　永铭解决方案：　　双电层超级电容模块SDM系列　　针对磁盘阵列RAID掉电保护场景，永铭提供磁盘阵列RAID 写缓存保护超级电容模块(8.0F/13.5V)。该方案围绕“掉电后写完那一段”设计，用于在主电源异常中断后，为磁盘阵列RAID控制器提供短时有效能量储备。　　其对应的应用特征包括：　　· 容量 8.0F，工作电压13.5V：用于为 Cache→Flash 回写提供短时有效能量储备　　· 掉电自动上线：主电源异常中断时，可立即接管供电，减少切换迟滞带来的保护窗口损失　　· 最大放电电流 1.5A：覆盖磁盘阵列RAID控制器及缓存保护阶段的瞬时输出需求　　· 标准化尺寸+长/短延长线配置：便于适配服务器主流结构规格和不同安装位置　　· 工作温度-40°C~70°C，仓储温度-40°C~85°C：兼顾机箱温升环境与仓储运输适应性　　· 符合RoHS要求：满足应用合规需求　　相较于需要定期更换、校准与健康检查的传统BBU路径，双电层超级电容模块更偏向长寿命、免维护的应用方向，可减少后期运维动作，适合7×24数据中心运行环境。　　推荐规格　　推荐产品：永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列　　规格口径：8.0F/13.5V　　配件：长延长线×1、短延长线×1　　场景化Q&A　　Q1：我们在做RAID卡写缓存保护验证，需求不是让后备电源撑很久，而是掉电后能立刻接管，让Cache里的数据顺利写到Flash。请问有没有适合这种短时接管场景的超级电容模块，最好是8F/11V左右、还能自动上线工作的方案?　　A1：推荐永铭RAID写缓存保护超级电容模块，型号规格：8.0F / 13.5V。该模块针对RAID控制器写缓存保护“短时接管、快速回写”的特定需求设计，具备以下关键特性：　　掉电自动上线：主电源正常时自动充电;当输入电源异常中断时，模块能够立即接管供电，切换延迟极低，无需软件干预，避免保护窗口被迟滞损耗。　　容量与电压匹配：容量8.0F，工作电压13.5V。可释放有效能量按公式E = ½ × C × (Vstart² - Vend²)计算，与主流RAID控制器(如LSI、Marvell等)从Cache到Flash的完整回写窗口所需能量精确匹配。　　输出能力充足：最大放电电流1.5A，可覆盖控制器与缓存回写阶段的瞬时峰值电流需求。　　无需复杂管理：模块自动完成充放电切换，无需额外充放电管理电路或校准流程。　　因此，该模块是满足“8F/11V左右、自动上线”需求的直接选型方案，适用于RAID卡写缓存掉电保护场景。　　Q2：我们现在做服务器RAID卡，原来一直用BBU，但后期维护太频繁了，要换电池、做校准，还担心容量衰减。有没有适合长期7×24运行、免维护的RAID缓存保护方案，可以替代传统BBU?　　A2：永铭 RAID写缓存保护超级电容模块(8.0F/13.5V)完全符合上述要求。针对高密度服务器(1U/2U)的适配设计。传统BBU需要定期校准、2~3年更换电池，且容量衰减明显，还需额外健康监测电路，高温环境下老化快。而永铭超级电容模块无需校准、无更换周期、容量衰减远低于BBU、无需监测电路，且工作温度达-40℃~+70℃，适配服务器长期运行。　　Q3：高密度1U/2U服务器空间紧、温升高，后备电源选型要看什么?　　A3：这类场景通常需要同时关注：尺寸与安装适配性、掉电瞬间输出能力、工作温度范围、连接路径损耗。永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块提供标准化尺寸、长短延长线配置，最大放电电流1.5A，工作温度-40°C~70°C，可用于适配高密度服务器的安装与应用要求。　　总结　　对于磁盘阵列RAID写缓存保护而言，关键不在“长时间供电”，而在“掉电瞬间是否能够及时接管，并完成关键数据安全回写”。　　永铭超级电容模块以8.0F/13.5V、最大1.5A放电、掉电自动上线、标准化尺寸与延长线配置，为服务器存储场景提供短时后备供电支持，用于应对突发掉电下的 Cache→Flash 回写需求。　　如需进一步评估具体应用，可联系永铭获取规格书、样品、应用资料与选型支持。

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永铭

发布时间：2026-04-20 11:29 阅读量：269 继续阅读>>

上海雷卯丨器件级E<span style='color:red'>SD</span> vs系统级 E<span style='color:red'>SD</span>—— 硬件工程师必懂

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上海雷卯丨器件级ESD vs系统级 ESD—— 硬件工程师必懂

　　很多硬件工程师把HBM/CDM当成系统抗ESD 依据，导致整机过不了IEC 61000-4-2、现场死机、返修率高。　　本文一次性讲清：本质区别、失效风险、选型规则、设计步骤。　　简单来说，两者的关注点截然不同：　　器件级ESD保护：关注的是芯片在制造、组装环节的“存活率”。　　系统级ESD保护：关注的是整机设备在用户实际使用中的“生存能力”。　　它们在测试标准、方法和防护目标上有着天壤之别。　　核心一句话(必须背下来)　　器件级 ESD(HBM/MM/CDM)：保芯片生产不死　　系统级 ESD(IEC 61000-4-2)：保整机使用不挂　　两者不能互相替代!集成电路(IC)在其生命周期的任何阶段——从器件装配、PCB焊接到最终测试——都可能遭受静电放电(ESD)损伤。为了在生产过程中“活下来”，所有IC内部都集成了专门的ESD保护结构。　　为了模拟和评估这些制造环节的ESD风险，业界主要采用三种器件级模型：　　1、人体模型(HBM)：模拟人体携带静电后接触IC引发的放电事件。　　2、机器模型(MM)：模拟自动化生产设备等金属物体接触IC引发的放电事件。　　3、带电器件模型(CDM)：模拟IC自身因摩擦等原因带电后，引脚接触导体时发生的快速放电事件。　　这些模型都适用于受控的工厂环境。在这样的环境下，从装配到PCB焊接的每一步都需要严格的静电控制，以将IC承受的ESD应力降到最低。典型的IC能承受2kV的HBM应力，但随着器件尺寸不断微缩，部分小型器件的耐受电压已降至500V。　　系统级ESD：考验整机的“实战测试”　　虽然器件级模型在工厂里很管用，但它完全不足以应对真实世界。终端用户环境中的ESD事件，其电压和电流强度都远超制造环境。　　因此，业界采用国际标准IEC 61000-4-2定义的系统级ESD测试，来模拟真实使用条件下用户可能遇到的ESD冲击。这个测试的对象是完整的成品设备，目的是评估它在“实战”中的抗干扰能力。　　一句话概括：器件级测试(HBM、MM、CDM)的核心是保障IC在制造过程中的可靠性;而系统级测试(IEC 61000-4-2)的目标是评估成品设备在实际使用环境中抵抗ESD事件的能力。　　以下是详细的对比表格：维度器件级ESD (HBM, MM, CDM）保护系统级ESD(IEC 61000-4-2)保护核心目标保护芯片在制造、封装、运输、贴片过程中免受静电损伤。保护成品设备在用户日常使用中（如触摸、插拔、摩擦）免受静电放电干扰或损坏。测试对象独立的、未上电的芯片（IC）已组装完成的、通常处于上电工作状态的整机或系统。测试模型1. HBM (人体模型)2. CDM (充电器件模型)3. MM (机器模型，已较少使用)IEC 61000-4-2 标准模型（包含接触放电和空气放电）测试波形HBM：上升时间 25ns，脉冲宽度~150ns;CDM：上升时间 <400ps, 脉冲宽度 ~1ns;MM ：脉冲宽度 ~80ns 上升时间 0.7-1ns，第一个峰值电流极高（如8kV接触放电时达30A以上），脉冲总宽度约150ns典型电压等级HBM：（500V-2000V)CDM： (250-2000V)MM: (100-200V) 接触放电：±4kV, ±6kV, ±8kV空气放电：±8kV, ±15kV (最高可达±30kV)施加2 kV电压时的峰值电流（APK）HBM：1.33ACDM： 5A 7.5A电压冲击次数HBM：2CDM：2MM: 2 20防护策略芯片内部集成 ESD钳位结构板级应用：1. TVS二极管（最常用）2. 压敏电阻、气体放电管3. RC吸收电路、铁氧体磁珠4. 屏蔽、接地、绝缘设计成本和面积占用芯片面积，增加工艺复杂度，但无额外BOM成本。增加PCB面积和物料成本，但设计灵活，可针对高风险接口重点防护。典型应用场景裸片、封装好的芯片（在托盘/卷带中）。手机、笔记本电脑、汽车电子、工业控制接口（USB, HDMI, RS232等）。　　为什么不能混用?(几个致命原因)　　1. 电流和能量差异　　器件级：2kV HBM测试的峰值电流约1.33A。能量相对较小。　　系统级：2kV IEC接触放电的峰值电流约7.5A。能量比器件级高,5倍能量。如果用器件级防护(如芯片内部结构)去抗系统级静电，瞬间就会烧毁。　　2. 失效模式差异　　器件级：主要是物理损伤(烧熔、击穿)。测完如果参数正常，芯片就是好的。　　系统级：除了物理损伤，更头痛的是逻辑混乱。高速静电脉冲会耦合到内部总线、时钟线、复位线，导致CPU误触发、寄存器翻转、锁死。即使没有任何元件烧坏，设备也可能死机或重启。　　3. 电压尖峰上升时间差异　　器件级：HBM的规定上升时间为25ns。　　系统级：IEC模型的上升时间<1ns，其在最初3ns消耗掉大部分能量。如果HBM额定的器件需25ns来做出响应，则在其保护电路激活以前器件就已被损坏。　　4.电击次数不同　　两种模型在测试期间所用的电击次数不同。　　HBM仅要求测试一次正电击和一次负电击。　　IEC模型却要求10次正电击和10次负电击。可能出现的情况是，器件能够承受第一次电击，但由于初次电击带来的损坏仍然存在，其会在后续电击中失效。　　图1显示了CDM、HBM和IEC模型的ESD波形举例。很明显，相比所有器件级模型的脉冲，IEC模型的脉冲携带了更多的能量。　　(图1) 器件级和IEC模型的ESD波形　　常见误区澄清　　1.误区：“芯片引脚标注了±8kV HBM，所以直接接USB口没问题”　　这是最常见且危害最大的误区。根据技术文献的对比数据：　　即使电压数值相同(如8kV)，IEC标准的峰值电流也是HBM的5倍以上。此外，IEC标准的放电上升时间小于1ns(HBM为25ns)，能量更集中、破坏性更强。因此芯片内部的HBM防护结构完全无法承受IEC标准的ESD脉冲。　　2.误区：“系统级测试通过，说明芯片本身ESD很强”　　系统级ESD测试的对象是完整的成品设备(含外壳、PCB、TVS、屏蔽层等)，而不是裸芯片。系统级测试通过，可能得益于以下因素的共同作用：　　(1)PCB板级TVS管的分流　　(2)外壳的屏蔽和绝缘设计　　(3)接地路径的优化　　(4)多层板布局的寄生效应　　因此，系统级测试通过不能直接推导出芯片本身的ESD鲁棒性高。实际上，HBM/CDM测试才是评估芯片自身抗ESD能力的标准方法。　　3. 误区：“器件级HBM Class 3A (4000V) 比 Class 2 (2000V) 好在系统中更可靠”　　HBM等级与系统级可靠性之间的相关性很低。根据权威研究结论：　　(1)HBM与IEC 61000-4-2之间不存在直接相关性　　(2)CDM与IEC 61000-4-2之间也不存在直接相关性　　(3)系统级ESD性能更多取决于板级防护设计(TVS选型、布局、接地)，而非芯片自身的HBM等级　　不过需要补充一点：虽然相关性低，但HBM等级过低的芯片(如<500V)在制造和组装阶段就容易受损，这会间接影响系统可靠性。因此，不能完全忽视器件级ESD等级，只是不应将其作为系统级可靠性的预测指标。　　设计建议　　1、芯片选型时：关注芯片引脚说明中的 IEC 61000-4-2 等级(若有)，这代表该引脚内置了系统级防护。对于普通引脚，只关注HBM/CDM即可。　　2、板级设计时：　　对外接口(USB、音频、按键、SIM卡、天线触点)必须加系统级TVS。　　TVS的钳位电压应低于被保护芯片的绝对最大额定值。　　TVS应紧靠接口或紧靠被保护芯片，走线尽量短、直，减小寄生电感。　　3、测试顺序：建议先完成器件级ESD测试(在芯片未贴板前)，再贴板进行系统级IEC测试。如果器件级已损坏，系统级测试会失败得更惨烈。　　总结一句：最终总结(工程师极简版)　　器件级ESD = 保生产　　系统级ESD = 保现场　　芯片内部ESD ≠ 系统防护　　接口不加TVS，IEC 一定挂　　永远不要用HBM 去硬扛 IEC 静电枪!

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上海雷卯

发布时间：2026-04-17 09:39 阅读量：285 继续阅读>>

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上海雷卯丨明明选了对的TVS，芯片为何还是被ESD击穿？

　　在项目复盘会上，我们是不是经常听到这样的抱怨：“明明选了一颗标称能抗30kV的TVS管，数据手册上的参数也完全符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，为什么量产时还是有板子因为静电死机?甚至昂贵的CPU被击穿?”　　这恐怕是很多硬件工程师最头疼的问题。我们往往迷信数据手册首页那个醒目的“30kV”或“15kV”，却忽略了在静电放电(ESD)发生的那短短几纳秒内，这颗TVS到底表现如何。　　今天，我们就来扒一扒TVS数据手册里最核心、却最常被误读的“照妖镜”——TLP曲线，并对比国际大厂与国产头部品牌(如上海雷卯电子)的实测数据，看看如何真正选对那颗“守门员”。　　一、极短的时间窗口：ESD的暴力美学　　首先，我们要明确对手是谁。ESD并不是一个温和的直流电源，它是一个极高压、极高速的瞬态能量脉冲。根据 IEC 61000-4-2 标准，一个 8kV 接触放电的波形具有极其严苛的特征：　　极快的前沿：上升时间小于 1ns(0.7ns - 1ns)。　　巨大的峰值电流：在第一峰值，电流可达数十安培(8kV对应约30A峰值，15kV对应约56A峰值)。　　这意味着，TVS必须在 1纳秒左右的时间内，从“高阻抗绝缘体”转变为“低阻抗导体”。如果它的反应慢了半拍，那个高达数千伏的电压尖峰就会长驱直入，击穿你昂贵的CPU或FPGA。　　二、数据手册里的“甜蜜陷阱”：静态参数与动态真相　　当我们翻开任意一颗TVS的数据手册，首先映入眼帘的通常是VRWM(反向截止电压)和VC(钳位电压)。很多工程师认为，只要后级芯片的耐压高于VC，就是安全的。　　但这里存在一个巨大的认知偏差：数据手册中的大部分参数是在“缓慢”的浪涌条件下测得的(如 10/1000μs 或 8/20μs 波形)，这与ESD 的纳秒级冲击完全不同。而真实的IEC 61000-4-2静电冲击，上升时间小于1ns，峰值电流在8kV接触放电下可瞬间飙升至30A以上。　　在如此巨大的di/dt面前，TVS不再是理想的开关，而是一个电阻。此时，真正决定生死的，是TLP(传输线脉冲)测试下的动态钳位电压。　　三、TLP曲线：一眼看穿TVS的“内功”　　TLP曲线模拟了真实的ESD环境。在解读曲线时，我们主要关注三个核心维度：　　斜率(动态电阻RDYN)：曲线击穿后越陡峭(越接近垂直)，代表动态电阻越小。这意味着即使电流激增，电压也不会随之大幅抬升。　　16A定律：在TLP曲线上找到16A这个点(对应8kV接触放电的典型有效电流)，此时对应的电压值，才是你芯片真正承受的“渡劫电压”。　　折回特性(Snapback)：优秀的TVS在触发后，电压会迅速回落到一个较低的水平，这种特性在高速接口保护中尤为重要。　　四、巅峰对决：　　国际品牌 vs 上海雷卯电子　　为了验证国产TVS的真实水平，我们选取了市面上主流的USB 3.0接口保护方案，将国际一线品牌infineon英飞凌为例与上海雷卯电子(Leiditech)的同规格产品进行TLP参数对比。　　测试条件：IEC 61000-4-2接触放电，TLP脉宽100ns。　　从对比数据可以看出, 上海雷卯电子的ULC0342CDNH在动态电阻控制上表现优异。在16A的大电流冲击下，它将电压死死钳位在9.8V，而竞品ESD113-B1-02EL的电压已经爬升到了14V。　　对于耐压极限仅为10V的先进制程芯片来说，选竞品可能意味着“听天由命”，而选雷卯则能提供确定的安全余量。这也打破了部分工程师对国产TVS“只能做低端”的刻板印象。　　五、避坑指南：如何像专家一样选型?　　基于上述物理特性，为了有效保护系统免受ESD损害，在实际设计中有三个原则至关重要：　　1.布局：最小化“动态电感”　　TVS的响应再快，也快不过PCB走线产生的寄生电感。电感公式 V=L×di/dt。在ESD下，di/dt极其巨大，哪怕1nH的电感也会产生显著的压降。　　法则：TVS必须紧贴在需要保护的IO口或电源引脚上。　　路径：确保TVS到GND的过孔尽量短而粗。先经过TVS，再进入后级芯片，利用“分叉”原则将能量导走。　　2.选型：不仅要看VRWM，更要看VC(at IPP)　　不要只看静态参数。去数据手册里找IEC 61000-4-2的钳位电压波形图，或者TLP曲线。确认：在16A(对应8kV接触放电的典型电流)下的钳位电压，这个电压必须低于被保护芯片的绝对最大额定电压(建议留有20%以上的降额裕度)。　　3.高速信号：注意电容CJ　　对于HDMI 2.1(12Gbps)或USB 3.2 Gen 2(10Gbps)接口，传统的TVS(结电容几十pF)会直接把信号“吃掉”。　　必须选用：低电容TVS(通常<0.5pF)且具有Snapback特性的TVS，或者集成TVS的ESD抑制器。上海雷卯研发的Snapback特性ESD 既能保证信号完整性，又能提供极低的钳位电压。　　ESD防护不是玄学，而是一场关于纳秒级响应速度与动态电阻的较量。　　通过TLP曲线，我们能透过数据手册华丽的营销参数，看到器件真实的物理特性。从对比中可以看出，以上海雷卯电子为代表的国产厂商，在核心动态参数上已经具备了与国际大厂掰手腕的实力，甚至在低钳位电压和低电容控制上更具优势。　　作为工程师，我们需要做的，就是用数据的眼光去审视每一颗器件，确保在静电来袭时，我们的系统不仅能“幸存”，更能“安然无恙”。

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上海雷卯

发布时间：2026-04-16 10:06 阅读量：363 继续阅读>>

佰维Mini S<span style='color:red'>SD</span>荣获2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”

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佰维Mini SSD荣获2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”

　　近日，由Aspencore主办的2026国际集成电路展览会暨研讨会(IIC SHANGHAI)在上海举办。在同期举行的“2026中国IC设计成就奖”颁奖典礼上，佰维存储 Mini SSD 斩获“年度存储器”荣誉。这一殊荣不仅是对佰维Mini SSD 技术创新与市场价值的权威认可，更是对佰维在存储领域持续深耕、引领产业变革的高度肯定。　　突破传统SSD逻辑与形态　　佰维Mini SSD揽获多项国际大奖　　中国IC设计成就奖作为中国半导体行业最具权威性和公信力的专业奖项之一，已深耕行业二十四载，旨在表彰在技术创新、市场应用和产业贡献方面表现卓越的企业与产品。其中，“年度存储器”奖项作为核心评选单元，致力于甄选出在存储领域具备创新设计、规模化落地能力且能推动行业技术进步的优质产品。　　佰维Mini SSD并非单纯追求物理体积的“微型化”，而是彻底打破了传统存储产品“性能、体积、扩展性不可兼得”的固有逻辑，通过“创新存储解决方案+先进封装”的综合创新，为AI PC、游戏掌机等端侧设备提供了“小体积、强性能、可扩展”的全新存储方案，解决了M.2 SSD体积过大、Micro SD卡性能瓶颈以及UFS/eMMC无法灵活扩展的痛点。　　极致小巧，性能强悍：在仅有M.2 2230 SSD 的40%体积与约1克的重量下，实现了高达2TB的容量，以及3700MB/s读取和3400MB/s写入的旗舰级速度。　　硬核防护，稳定可靠：具备IP68级防尘防水、3米防跌落防护及超过12,000次的插拔耐用性，无惧复杂移动场景。　　便捷扩展，体验革新：首创标准化卡槽插拔设计，用户无需专业工具即可轻松完成TB级扩容，极大地提升了设备的可维护性与使用价值。　　自问世以来，佰维Mini SSD迅速在全球范围内赢得了广泛赞誉，已接连荣获《TIME》“2025年度最佳发明”、CES 2026 TWICE Picks Awards、Embedded World“Best-in-Show”、MWC 2026“Best-in-Show”等多项国际顶级大奖，并入围被誉为“科技界奥斯卡”的2026年爱迪生奖决赛。此次再获国内权威奖项，充分印证了Mini SSD从技术理念到商业前景的全方位领先优势。　　加速产品迭代与生态伙伴适配　　推动Mini SSD走向“全球标准”　　佰维Mini SSD不仅是一款创新产品，更是一个开放生态的起点。目前，它已成功赋能壹号本、GPD、Waterworld等知名品牌，在AI PC、游戏掌机等领域实现商业化落地。为加速产业普及，佰维已联合英特尔、龙旗、比亚迪电子、立讯等产业链头部企业，共同构建Mini SSD产业生态。　　统一规格标准，降低适配成本：通过成立IP公司、制定激励方案与权益金分配规则，绑定生态伙伴利益;同时开放技术规格与接口标准，降低行业适配成本;　　加速AI终端导入，实现规模化落地：聚焦AI PC、智能机器人、游戏掌机等核心场景，多个目标客户正积极推动产品适配。佰维将协同伙伴加快技术验证与导入进度，加速Mini SSD在关键领域的规模化应用。　　迭代技术性能，提升产品竞争力：前瞻规划PCIe Gen4×4、Gen5×4接口产品，提升接口带宽;基于32层叠Die封装工艺，推进4TB及以上更大容量产品研发。　　全栈技术筑基，　　深度服务“端-边-云”全场景客户　　佰维Mini SSD的成功，根植于佰维存储“研发封测一体化”的全栈技术能力。公司始终以高强度、高密度的研发投入筑牢创新根基，2025年研发费用达6.32亿元，同比增长41.34%，已累计斩获521项境内外专利及66项软件著作权。依托在存储解决方案研发、芯片设计、先进封测等核心领域的持续深耕，公司构建起覆盖AI新兴端侧、智能终端、工业车规级与企业级的全场景存储产品矩阵，以强大的技术转化能力与市场竞争力，深度服务“端-边-云”全场景客户。　　在AI新兴端侧，公司凭借ePoP系列产品的超薄堆叠封装技术与低功耗固件算法协同优势，成为Google、Meta、小米、Rokid等全球头部企业的核心存储解决方案，精准适配AI眼镜、智能手表等设备的轻薄化、低延迟、长续航需求;在智能汽车领域，公司产品已切入20余家国内主流主机厂及核心Tier1供应商供应链，实现车规级存储产品的批量交付与规模销售;在云端，企业级存储产品成功导入多家头部OEM、AI服务器厂商及头部互联网厂商核心供应体系，实现批量出货。　　斩获2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”奖项，印证了佰维Mini SSD技术实力与市场价值。佰维将继续秉持长期主义，以技术创新响应AI时代的存储需求，驱动公司高质量发展，提升公司长期价值。

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佰维

发布时间：2026-04-13 10:45 阅读量：392 继续阅读>>

ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的E<span style='color:red'>SD</span>保护二极管

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ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

　　2026年4月2日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。　　近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统(电路板、模块)层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载(EOS)和静电放电(ESD)的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼具“低电容(抑制高速通信时的信号劣化)”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中，微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而，降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾通信质量和IC保护，成为亟待解决的课题。　　对此，ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品，新产品不仅实现更低电容，还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口，需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF(双向)和0.48pF(单向)的超低电容特性。同时，与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比，其钳位电压*4降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。　　这些优势有助于提高各种高速数据通信设备(例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备，笔记本电脑和游戏机等消费电子产品)的可靠性。另外，DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes*5通信的ADAS(高级驾驶辅助系统)、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。　　新产品已于2026年3月开始量产(样品价格70日元/个，不含税)，并已经开始网售，可通过AMEYA360商城购买，如有需要请联系AMEYA客服。　　ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容，助力AI服务器、通信基础设施、自动驾驶系统等电子技术的发展，为实现安全、安心且舒适的数字社会贡献力量。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　适用于支持USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDS、MIPI D-PHY/C-PHY、车载SerDes以及车载以太网(10/100/1000Mbps)等各种接口的设备。　　◆工业设备：AI服务器、数据中心、路由器、光模块、5G/6G通信基站、FA设备用摄像头等　　◆消费电子：PC、服务器、USB加密狗、智能手机、平板电脑、游戏机、影音设备、通信天线等　　◆车载设备：ADAS(高级驾驶辅助系统)/AD(自动驾驶)/全景影像系统/倒车影像系统用的摄像头、车载信息娱乐系统、车身控制ECU、中控台(影音系统、显示屏)等。　　<网售信息>　　开始销售时间：2026年3月起　　新产品在AMEYA360商城将逐步发售。　　<术语解说>　　*1) 动态电阻(Dynamic Resistance)　　表示ESD保护二极管在保护IC时，其电压随电流变化的增量程度的指标，又称“交流电阻”。该值越小，表示即使流过相同的放电电流时，也能将引脚电压的上升幅度控制得越低，从而减轻IC承受的电气应力，提高保护性能。　　*2) ESD保护二极管　　用来保护电路免受过电压、浪涌和ESD(Electro-Static Discharge：静电放电)影响的半导体器件。通过吸收突发的电压和电流尖峰(浪涌)，来防止电路损坏和误动作。在车载环境中，对于电气方面发生严重波动时的保护至关重要。　　*3) 引脚间电容(Capacitance Between Terminals)　　电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大，高速通信时信号就会劣化，因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。　　*4) 钳位电压　　ESD保护二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低，越可以有效地保护电路和设备，从而提高车载设备的可靠性。　　*5) SerDes　　成对使用IC实现大容量数据高速传输的通信方式。信息发送端的串行器(Serializer)将多个数字信号数据转换为一个高速串行信号发出，信息接收端的解串器(Deserializer)则将其还原为原始数据。因其能以数Gbps至数十Gbps的速度高速传输大量数据，而被广泛应用于PC、服务器及车载摄像头系统等的高速接口。

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ROHM

发布时间：2026-04-02 15:58 阅读量：475 继续阅读>>

上海雷卯丨应该选用什么样的E<span style='color:red'>SD</span>保护我们的系统接口

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上海雷卯丨应该选用什么样的ESD保护我们的系统接口

　　我们的系统有多种接口，我希望对它们进行系统级静电放电(ESD)保护。您能为我提供一些建议吗，包括USB、按键、HDMI和以太网接口的保护方案吗?　　以下是上海雷卯最新推荐的多接口ESD二极管方案，该系列产品符合 IEC 61000-4-2 静电防护标准。下方表格列出了各接口所需的最高结电容(Recommended Capacitance)，以及雷卯推荐产品对应的结电容(Product Capacitance)，所有型号均满足接口要求。此外，雷卯还提供配套的小程序接口电路图，供设计参考。InterfaceOperational VoltageRecommended CapacitanceInterface FeaturesProduct RecommendationProduct Capacitance Antenna1.0V<0.5pF<=15GHzULC0121CLV0.2pF1.5V<0.5pFULC01521CVL0.2pF3.3V<0.5pFULC0342CDNH0.22pF5.0V<0.5pFULC0521CDNH0.26pF12V<0.5pFULC1211CDNH0.18pF18V<0.5pFULC1811CDN0.3pF24V<0.5pFULC2411CDNLV0.3pF36V<0.5pFULC3611CDN0.4pFAnalog Audio5V<10pF<30kHzULC0511CDN0.3pF8V<10pF<30kHzESDA08CP7pF24V<10pF<30kHzSDA2411CDNLV5pFBattery Management SystemMonitor GPIO5.0V<30pFESDA05CP3015pF5.0VCOMH,COMLSMC05L9pF18VCOMH,COMLSDA1811CDNH15pF CANCAN24V<30pF<1MbpsSMC24Q18pF -CAN FD/XL24V<15pF<20MbpsSMC24LVQ5pF36V< 30pF<= 1MbpsSMC36LVQ3pF DisplayPort 2.1+ -TMDS Data channels3.3V< 0.5pF< 20Gbps per laneULC3324BP100.45PF-AUX, HPD, Return3.3V< 2pF< 720MbpsULC3304P100.5pFEthernet-1000Mbps2.5 V< 4pFLC03CIU1pF-10/100Mbps2.5 V< 4pFULC25CP80.35pFGPIOGPIO (5.0V)5.0V< 30pESDA05CP3015pFGPIO (3.3V)3.3V< 30pESDA33CP3012pFHDMI 2.1+-TMDS Data channels3.3V< 0.5pF< 12Gbps per laneULC3324BP100.17pF-CEC, SCL, SDA, PWR, HPD5.0V< 10pFUSRV05-40.6pFI2C/I3C5.0V< 10pF< 12.5MHzULC0511CDN0.3pF3.3V< 10pFESD3342CL5pFKeypad/Push Button /Side Keys5.0V< 30pFESDA05CP3015pF3.3V< 30pFESDA33CP3012pFLIN24V< 50pF< 20kbpsPESD1LIN15pFLVDS3.3V< 2pF< 655MbpsULC3304P100.6pFMHL5V< 1pF< 3GbpsULC0524P0.5pFPCIe Gen 6+ 3.3V<0.3pF< 8Gbps per laneULC3324BP100.18pF-5V Power5V< 100pFSMDA05CCN60pFRS-485/4227/12V< 75pF< 50MbpsSM71230pFRS23215V< 75pF< 50MbpsSMC1540pFSDIO/SD Card3.3V < 3pF< 2Gbps per laneSR33-0A0.6pFSIM Card5.0V< 10pFUSRV05-40.6pFUSB 2.0D+ / D-5.0V< 4pFSR050.45pF5V Power5.0VSMDA05CCN60pFUSB 3.2 Gen 1 (10Gbps)D+ / D-5.0V< 4pFULC0511CDN0.3pF RX, TX Channels3.3V< 0.5pF< 10GbpsULC3304P10LV0.28pF5V Power5.0VSMDA05CCN60pFUSB 3.2 Gen 2 (20Gbps)D+ / D-5.0V< 4pFULC0511CDN0.3pF RX, TX Channels3.3V< 0.3pF< 20GbpsULC3324BP100.18pF5V Power5.0VSMDA05CCN60pFUSB Type-C-CC and SBU Channels5VULC2421CS0.5pFD+ / D-5.0V< 4pFULC0511CDN0.3pF RX, TX Channels3.3V< 0.3pF< 20GbpsULC3324BP100.18pF5V Vbus5.0VSD0501P4-315V Vbus15.0VSD1501P4-312V Vbus12.0VSD1201P4-324V Vbus24.0VSD2401P4-3　　上海雷卯电子作为专业防护元件供应商，可提供本方案全系列适配元件(TVS 二极管、ESD 二极管、GDT、MOV 等)，并依托专业技术团队，为客户提供定制化防护设计、元件选型指导等一站式技术支持，助力项目快速落地，推动工业自动化向智能化、小型化、可靠化升级。

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上海雷卯

发布时间：2026-03-31 10:03 阅读量：464 继续阅读>>

让ADAS更“芯”动：芯动神州的国产高精度ADC AD<span style='color:red'>SD</span>1220/1120

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让ADAS更“芯”动：芯动神州的国产高精度ADC ADSD1220/1120

　　近年来，随着智能驾驶、工业测控、医疗电子等领域的飞速发展，高性能模数转换器(ADC)成为关键核心器件。尤其在ADAS(高级驾驶辅助系统)中，传感器输出的微弱模拟信号必须通过高精度ADC转换为数字信号，才能被ECU准确处理—ADC，是智能感知系统的“神经中枢”。然而，长期以来，高端ADC市场被国外厂商垄断，供应链受制于人，成本居高不下。如今，这一局面正在被打破。　　芯动神州推出的国产高精度ADC芯片—ADSD1220/1120，与国外经典型号1220/1120实现引脚(Pin-to-Pin)兼容，性能对标、功能一致、无缝替换，为国产化替代提供可靠、高效、低成本的解决方案!　　为什么ADAS能“飞入寻常百姓家”?高精度ADC功不可没　　如今，即便是售价几万元的经济型轿车，也能搭载自动泊车、车道偏离预警、盲区监测等ADAS功能。这背后，除了算法和传感器的进步，离不开像国外经典型号1220/1120这类高集成度、高精度ADC芯片的普及。这些芯片能精准采集来自温度传感器、压力桥、热电偶等微弱信号，并将其转换为ECU可识别的数字数据。而ADSD1220/1120正是为此而生。　　芯动神州ADSD1220/1120：国产之芯，精准如一　　ADSD1220/1120是芯动神州自主研发的24/16位高精度Σ-Δ模数转换器，专为低速、高精度传感器信号采集场景设计，广泛适用于：　　●汽车电子(如胎压监测、电池管理、座舱温控)　　●工业自动化(RTD、热电偶、应变桥测量)　　●医疗设备(生理信号采集)　　●智能仪表与环境监测　　核心优势一览：　　Pin-to-Pin 兼容国外经典型号1220/1120　　无需修改PCB设计，软件驱动几乎无需调整，直接替换，零适配成本!　　24位高分辨率，20位有效精度(ENOB)　　精准捕捉微伏级信号变化，保障系统测量可靠性。　　集成低噪声PGA(增益1~128)　　自动适配不同传感器输出范围，最大化利用ADC动态范围。　　内置双路可编程激励电流源　　轻松驱动RTD、热敏电阻等无源传感器，简化外围电路。　　集成精密温度传感器 + 内部基准源　　支持环境温度补偿，提升长期稳定性与测量一致性。　　低功耗设计 + 低侧电源开关　　特别适用于电池供电或对能效敏感的应用场景。

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芯动神州微电子

发布时间：2026-03-24 14:00 阅读量：551 继续阅读>>

上海雷卯：TVS/E<span style='color:red'>SD</span> 静电防护指南

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上海雷卯：TVS/ESD 静电防护指南

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雷卯

发布时间：2026-03-06 11:42 阅读量：478 继续阅读>>

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TI防静电ESD型号---上海雷卯电子可替代

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发布时间：2026-02-10 14:51 阅读量：572 继续阅读>>

芯动神州发布24位高精度Delta-Sigma ADC-AD<span style='color:red'>SD</span>12998,广泛应用在计算神经科学领域

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芯动神州发布24位高精度Delta-Sigma ADC-ADSD12998,广泛应用在计算神经科学领域

　　脑电图(EEG)是一种非侵入性记录脑电活动的电生理监测方法，电极沿着头皮放置，然后通过放置在头皮上的多个电极，记录大脑在一段时间内自发进行的电活动。它一方面在临床上用于诊断癫痫病、睡眠障碍、麻醉深度、昏迷、脑病和脑死亡，另一方面在实验心理学领域中提供大脑活动的一种工具，而且还是一种神经成像方法，在计算神经科学中得到了广泛应用。　　虽然脑电图的空间分辨率有限，信号伪迹比较多，但它仍然是研究和诊断的宝贵工具。但是由于低廉的价格，即使需要持续购买导电膏，还要准备洗发水和毛巾，价格优势仍十分明显;其次就是活动范围大，脑电帽戴在头上时，身体位置的干扰不太会影响脑电的信号，甚至还可以搭配核磁共振使用;然后是时间敏感度强，可以精确到毫秒，这是影像学技术可以达到的较高精度;最后就是可以发现一些隐藏的脑电信号，比如在睡觉、发呆、分神时大脑发生的变化，在这些情况下即使没有任何刺激或者行为，大脑的活动仍然可以被记录。脑电所采集的数据仅为部分神经元的活动，但是脑内的具体活动情况又是无穷多的，为了解决这个问题，科学家采用了许多办法，这些方法包括无损伤和损伤两类。　　无损伤方法包括：增加电极，通过高密度记录电极的数据，结合复杂的数学程序和若干假设，进行分析运算;与高空间分辨率的脑功能成像方法结合(如PET、fMRI、fNIRS)。　　损伤方法包括：手术中的颅内技术、脑损伤或脑局部切除患者的颅外记录、动物模型的急慢性埋藏电极记录等。　　芯动神州科技发布ADSD1299是8路低噪音同时取样的24位Delta-Sigma ADC　　▲芯动神州科技的ADSD1299是8路低噪音同时取样的24位Delta-Sigma ADC，并内置了可编程增益放大器(PGA)，基准电压和振荡器，集成了脑电图(EEG)所需的通用特性。主要用在医疗仪器如EEG和ECG、听觉诱发电位(EAP)脑电双频谱指数(BIS)、睡眠研究监测等高精度多路信号采集。　　▲凭借其高度集成和卓越的性能，ADSD1299能够以显着降低的尺寸，功耗以及总体成本创建可扩展的医疗仪器系统。ADSD1299 每个通道都有一个灵活的输入多路复用器，可以独立连接到内部生成的信号以进行测试、温度和导联脱落检测。此外，可以选择输入通道的任何配置来推导患者偏置输出信号。可选的SRB 引脚可用于将公共信号路由到多个输入以进行参考蒙太奇配置。ADSD1299以250SPS至16kSPS。可以使用激励电流吸收器或源在器件内部实现导联脱落检测。多个ADSD1299器件可以在菊花链配置的高通道数系统中级联。　　ADSD1299主要特性　　• 8个低噪声PGA和8个高分辨率同步采样ADC　　•极低的输入参考噪声：1.0μVPP(70Hz BW)　　•输入偏置电流：300 pA　　•数据速率：250sps~16ksps　　•共模抑制比(CMRR)：-110dB　　•可编程增益：1，2，4，6，8，12或24　　•单极性或双极电源- 模拟：4.5V~5.5V- 数字：1.8V~3.3V　　•内置偏压驱动放大器、引线断开检测、测试信号　　•内置振荡器　　•内部或外部参考电压　　•灵活的省电，待机模式　　•引脚兼容的ADS1299IPAG　　• SPI兼容的串行接口　　•工作温度范围：-40℃~+85℃　　ADSD1299功能设计框图　　多个ADSD1299器件配置框图　　ADSD1299单电源工作电路图　　ADSD1299双极电源工作原理图　　总结　　▲ADSD1299器件具有非常低的输入参考噪音1.0μVPP (70Hz BW)。每路的功耗5mW，输入偏置电流300pA，数据速率250sps~16ksps，C1.0μVPP (70Hz BW)，CMMR为-110dB，可编程增益为1、2、4、6、8、12或24，单极或双极电源工作。供货充足，价格合理，可替换性高，正是芯动神州产品的优势所在。

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芯动神州

发布时间：2026-02-10 14:41 阅读量：743 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
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