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三极管和<span style='color:red'>MOS</span>管工作状态是怎样的？

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三极管和MOS管工作状态是怎样的？

　　在电子电路中，三极管(BJT)和 MOS 管(MOSFET)都是非常重要的开关与放大器件。它们虽然都能实现“导通”和“截止”，但工作机理不同，因此工作状态的划分也略有差异。　　三极管的工作状态　　三极管通常指双极型晶体管(BJT)，分为 NPN 和 PNP 两种。它的工作状态主要有以下几种：　　1. 截止区　　当基极-发射极间没有足够的正向偏置时，三极管基本不导通，集电极电流很小，器件处于“关断”状态。　　特点：　　基极电流接近 0　　集电极电流接近 0　　三极管相当于开关断开　　应用：　　常用于数字电路中的“关断”状态。　　2. 放大区(有源区)　　当基极-发射极结正向导通，而集电极-基极结反向偏置时，三极管进入放大区。　　特点：　　基极电流较小　　集电极电流约等于基极电流乘以放大倍数 β　　可对输入信号进行线性放大　　应用：　　音频放大、模拟放大等电路中最常见。　　3. 饱和区　　当基极电流已经足够大，使得集电极电流不再明显随基极电流增加而增加时，三极管进入饱和区。　　特点：　　基极-发射极结和集电极-基极结都正向偏置　　集电极-发射极压降很小　　器件相当于“开关闭合”　　应用：　　常用于开关电路中，作为导通状态使用。　　MOS 管的工作状态　　MOS 管主要指场效应管中的 MOSFET，分为 N 沟道和 P 沟道。它依靠栅极电压控制导电沟道，常见工作状态有：　　1. 截止区　　当栅源电压小于开启电压(阈值电压)时，沟道没有形成，MOS 管不导通。　　特点：　　栅极电压不足　　漏极电流极小　　器件处于关断状态　　应用：　　开关电路中的“关断”状态。　　2. 线性区(也称可变电阻区、欧姆区)　　当栅源电压超过阈值电压，并且漏源电压较小时，MOS 管形成导电沟道，表现得像一个受控制的电阻。　　特点：　　沟道已经形成　　漏极电流随漏源电压变化较明显　　适合低压降导通　　应用：　　常用于开关导通初期，或者模拟可变电阻场景。　　3. 饱和区　　当漏源电压增大到一定程度后，沟道在漏端“夹断”，MOS 管进入饱和区。　　特点：　　漏极电流主要由栅源电压决定　　不再明显随漏源电压增加而增大　　常用于模拟放大电路　　应用：　　模拟放大、恒流源等。　　三极管与 MOS 管工作状态的区别　　虽然两者都有“截止”和“导通后受控”的概念，但它们的控制方式不同：　　1. 控制量不同　　三极管：电流控制型器件，靠基极电流控制集电极电流。　　MOS 管：电压控制型器件，靠栅极电压控制漏极电流。　　2. 导通条件不同　　三极管：基极-发射极需要约 0.7V 左右的正向压降(硅管)。　　MOS 管：栅源电压必须高于阈值电压。　　3. 导通特性不同　　三极管饱和时：有一定导通压降。　　MOS 管导通时：通常表现为较小的导通电阻，更适合大电流开关。　　实际使用中的判断方法　　三极管如何判断状态?　　基极电压是否足够高　　基极电流是否存在　　集电极-发射极压降是否很小(判断饱和)　　MOS 管如何判断状态?　　栅源电压是否超过阈值　　漏源电压大小　　是否已经进入饱和或线性区

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三极管和MOS管

发布时间：2026-07-20 10:13 阅读量：206 继续阅读>>

顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET

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顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

　　中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的车载充电器(OBC)和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。　　新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。　　另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。　　新产品已于2026年6月开始量产(样品价格：5500円日元/个，不含税)，且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。　　未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。　　<开发背景>在电动汽车(xEV)中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器(OBC)和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。　　<应用示例>车载设备：车载充电器(OBC)、电动压缩机等工业设备：光伏逆变器、服务器电源等<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　<术语解说>　　*1) 爬电距离　　两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。　　*2) 污染等级2级　　污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境，即仅存在干燥的非导电污染物的状态。污染等级是确定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级，根据污染物质的有无、数量和状态分为1～4级。

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发布时间：2026-07-10 09:40 阅读量：369 继续阅读>>

森国科发布基于8寸晶圆工艺全球最小裸芯尺寸的800V SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET，开启多芯合封新纪元

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森国科发布基于8寸晶圆工艺全球最小裸芯尺寸的800V SiC MOSFET，开启多芯合封新纪元

　　颠覆性尺寸：定义800V SiC MOSFET合封新标准　　在追求极致功率密度的今天，每一平方毫米的芯片面积都至关重要。森国科(SGKS)凭借其在宽禁带半导体领域的深厚积累，正式推出专为先进合封(Co-Packaging)应用设计的SiC MOSFET—KWM3K065P。这款产品以“全球最小裸芯片尺寸”和“800V/3Ω”的卓越性能组合，为AC-DC电源、栅极驱动芯片的多芯片模块(SiP)合封提供了革命性的核心器件，引领高压功率集成迈向新高度。　　全球最小裸芯，源自8寸工艺的领先优势　　KWM3K065P的发布，不仅是尺寸上的突破，更是制造工艺的胜利。它由领先的8寸晶圆工艺打造，实现了性能与集成度的完美平衡。　　• 极致紧凑的裸芯尺寸：KWM3K065P的裸芯尺寸(Die Size)仅为 0.476mm x 0.476mm，创下全球800V电压平台SiC MOSFET的最小纪录。这一突破极大地节省了封装内部的宝贵空间，使得在同一封装内集成AC-DC控制器、栅极驱动芯片以及多个功率器件成为可能，为开发超高功率密度的电源系统提供了坚实基础。　　• 8寸工艺带来的性能一致性：采用8寸晶圆工艺，不仅提升了晶圆的整体良率和生产效率，更重要的是确保了芯片性能的高度一致性和稳定性。这对于多芯片合封应用至关重要，因为它能有效降低因芯片参数差异导致的电流不均问题，简化了并联设计，提高了整个模块的可靠性。　　创新0伏关断，简化驱动设计　　在高压功率应用中，如何确保MOSFET在关断期间的稳定性，避免因噪声干扰导致的误导通，一直是工程师面临的难题。森国科KWM3K065P创新性地提供了 0伏关断(0V Turn-off) 解决方案。　　• 攻克负压关断难题：传统SiC MOSFET器件或部分高压硅基器件通常需要负电压来确保可靠关断，这要求驱动芯片必须具备负压供电能力，增加了系统设计的复杂性和成本。KWM3K065P凭借其优异的芯片设计，实现了仅需0伏即可安全、可靠地关断。　　• 降低驱动门槛：这一特性有效解决了工程师在应用中的痛点，大幅降低了对驱动芯片的要求。设计人员可以选用更通用、更简单的驱动芯片，从而简化外围电路设计，减少系统元件数量，提高整体方案的性价比和可靠性。　　卓越性能，源于SiC本色　　作为一款碳化硅功率器件，KWM3K065P继承了SiC材料的本征优势，相比传统硅基高压器件，性能表现全面领先。　　• 高耐压与低导通损耗的完美平衡：KWM3K065P拥有800V的高阻断电压和低至3Ω的标称导通电阻(RDS(on))。这一组合确保了器件在高压工况下既能安全运行，又能保持极低的导通损耗，显著提升系统效率。　　• 优异的开关特性：器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，其内部集成的体二极管也具有低反向恢复电荷(Qrr)的特点。这些特性共同作用，大幅降低了开关过程中的能量损耗和电压振荡，使得系统可以工作在更高的频率下，进一步推动功率密度的提升。　　广泛应用，驱动未来科技　　凭借其创新的0伏关断特性和为合封而优化的极致尺寸，KWM3K065P特别适用于对体积、效率和集成度有极致要求的应用领域。　　• 高密度快充与适配器：在需要合封高压功率开关器件的快充充电头和电源适配器的ACDC芯片中，KWM3K065P是实现“小体积、大功率”的理想选择，能够帮助工程师设计出性能更强、携带更方便的消费电子产品。　　• 高集成度电源模块：对于需要将控制器、驱动器和功率器件集成在一起的工业电源模块，KWM3K065P的合封友好特性可以极大地简化设计，提高模块的可靠性。　　• LED驱动与电机驱动：在对能效和空间有严格要求的LED照明驱动和微型电机驱动领域，这款芯片同样能发挥其高效、紧凑的优势，助力设备实现更长的寿命和更小的体积。　　结语　　森国科KWM3K065P的推出，不仅是公司在高压SiC芯片领域技术实力的又一次展现，更是对“芯片级系统集成”这一未来趋势的精准把握。从领先的8寸晶圆工艺到全球最小的裸芯尺寸，再到创新的0伏关断技术，每一个细节都体现了森国科以客户需求为中心的创新理念。我们致力于通过不断创新的SiC技术和产品，为全球工程师提供更具价值的解决方案，共同推动电力电子系统向更高效、更紧凑、更智能的方向发展。KWM3K065P现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，携手共创功率电子的崭新篇章。

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发布时间：2026-07-01 09:51 阅读量：430 继续阅读>>

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森国科丨重磅推出2200V/1Ω高压SiC MOSFET K3M1K200-R

　　在新能源产业蓬勃发展的今天，功率半导体器件正朝着更高电压、更高效率、更高可靠性的方向不断演进。森国科(SGKS)作为宽禁带半导体领域的先行者，正式推出全新高压SiC MOSFET—K3M1K200-R。这款产品以2200V的超高阻断电压和1Ω的低导通电阻为核心亮点，专为严苛的工业级高压应用而生，旨在重新定义高压功率转换的效率与可靠性边界。　　卓越性能，源自芯内核　　K3M1K200-R是森国科在高压SiC技术领域深厚积累的结晶，其性能规格在同类产品中展现出显著优势。　　· 2200V超高压平台：　　K3M1K200-R的额定电压高达2200V，为系统设计提供了充足的安全裕量。这一特性使其能够从容应对工业电网波动、感性负载关断等场景下的电压尖峰，确保系统在极端工况下的稳定运行，有效降低了对复杂缓冲电路的依赖。　　· 0.8Ω低导通电阻：　　在实现2200V超高耐压的同时，其典型导通电阻(RDS(on))低至0.8Ω。低导通电阻意味着更低的导通损耗和更小的温升，直接提升了系统的整体效率和功率密度，尤其适合需要长时间满载运行的工业设备。　　· 增强型N型沟道设计：　　作为一款增强型(Normally-Off)器件，在栅极无驱动信号时处于关断状态，符合工业应用对“失效安全”(Fail-Safe)的严苛要求，极大地简化了驱动电路的设计，提升了系统的本质安全性。　　· 优异的开关特性：　　器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，能够支持高频化应用。其内部集成的体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)和快恢复特性，有效降低了开关过程中的能量损耗和电压震荡，使系统运行更加平稳、安静。　　先进封装，可靠耐用　　K3M1K200-R采用经典的TO-247封装，这是工业界广泛认可和验证的成熟封装形式，具备以下核心优势。　　· 高可靠性与通用性：　　TO-247封装具有坚固的内部结构和成熟的制造工艺，确保了器件在长期运行中的高可靠性。其引脚定义和外形尺寸符合行业标准，便于客户进行产品替换和产线升级，降低了导入风险。　　· 成熟的散热方案：　　该封装形式与市面上主流的绝缘垫片、散热器和安装方式完美兼容，客户可以沿用现有的成熟散热方案，无需进行额外的结构开发，缩短了产品从设计到量产的周期。　　· 优化的热阻表现：　　K3M1K200-R的结壳热阻(RthJC)低至3.8℃/W，确保了芯片产生的热量能够高效地传导至外部散热器，有效控制了器件的工作温度，延长了使用寿命。　　市场应用，精准定位　　凭借其独特的性能组合，K3M1K200-R精准锁定了一系列对电压和可靠性有极致要求的高压应用场景。　　· 高压开关电源：　　在通信基站、数据中心服务器等领域的高压输入开关电源中，K3M1K200-R的高耐压特性能够轻松应对整流后的高压母线，其低损耗优势则有助于提升电源的转换效率，满足日益严苛的能效标准。　　· 电容与感性负载驱动：　　在驱动高压电容负载或大功率感性负载(如大型电磁阀、高压电机)的应用中，器件需要承受巨大的瞬态电压冲击。K3M1K200-R的2200V额定电压和坚固的芯片设计，使其成为处理这类“硬开关”工况的理想选择。　　· 辅助电源系统：　　在风电变流器、光伏逆变器等大型电力电子设备中，通常需要独立的辅助电源来为控制电路供电。K3M1K200-R可以作为辅助电源的核心开关器件，直接从高压母线上取电，其高可靠性和宽电压适应能力确保了主设备控制系统的稳定运行。　　· 工业电机驱动：　　在中高压工业变频器领域，K3M1K200-R可用于制动单元或有源前端(AFE)电路，其高频开关能力有助于减小滤波元件的体积，提升整个驱动系统的功率密度。　　K3M1K200-R　　结语　　森国科K3M1K200-R高压SiC MOSFET的推出，不仅是森国科在高压功率器件领域技术实力的有力证明，更是对工业与能源市场迫切需求的精准回应。我们致力于通过不断创新的SiC技术，为全球客户提供更高效、更可靠、更具竞争力的功率解决方案。K3M1K200-R现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，共同探索高压功率转换的无限可能。

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发布时间：2026-06-30 10:29 阅读量：374 继续阅读>>

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森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

　　新品发布：K2M025065-V，定义性能新标杆　　森国科(SGKS)正式推出采用TOLT先进封装的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管K2M025065-V。这款产品将森国科领先的SiC MOSFET芯片技术与优化的封装设计相结合，旨在为高功率密度和高效率的应用场景提供革命性的解决方案。K2M025065-V的发布，标志着森国科在宽禁带半导体领域的技术实力和产品布局迈上了新的台阶。　　01　　森国科SiC MOSFET：卓越性能的核心　　森国科的碳化硅MOSFET芯片以其卓越的物理特性，从根本上解决了传统硅基器件在高压、高频应用中的瓶颈。K2M025065-V继承了这些核心优势，为系统设计带来质的飞跃。　　高耐压与低导通损耗：　　该器件拥有650V的高阻断电压和典型值仅为25mΩ的超低导通电阻(RDS(on))。这意味着在相同的导通电流下，器件的导通损耗极低，能显著提升系统效率，尤其是在大电流工作条件下优势更为明显。　　高频开关与低电容：　　得益于SiC材料的特性，K2M025065-V具备极高的开关速度和低输入/输出电容。这使得它能够工作在远高于传统硅器件的频率下，从而允许使用更小的无源元件(如电感和电容)，极大地提升了系统的功率密度。　　优异的体二极管特性：　　其内部集成的体二极管具有快速恢复和低反向恢复电荷(Qrr)的特点。在需要体二极管进行续流的应用(如逆变器)中，这能大幅降低开关过程中的能量损耗和电压震荡，提高系统可靠性和效率。　　02　　TOLT封装：为高性能而生　　K2M025065-V采用的TOLT封装并非传统封装的简单迭代，而是一次为高性能功率器件量身定制的创新。它在多个维度上对传统封装进行了优化，将SiC MOSFET的性能潜力发挥到极致。　　极致的散热能力：　　TOLT封装采用了优化的内部结构和导热路径，使其结壳热阻(RthJC)低至0.40℃/W。出色的散热性能意味着器件在高功率工作时，热量能被更高效地传导至散热器，从而保持较低的结温，确保器件长期稳定可靠运行，并允许更高的功率输出。　　更低的寄生效应：　　优化的引脚布局和内部互连设计，有效降低了封装的寄生电感。更低的寄生电感对于高频开关应用至关重要，它能减少开关过程中的电压过冲和震荡，降低电磁干扰(EMI)，使系统设计更加简洁、可靠。　　坚固与可靠：　　TOLT封装在设计上考虑了功率器件在严苛环境下的应用需求，具备良好的机械强度和可靠性，能够满足汽车级和工业级应用的严苛要求。　　03　　应用领域：赋能绿色科技　　凭借其卓越的性能组合，K2M025065-V特别适用于对效率和功率密度有极致追求的应用领域。　　太阳能逆变器：　　在光伏系统中，更高的效率意味着更多的电能产出。K2M025065-V的低损耗特性可显著提升逆变器的转换效率，尤其是在最大功率点跟踪(MPPT)电压范围内的效率表现优异，助力绿色能源的高效利用。　　电动汽车电机驱动：　　在电动汽车的主驱逆变器中，K2M025065-V的高频开关能力和低导通损耗，有助于减小电机驱动系统的体积和重量，同时提升车辆的续航里程。其优异的体二极管特性也使其在复杂的电机控制工况下表现稳定。　　高压直流变换器与开关电源：　　在这些应用中，K2M025065-V能够支持更高的开关频率，从而减小磁性元件和电容的体积，实现更高功率密度的电源设计，满足数据中心、通信基站等对空间和效率要求苛刻的场景。　　结语　　森国科K2M025065-V TOLT封装SiC MOSFET的推出，是森国科在功率半导体领域技术实力的集中体现。它将SiC材料的本征优势与先进封装技术完美融合，为工程师提供了一个能够突破现有设计瓶颈的强大工具。我们相信，这款产品的问世将加速碳化硅技术在各个高增长市场的应用普及，共同推动能源转换技术迈向一个更高效、更紧凑、更可靠的新时代。

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发布时间：2026-06-29 10:02 阅读量：366 继续阅读>>

ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结<span style='color:red'>MOS</span>FET新品

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ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品

　　中国上海，2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。　　为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L(8.0 × 8.0 × 0.85mm)和TOLL(11.68 × 9.9 × 2.3mm)两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄，还具备优异的散热性能，非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用。　　在特性方面，将MOSFET导通所需的栅极阈值电压(VGS(th))设定在一般产品广为使用的3V~5V区间，能够支持更广泛的驱动条件。而且，通过改善跨导特性*2，使该特性较现有系列产品更为优异，实现了更高通用性和更低损耗。另外，关于表贴型封装，通过支持与普通产品兼容性良好的焊盘图案，确保了非常高的通用性，便于现有电源电路作出替换和第二供货源的选择。　　新产品的产品阵容包括“R60xxXNx系列”21款高速开关型产品，以及“R60xxWNx系列”11款具有业界超高速反向恢复特性的PrestoMOS™型产品。从重视兼容性的设计到重视低损耗的设计，客户可根据应用需求选择合适的产品。　　新产品已于2026年6月开始逐步量产(样品价格900日元/个，不含税)。网售平台已开始供应TOLL封装产品(型号：R6020XNJ2、R6038XNJ2、R6049XNJ2、R6055XNJ2、R6024WNJ2、R6035WNJ2)，电商平台均可购买。　　ROHM今后将继续扩充超级结MOSFET 产品阵容，并计划量产650V耐压产品以及下一代产品。　　<开发背景>在数据中心和工业设备领域，随着处理负荷的增加，电力需求不断攀升。为降低功耗和发热量，市场对电源的效率提升有迫切需求。另外，在设备的小型化发展趋势下，要在有限的空间内实现高输出功率，就必须进一步提高电源电路的功率密度并更加节省空间。　　为满足这些要求，超级结 MOSFET也需要进一步降低损耗并提高热性能，因此，散热性优异的表贴型封装产品备受青睐。此外，近年来，从降低采购风险的角度出发，多源设计和确保第二供货源至关重要，因此与现有通用产品的高度兼容性也成为了重要考量条件。　　ROHM于2022年开始量产内置高速恢复二极管的PrestoMOS™型“R60xxVNx系列”以及高速开关型“R60xxYNx系列”，作为有助于降低应用产品功耗的产品，赢得了客户高度好评。这次开发出的“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”不仅继承了原有系列低损耗特性和高可靠性，还采用了散热性能优异的表贴型封装，并具备与常用产品之间的高度兼容性，有助于提高电源设计的灵活性。　　☆：开发中　　<应用示例>・AI服务器和数据中心用的电源　　・工业设备和消费电子设备用的电源(LLC、PFC、FlyBack等)　　・风扇、AC伺服等的电机、逆变器　　<关于EcoMOS™品牌>EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<关于PrestoMOS™>Presto意为“非常快”，源于意大利语的音乐术语。　　PrestoMOS™是ROHM自有的功率MOSFET品牌，该品牌的产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。　　・PrestoMOS™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<术语解说>*1) 超级结MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)　　MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同，又可细分为平面MOSFET、超级结MOSFET等不同种类的产品。与平面MOSFET相比，超级结 MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻，在处理大功率时损耗更小。　　*2) 跨导特性　　表示MOSFET中电流相对于输入栅极电压的易流动程度的特性。通过改善该特性，可提高对栅极控制的响应性，降低开关时的损耗，同时能够适配更广泛的电路条件，从而提升通用性。

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发布时间：2026-06-17 13:24 阅读量：460 继续阅读>>

上海雷卯丨从LM3401看<span style='color:red'>MOS</span>FET国产替代：关键参数对比、典型应用与避坑指南

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上海雷卯丨从LM3401看MOSFET国产替代：关键参数对比、典型应用与避坑指南

　　有客户请雷卯帮忙替代Diodes SOT-23 封装PMOS (DMG3401LSN)，我们选择了LM3401这款，能替代吗，怎样才能安全替代?替代需要关注哪些参数?　　随着全球半导体供应链的不断演变，MOSFET的国产化替代已成为众多电子工程师和采购人员关注的核心议题。然而，真正的“Pin-to-Pin(引脚兼容)”替代绝非简单的型号对标，而是需要系统性地评估电气性能、热安全以及动态特性。本文将以上海雷卯(Leiditech)的LM3401为例，通过硬核参数解析、实测数据对比、典型应用及工程避坑建议，为您提供一份实用的选型参考。　　一、 MOSFET国产替代必须关注的　　关键参数介绍　　在进行国产替代选型时，不能仅凭标称电压和电流进行简单替换。科学的评估需要从以下四个维度严格把关　　1.基础静态参数匹配　　漏源击穿电压(VDSS)：这是器件的保命参数。必须确保替代品的耐压大于或等于原器件，并预留合理的降额裕量(通常建议高出20%-50%)，以应对电网波动或感性负载产生的尖峰电压。　　连续漏极电流(I D)：决定了器件的电流处理能力。需对比在相同环境温度下的额定电流能力，确保替代品能满足峰值及持续负载需求，且留有至少50%的安全余量。　　导通电阻(R DS(on))：决定导通损耗和发热量的核心指标。不仅要看25℃下的典型值，还需重点关注高温(如175℃)下的曲线表现，因为温度升高会导致导通电阻变大，形成发热恶性循环。　　2.栅极驱动与阈值特性　　栅极阈值电压(VGS(th))：即让MOS管初步导通的门槛电压。需确保替代品的开启电压与原器件一致或相近，避免在低压驱动场景下出现误导通或无法完全导通的问题。　　最大栅源电压(VGS(max) )：确认驱动电路提供的最高控制电压不会超过替代品的极限耐受值，防止栅极绝缘层被击穿。　　3.封装与热设计兼容性　　耗散功率(PD)与热阻(R θJA)：热阻是衡量散热能力的核心。数值越低，代表芯片将热量传导到环境的能力越强。需结合PCB散热铜箔面积评估实际工况下的温升情况，确保最高结温远低于极限值。　　4.动态开关特性　　总栅极电荷(Qg)与输入电容(C iss)：对于高频开关电源等应用，这些寄生参数直接决定开关速度。Q g 越小，开关过程中的交叠损耗越低;而C iss的差异会直接影响EMI(电磁干扰)水平和驱动电路的兼容性。　　二、核心参数深度对比雷卯 vs　　AOS vs Diodes　　基于上述选型逻辑，以下是上海雷卯LM3401与国际一线品牌AOS(万代)AO3401A、Diodes DMG3401LSN的详细参数实测对比：　　数据解析　　优秀的国产替代方案不仅在核心参数上做到高度一致，甚至在部分极限参数上提供了更好的性能冗余。例如，LM3401在连续漏极电流(I D达到-5A)、耗散功率(PD达到2.1W)以及热阻(RθJA仅为60℃/W)方面表现优异，这意味着它在实际工况中具备更强的抗冲击能力和更低的发热量。而在导通电阻(R DS(on))和栅极电荷(Q g)等高频开关核心指标上，LM3401与原厂保持了极高的一致性。　　上海雷卯还有多种型号MOS 做国产替代，比如雷卯LM2305A 替代 Infineon(英飞凌)IRLML6401TRPBF,以及其他品牌的2305A型号 ,等等，如果您需要更好的供货需求和性价比，请联络上海雷卯销售人员或者EMC 小哥做国产替代。　　三、典型应用　　LM3401凭借其低导通电阻、低输入电容和快速开关的特性，它非常适合用于需要高效电源管理的手持式及紧凑型应用，以下补充两个最典型的应用场景：　　1. 电源管理与负载开关电路　　便携设备电源与负载开关：在空间受限且需要中等电流通断的30V以下系统中，用于模块或外围电路的电源管理。　　DC-DC 转换器：作为高效率电源转换系统中的关键功率开关元件　　2. 电池保护与管理电路　　电池充放电控制：在单节或多节锂电池应用中，作为充电或放电路径的切换开关，实现高效的电池管理。　　手持设备电池保护：专为智能手机等手持设备的低功耗设计提供可靠的开关控制。　　3. 驱动与控制电路　　电机控制 (Motor control)：为微型电机提供稳定的驱动电流和开关控制。　　背光照明 (Backlighting)：在显示屏等设备中用于背光电源的控制与调节。　　四、选型总结与工程避坑指南　　在实际导入国产MOSFET时，虽然物理引脚(Pin-to-Pin)兼容可以省去重新画板的麻烦，但强烈建议在量产前进行小批量的板级实测。　　避坑建议　　打样阶段建议使用示波器抓取开通/关断瞬间的 VDS与 I D波形，重点观察是否存在严重的电压过冲(Spike)或异常的振荡。这能有效验证国产器件的动态寄生电容(Coss 、Crss)是否与原进口方案在同一数量级。此外，务必结合PCB的实际散热铜箔面积评估温升情况，确保极端温度下的导通压降和长时间工作的结温在安全范围内，从而保障系统的长期可靠性，确保国产替代方案的万无一失。

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上海雷卯

发布时间：2026-06-17 09:54 阅读量：592 继续阅读>>

安森德丨浅谈开关电源中<span style='color:red'>MOS</span>FET的VDS电压尖峰形成与处理

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安森德丨浅谈开关电源中MOSFET的VDS电压尖峰形成与处理

　　电压尖峰的形成机理　　ASDsemi　　这主要和电路中的寄生参数有关，比如变压器漏感、PCB布线电感，以及MOS管的寄生电容。　　当MOS管快速关断时，电流变化率(di/dt)很高，这些寄生电感上会产生感应电压，叠加在原本的电压上，形成尖峰。　　开关电压尖峰是如何形成的?　　MOSFET　　根本原因是电路中的寄生电感与MOSFET快速的电流变化(di/dt)相互作用。　　具体过程：　　1　　关断尖峰(最常见)　　当MOSFET快速关断时，主回路电流(如变压器漏感、布线电感中的电流)在极短时间内(di/dt很高)降到零。根据电感特性 V = L × (di/dt) ，寄生电感L上会产生感应电压，其极性与原电压相反(反向电动势)，叠加在关断时的漏极电压上，形成高于输入电压+反射电压的尖峰。　　2　　开通尖峰　　反向恢复电流或寄生电容放电也可能引起较小幅度的尖峰，但通常关断尖峰更危险。　　3　　关键寄生元件　　变压器漏感　　PCB布线形成的寄生电感(特别是漏极、源极回路)　　封装引线电感　　开关电压尖峰如何抑制?　　MOSFET　　这通常是工程设计中的重点。常见的方法包括：　　使用RCD或LCD吸收电路来消耗漏感能量;　　优化栅极驱动电阻来减慢开关速度(但需要在效率和尖峰之间权衡);　　改进PCB布局，减小功率回路面积以降低寄生电感;　　选择更低寄生电容或更优特性的MOS管;　　以及增加RC缓冲电路等。　　1　　消耗漏感能量　　方法一：RCD吸收电路　　在MOSFET漏-源间(或变压器初级绕组两端)并联电阻、电容、二极管网络。关断时，尖峰能量经二极管对电容充电，再通过电阻消耗。　　优缺点：　　最常用、成本低。需调试RC值，会消耗少量效率。　　方法二：LCD无损吸收　　用电感、电容、二极管组成吸收网络，将尖峰能量回馈到输入或输出。　　优缺点：　　效率更高，但电路复杂，适用于中大功率。　　2　　降低开关速度　　适当增大栅极驱动电阻(Rg)，降低di/dt和dv/dt。　　优缺点：　　简单有效，但会增大开关损耗，需折中。　　3　　优化PCB布局　　减小功率回路面积，缩短漏极、源极走线，使用多层板或铺铜降低寄生电感。　　优缺点：　　根本性措施，无效率损失，但需设计经验　　4　　增加磁珠　　在栅极串接铁氧体磁珠，高频阻尼振荡。　　优缺点：　　抑制高频振铃，可与Rg配合。　　5　　RC缓冲电路　　在漏-源间直接并联RC。　　优缺点：　　适合抑制高频振荡，但电阻发热较大。　　示波器测试MOSFET电压尖峰　　用20MHz还是100MHz带宽?　　必须使用100MHz带宽(或更高)，不能用20MHz。　　原因如下：　　尖峰是高频信号:　　电压尖峰的上升沿极快，其能量分布在几十MHz甚至更高频率。20MHz带宽会严重衰减高频分量，导致测得的尖峰幅值比实际低很多，可能误以为余量足够而损坏器件。　　行业标准要求：　　几乎所有电源设计指南及EMC调试规范，在测量开关管的Vds尖峰时，均明确要求示波器带宽不低于100MHz。20MHz带宽仅用于测量输出纹波等低频信号。　　实际后果：　　若用20MHz测得尖峰为500V(600V MOS管似乎安全)，而真实尖峰可能达580V，高温或极限工况下极易击穿。　　操作建议　　示波器带宽设置为100MHz(若可关闭带宽限制，则设为全带宽)。　　探头使用高压无源探头(如100×，带宽100MHz以上)，或差分探头。　　关键技巧：去掉探头标配的地线夹，改用接地弹簧针(地环)，直接接触MOSFET的源极引脚。这能极大减小地线环路引入的假振铃，测量更真实。　　总结　　尖峰成因：　　寄生电感 × 高di/dt　　抑制方法：　　RCD吸收、降低开关速度、优化布局(三者最常用)　　测试带宽：100MHz及以上(禁用20MHz限制)

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安森德

发布时间：2026-06-11 10:22 阅读量：534 继续阅读>>

ROHM面向车载48V系统开发出<span style='color:red'>MOS</span>FET新产品“AG16xFNxx系列”!

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ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”!

　　中国上海，2026年5月28日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。　　新产品采用HPLF5060(4.9mm×6.0mm)和DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装，与车载MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装相比，有望进一步实现小型化。另外，HPLF5060封装采用鸥翼型引脚*1，DFN3333封装的引脚采用可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术*2，均有助于提升电路板安装时的可靠性。同时，通过铜夹片键合*3技术提升散热性能，使得新产品能够支持大电流。该系列产品均符合AEC-Q101车规标准，满足车载产品严苛的可靠性要求。　　从2026年4月起，新产品AG160FNS4FRA(HPLF5060封装)和AG166FNH7FRA(DFN3333封装)已投入量产(样品价格：500日元/个，不含税)。另外，新产品已开始网售，通过电商平台均可购买。ROHM计划在近期进一步扩充这些封装的产品阵容。此外，公司也已着手开发TOLG(TO-Leaded with Gullwing)封装产品(9.9mm×11.7mm)，以进一步扩充大功率、高可靠性的80V耐压MOSFET产品群。　　<开发背景>在车载领域，以高端车型为主的汽车对电力的需求不断增长，48V系统作为替代以往12V系统的高效供电手段受到广泛关注，预计其在2030年前后将得到普及。为进一步降低损耗，要求相应的MOSFET为80V耐压产品，而非通常的100V耐压产品。为满足这一需求，ROHM新开发出80V耐压的MOSFET产品。该产品兼具小型化与高安装可靠性，能够满足不断发展的车载市场多样化需求。　　<应用示例>车载48V系统：主驱逆变器控制电路、电机、电动水泵等　　<关于EcoMOS™品牌>EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。　　EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　“EcoMOS™”是ROHM Co.，Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>*1) 鸥翼型引脚　　引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。　　*2) 可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术　　一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。　　*3) 铜夹片键合　　替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用Cu夹片(扁平金属桥)直接连接的一种技术。

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发布时间：2026-05-28 14:41 阅读量：676 继续阅读>>

罗姆的SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因

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罗姆

发布时间：2026-05-28 09:23 阅读量：729 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

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