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DRAM、<span style='color:red'>NAND</span>芯片出货旺，SK海力士上季获利创新高

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DRAM、NAND芯片出货旺，SK海力士上季获利创新高

因DRAM存储器、NAND快闪存储器芯片出货强劲，SK海力士（SK hynix）第二季获利再创历史新高。SK海力士公布，第二季营收年增55%，为10.4兆韩元，优于市场预估的10.2兆韩元。营业利益较去年同期大幅增长83%，为5.6兆韩元，优于市场预期的5.4兆韩元，并创下历史新高。净利亦暴增75.4%，达到4.3兆韩元，再创历史新高。该公司第二季营收和营业利益，为历来首次分别突破10兆韩元和5兆韩元大关，该公司归功于该季DRAM存储器、NAND快闪存储器芯片出货大幅成长。SK海力士表示，因来自个人计算机（PC）和服务器的需求强劲，第二季DRAM芯片出货季增16%，且受惠于市场供不应求，平均出货价格较上季涨4%。在来自于中国强劲的需求驱动下，第二季NAND快闪存储器芯片出货季增19%，但由于市场供应增加，SK海力士的NAND芯片平均出货价格下跌9%。展望下半年，SK海力士表示，因美国和中国的数据中心公司扩大投资，服务器相关芯片产品需求估将进一步成长，而手机的季节性需求，包括新款智慧手机上市，亦将提振相关产品业务。该公司表示，全球DRAM芯片供应短缺的现象目前将持续下去。因供应持续增加，下半年NAND芯片价格料将走跌。SK海力士表示，将持续扩大10纳米制程在服务器和手机DRAM芯片销售中的比重，此类芯片需求估将强劲增长。公司亦计划扩大尖端的72层3D NAND芯片产能。此外，海力士表示，下半年资本支出约为8兆韩元，2019年资本支出仍将维持高档，但将低于2018年。

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DRAM,SK海力士,NAND Flash

发布时间：2018-07-27 00:00 阅读量：2428 继续阅读>>

长达14年<span style='color:red'>NAND</span>合作美光,英特尔将分手

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长达14年NAND合作美光,英特尔将分手

美光（Micron）及英特尔（Intel）昨（18）日共同宣布在3D NAND存储器合作开发计划的最新进展，双方已同意第二代3D XPoint技术开发的共同合作，预计将于2019上半年完成，之后更先进的技术开发将由两家公司各自进行，以发展出最佳的技术，以因应自家产品和业务的需求。也就是说，双方在NAND Flash市场长达14年的合作，将在明年下半年拆伙。美光及英特尔在2006年合资成立IMFT公司，共同投入NAND Flash技术研发及量产，2015年共同完成3D XPoint技术研发，并开始量产3D NAND。虽然双方决定在完成第二代3D XPoint技术研发后，将在2019年下半年拆伙，不过两家公司仍将在犹他州李海（Lehi）的合资厂IMFT持续量产基于3D XPoint技术的存储器。美光及英特尔共同开发的3D XPoint技术，将非挥发性存储器的速度提升到NAND Flash的1,000倍，由英特尔及美光共同发明独特的复合材料与十字交叉架构，让新存储器技术的密度比传统存储器高10倍。美光在2016年发布采用3D XPoint的QuantX产品，但并未真正上市，英特尔则推出搭载3D XPoint的Optane固态硬盘，并已开始上市销售，对美光来说，其实仍仰赖英特尔采购其过剩的3D XPoint产能。美光执行长Sanjay Mehrotra近期法人说明会中提及，美光对英特尔3D XPoint销售迟滞，导致美光必须摊销过剩产能，获利因此受到影响。美光还表示未来可能不再对英特尔销售3D XPoint，当时市场已认为美光及英特尔的NAND Flash合作业务将拆伙，而美光及英特尔昨日宣布明年下半年将各自研发适合各自业务的3D XPoint，也证实了双方未来在NAND Flash市场将是「兄弟登山、各自努力」。美光技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示，美光在存储器发展上拥有40年的研发创新专业地位，将继续推动发展下一代3D XPoint技术，此一技术将有助于美光的客户享有独特的存储器和储存性能优势。透过独立开发3D XPoint技术，美光得以为自家的产品规画蓝图。英特尔非挥发性存储器解决方案事业群资深副总裁暨总经理Rob Crooke表示，英特尔已推出广泛的Optane产品组合，并且与全球最先进运算平台的直接连结，在IT和消费应用方面已有突破性的成果。英特尔将延续此一发展动能，结合高密度3D NAND技术，扩大在Optane的领先地位，为现今运算和储存需求提供最佳解决方案。

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美光,英特尔,NAND Flash

发布时间：2018-07-19 00:00 阅读量：2858 继续阅读>>

三星V-<span style='color:red'>NAND</span>正式挺进96层 2018资本支出或达64亿美元

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三星V-NAND正式挺进96层 2018资本支出或达64亿美元

自3D NAND Flash工艺诞生以来，各大存储厂商之间一直进行着堆叠“大战”。近日，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度，欲打破各厂商3D NAND 64层竞争的平衡。3D NAND是通过把存储单元堆叠在一起的方式，来解决2D NAND闪存带来的限制。通俗地讲，2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦，且理论上3D NAND可以无限堆叠，但由于技术和材料限制，目前大多数厂商（东芝、SK海力士、美光/Intel）的3D NAND技术都限于64层。有分析人士指出，三星此次宣布量产96层3D NAND产品（单Die 32GB容量），必然会打破各厂商在64层竞争的平衡。接下来，其他厂商必然鼎力跟进，东芝在今年3月上海慕尼黑电子展期间就公布已经具备生产96层3D NAND的能力；2017年，SK海力士也已宣布其72层堆叠技术走向量产；美光/Intel虽是量产3D NAND最晚的厂商，但其追赶的速度已超预期，64层3D NAND技术已然成熟。记者获悉，三星第五代V-NAND内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元，每单元可保存3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)，且在业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30%，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。相比上一代技术，新一代V-NAND在结构上有何创新？据了解，三星新一代96层堆叠设计，在结构上呈金字塔状，中间有微小孔，这些小孔用作通道，尺度仅有几百微米宽。据悉，这种制造方法包括了许多先进技术，比如电路设计、新工艺技术等。三星对外称，V-NAND的改进让每个存储层的厚度已经削薄了20%，并使其生产效率提高了30%以上。目前，三星正在全力扩大第五代V-NAND 3D堆叠闪存的生产线以增加产量。亦有消息称，三星正在计划开发1TB（128GB）容量的QLC V-NAND闪存颗粒，来降低超大容量的SSD产品售价，以满足服务器、超算等高密度存储领域需求。事实上，三星领先业界发布96层3D NAND并不意外，三星从最初的3D NAND开始量产就领先行业两年左右，其每年用于3D NAND的投资金额更是业内领先。据Chosun Ilbo报道，有韩国产业链的消息人士透露，三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元，2019年更是会提高到90亿美元。这些投入首先是用于提高3D闪存的产能，包括位于平泽市和中国西安市的工厂，其次是先进技术。不过，有业界人士对闪存表现出“产能过剩”的担忧。IC Insights就分析指出，三星释放信号仅是个开端，未来几年，SK海力士、美光、Intel、东芝、西数/闪迪、长江存储/武汉新芯等都表态在未来扩充闪存产能，由此可能会出现“供过于求”的产能风险。至于将来谁能够在新一轮的竞争中胜出，还得看企业的综合实力。我们知道，在半导体产品中，存储器所占比重达到20%以上，是最为重要的半导体产品类型之一。目前，全球闪存市场份额几乎被三星、海力士、东芝和美光/Intel瓜分完毕。在全球NAND Flash市场高度垄断且全面开启堆叠技术“军备竞赛”的前提下，国内长江存储/武汉新芯若想突破重围，可能还有很长一段路要走。不过有分析指出，中国大陆2019年有望实现32层3D NAND的量产，不仅打破了国产闪存“零”的局限，更有可能在不久的将来参与到世界一线厂商的竞争中去。

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三星

发布时间：2018-07-17 00:00 阅读量：2109 继续阅读>>

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三星,NAND厂商延迟投产!半导体设备业隐忧

三星电子、NAND型快闪存储器厂商今(2018)年纷纷延迟投产，分析师担忧这恐怕会冲击明年的半导体设备市况。外媒报导，摩根士丹利分析师9日发表研究报告指出，三星电子6月初曾传出会延后DRAM的投产时程、这对半导体设备业者来说，是一大隐忧。不只如此，调查还发现，不少小型NAND型快闪存储器业者决定推延投产时程，专业晶圆代工的投产时间也会稍稍递延，这会抵消英特尔(Intel)略为转强的订单。基于上述原因，分析师决定将应用材料(Applied Materials)的目标价从60美元下修至58美元，半导体蚀刻机台制造商科林研发公司(Lam Research Corp.)的目标价也从238美元下修至219美元。另外，报告也将今(2018)年全球晶圆设备(Wafer Fab Equipment, WFE)的销售额预估值从原本的540亿美元调降至520亿美元。报告并指出，明年市况应谨慎看待，预估半导体设备营收恐下滑4%。有外媒5月31日报导，分析师先前就曾发表研究报告指出，年初迄今，NAND型快闪存储器报价一直优于预期，厂商对下半年感到乐观，这应会导致生产商建立略为多一些的库存。不过，过去两三周以来，业者对下半年的乐观程度开始降温，三星也预测报价会在Q3、Q4出现6-9%的跌幅，这或许会导致Q4报价年减30%。另外，DRAM报价Q3虽可望续涨，但激励涨势的其中一项因素──云端运算业者为建立资料中心而带来的需求，却有降温迹象。调查显示，云端运算客户对前景看法，比先前几季还要多空交杂，每个人的需求都已大致满足，甚至还有些许交期延后(mild pushouts)的现象。不只如此，DRAM供应明(2019)年也料将上扬。

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半导体设备,NAND Flash

发布时间：2018-07-11 00:00 阅读量：2373 继续阅读>>

旺季需求动能平淡,下半年<span style='color:red'>NAND</span> Flash市场价格续跌

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旺季需求动能平淡,下半年NAND Flash市场价格续跌

依据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，下半年NAND Flash市场受需求动能相对平淡，以及供货商64/72层3D NAND良率及产出继续提升影响，市场将从原先预期的供给紧缩来到接近供需平衡的状态，预期各产品合约价仍将续跌。回顾2018年上半年NAND Flash市场状况，受到传统淡季冲击及64/72层3D NAND产能稳定扩张影响，各类产品合约价已连续两个季度下跌，各供货商也在这段期间内藉由对高容量产品提供价格诱因，吸引客户增加搭载容量，以刺激旺季需求进一步成长，同时稍微放缓今年的扩产计划，试图力挽价格走跌态势延续至下半年。然而，从需求面来看，第三季虽属传统旺季，但来自智能手机、笔记本电脑及平板电脑的需求分别呈现0-1%、0-1%及9-10%的季成长，动能相对平淡，供货商试图透过进一步降价刺激需求，却也让价格跌幅大于先前预期。第四季价格料续跌，惟须观察苹果新机销售表现展望第四季，在供给面虽然新增产能不多，但供货商的64/72层产品良率预期皆将接近或超过80%水平，达到成熟状态；供货商并准备新增或转移产能至96层制程世代，带动位元产出持续成长。至于需求面，在笔记本电脑成长疲软、智能手机硬件规格缺乏亮点，以及换机动能不足的状况下，需求成长难以追上供给成长，价格恐将进一步走跌，预期跌幅将比第三季更为显著。但需观察的是若苹果新机销售状况稳健，可望微幅减缓第四季价格跌幅。大阪强震对东芝影响有限，NAND Flash供给无虞6月18日在日本大阪发生规模达6.1级的强震，东芝NAND Flash工厂所在的四日市市亦有四级震度。DRAMeXchange追踪显示，东芝在地震后立即停机检查，并于6月19日完成晶圆受损状况盘点，受影响晶圆数量有限且可以重制（Rework）后返回市场销售，对于市场供给几无影响，工厂也迅速回复正常运作。

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NAND Flash

发布时间：2018-06-28 00:00 阅读量：2439 继续阅读>>

存储器市场:DRAM稳中小涨 <span style='color:red'>NAND</span> Flash将反弹

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存储器市场:DRAM稳中小涨 NAND Flash将反弹

目前存储器市况呈现两样情况，DRAM持续稳健发展，价格平稳或小涨；NAND Flash则因供过于求，价格缓跌。外界预期DRAM市场第3季将可喜迎旺季，而NAND Flash市场价格也可稍有反弹。在DRAM厂中，南亚科受惠转进20纳米制程，5月业绩达83.26亿元（新台币，下同），续创单月历史新高纪录，不但位元销售量有所成长，同时销售价格也微幅走扬，累计前五月合并营收为348.04亿元，年增68.4%。有消息称该公司本季业绩的季增幅度可望挑战三成以上，而且其单月营收还可持续走高到第3季。南亚科本季位元销售量预期将季增17%至19%之间，第3季旺季，位元销售量可望持续攀高。外界也关注，该公司在转入20纳米制程后，切入服务器应用，相关产品若出货顺利，对其业绩将可有更高贡献。华邦电累计前五月合并营收为211.33亿元，年增18.3%，其今年整体存储器月产能预期将从4.8万片扩增至5.2万片，38纳米DRAM产品已于去年第3季量产，而新一代的25纳米DRAM也预计将于今年下半量产，对于业绩可望渐有挹注。而今年以来NAND Flash市场供给过剩，固态硬盘（SSD）价格直落，240GB TLC SSD价格在6月中旬下看40美元，虽然改写历史新低价，但因价格降至市场甜蜜点，反而意外引爆终端市场需求持续转强，下半年将进入智能手机NAND Flash备货旺季，SSD销售量能持续攀高。去年NAND Flash出现难得一见的缺货行情，虽然价格大幅飙涨，但也重创了终端市场实际需求，SSD销售动能在去年下半年几乎呈现停滞状态。而今年以来随着三星、SK海力士、美光、东芝等大厂纷纷量产64层3D NAND，NAND Flash市场供需关系明显改善，市场行情回归理性，价格的下跌反而开始陆续刺激出终端市场需求。随着上游NAND Flash原厂的64层3D NAND产能持续开出，且被大量应用在SSD产品线，今年以来高容量SSD价格持续下滑，6月中旬主流的240GB TLC SSD现货价已降至40～43美元区间，今年来累积价格跌幅约达3成，价格虽改写市场新低纪录，但却明显带动终端市场需求，SSD出货量持续拉升。模组业者表示，NAND Flash产品价格与终端市场需求呈现反向走势，价格愈高自然需求愈低。去年NAND Flash价格大涨虽带动SSD价格同步走高，但终端需求反而持续降低。今年以来市况正好反过来，NAND Flash及SSD价格持续走低，终端需求持续提升，近期240GB TLC SSD价格降至接近40美元关卡，反而刺激需求进入快速成长轨道，代表价格已跌到引爆需求的甜蜜点。分析人士认为，NAND Flash产业的供过于求状态，导致消费终端Client SSD价格随之走跌，然而价格走跌反倒刺激需求成长，预期NB产品的SSD搭载率今年将正式突破50%，其中，PCIe介面SSD取代目前主流SATA III介面SSD脚步也将加速，PCIe介面SSD渗透率也可望于今年挑战50%大关。业内普遍看好SSD下半年强劲出货动能，包括在NAND Flash及SSD模组的销售动能，以及SSD控制芯片强劲需求，新一代96层3D NAND及QLC（四阶储存单元）控制芯片也已准备就绪。根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的市场观察报告，2018年第一季NAND Flash品牌厂营收季减3%；第二季市场仍处于小幅供过于求的状态，eMMC/UFS、SSD等合约价持续下跌，但供货商希望透过更具吸引力的报价以刺激中高容量产品如256GB SSD、128/256GB UFS更高的位元需求成长，在传统旺季、苹果新机备货的需求助阵下，促使NAND Flash市场价格波动将回到较稳定的状态。

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半导体产业

发布时间：2018-06-22 00:00 阅读量：2822 继续阅读>>

受淡季价跌影响,第一季<span style='color:red'>NAND</span> Flash品牌商营收季减3%

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受淡季价跌影响,第一季NAND Flash品牌商营收季减3%

全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，2018年第一季随着需求进入淡季循环，促使价格向下修正，第一季NAND Flash品牌厂营收季减3%；第二季市场仍处于小幅供过于求的状态，eMMC/UFS、SSD等合约价持续下跌，但供货商希望透过更具吸引力的报价以刺激中高容量产品如256GB SSD、128/256GB UFS更高的位元需求成长，因此预计各供货商的营收表现仍可持稳。展望下半年，在传统旺季、苹果新机备货的需求助阵下，促使NAND Flash市场价格波动将回到较稳定的状态。事实上，受先前高涨的价格冲击，NAND Flash需求成长压抑近一年，目前的价格走势有助于OEM在PC、智能手机等新一代的产品采用更高容量产品，进而持续推动NAND Flash需求的稳健成长。三星电子(Samsung)第一季随着服务器与数据中心以及智能手机需求纷纷受淡季冲击影响，三星的位元出货量出现小幅度的下跌，加上Client及Enterprise SSD等产品价格纷纷向下修正以后，第一季营收较上季衰退5.6%，为58.2亿美元。从产品策略来看，三星期望在SSD价格适度修正以后，需求可望浮现，特别是笔记本电脑的SSD搭载率快速成长；同时在Enterprise SSD市场，三星持续维持在PCIe及高容量产品的高竞争力，并期望价格下降后带动搭载容量进一步提升；在移动设备市场，三星也持续推动旗舰机型往更高容量发展。SK海力士(SK Hynix)第一季由于智能手机淡季的冲击，SK海力士位元出货量季减近10%，平均销售单价则在eMCP合约价的支撑下，虽仅有1%的季减跌幅，但整体营收为15.5亿美元，相较前一季下跌13.9%。SK海力士销售主力落在行动装置所搭载的NAND Flash及MCP，尽管第一季智能手机需求下跌，但随着中国智能手机将中高端机种自64/128GB转往128/256GB升级，以及第二季末苹果备货需求启动，预计SK海力士第二季仍将有稳定的位元出货成长以及营收表现。后续随着72层3D-NAND产能及良率提升后，预计其搭载72层3D-NAND的Enterprise SSD出货比重今年将显著提升。东芝半导体(Toshiba)尽管第一季受到智能手机淡季冲击，但东芝受惠于开始出货64层3D-NAND Flash wafer给各模组厂，使得整体出货得以维持微幅上升，并且在模组厂Wafer备货以及SSD出货平均容量均有成长的情况下，平均销售单价呈现近10%成长，整体营收来到30.4亿美元，较上季成长9.4%。值得一提的是，东芝半导体出售案已经于5月17日获得中国反垄断审查同意，并预计将于6月1日完成出售，预期出售案顺利落幕将使Fab 6以及Fab 7的建设进度更上轨道，也让96层以后技术研发所需的资金取得能更稳健，带动东芝与西数阵营能够继续在NAND Flash市场上维持竞争优势。西数(Western Digital)第一季受到传统淡季影响、笔记本电脑及服务器SSD出货量下降所致，西数第一季位元出货量季减逾5%，而在零售业务方面，尽管多品牌策略持续奏效，但产品价格仍受NAND Flash供过于求以及第一季库存调整因素影响而下降，平均销售单价下跌近5%，使得西数第一季NAND Flash营收为23.6亿美元，较上季下跌9.8%。美光(Micron)随着销售策略转变，美光逐渐将重心从原有的渠道市场颗粒及Wafer转以出货自家品牌产品为重，本季在SSD产品的销售成绩相当亮眼，整体位元出货也成长逾10%，然而受渠道SSD、3D-NAND TLC Wafer价格在第一季跌幅较显著的影响，平均销售单价下跌近15%，相互抵消之下，美光第一季营收为18.1亿美元，较上季衰退3.3%。英特尔(Intel)在服务器SSD成长动能持续助力之下，英特尔第一季位元出货量成长近30%，平均销售单价则因市场价格修正而下跌约10%，英特尔第一季营收达10.4亿美元，较上季成长17%。

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NAND Flash

发布时间：2018-05-29 00:00 阅读量：2365 继续阅读>>

长江存储<span style='color:red'>NAND</span>闪存芯片有望在光谷实现量产

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长江存储NAND闪存芯片有望在光谷实现量产

4月11日，国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。长江日报记者了解到，设备搬入、调试将耗费3个月左右的时间，然后开始小规模试产，如顺利，今年四季度，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片有望在光谷实现量产。去年9月，国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房提前一个月实现封顶；如今，又提前20天实现了芯片生产机台搬入。紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国介绍，生产机台搬入对生产环境的要求很高，必须放在无尘室中并且提供相应的保障支持。因此，机台搬入说明厂房内部的洁净室、电气设备等内部装修已经陆续完成，这比厂房封顶的技术含量更高，难度更大。9个月建设工厂，7个月实现机台搬入，建设节点不断提前。国家存储器基地项目上，一度达到同时有6000人施工的规模，昼夜奋战。生产机台搬入是重要节点，据了解，当天搬入的设备只是第一台，随后要陆续从世界各地搬入各类高精密的芯片生产机台进行调试，数量达2000多台。设备调试完成后，才可以规模量化生产芯片。按照计划，今年四季度，设备有望点亮投产。紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全透露，今年将量产的产品，是去年成功研发的中国首颗32层三维NAND闪存芯片，就在4月9日，这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，获得中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。“但这仅是刚刚开始。”高启全接受访问时措辞谨慎。他介绍，32层三维NAND闪存芯片量产后，不会上很高的产量，“更主要的是完成完全自主技术积累，若技术不够好，不会硬冲产量”。目前，全球存储器芯片技术主要掌握在韩、日、美等国企业手中，属于相对垄断市场。去年6月，三星宣布64层NAND闪存开始大规模量产。这些技术和产品，将推动以TB为单位的固态盘以及128GB以上的手机闪存迅速普及。有数据显示，2017年全球闪存芯片销量超过500亿美元，同比增加45%，预计2020年销量超过1000亿美元。中国市场进口超过半数，中国企业自主生产的存储芯片基本上是空白。随着需求量的激增，近3年来，全球存储芯片的价格不断上涨。“板凳要坐十年冷。”赵伟国说，未来的道路还很艰难漫长，要坚定信心、保持定力，“我们希望5年站稳脚跟，别人没法把我们打出去，但真正的成功需要10年时间”。高启全接受媒体采访时也有类似表述，“前五年追赶技术，后五年增加产量”。他说，目前长江存储完成了32层三维NAND闪存芯片的自主研发，也将投入量产，但产量和成本还不足以影响市场。“后发优势是不会走太多冤枉路，速度更快一点，但别人也在跑，追上去仍要花力气、花时间”，高启全说，64层闪存产品研发也在迅速进行，力争2019年底实现产能爬坡量产，这样，就能把与全球领先大厂的差距缩短在2年以内，“希望用5年左右接近世界先进水平”。

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长江存储,NAND

发布时间：2018-04-16 00:00 阅读量：2268 继续阅读>>

内存价格终于要降了?3D <span style='color:red'>NAND</span>产能是关键

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内存价格终于要降了?3D NAND产能是关键

全球半导体行业在2017年创下了10年以来的最好成绩，年收入比2016年增长了22％，达到4291亿美元。这是根据英国分析公司IHS Markit的新统计数据得出的，HIS认为市场对内存芯片处理能力需求的大幅增加归因于新兴应用如大数据、物联网和机器学习。这一需求的增长使得三星电子作为全球领先芯片制造商占据第一位置，领先于竞争对手英特尔，而英特尔已经占据第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增长了54％。IHS表示，动态随机存取存储器芯片的销售总额增长了77％，而闪存芯片的销售额增长了47％。随着全年供应日益紧张，市场也受到明显影响，随着需求增加，2017年下半年收入也开始大幅增加。IHS表示，过去十年中DRAM和闪存的增长率是最高的。需求的增长也推动内存芯片制造商SK Hynix和Micron年增长率达到80%左右，分别在全球排名第三和第四位。IHS表示，一些半导体制造商的无晶圆厂商业模式（包括将芯片设计出售给第三方代工厂进行生产）也出现了大幅扩张。例如，智能手机芯片制造商高通公司（Qualcomm）去年的增长率为9.5％，尽管与苹果公司在法律上的纠缠令其盈利受到影响。Nvidia也首次跻身全球前十大芯片制造商行列。随着市场对其GPU的促球不断增长，使得Nvidia收入增长了42％，这些GPU越来越多地用于高性能计算和自动驾驶汽车等机器学习应用中。不过，IHS警告说，随着芯片制造商开始生产用于大数据内存处理的3D NAND闪存技术，整个行业可能会再次进行洗牌，例如英特尔为数据中心设计的Xpoint非易失性内存芯片。IHS内存和存储部门高级主管Craig Stice表示，目前向3D NAND的转换机会占到了生产的四分之三，并且将缓解来自SSD和移动市场的强劲需求。“价格预计将开始大幅下降，但2018年NAND市场仍然可能创下历史新高。”

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内存

发布时间：2018-04-08 00:00 阅读量：2204 继续阅读>>

三星证实平泽<span style='color:red'>NAND</span>晶圆厂发生停电事故：不会造成显著影响

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三星证实平泽NAND晶圆厂发生停电事故：不会造成显著影响

日前，媒体报道称，3月9日三星位于平泽的NAND Flash晶圆厂出现停电故障，致三星5000~6000片晶圆报废，三星方面证实了停电事故，但表示不会对 NAND Flash 运营造成显著影响。据 Digitimes 最新消息，三星位于 Pyeongtaek平泽的NAND Flash晶圆厂在3月9日出现停电事故，停电时间持续半小时。市场观察人士称，三星平泽NAND厂一层楼一个月约有9万片产出，在三星NAND Flash晶圆厂半小时停电期间，大约5000-6000片晶圆被损坏，3月份受损的晶圆相当于三星整体NAND Flash产量的11%左右，TechNews 预计损失相当于3月份的全球供应的3.5%左右。三星方面则表示，虽然NAND Flash晶圆厂停电约半小时，但备用电源(设计为20分钟)的有效启动应对了突发状况，所以不会对NAND Flash运营造成显著影响。DRAMeXchange数据显示，NAND Flash市场在2018年第一季度出现了轻微的供过于求的局面，这是因为去年缺口明显时，主要NAND Flash晶圆厂均加码提升产能和良率，同时主要供货商亦提高3D NAND Flash的产量，加上终端市场需求增长因季节性因素而放缓，NAND合约定价保持平稳或略有下降。至于受三星停电事故的影响，行业消息人士称这一事件或能在未来几周影响整体市场供应和价格。但其实目前NAND市场依旧处于小幅度的供给过剩，加上三星本身有足够库存可以支应，所以即使发生短时间跳电事件，业界普遍认为对于近期市场供需影响不会很明显。另一方面，自去年底开始出现的NAND供给过剩问题，市场通路端历经超过一季的库存去化之后，现阶段通路库存水位已经明显偏低，加上市场需求有缓步回温迹象，为此，内存业者提到，原先第三季才有可能出现的供不应求压力，有机会慢慢在今年5月或是6月间就看得到。

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NAND Flash

发布时间：2018-03-16 00:00 阅读量：2687 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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