实力认证！瑞萨电子荣获“2025年度电子产业卓越奖”

发布时间：2026-02-12 10:16
作者：AMEYA360
来源：瑞萨
阅读量：1307

　　近日，工程师社区与行业资讯平台21ic电子网正式揭晓“2025年度电子产业卓越奖”获奖名单。本次评选覆盖电子产业链关键环节，设立九大权威奖项类别。瑞萨凭借在微控制器领域的创新表现与显著落地成果，荣获“微控制器(MCU)技术创新奖”。

　　微控制器(MCU)技术创新奖

实力认证！瑞萨电子荣获“2025年度电子产业卓越奖”

　　微控制器(MCU)技术创新奖项评选，综合考量技术创新深度、行业应用广度与市场影响力等核心指标。此次获奖，展示出业界对瑞萨在微控制器领域技术实力与生态构建能力的高度认可。

　　作为全球微控制器供应商，瑞萨打造了涵盖8位、16位、32位全系列MCU的丰富产品阵容，核心产品包含RA系列、RX系列、RZ系列、RL78系列以及RH850汽车MCU等，各产品系列之间可实现完整的功能兼容以及引脚对引脚兼容，且具备快速、可靠及高性价比优势，实现环保性能与灵活适配，帮助客户加速开发进程。

实力认证！瑞萨电子荣获“2025年度电子产业卓越奖”


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　　近期，第十八届中国冷暖产业发展峰会暨中国“冷暖智造”颁奖盛典在上海富悦大酒店隆重举行。在9月17日晚举行的第十届中国“冷暖智造”大奖颁奖盛典上，瑞萨电子凭借为暖通空调及制冷行业提供专业的技术支持、品质保证和综合的解决方案，荣膺冷暖智造・金智奖(供应链)。　　本届峰会以“冷暖智造・数启未来”为主题，再度汇聚冷暖产业精英，共同探讨数智融合与绿色低碳双轮驱动下的产业创新发展路径。作为全球领先的微控制器供应商，瑞萨电子在暖通空调领域拥有广泛而深入的产品布局和技术积累，持续为该行业提供多元化支持。　　瑞萨电子的产品与解决方案覆盖高性能微控制器(MCU)、系统级芯片(SoC)、模拟器件、功率器件及各类传感器等，可面向空调、风机、热泵、压缩机等各类整机及零部件客户，提供从主控、模拟到功率与传感的一站式选型与设计支持。凭借完善的产品矩阵、稳定可靠的品质表现以及长期深耕行业所积累的应用经验，瑞萨能够帮助客户加速产品智能化升级、提升能效水平与系统可靠性，为产业链合作伙伴的产品创新与价值提升持续赋能。　　此次荣膺“冷暖智造・金智奖(供应链)”，是行业对瑞萨电子整体技术创新实力、品质保障能力以及持续推动冷暖产业进步所做贡献的又一肯定。未来，瑞萨电子将继续以产业需求为导向，深化与上下游企业的协同创新，共同推动暖通行业向更高效、更低碳、更智能的方向发展，为“冷暖智造”生态持续注入“芯”动力。
2026-10-14 15:49 阅读量：203
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　　两大趋势——全球劳动力老龄化以及AI基础设施的快速演进——正在推动人形机器人市场增长，业界普遍预计该市场到2035年将保持约35%的复合年增长率。要维持这一迅猛增长势头，电子行业必须加快从智能边缘计算向物理AI的转型，使机器能够在不依赖云端的情况下实现感知并做出现实世界中的决策。　　但这还不是全部。　　Ivo Marocco，Vice President and Head of UX and Technical Marketing在近期博客《从智能边缘到物理AI：为何人形机器人是瑞萨的下一个机遇》结尾处曾提出一个观点：行业的未来并不取决于谁能打造出最强大的处理器，而取决于我们能在多大程度上将同类最佳技术整合进高度互补的系统之中。　　这一现实为创新创造了巨大潜力。原因在于，成功部署机器人需要多元化工程社区的协作，将数百项相互关联的硬件与软件技术组织成智能系统。换句话说，对瑞萨而言，人形机器人市场与其说是一场半导体竞赛，不如说是构建并支持一个全新生态系统的机遇。　　01　　物理AI改变工程设计方式　　传统上，嵌入式系统围绕彼此独立的工程领域进行设计，分别由不同团队负责处理器、传感、电源以及其他硬件子系统，而软件集成通常发生在开发周期的后期。　　物理AI改变了这一方式，因为人形机器人必须持续观察周围环境，融合由数十个甚至数百个传感器采集的数据，控制复杂运动，高效管理功耗，并在毫秒级时间内做出决策。　　在这种情况下，每个子系统都会影响其他子系统的性能。挑战不再是孤立地设计最佳组件或功能模块，而是将它们统一为一个有组织且相互依存的整体。　　这一区别至关重要，因为随着新功能的加入，复杂性会呈指数级增长。更强大的视觉系统会影响计算需求。更多传感能力会影响功耗预算。更复杂的运动控制会改变软件架构。功能安全也不再是孤立的开发任务，而是贯穿整个设计过程。　　02　　生态系统正在成为产品本身　　如今，没有任何一家企业能够独自掌握构建商用人形机器人所需的全部技术。　　开发者依赖AI框架提供商、晶圆代工厂和半导体ODM、云平台、机器人软件开发商、系统集成商、标准组织，以及最终在真实环境中验证设计的客户。　　对瑞萨而言，这种协作程度并不陌生。汽车行业在向电动化和软件定义汽车转型的过程中也经历了类似路程。早期讨论集中在电池、电机和ECU，但很快人们便意识到，电动汽车和软件定义汽车需要一个全新的生态系统，涵盖充电基础设施、热管理、软件、功能安全、域架构、制造以及供应链协同。只有当这一生态系统成熟之后，市场采用才得以加速。　　人形机器人正接近类似的拐点。　　当前的工程讨论往往聚焦于处理器或AI模型，但商业成功将取决于企业能否高效协调不断扩展的技术网络、开发合作伙伴以及设计方法论。　　03　　化繁为简　　我们的一个重要经验是，复杂性无法作为一个单一问题来解决。相反，必须将其拆解为相互关联的子系统，使工程师能够在清晰理解这些子系统最终如何交互的前提下，对其进行优化。　　这一理念也延伸到我们的机器人设计方法之中。我们并不将人形机器人视为一个庞大的单一工程挑战，而是围绕“大脑与运动”、“感知”、“执行机构”和“电源管理”等领域来组织开发。每个领域都面临独特的技术挑战，需要专门的专业能力以及不同的优化目标。　　接口、软件框架、开发工具和验证方法必须像硬件本身一样实现无缝协同。系统集成因此变得与组件创新同等重要。　　04　　合作伙伴型供应商的演进　　这一视角改变了我们在生态系统中的角色，使我们的首要目标转变为在整个开发过程中降低工程复杂度和协作摩擦。　　这意味着我们不仅提供半导体解决方案，还同步提供子系统参考设计、开发套件、软件框架、功能安全资源、文档以及合作伙伴协作机制，从而加速客户开发，而不是让客户独立组装每一个要素。　　随着项目日益复杂，客户需要相关指导，以便将传感器与执行机构相集成，将AI推理与实时控制相连接，在部署前验证硬件，并高效地从仿真转向物理实现。　　帮助客户解决系统集成挑战，正是系统赋能创造价值的关键所在。　　05　　数字化不止于软件　　在思考如何构建瑞萨在机器人生态系统中的角色时，一个反复浮现的主题是：数字化常常被误解为仅仅代表软件平台或在线开发工具。　　我们的观点是，数字化的核心在于贯通整个工程开发旅程。通过聚焦客户独特的用户体验(UX)，我们能够在开发的每一个阶段为客户提供更有效的支持——从发现、评估、设计和仿真，到实施、验证以及生命周期管理。　　这一理念也推动我们持续投入子系统参考设计、集成软件环境、工程资料、合作伙伴生态系统，以及Renesas 365等基于云的开发平台。　　06　　借助Renesas 365提升机器人手部灵巧性　　客户UX的实际应用可通过这段简短的演示视频看到：我们采用系统级方法开发一款机器人灵巧手。该手部系统组合AI视觉、触觉感知和力反馈，能够识别不同物体，并根据任务自动调整抓握力度——例如以更大的力量拿起易拉罐，以较轻的力度握住纸杯，并以精细控制抓取鸡蛋。Renesas 365提供数字化框架，将硬件、软件、原理图、固件和系统逻辑整合到统一工作流中，从而在整个开发过程中保留工程上下文。　　工程师可以远程将设计部署到目标硬件，监测处理器利用率、功耗和帧率等实时遥测数据，并在不中断整体开发流程的情况下持续迭代优化系统性能。Renesas 365并非一个独立的软件工具，而是连接虚拟设计与物理部署的桥梁，帮助开发者更高效地从概念走向可运行的机器人。　　07　　更好的设计始于更好的工程体验　　人形机器人是一个新兴市场。但已经可以明确的是，成功在很大程度上取决于我们能否有效帮助工程师应对系统复杂性。　　在半导体行业，UX往往与软件界面或数字工具联系在一起。而对瑞萨而言，用户体验意味着让技术在整个系统生命周期中更易于发现、评估、集成、验证、部署和管理。基于这一认识，我们相信，系统赋能将成为物理AI时代的重要差异化能力。能够引领未来的企业，将是那些最善于帮助客户驾驭整个开发生态系统，并推动数百项技术实现无缝、安全协同的企业。
2026-10-13 10:27 阅读量：229
瑞萨电子扩展GaN产品组合，推出首款面向AI数据中心和机器人应用的低压GaN FET
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瑞萨电子扩展GaN产品组合，推出首款面向AI数据中心和机器人应用的低压GaN FET

　　全新100V增强型GaN先进功率晶体管系列实现更高功率密度和业界卓越的优值性能　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布将其GaN产品组合扩展至低压应用领域，率先在业界推出100V增强型(E-mode)GaN分立功率晶体管系列。RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低压GaN FET可在AI数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动、电动工具以及太阳能微型逆变器等对效率要求极高的高功率密度应用中，实现超高速开关速度和增强的热性能。　　新款GaN FET实现业界卓越的硬开关和软开关优值(FOM)性能，相比同类GaN器件，硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM最高降低63%。低压GaN器件还保持与硅器件兼容的封装尺寸，便于导入现有设计。　　当前数据中心的电源转换器通常以数百千赫兹的开关频率运行。随着AI服务器和工业基础设施向800VDC配电和48V总线架构过渡，许多转换级正迈向兆赫级开关频率，以缩小磁性元件尺寸、提升功率密度并提高整体效率。　　在800V高压直流(HVDC)电源架构中采用低压GaN，可简化电源转换设计，显著减小无源元件尺寸，降低开关损耗和散热需求。在系统层面，这意味着更高效率、更少的热管理要求，以及更低的能源和BOM成本。　　广泛的GaN产品组合实现　　更高效率、功率密度与设计灵活性　　基于瑞萨近期扩展的低压增强型GaN技术平台，全新晶体管产品组合具备超高速GaN开关能力，并通过低总栅极电荷(Qg)和低输出电荷(Qoss)最大限度减少电压与电流重叠，从而降低AI电源单元、电机驱动和DC-DC电源级在每个转换周期中的能量损耗。该器件还具备零反向恢复(Qrr=0)特性，可消除相关能量损耗，立即提升开关效率。　　快速开关可通过缩小PCB占板面积、减小磁性元件和无源元件尺寸来提升功率密度，并实现更高频率运行;低导通电阻RDS(on)则可降低导通损耗，提高运行效率。底部散热和双面散热配置为散热和设计灵活性提供更多选择。根据具体应用要求和电源转换架构，低压GaN器件可将开关损耗降低多达40%至70%，并在系统层面实现最高两倍的功率密度。　　新款GaN晶体管提供多种标准MOSFET兼容封装，使客户能够快速从硅MOSFET布局迁移到GaN方案，无需大幅重新设计PCB，从而加快设计实施。多样化封装选项结合宽范围RDS(on)(5mΩ至1.2mΩ)，使设计人员能够在同步整流、多相降压转换和电机驱动等不同功率等级和应用之间灵活扩展。　　Akhil Nair, Senior Director, Low-Voltage GaN at Renesas表示：　　采用下一代GaN技术的客户正在为AI服务器、机器人、工业电机驱动和可再生能源系统寻求更高效的电源转换方案，并希望在日益紧凑的系统中实现这一目标。我们的低压GaN系列不仅提供设计人员期待的GaN效率、开关性能和功率密度，还显著降低了客户从现有硅MOSFET设计迁移至GaN方案的门槛。　　硅兼容封装中的高性能GaN　　全新GaN系列基于增强型(E-MODE常关型)GaN技术打造，可在便捷的硅兼容封装中发挥GaN的性能优势。这有助于设计人员充分利用GaN带来的效率和功率优势，并简化从现有硅基设计的迁移。　　全新低压GaN系列的主要特性　　相比硅基设计，效率提升1%至3%，并消除Qrr损耗　　开关损耗大幅降低40%至70%　　通过降低每个周期的开关能量并支持高频运行，实现功率密度翻倍　　更高开关频率有助于减小磁性元件尺寸、降低整体系统损耗，从而缩小系统占板面积　　优化热管理可减少风扇和主动散热需求，降低系统复杂度和BOM成本　　此外，凭借每个电源级更低的总能耗，全新GaN系列可帮助设计人员实现可持续发展目标。该系列通过减少热管理和气流管理所需风扇尺寸、支持使用更小的磁性元件并缩小整体PCB占板面积，助力AI数据中心和工业应用实现能效目标。
2026-10-10 10:54 阅读量：251
瑞萨丨率先推出业界首款采用8mm × 8mm双面散热封装的650V GaN器件，面向兆瓦级AI数据中心
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瑞萨丨率先推出业界首款采用8mm × 8mm双面散热封装的650V GaN器件，面向兆瓦级AI数据中心

　　与TOLT封装相比，双面散热(DSC)设计可将封装占板面积缩小57%，助力空间受限的兆瓦级机架实现更高功率密度。　　在8mm × 8mm封装中实现低至20mΩ的导通电阻，为650V同类产品中导通电阻超低的产品之一。　　采用业界标准PQFN封装尺寸，并配套完整的控制器、驱动器和MCU产品阵容，为800V设计提供单一供应商解决方案。这些解决方案将于10月12日至15日在美国加利福尼亚州圣何塞举行的OCP全球峰会上展出。　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布率先在业界推出采用双面散热技术的650V GaN器件，面向800V高压直流(HVDC)AI数据中心架构中的高功率密度电能转换。全新D-Mode GaN TP65H020G4PLSGBD采用超紧凑型双面散热(DSC)PQFN封装，导通电阻低至20mΩ，处于650V同类产品超低导通电阻之列，可在更小空间内实现更高的功率处理能力。目前，瑞萨已向主要AI数据中心OEM和ODM客户提供该器件样品。　　该器件基于瑞萨第四代升级版GaN架构打造，专为下一代AI数据中心的兆瓦级功率需求而设计，支持最高700V工作电压。其目标应用包括将800V电压降至48V、12V或6V的DC/DC中间总线转换器(IBC)级，以及侧挂式电源机架中的电池备份单元(BBU)和电容器组单元(CBU)级。　　随着机架功率从约120kW迈向兆瓦级，空间与散热能力已成为进一步提升系统功率的关键制约因素。不同于传统的顶部散热封装，新器件可同时通过顶部和底部散热，使顶部热阻降低10%。此外，其8mm × 8mm PQFN封装的占板面积较现有10mm × 15mm TOLT封装缩小57%。　　该器件充分发挥瑞萨第四代升级版650V GaN技术的优势，包括:　　低栅极电荷、低输出电容、内置具有极低反向恢复特性的续流二极管，以及无需负栅极偏置即可工作的高阈值电压。　　该器件可搭配标准硅栅极驱动器使用，并支持MHz级开关频率，从而减小无源元件并降低整体BOM成本，无需专用增强型GaN驱动器。　　John Wiggenhorn, Senior Product Line Director of High-Voltage GaN at Renesas表示：　　建设兆瓦级AI数据中心的客户，在达到功率极限之前，就已面临电路板空间不足和散热余量受限的问题。凭借瑞萨率先推出的采用双面散热技术的650V GaN器件，我们可从器件上下两侧进行散热，并显著缩小占板面积，使设计人员无需重新设计电路板或增加更多散热硬件，即可通过中间总线传输更高功率。此外，该器件延续了客户现有硅栅极驱动方案的简便操作，因此升级极为便捷。　　全新双面散热(DSC)PQFN封装由瑞萨与主要AI基础设施客户共同定义，采用业界标准封装尺寸，为客户提供灵活的供应选择。该GaN器件与瑞萨辅助电源控制器、栅极驱动器及MCU搭配使用，可为向800V架构转型的OEM、ODM和超大规模数据中心运营商提供一站式电源解决方案。　　瑞萨已完成该方案的芯片级验证。基于该新器件打造并由瑞萨RA6T3 MCU控制的6kW、800V转48V LLC直流变压器(DCX)参考设计，功率密度达到2.6kW/in³。模块级测试显示，其满载效率比采用同等TOLT封装的电路板高出0.21%。更小的封装还可节省PCB空间，并使FET之间的布局更加匹配。基于全新DSC 8mm × 8mm封装平台的800V转12V及6V DC/DC IBC参考设计同样可实现类似的性能提升、可扩展性和功率密度水平。
2026-10-08 16:30 阅读量：269
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