实力认证！瑞萨电子荣获“2025年度电子产业卓越奖”

发布时间：2026-02-12 10:16
作者：AMEYA360
来源：瑞萨
阅读量：278

　　近日，工程师社区与行业资讯平台21ic电子网正式揭晓“2025年度电子产业卓越奖”获奖名单。本次评选覆盖电子产业链关键环节，设立九大权威奖项类别。瑞萨凭借在微控制器领域的创新表现与显著落地成果，荣获“微控制器(MCU)技术创新奖”。

　　微控制器(MCU)技术创新奖

实力认证！瑞萨电子荣获“2025年度电子产业卓越奖”

　　微控制器(MCU)技术创新奖项评选，综合考量技术创新深度、行业应用广度与市场影响力等核心指标。此次获奖，展示出业界对瑞萨在微控制器领域技术实力与生态构建能力的高度认可。

　　作为全球微控制器供应商，瑞萨打造了涵盖8位、16位、32位全系列MCU的丰富产品阵容，核心产品包含RA系列、RX系列、RZ系列、RL78系列以及RH850汽车MCU等，各产品系列之间可实现完整的功能兼容以及引脚对引脚兼容，且具备快速、可靠及高性价比优势，实现环保性能与灵活适配，帮助客户加速开发进程。

实力认证！瑞萨电子荣获“2025年度电子产业卓越奖”


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　　近日，《中国电子报》“盘点2025特刊”发布，公布了“人工智能产品编辑选择”案例。作为《中国电子报》固定栏目，2025年“编辑选择”聚焦一年来电子信息领域热点和焦点，着眼AI应用，综合考虑技术、市场、生态等因素，推选出8个创新产品及解决方案，以期为行业发展树立典范。瑞萨RZ/V2N MPU在本次评选中脱颖而出，获选“AI视觉应用类”案例。　　RZ/V2N MPU　　作为面向大规模视觉AI市场的中端核心产品，RZ/V2N进一步完善了瑞萨从低端到高端的视觉AI MPU全系列布局。该产品集成了专有AI加速器DRP-AI3与先进剪枝技术，搭载四个Arm® Cortex®-A55 CPU、一个Cortex-M33内核及Arm Mali-C55 ISP，构成完整异构计算平台，支持双MIPI摄像头同步采集，可精准实现跌倒检测、车牌识别等复杂视觉任务。同时具备15TOPS的AI推理性能与10TOPS/W的高能效比，15mm²紧凑型封装使系统安装面积较前代产品减少38%。兼具高性能、低功耗与小尺寸特性，无需风扇冷却即可适配空间受限设备，且配套丰富的开发资源可大大降低开发门槛。该产品可精准契合市场需求，在智慧城市、工业4.0、智能汽车等领域应用前景广阔。　　此次入选《中国电子报》“人工智能产品编辑选择”案例，彰显了业界对瑞萨在视觉AI领域产品实力的高度认可。未来，瑞萨将继续深耕人工智能领域，不断推进技术迭代与创新，为全球各行业智能化升级提供更高效、可靠的解决方案，助力客户优化设计流程，加速产品上市进程。
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　　用于大电流应用的MOSFET的核心技术挑战在于，在保持优异开关性能的同时，实现低导通电阻。随着现代电源采用基于PWM的系统和更高的开关频率，最大限度地减少导通损耗和开关损耗变得至关重要。　　为应对这一挑战，瑞萨电子的REXFET-1工艺采用分离栅结构，并在此前专注于P柱实现的ANM1/ANM2超结技术基础上进一步提升，以实现：　　• RON指数改善至0.24(与前几代的0.36相比)　　• 超低导通电阻，可降低导通损耗并降低散热　　• 以小型封装实现高功率密度　　• 降低栅极电荷(QG)和栅极电容，优化开关特性　　结合多线键合(multi-wire)和夹片键合(clip bonding)等先进封装技术，REXFET-1器件在实现低导通电阻和高速开关的同时，满足严格的汽车可靠性标准。　　此外，我们采用融合多年经验的坚固设计，确保产品具有高度可靠性和耐用性，使设计人员能够放心使用。我们专门为电池管理系统(BMS)和电机应用设计了80V至150V的REXFET-1系列产品。瑞萨电子MOSFET技术的发展　　REXFET-1平台的开发是瑞萨电子在推进功率MOSFET技术方面悠久历史的一部分。从1979年日立推出首款垂直型MOSFET开始，瑞萨电子始终引领行业创新，包括在2003年推出首款用于英特尔芯片组的DrMOS。在接下来的几十年中，超结技术、用于智能手机的倒装芯片封装以及铜夹结构等创新进一步提升了效率和功率密度。瑞萨电子功率MOSFET的发展历程　　REXFET-1系统级性能　　BLDC电机控制在工业和汽车应用中都非常普遍。为了验证REXFET-1在实际应用中的性能，瑞萨电子在BLDC电机驱动系统中评估了采用TOLL封装的100V和150V产品。我们还将REXFET-1 100V RBA300N10EANS-3UA02(工规版RBE015N10R1SZQ4)和150V RBA190N15YANS-3UA04(工规版RBE039N15R1SZQ4)的性能与市场上的主要器件进行了性能对比。　　REXFET-1与竞品器件在最高60A条件下进行了测试，并比较了平均结温。在10kHz和20kHz开关频率下，结温结果保持与最佳竞品器件相当的水平。　　REXFET-1器件在相同系统条件下表现出较低的电压振荡和尖峰。在电机控制应用中，较高的振荡和电压尖峰可能导致系统可靠性问题，并产生较高的电磁干扰(EMI)。REXFET-1器件始终表现出具有竞争力的效率、热稳定性和抗EMI能力。100V REXFET-1导通波形比较　　我们丰富的REXFET-1产品组合代表了功率MOSFET技术的重大进步。凭借分离栅晶圆工艺和先进的封装技术，REXFET-1器件能够实现：　　•与前几代沟槽工艺相比，RSP降低30%　　•卓越的导通损耗与开关损耗平衡　　•丰富的封装选项(3x3、5x6、TOLL、TOLG、TOLT)，以满足多样化的系统需求。　　这些创新使设计人员能够在电机驱动、BMS以及其他要求苛刻的应用中实现更高的效率、更大的功率密度和更高的系统可靠性。
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