鲁光LGE3M180065F 碳化硅MOSFET

发布时间：2025-10-11 15:39
作者：AMEYA360
来源：鲁光
阅读量：526

　　在追求更高效率、更高功率密度和更小体积的现代电力电子领域，碳化硅MOSFET 正逐渐成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的关键器件。作为国内功率半导体行业的领军企业之一，鲁光电子推出的LGE3M180065F 是一款性能优异的650V / 180mΩ 碳化硅MOSFET，为众多中高功率应用提供了高效、可靠的解决方案。

鲁光LGE3M180065F 碳化硅MOSFET

鲁光LGE3M180065F 碳化硅MOSFET

　　核心优势(基于SiC MOSFET特性)

　　1. 高频开关能力

　　开关损耗比硅IGBT降低70%，支持100kHz以上高频应用。

　　2. 低导通电阻(Rds(on))

　　正温度系数特性，易于并联均流。

　　3. 零反向恢复电流

　　体二极管无Qrr，消除桥式电路死区损耗。

　　4. 高温工作

　　结温(Tj)可达175°C，散热设计更简化。

　　3. 高可靠性： 高工作结温、优异的耐高温性能和强大的短路耐受能力，确保器件在恶劣环境下稳定工作。

　　二、特性曲线

鲁光LGE3M180065F 碳化硅MOSFET

　　三、典型应用领域

　　1.服务器/数据中心电源(SMPS)： 用于高功率(5kW以上)的服务器电源和通信电源。高开关频率允许使用LLC等高效拓扑，显著提升电源效率，降低数据中心的运营成本。

　　2. 新能源光伏逆变器： 用于5-10kW组串式光伏逆变器的DC-DC升压环节，利用其高频率和高效特性，可以最大化太阳能板的发电效率，同时减小逆变器体积。

　　3. 工业电机驱动与变频器： 用于5-10kW驱动风机、水泵、压缩机等工业电机。其高速开关能力可实现更精确的电机控制和更低的谐波失真。

　　4. 不间断电源(UPS)： 其5-10kW高功率特性，用于提升中大功率UPS的逆变效率，延长电池续航时间，同时减小设备体积。

　　5. 储能系统的功率转换： 用于5-10kW电池储能与电网之间高效的双向能量流动。

　　四、总结

　　鲁光电子的LGE3M180065F 碳化硅MOSFET以其650V/180mΩ的平衡性能，提供了一个强大而可靠的国产化功率开关解决方案。随着碳化硅技术的不断成熟和成本的持续下降，像LGE3M180065F这样的器件必将成为推动工业、能源和交通等领域迈向绿色、高效未来的核心力量。


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