习近平主席:我国芯片自主研发有了新突破!

Release time:2026-01-04
author:AMEYA360
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  2025年12月31日晚7时,国家主席习近平通过中央广播电视总台和互联网,发表二〇二六年新年贺词。

习近平主席:我国芯片自主研发有了新突破!

  贺词全文:

  大家好!岁序更替,华章日新。在新年到来之际,我在北京向大家致以美好的祝福!

  2025年是“十四五”收官之年。5年来,我们踔厉奋发、勇毅前行,克服重重困难挑战,圆满完成目标任务,在中国式现代化新征程上迈出了稳健步伐。我国经济总量连续跨越新关口,今年预计达到140万亿元,经济实力、科技实力、国防实力、综合国力跃上新台阶,绿水青山成为亮丽底色,人民群众获得感幸福感安全感不断增强。5年历程极不寻常,成绩来之不易。大家拼搏进取、耕耘奉献,铸就了欣欣向荣的中国。我向每一位辛勤付出的奋斗者致敬!

  这一年,令人难忘的是,我们隆重纪念中国人民抗日战争暨世界反法西斯战争胜利80周年,设立台湾光复纪念日。国之盛典威武雄壮,胜利荣光永载史册,激励中华儿女铭记历史、缅怀先烈、珍爱和平、开创未来,凝聚起中华民族伟大复兴的磅礴伟力。

  我们依靠创新为高质量发展赋能。科技与产业深度融合,创新成果竞相涌现,人工智能大模型你追我赶,芯片自主研发有了新突破,我国成为创新力上升最快的经济体之一。天问二号开启“追星”之旅,雅下水电工程开工建设,首艘电磁弹射型航母正式入列。人形机器人亮出“功夫模式”,无人机演绎绚丽“烟花”。创新创造催生了新质生产力,也让生活更加多姿多彩。

  我们以文化滋养精神家园。文博热、非遗热不断升温,世界遗产再添新员,悟空和哪吒风靡全球,古韵国风成为年轻人眼中的“顶流审美”。文旅市场人气火爆,“城超”“村超”热闹非凡,冰雪运动点燃冬日激情。传统与现代交融,中华文化绽放更加灿烂的光芒。

  我们共创共享美好生活。我到西藏、新疆出席庆祝活动,从雪域高原到天山南北,各族群众心手相连,像石榴籽一样紧紧抱在一起,大家用洁白的哈达、热情的歌舞,表达对祖国的热爱、对幸福的礼赞。民生无小事,枝叶总关情。过去一年,新就业群体权益有了进一步保障,适老化改造给老年人带来方便,育儿家庭每月多了300元补贴。柴米油盐、三餐四季,每个“小家”热气腾腾,中国这个“大家”就蒸蒸日上。

  我们继续敞开胸怀拥抱世界。上合组织天津峰会、全球妇女峰会成功举办,海南自贸港全岛封关运作。为更好应对气候变化,我国宣布新一轮国家自主贡献。继“三大倡议”之后,我提出全球治理倡议,推动建设更加公正合理的全球治理体系。当今世界变乱交织,一些地区仍被战火笼罩。中国始终站在历史正确一边,愿同各国携手促进世界和平发展,推动构建人类命运共同体。

  前不久,我出席了全运会开幕式,粤港澳三地同心同行,令人欣慰。要坚定不移贯彻“一国两制”方针,支持港澳更好融入国家发展大局,保持长期繁荣稳定。两岸同胞血浓于水,祖国统一的历史大势不可阻挡!

  党兴方能国强。我们开展深入贯彻中央八项规定精神学习教育,徙木立信从严管党治党,去腐生肌推进自我革命,党风政风持续向好。要砥砺初心使命,持之以恒、久久为功,继续回答好延安“窑洞之问”,书写无愧于人民的时代答卷。

  2026年是“十五五”开局之年。锐始者必图其终,成功者先计于始。我们要锚定目标任务,坚定信心、乘势而上,扎实推动高质量发展,进一步全面深化改革开放,推进全体人民共同富裕,续写中国奇迹新篇章。

  山海寻梦,不觉其远;前路迢迢,阔步而行。让我们拿出跃马扬鞭的勇气,激发万马奔腾的活力,保持马不停蹄的干劲,一起为梦想奋斗、为幸福打拼,把宏伟愿景变成美好现实。

  新年的旭日即将升起。祝祖国山河壮丽、大地丰饶,神州沐朝晖!祝大家心有所悦、业有所成,万事皆可期!


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全球首款1.8nm芯片来了!
芯片Layout中的Guard Ring是什么?
  在芯片设计中,Guard Ring(保护环) 是一种环绕在敏感电路或器件(如模拟电路、高精度器件、存储器单元、I/O驱动器等)周围的版图结构,形成关键的“隔离带”。它的核心使命是提高电路的可靠性、性能和抗干扰能力,是复杂芯片(尤其是混合信号芯片、高可靠性芯片)成功量产的关键因素之一。  Guard Ring的物理构成  Guard Ring并非单一结构,而是由多个精心设计的物理组件协同构成:  1衬底接触环  采用高掺杂的P+区域(P型衬底)或N+区域(N型衬底/深N阱)。其核心作用是提供到半导体衬底的低阻连接。它能有效收集衬底中不需要的少数载流子,防止其干扰被保护电路,稳定衬底电位,减少衬底噪声耦合,并为潜在寄生电流提供泄放路径。  2阱接触环标题  采用高掺杂的N+区域(N阱)或P+区域(P阱)。它提供到阱的低阻连接点,稳定阱电位并收集阱中产生的少数载流子。在双阱工艺中,N阱接触环本身就能阻挡衬底中的少数载流子(空穴)进入N阱。  3隔离结构  通常指浅沟槽隔离或深沟槽隔离。它在物理上分隔保护环内外的区域,阻止表面漏电流路径,增加载流子从外部扩散进入保护区域的难度,是防止闩锁效应的关键物理屏障。  4连接线  通过通孔和金属层将衬底接触环和阱接触环连接到指定电位(VSS或VDD)。确保这些连接具有极低的电阻至关重要。  Guard Ring的核心作用  Guard Ring通过其物理结构实现多重关键保护功能:  1防止闩锁效应  这是Guard Ring最核心的作用。闩锁效应由芯片内部寄生的PNPN结构意外触发引发,可导致大电流、功能失效甚至芯片烧毁。Guard Ring通过提供低阻的阱和衬底接触,有效收集触发闩锁的寄生载流子,在其达到触发浓度前将其泄放。同时,隔离结构增加了载流子横向流动的阻力。它对包含NMOS和PMOS相邻放置的电路(如CMOS反相器、I/O驱动器)的保护尤为关键。  2抑制衬底噪声耦合  芯片上不同模块(尤其是数字模块与敏感的模拟/射频模块)工作时产生的噪声会通过公共硅衬底传播。连接到干净VSS的衬底接触环作为一个低阻抗的“汇”,能吸收和分流试图进入保护区域的衬底噪声电流,为被保护电路提供局部的“安静地”,显著降低噪声干扰。  3阻挡少数载流子注入  芯片某些区域(如开关状态的NMOS源/漏、反向偏置的PN结)可能向衬底注入少数载流子(电子或空穴)。这些载流子扩散到敏感区域(高阻节点、存储节点、精密基准源)会引发漏电流、电压偏移或数据错误。Guard Ring(尤其是反向偏置的阱接触环,如N阱环接VDD阻挡空穴)能收集这些扩散载流子,阻止其到达敏感区域。  4提高器件隔离度与可靠性  在需要高隔离度的应用(如RF电路、混合信号电路)中,Guard Ring有助于减少相邻器件间通过衬底的串扰。通过综合防止闩锁、减少噪声干扰和漏电流,Guard Ring显著提升了被保护电路的长期工作可靠性和稳定性。  设计与实现考量  Guard Ring的设计需结合具体工艺和电路需求:  必要性:为MOS器件提供衬底/阱电位(Bulk端)的Guard Ring是必不可少的。用于隔离噪声或防止Latch-up的Guard Ring则需评估实际需求(是否存在噪声源或对噪声敏感)。  结构选择:根据保护对象(PMOS/NMOS/DNW器件)选择对应的NWring、PSUBring或DNWring结构。其版图实现需严格遵循特定工艺的设计规则(Design Rule),例如有源区(AA/OD)与注入层(SP/PP/SN/NP)的包围关系、接触孔(CT/CONT)的尺寸和间距、金属层(M1)的连接等。  增强防护:有时会采用双层Guard Ring结构,以进一步降低阱/衬底的寄生电阻压降,增强隔离效果,更有效地降低Latch-up风险。  面积权衡:添加Guard Ring必然增加芯片面积。设计时必须在防护效果和成本(面积)之间进行仔细权衡。  Guard Ring是芯片版图设计中基础而关键的防护结构。其本质是通过在敏感电路周围精确构建阱接触环、衬底接触环和隔离结构,并将它们连接到合适的电源/地网络,共同形成一个高效的载流子收集阱和噪声隔离带。它从根本上防止了致命的闩锁效应,有效抑制了衬底噪声耦合,并阻挡了有害的少数载流子注入,从而极大提升了芯片的鲁棒性、性能和可靠性。
2025-10-30 14:49 reading:544
全球首款,我国芯片研制获重大突破!
  据《科技日报》报道,近日,清华大学电子工程系方璐教授团队在智能光子领域取得重大突破,成功研制出全球首款亚埃米级快照光谱成像芯片“玉衡”,标志着我国智能光子技术在高精度成像测量领域迈上新台阶。相关研究成果在线发表于学术期刊《自然》。  科研团队基于智能光子原理,创新提出可重构计算光学成像架构,将传统物理分光限制转化为光子调制与计算重建过程。通过挖掘随机干涉掩膜与铌酸锂材料的电光重构特性,团队实现高维光谱调制与高通量解调的协同计算,最终研制出“玉衡”芯片。“玉衡”光谱成像芯片概念图。图片来源:清华大学  “玉衡”芯片仅约2厘米×2厘米×0.5厘米,却可在400—1000纳米的宽光谱范围内,实现亚埃米级光谱分辨率、千万像素级空间分辨率的快照光谱成像,能在单次快照中同步获取全光谱与全空间信息,其快照光谱成像的分辨能力提升两个数量级,突破了光谱分辨率与成像通量无法兼得的长期瓶颈,为高分辨光谱成像开辟了新路径。  方璐表示,“玉衡”攻克了光谱成像系统的分辨率、效率与集成度难题,可广泛应用于机器智能、机载遥感、天文观测等领域,以天文观测为例,“玉衡”的快照式成像每秒可获取近万颗恒星的完整光谱,有望将银河系千亿颗恒星的光谱巡天周期从数千年缩短至十年以内,凭借微型化设计,它还可搭载于卫星,有望在数年内绘制出人类前所未有的宇宙光谱图景。
2025-10-16 14:25 reading:538
全球首款1.8纳米芯片发布!
  正在努力扭转艰难处境的老牌芯片厂英特尔,周四(10月9日)展示了即将亮相的新一代先进制程PC芯片,开始向苹果、高通、AMD、台积电等竞品发起反击。  公司发布的照片显示,今年3月履新的CEO陈立武站在亚利桑那工厂门口,捧着一块代号为Panther Lake的新一代酷睿处理器晶圆。这是首款采用英特尔18A工艺(18埃米,即1.8纳米)的芯片。  英特尔特别强调,18A工艺也代表着芯片行业两大创新技术的应用:全环绕栅极晶体管以及背面供电网络。与Intel 3相比,18A能够提供15%的频率提升,且晶体管密度提高1.3倍,或者在同等性能水平下降低25%的功耗。  据悉,新一代芯片与被称为“英特尔CPU能效巅峰之作”的Lunar Lake相比,相同功耗下性能提升50%。而在性能相同时,相较上一代Arrow Lake-H处理器功耗降低30%。  公司也在周四表示,除了个人电脑外,Panther Lake还将拓展至机器人在内的边缘应用领域。基于18A工艺的至强6+服务器处理器也将于2026年上半年发布。  英特尔世界首款 1.8nm 要点  1、世界首款:预览三代酷睿 Ultra(Panther Lake),首款 18A 制程客户端 SoC;  2、生产进展:Panther Lake 已投产,按计划推进,有望成热门 PC 平台;  3、服务器新品:首展至强 6+(Clearwater Forest),18A 制程,功耗性能大进;  4、核心制程:Intel 18A 是英特尔最先进半导体节点(1.8nm);  5、制造保障:亚利桑那 Fab 52 已运营,今年晚些时候 18A 量产,巩固领先。
2025-10-10 15:24 reading:551
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