瑞萨丨技术干货 借助GaN双向开关革新电源设计

Release time：2026-04-21
author：AMEYA360
source：瑞萨
reading：186

　　随着全球电源需求正出现前所未有的激增，设计人员不断面临挑战，需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸，并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓(GaN)以其优越的半导体特性，正在推动一场变革，引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。

　　高电压GaN双向开关(BDS)通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断，从而助力打造更加高效、紧凑且更具成本效益的功率转换器。 此类开关支持创新的单级功率变换器拓扑结构，从而在AI数据中心基础设施、太阳能微型逆变器、电池系统以及汽车车载充电器等应用中减少了元器件数量并提高了效率。

　　单级功率转换

　　利用瑞萨GaN BDS，设计人员可以摒弃带电解直流母线电容的传统两级式交流/直流转换器，实现元器件更少、重量更轻、效率更高的单级拓扑结构。 此类拓扑支持双向能量流动，对于交流/直流转换和直流/交流逆变器均十分有用。这些设备还实现了非隔离多电平T型中点钳位(T-NPC)拓扑(如Vienna整流器)。这类拓扑具有更低的传导损耗，并且适用于三相AI基础设施和电机驱动器，同时提供双向流动特性并能降低EMI。

瑞萨丨技术干货 借助GaN双向开关革新电源设计

　　Figure 1. Renesas GaN BDSs enable innovative topologies such as single-stage AC/DC converters, resulting in lower part count for smaller, lighter, more efficient power systems

　　瑞萨电子的TP65B110HRU 650V、110mΩ高电压GaN双向开关可在单个器件中同时阻断正向和反向电流，与传统单向硅基或碳化硅开关相比，能够以更少的元器件实现更高效率的单级功率转换。该器件减少了开关数量并省去了太阳能微型逆变器中的中间直流母线电容，根据美国加州能源委员会(CEC)标准，其功率转换效率可达97.5%以上。

　　这些创新的D模式氮化镓BDS产品具有650V连续电压额定值、低导通电阻、顶部散热的表面贴装封装(集成硅基MOSFET)，并与标准栅极驱动器兼容。对于设计人员来说，只要使用标准驱动器和简单的栅极电阻，驱动D模式氮化镓器件就和驱动硅基MOSFET一样简单。这与E模式氮化镓形成鲜明对比——后者需要额外元器件，不仅占用更多电路板空间，还会增加物料清单(BOM)成本和驱动损耗。

瑞萨丨技术干货 借助GaN双向开关革新电源设计

　　Figure 2. GaN BDS implementation in a solar microinverter application and TP65B110HRU efficiency curves at different panel voltages, reaching 97.5% CEC efficiency

　　该GaN BDS具有快速开关特性，以及清晰的波形和出色的效率(在太阳能微型逆变器中最高可达97.5%)。产品通过了JEDEC和其他针对氮化镓的可靠性标准测试(包括交流和直流偏置测试)，确保满足工业和汽车应用的稳健性要求。您可以在评估板用户手册和氮化镓BDS技术白皮书中阅读有关性能测试和资格认证的更多信息。

　　亲自使用GaN BDS评估板来评估这些新型开关，测试不同的驱动选项，进行交流过零检测，并实施ZVS软开关。我们还将GaN BDS与其他兼容组件相结合，开发了系统级解决方案，以实现优化且低风险的设计，从而加快各类电力电子应用中的产品上市速度，其中包括500W太阳能微型逆变器、3.6kW功率因数校正(PFC)Vienna整流器以及多种单级家用电器。

　　深入了解TP65B110HRU GaN双向开关及其在高能效电源系统中的应用，并阅读我们的白皮书以进一步了解该技术的架构设计及部署优势。

瑞萨丨技术干货 借助GaN双向开关革新电源设计


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端侧AI如何释放终端智能？瑞萨RA8P1 MCU展现“芯”实力
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端侧AI如何释放终端智能？瑞萨RA8P1 MCU展现“芯”实力

　　近日，“2026半导体产业发展趋势大会暨颁奖盛典”在深圳举行。在“AI赋能消费电子创新应用论坛”上，瑞萨电子中国嵌入式处理器高级专家凌滔发表了题为《无处不在的高效端侧AI，释放终端潜能》的演讲，分享了瑞萨最新一代RA8P1 MCU如何以强劲性能推动边缘AI规模化落地。　　瑞萨电子中国嵌入式处理器高级专家凌滔发表演讲　　双核异构架构：定义MCU新性能基准　　要理解RA8P1 MCU为何能成为端侧AI的理想之选，首先需要从其硬件架构说起。RA8P1系列是瑞萨电子首款搭载高性能Arm® Cortex®-M85及Cortex-M33，并集成Ethos™-U55 NPU的32位AI加速MCU。该系列通过单芯片实现256 GOPS的AI性能、超过7300 CoreMarks的突破性CPU性能和先进的人工智能(AI)功能，可支持语音、视觉和实时分析AI场景。RA8P1 MCU采用台积电22ULL工艺制造，在实现超高性能的同时保持极低的功耗。该工艺还支持在新款MCU中集成嵌入式磁性随机存取存储器(MRAM)。与闪存相比，MRAM具备更快的写入速度、更高的耐久性和更强的数据保持能力。同时，RA8P1还集成了Arm Ethos-U55 NPU，在500MHz频率下可实现256 GOPS的神经网络处理能力。　　端侧智能突破：推理性能大幅跃升　　强大的硬件架构只是基础，真正体现RA8P1 MCU实力的在于其AI加速能力。Arm Ethos-U55 NPU针对CNN和RNN中的计算密集型算子进行了硬件加速，支持8位权重及8/16位激活值，并采用离线压缩、实时解压技术以降低内存需求。当遇到部分NPU不支持的算子时，编译器可自动将任务回退至Cortex-M85 CPU，通过CMSIS-NN软件加速执行，降低模型部署难度和提升AI推理效率。　　为直观呈现Cortex-M85的推理加速效果，演示先以RA8D1给出CPU侧基线数据，并进一步引出集成NPU的RA8P1在吞吐与能效上的提升。　　在实际演示中，在480MHz的RA8D1运行人形检测AI模型时，得益于Cortex-M85内置的Helium加速单元，性能较上一代Cortex-M7内核提升3.6倍。在此基础上，RA8P1进一步集成了256 GOPS的NPU，可继续提升端侧推理吞吐和能效表现。在电机负载不平衡检测应用中，结合CMSIS-NN与TF-Lite for MCU，RA8P1 MCU同样展现出卓越的实时故障诊断能力。　　三大典型应用场景验证落地能力　　理论性能需要在实际场景中得到验证。凌滔在演讲中展示了RA8P1在视觉AI领域的三个典型应用，充分证明了其端侧处理能力。　　图像分类：在基于MobileNet v1的演示中，模型大小608KB，RA8P1 MCU的推理时间仅3ms，性能加速达33倍。系统工作流程为：摄像头通过CEU或MIPI-CSI接口采集图像，Ethos-U55执行推理，Cortex-M85运行主控逻辑，结果通过GLCDC及2D DRW引擎渲染输出至LCD显示。　　驾驶员行为监控：该方案可同时检测打瞌睡、打电话、吸烟等违规驾驶行为。模型来自Nota.ai驾驶员监控方案，大小仅439.8KB，在RA8P1-EK评估板上实测推理时间为11.1ms，预处理/后处理12ms，总耗时23.1ms，相比纯CPU方案加速24.5倍。方案兼容红外摄像头和RGB彩色摄像头，适用于车载行车记录仪及车厢内部监控。　　道路交通与电瓶车流监察：基于Irida智能城市监察模型(大小320KB)，RA8P1 MCU实现机动车行驶状态及电瓶车流状况的端侧视觉AI分析。推理时间11ms，预处理/后处理4ms，整体功耗仅160mW，推理速度提升36.4倍。该方案适用于智慧城市交通情况分析、人员计数、热能分布及特定区域目标识别。　　丰富外设与完整开发生态　　强大的算力还需丰富的外设接口和软件工具来支撑落地。RA8P1 MCU集成了MIPI-CSI2摄像头接口、MIPI-DSI显示接口、2D图形引擎(DRW)、Gigabit以太网MAC(支持TSN/DLR双通道+双端口交换机)、USB2.0 FS/HS、SDHI(x2)、OSPI(支持XIP和DOTF)、32位SDRAM接口、CAN-FD、I3C等，可满足视觉AI、语音AI及工业实时控制等多类场景需求。　　软件开发方面，瑞萨提供灵活配置软件包(FSP)，集成高性能HAL驱动、Azure RTOS/FreeRTOS中间件，并支持e2 studio IDE中的AI Navigator图形化工具及RUHMI AI编译器。RUHMI支持从TensorFlow Lite和ONNX导入模型，自动完成优化、量化和分割，并生成经过优化的.c/.h源码，显著降低AI模型在RA8P1 MCU上的部署门槛。　　官方评估套件EK-RA8P1提供了完整的开发支持，包括双通道MIPI-DSI和并行显示连接器、摄像头扩展连接器(CEU/MIPI-CSI2)、64MB OSPI闪存、64MB SDRAM、PDM MEMS麦克风、音频编解码器、以太网RJ45(RGMII)等。此外，瑞萨还推出了CPK-RA8P1及合作伙伴RTT RA8P1 Titan Board等开发套件，RT-Thread BSP源码已在GitHub开源。　　总结与展望　　在端侧AI需求持续爆发的背景下，单纯依赖CPU算力已难以满足日益复杂的应用场景，而“CPU+NPU”的异构融合方案正成为行业共识。瑞萨通过将高性能Cortex-M85、灵活的Cortex-M33与专用AI加速单元Ethos-U55有机结合，为开发者提供了一条兼顾性能、功耗与开发效率的可行路径。可以预见，随着RA8P1 MCU及其后续产品的不断迭代，端侧AI将在工业自动化、智能座舱、智慧城市、消费电子等领域实现更广泛、更深度的落地，真正释放终端设备的无限潜能。
2026-04-17 10:20 reading：341
喜报丨瑞萨RZ/T2H荣获控制网“2025自动化领域年度竞争力创新产品”奖
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喜报丨瑞萨RZ/T2H荣获控制网“2025自动化领域年度竞争力创新产品”奖

　　近日，以“智驱新质 融创未来”为主题的2026中国自动化产业年会(CAIAC2026)暨第二十一届中国自动化产业世纪行活动在北京隆重举办。在大会同期揭晓的年度评选中，瑞萨电子高性能MPU——RZ/T2H，凭借其在工业自动化领域的前沿设计与卓越性能，荣获“2025自动化领域年度竞争力创新产品”奖。　　2026中国自动化产业年会(CAIAC2026)立足全球科技革命与产业变革深度融合的时代背景，紧扣“十五五”规划开局之年的战略机遇，聚焦智能技术集群驱动产业进化的核心趋势，深入探讨自动化技术在激发新质生产力、推动工业绿色低碳转型、构建自主可控产业生态等方面的关键作用，是中国自动化领域极具专业性与影响力的行业盛会。　　在自动化系统向“数据驱动、智能决策、自主执行”演进的关键时期，RZ/T2H的创新技术为工业自动化跃升提供了强大引擎。瑞萨RZ/T2H是瑞萨面向工业应用打造的高性能微处理器(MPU)，凭借强大的应用处理能力与实时性能，成为工业自动化领域的标杆产品。该产品能够以单芯片方案实现对多达9轴工业机器人电机的高速、高精度控制，并原生集成丰富网络通信功能，支持包括EtherCAT、PROFINET、EtherNet/IP、OPC UA以及下一代时间敏感网络(TSN)标准在内的工业以太网通信，完美适配可编程逻辑控制器(PLC)、运动控制器、分布式控制系统(DCS)和计算机数控(CNC) 等工业控制器设备。　　相较于传统工业系统需要多个MPU或现场可编程门阵列(FPGA)组合的复杂方案，RZ/T2H通过单芯片集成满足工业控制多场景需求，有效减少了组件数量，大幅节省FPGA程序开发的时间及成本，为工业机器人、自动化控制器等设备提供了高效、精简的解决方案。　　RZ/T2H配备四个最高工作频率为1.2GHz的Arm® Cortex®-A55应用CPU以及两个最高工作频率为1GHz的Cortex®-R52实时CPU。其电机控制外设功能被置于Cortex-R52实时CPU内核的低延迟外设端口(LLPP)总线上，从而实现CPU的高速访问。这一设计使得在单芯片上同时执行Linux应用程序、机器人轨迹生成、PLC序列处理等任务，以及电机控制和工业以太网协议处理等快速且精确的实时控制任务成为可能。该产品在性能与集成度上的卓越表现，充分彰显了瑞萨在嵌入式处理领域的深厚技术积淀。　　作为全球领先的半导体解决方案供应商，瑞萨始终秉持技术创新理念，聚焦工业、物联网、汽车等领域，持续打造高性能、高可靠性的芯片与一体化解决方案。未来，瑞萨也将携手行业生态伙伴，以更先进的技术、更优质的产品，赋能全球制造业向高端化、智能化、绿色化转型，推动产业价值链协同升级。
2026-04-16 10:03 reading：336
瑞萨丨大咖谈技术 为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点
行业新闻

瑞萨丨大咖谈技术 为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点

　　在数据中心设计的新纪元，人工智能(AI)正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构，进而加速氮化镓(GaN)半导体的普及应用。　　剖析AI数据中心的电力挑战　　相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显著特征：更高的电力消耗，以及功耗动态变化的急剧增加。传统数据中心的服务器电源柜的功率上限可能最高为30千瓦。而如今，AI系统的单个电源柜运行功率已跃升至50千至300千瓦之间(具体数值因供应商而异)，按照这一趋势，预计到明年，单个机柜的功率甚至有望突破1兆瓦大关。在电源功率如此飙升的背景下，功率分配和电力转换已无法再作为后台的辅助环节被忽视。　　为了实现AI应用的可持续规模化扩展，电源架构必须迈向更高效、更紧凑，且更具适应性的新阶段。简而言之，电力已从昔日的运营支出项，演变为复杂且资本密集型的核心考量因素。并且，只要对算力的渴求继续由日益庞大的AI模型所驱动，这一趋势就将长期持续。　　AI推动新型电源架构　　这场变革最明显的标志之一，便是从传统的415V交流(AC)配电向800V直流(DC)(或±400V直流)架构演进。更高电压可降低传输电流、减少传导损耗，并全面提升系统效率。与此同时，这也对电力转换环节及其核心器件的性能提出了全新要求。　　深入服务器机架内部观察，可看到AI加速器已成为重塑数据中心供电方式的关键驱动力。这些计算引擎早已超越单一芯片范畴，演变为庞大而复杂的分布式系统。单个AI计算单元(或称“超级集群”)最多可容纳9,000个加速器、4,500个CPU、庞大的光纤互连网络，以及配套的电源管理模块、水泵和液冷基础设施。这还仅仅是一个单元，超大规模数据中心每年部署的此类单元可达数百个之多。　　更少的转换环节，更高的电压　　面对日益加剧的压力，数据中心运营商正在重新审视电力到芯片的整个传输链路。一大核心转变是采用更高电压的直流配电方案，包括800V(或±400V)直流架构，业内甚至已开始探讨未来实现1,200V或1,600V直流方案的可行性。　　其背后的逻辑直指效率：每一个中间电力转换环节都意味着能量的损耗。在传统拓扑结构中，电力以交流电(480V三相交流)形式输入，需经历数次形态转换：先转换为直流电用于电池充电，再逆变为交流电进行配电(415V交流)，最终再次转换为直流电(48V)供机架及板级使用。减少转换步骤能显著提升端到端效率，让更多来自电网的电能真正用于计算任务。　　这些变化正在重塑功率半导体的角色。例如，在高压应用场景下，固态变压器正逐步取代传统的油浸式线路变压器。通过一系列新物料应用使得新一代电源设计能在更高频、高压下提高效率。　　与此同时，机架功率的激增正推动交流/直流转换从服务器机箱内部转移至独立机柜。目前，相当一部分宝贵的机架空间被用于部署将415V交流电转换为48V直流电的设备。由于机架空间寸土寸金，电力转换硬件如今占据了高昂的空间成本。将这些转换环节集中至一个专用机柜，不仅能为AI计算单元腾出更多空间，还能更有效地集中管理散热。　　为何是GaN，又为何是现在?　　GaN的普及步伐加快，根源在于AI数据中心将其两大核心优势放大了：在紧凑尺寸下实现高压能力，以及快速高效的开关性能。　　与硅器件相比，GaN器件能在更小的芯片内承受更高反压。GaN的高电子迁移率和饱和速度使其开关频率可达到兆赫兹(MHz)级别，而硅器件通常运行的开关频率远低于此。此外，GaN的固有寄生电容低于硅，能够实现更快的开关速度且损耗更低。　　从系统层面看，开关频率与磁性元件及无源器件的尺寸成反比。如果设计人员能提高开关频率，便可缩小磁性元件体积，并减少电力转换环节的占板面积。消费电子领域已经通过微型快充产品成功展示了这一趋势。如今，AI基础设施正采用同样的策略，只是其规模已跃升至千瓦乃至兆瓦级别。　　GaN的“黄金应用区间”：　　800V至48V转换与双向供电　　在AI数据中心的电源链路中，不同的电压区间恰如其分的适配着不同材料。在数千伏的超高电压等级中，碳化硅(SiC)于固态变压器应用中大放异彩，而GaN在数据中心中最合宜且近期最具潜力的应用场景，当属从约800V高压到中间电压(如48V，特定情况下为12V)的转换环节。800V至48V的转换阶段正是GaN的“黄金应用区间”，在此区间内，GaN展现出比硅具有更高的效率、更稳定的运行性能和更快的开关速度。　　此外，AI数据中心还在交流/直流转换环节催生了双向供电的需求。这主要源于大型AI加速器极端瞬态变化的负载特性。当负载快速波动时，存储在电容元件中的能量要么以热能形式耗散，要么被智能地回收利用。双向架构使得能量在负载激增时能迅速流入系统，在能量过剩时又能回输至系统储能装置——这一概念与汽车的再生制动系统异曲同工。　　双向GaN器件极大的简化了此类设计。例如，以往需要四个分立式MOSFET构建的全桥电路，如今两个双向GaN器件即可胜任。瑞萨电子近期推出的首款双向GaN开关便是一例：该产品采用单级电力转换替代了传统的两级架构，进一步提高了效率。　　瑞萨电子：　　将GaN定位为系统级解决方案　　AI数据中心的创新节奏之快，已使设计人员无法再通过逐个优化元器件来构建系统。产品开发周期曾以三到四年为衡量，如今已缩短至12到15个月。这意味着AI数据中心架构师需要的是端到端的电源解决方案，以及全面、长远的规划蓝图，而非将整合风险转嫁给系统设计人员的零散产品组合。　　依托数十年的电源技术积累，瑞萨深知：要降低GaN的采用门槛并缩短设计周期，离不开控制器、栅极驱动器与保护器件的协同设计，再辅以完善的参考设计和专业的技术支持。我们在应用电力电子会议(APEC)上最新发布的GaN解决方案，正是这一系统级理念如何转化为更快速、更低风险设计的生动例证。　　通过收购Transphorm公司及其高压SuperGaN® D-mode GaN FET技术，瑞萨电子的市场地位得到了进一步的巩固。我们致力于为数据中心OEM厂商提供从器件级创新到系统级支持的全方位赋能，从而加速其评估进程，缩短产品设计周期。　　普及之路的挑战与未来展望　　尽管GaN优势显著，但其全面普及仍面临挑战。成本、严苛的认证要求，以及设计人员的熟悉程度，都将影响其普及速度。展望未来三至五年，GaN在AI数据中心内的集成深度，将取决于供应商能否通过有效的技术培训、便捷的设计工具和经充分验证的可靠性，切实化解这些顾虑。　　可以预见的是，AI工作负载将持续推动电源架构向更高密度和更高效率的方向演进。对于数据中心架构师而言，GaN是在避免能源消耗失控增长的前提下，推动AI算力持续突破的关键路径。对于习惯在效率上渐进式提升的功率半导体供应商来说，这更标志着电力传输方式的一次根本性转变。随着这一趋势的深化，那些曾让硅材料占据优势的权衡取舍，如今正使GaN的优势日益凸显。当下的问题已不再是GaN能否在AI数据中心占据一席之地，而是它将以多快的速度、多广的范围内被部署应用。
2026-04-15 10:15 reading：356
三十而励——瑞萨北京&苏州工厂成立三十周年庆
行业新闻

三十而励——瑞萨北京&苏州工厂成立三十周年庆

　　三十年，在历史的长河中只是弹指一挥间，对于企业而言，是从青涩到成熟的壮丽征程。　　上周，瑞萨北京工厂与苏州工厂双双迎来成立三十周年庆典。虽相隔千里，但同频共振。两座工厂分别举行了隆重而热烈的庆祝仪式，全体员工齐聚一堂，为三十岁生日献上最真挚的祝福!作为周年庆典的一部分，北京工厂在庆典同期连线参加了瑞萨2025 IM (Internal Manufacturing)Award颁奖典礼，与全球瑞萨人共同见证这一荣耀时刻。　　北京工厂：初心不改，厚积薄发　　从最初扎根首都北京，到成长为瑞萨在华北地区最重要的制造与研发基地，三十年来，北京工厂始终秉承品质至上、技术领先、持续创新的核心追求，以稳定可靠的产品、高效敏捷的交付能力和精益求精的制造体系，与中国半导体产业共同成长、与首都经济高质量发展同频共进。　　从瑞萨内部首个“黑灯工厂”试点，到荣获国家级“绿色工厂”的称号，我们一路见证了北京工厂从产能提升、技术迭代到智能制造、绿色低碳的全面升级，更见证了一代代北京瑞萨人以专业、敬业与担当，在岗位上坚守匠心、攻坚克难，用实际行动诠释着瑞萨的企业精神与价值追求。正是这份坚守与付出，让北京工厂三十年来行稳致远、屡创佳绩。　　苏州工厂：历久弥新，智造未来　　苏州工厂自1996年成立后，历经岁月沉淀与技术革新，从初创到成长为瑞萨车载半导体的主要工厂之一，以品质为基、创新为魂，打造高效可靠的制造体系，不断突破产能瓶颈，积极推动智能化与绿色制造转型，并荣获“江苏省绿色工厂”称号。每一步都凝聚着全体苏州瑞萨人的智慧与汗水，也彰显着苏州工厂在环保与可持续发展领域的成就。　　凭借卓越的产品和服务，和苏州瑞萨人专业、敬业的精神，苏州工厂赢得了全球客户的信赖。　　[2025 IM Award]　　瑞萨2025 IM Award 颁奖典礼于上周(4月2日)举行，首次以全球形式，在线连接日本东京、中国北京和马来西亚槟城三地同步开展，集中表彰了IM组织内的卓越实践与重要贡献。活动通过直播方式吸引了员工的广泛参加。本次评选共收到53项申报，涵盖团队奖、个人奖、特别贡献奖及5S奖。经严格评审，共评选出18项优秀案例，北京和苏州工厂均榜上有名。本次活动有效强化了瑞萨全球协同与组织凝聚力，彰显了IM推动持续改进与高绩效文化的成果。　　三十而励，共赴芯程 ✨✨✨　　三十载春华秋实，三十载匠心筑梦。瑞萨电子集团副总裁兼瑞萨电子中国总裁刘芳，向北京工厂与苏州工厂送出了生日祝福。　　　　“我们满怀喜悦，庆祝北京工厂与苏州工厂成立三十周年的重要时刻。三十年间，两大工厂已成为瑞萨全球供应链中不可或缺的重要力量。三十而励，薪火相传，初心如炬，征途如虹。站在下一个三十年的起点，面对全球半导体产业迎来智能化、电动化、数字化的全新机遇，瑞萨将继续坚定不移地践行扎根中国、服务中国、创新中国、赋能全球的长期承诺。也借此欢庆时刻，祝愿北京工厂和苏州工厂，三十周年生日快乐，基业长青!祝所有的同事们身体健康，工作顺利，万事顺遂!相信下一个三十年，我们必将同心致远，再创辉煌!”　　三十载砥砺同行，每一份成绩都源于坚守，每一次跨越都始于初心。北京与苏州，一北一南，如双星辉映，为瑞萨在中国的发展书写了精彩篇章。站在新的起点，过往的荣光将化作前行的底气，以三十年为序章，以奋斗为笔触，瑞萨将在科技发展的浪潮中乘风破浪，共同奔赴下一段更加璀璨的“芯”程。
2026-04-10 10:21 reading：460
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