森国科SG8410B：100V高耐压LDO，开启工业与物联网供电“芯”纪元！

Release time：2025-09-15
author：AMEYA360
source：森国科
reading：1193

　　SG8410B高电压线性稳压器----一颗在100V输入下仍可稳定输出50mA的“小身材、大能量”LDO。它用23µA超低静态电流、±1.5%输出精度、160°C热关断及短路保护，重新定义了“高压、低耗、高可靠”的电源边界，为工程师提供前所未有的设计自由度。

森国科SG8410B：100V高耐压LDO，开启工业与物联网供电“芯”纪元！

森国科SG8410B：100V高耐压LDO，开启工业与物联网供电“芯”纪元！

　　01三大创新性能，直击高压供电痛点

　　100V连续耐压 + 110V瞬态生存

　　无需前级TVS或降压模块，一颗LDO直接挂母线，节省BOM与面积。

　　23µA静态电流 / 8µA关断电流

　　电池、超级电容、能量采集系统可“歇人不歇芯”，待机寿命延长3倍-5倍。

　　50mA带载下仅2.8V压差，±1.5%全温区精度

　　给后级MCU、运放、隔离电源提供干净、精准、低噪的辅助电源，EMI一次性通过。

　　02目标市场与应用场景

　　工业自动化——“传感器+执行器”双供电

　　24V/36V/48V导轨PLC、IO-Link、阀岛、编码器，传统方案需DC-DC+二阶LDO两级转换。SG8410B可直接由36V母线生成3.3V/5V，纹波<20mV，省去开关噪声与补偿烦恼，整机待机<0.5W，轻松过Energy Star。

　　智能照明——“交流掉电维持”黑科技

　　220V经整流后母线高达120V，灯具需维持BLE/Zigbee模块3s以上掉电上报。SG8410B 100V输入+10µA级静态电流，让维持电容体积缩小一半，灯头温度降低8℃，寿命翻倍。

　　以太网供电(PoE)——“PD端辅助电源”

　　PoE++(90W)PSE输出54V，PD需给MCU、数字隔离器、eFuse提供12V/5V偏置。SG8410B从54V直接取电，50mA足以驱动光耦与继电器;短路时120mA精准限流，保护PSE不被拉回。

　　物联网传感器——“电池+能量采集”混合供电

　　4～20mA回路、NB-IoT水表、风电塔振动监测，往往只有200µA平均预算。SG8410B 23µA静态电流，比常规高压LDO低60%，让同一节ER18505电池多工作5年，现场维护成本直降40%。

　　车载12V/24V系统——“抛负载”生存者

　　ISO 7637-2 Pulse 5b 87V/400ms抛负载测试，SG8410B 110V瞬态耐压无需额外TVS，直接为CAN/LIN收发器、车规MCU提供5V待机电源，简化AEC-Q100外围，缩短开发周期30%。

　　03设计友好，方便使用

　　SOT23-5L 3*3mm，0.95mm脚距，兼容自动光学检测

　　外围仅4颗阻容：CIN≥0.47µF、COUT≥2.2µF，R1/R2任意设定1.8～12V输出

　　内置补偿，无需ESR折中;支持铝电解/陶瓷/钽电容，Layout“一线到底”

　　-40~105°C工业级温区，160℃热关断+140℃回滞，终身免校准

森国科SG8410B：100V高耐压LDO，开启工业与物联网供电“芯”纪元！

　　PCB Layout 指导

　　CIN和 COUT 离 LDO 尽可能近，一般推荐 CIN=COUT在 1uF-10uF 之间，需要注意输入电容耐压值。

　　LDO 输入端建议串联 10Ω左右的电阻，以吸收前级输入尖峰电压。

　　尽量大的铺地面积，可以提高抗干扰性，增加 LDO 散热性能。


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森国科发布基于8寸晶圆工艺全球最小裸芯尺寸的800V SiC MOSFET，开启多芯合封新纪元
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森国科发布基于8寸晶圆工艺全球最小裸芯尺寸的800V SiC MOSFET，开启多芯合封新纪元

　　颠覆性尺寸：定义800V SiC MOSFET合封新标准　　在追求极致功率密度的今天，每一平方毫米的芯片面积都至关重要。森国科(SGKS)凭借其在宽禁带半导体领域的深厚积累，正式推出专为先进合封(Co-Packaging)应用设计的SiC MOSFET—KWM3K065P。这款产品以“全球最小裸芯片尺寸”和“800V/3Ω”的卓越性能组合，为AC-DC电源、栅极驱动芯片的多芯片模块(SiP)合封提供了革命性的核心器件，引领高压功率集成迈向新高度。　　全球最小裸芯，源自8寸工艺的领先优势　　KWM3K065P的发布，不仅是尺寸上的突破，更是制造工艺的胜利。它由领先的8寸晶圆工艺打造，实现了性能与集成度的完美平衡。　　• 极致紧凑的裸芯尺寸：KWM3K065P的裸芯尺寸(Die Size)仅为 0.476mm x 0.476mm，创下全球800V电压平台SiC MOSFET的最小纪录。这一突破极大地节省了封装内部的宝贵空间，使得在同一封装内集成AC-DC控制器、栅极驱动芯片以及多个功率器件成为可能，为开发超高功率密度的电源系统提供了坚实基础。　　• 8寸工艺带来的性能一致性：采用8寸晶圆工艺，不仅提升了晶圆的整体良率和生产效率，更重要的是确保了芯片性能的高度一致性和稳定性。这对于多芯片合封应用至关重要，因为它能有效降低因芯片参数差异导致的电流不均问题，简化了并联设计，提高了整个模块的可靠性。　　创新0伏关断，简化驱动设计　　在高压功率应用中，如何确保MOSFET在关断期间的稳定性，避免因噪声干扰导致的误导通，一直是工程师面临的难题。森国科KWM3K065P创新性地提供了 0伏关断(0V Turn-off) 解决方案。　　• 攻克负压关断难题：传统SiC MOSFET器件或部分高压硅基器件通常需要负电压来确保可靠关断，这要求驱动芯片必须具备负压供电能力，增加了系统设计的复杂性和成本。KWM3K065P凭借其优异的芯片设计，实现了仅需0伏即可安全、可靠地关断。　　• 降低驱动门槛：这一特性有效解决了工程师在应用中的痛点，大幅降低了对驱动芯片的要求。设计人员可以选用更通用、更简单的驱动芯片，从而简化外围电路设计，减少系统元件数量，提高整体方案的性价比和可靠性。　　卓越性能，源于SiC本色　　作为一款碳化硅功率器件，KWM3K065P继承了SiC材料的本征优势，相比传统硅基高压器件，性能表现全面领先。　　• 高耐压与低导通损耗的完美平衡：KWM3K065P拥有800V的高阻断电压和低至3Ω的标称导通电阻(RDS(on))。这一组合确保了器件在高压工况下既能安全运行，又能保持极低的导通损耗，显著提升系统效率。　　• 优异的开关特性：器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，其内部集成的体二极管也具有低反向恢复电荷(Qrr)的特点。这些特性共同作用，大幅降低了开关过程中的能量损耗和电压振荡，使得系统可以工作在更高的频率下，进一步推动功率密度的提升。　　广泛应用，驱动未来科技　　凭借其创新的0伏关断特性和为合封而优化的极致尺寸，KWM3K065P特别适用于对体积、效率和集成度有极致要求的应用领域。　　• 高密度快充与适配器：在需要合封高压功率开关器件的快充充电头和电源适配器的ACDC芯片中，KWM3K065P是实现“小体积、大功率”的理想选择，能够帮助工程师设计出性能更强、携带更方便的消费电子产品。　　• 高集成度电源模块：对于需要将控制器、驱动器和功率器件集成在一起的工业电源模块，KWM3K065P的合封友好特性可以极大地简化设计，提高模块的可靠性。　　• LED驱动与电机驱动：在对能效和空间有严格要求的LED照明驱动和微型电机驱动领域，这款芯片同样能发挥其高效、紧凑的优势，助力设备实现更长的寿命和更小的体积。　　结语　　森国科KWM3K065P的推出，不仅是公司在高压SiC芯片领域技术实力的又一次展现，更是对“芯片级系统集成”这一未来趋势的精准把握。从领先的8寸晶圆工艺到全球最小的裸芯尺寸，再到创新的0伏关断技术，每一个细节都体现了森国科以客户需求为中心的创新理念。我们致力于通过不断创新的SiC技术和产品，为全球工程师提供更具价值的解决方案，共同推动电力电子系统向更高效、更紧凑、更智能的方向发展。KWM3K065P现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，携手共创功率电子的崭新篇章。
2026-07-01 09:51 reading：417
森国科丨重磅推出2200V/1Ω高压SiC MOSFET K3M1K200-R
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森国科丨重磅推出2200V/1Ω高压SiC MOSFET K3M1K200-R

　　在新能源产业蓬勃发展的今天，功率半导体器件正朝着更高电压、更高效率、更高可靠性的方向不断演进。森国科(SGKS)作为宽禁带半导体领域的先行者，正式推出全新高压SiC MOSFET—K3M1K200-R。这款产品以2200V的超高阻断电压和1Ω的低导通电阻为核心亮点，专为严苛的工业级高压应用而生，旨在重新定义高压功率转换的效率与可靠性边界。　　卓越性能，源自芯内核　　K3M1K200-R是森国科在高压SiC技术领域深厚积累的结晶，其性能规格在同类产品中展现出显著优势。　　· 2200V超高压平台：　　K3M1K200-R的额定电压高达2200V，为系统设计提供了充足的安全裕量。这一特性使其能够从容应对工业电网波动、感性负载关断等场景下的电压尖峰，确保系统在极端工况下的稳定运行，有效降低了对复杂缓冲电路的依赖。　　· 0.8Ω低导通电阻：　　在实现2200V超高耐压的同时，其典型导通电阻(RDS(on))低至0.8Ω。低导通电阻意味着更低的导通损耗和更小的温升，直接提升了系统的整体效率和功率密度，尤其适合需要长时间满载运行的工业设备。　　· 增强型N型沟道设计：　　作为一款增强型(Normally-Off)器件，在栅极无驱动信号时处于关断状态，符合工业应用对“失效安全”(Fail-Safe)的严苛要求，极大地简化了驱动电路的设计，提升了系统的本质安全性。　　· 优异的开关特性：　　器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，能够支持高频化应用。其内部集成的体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)和快恢复特性，有效降低了开关过程中的能量损耗和电压震荡，使系统运行更加平稳、安静。　　先进封装，可靠耐用　　K3M1K200-R采用经典的TO-247封装，这是工业界广泛认可和验证的成熟封装形式，具备以下核心优势。　　· 高可靠性与通用性：　　TO-247封装具有坚固的内部结构和成熟的制造工艺，确保了器件在长期运行中的高可靠性。其引脚定义和外形尺寸符合行业标准，便于客户进行产品替换和产线升级，降低了导入风险。　　· 成熟的散热方案：　　该封装形式与市面上主流的绝缘垫片、散热器和安装方式完美兼容，客户可以沿用现有的成熟散热方案，无需进行额外的结构开发，缩短了产品从设计到量产的周期。　　· 优化的热阻表现：　　K3M1K200-R的结壳热阻(RthJC)低至3.8℃/W，确保了芯片产生的热量能够高效地传导至外部散热器，有效控制了器件的工作温度，延长了使用寿命。　　市场应用，精准定位　　凭借其独特的性能组合，K3M1K200-R精准锁定了一系列对电压和可靠性有极致要求的高压应用场景。　　· 高压开关电源：　　在通信基站、数据中心服务器等领域的高压输入开关电源中，K3M1K200-R的高耐压特性能够轻松应对整流后的高压母线，其低损耗优势则有助于提升电源的转换效率，满足日益严苛的能效标准。　　· 电容与感性负载驱动：　　在驱动高压电容负载或大功率感性负载(如大型电磁阀、高压电机)的应用中，器件需要承受巨大的瞬态电压冲击。K3M1K200-R的2200V额定电压和坚固的芯片设计，使其成为处理这类“硬开关”工况的理想选择。　　· 辅助电源系统：　　在风电变流器、光伏逆变器等大型电力电子设备中，通常需要独立的辅助电源来为控制电路供电。K3M1K200-R可以作为辅助电源的核心开关器件，直接从高压母线上取电，其高可靠性和宽电压适应能力确保了主设备控制系统的稳定运行。　　· 工业电机驱动：　　在中高压工业变频器领域，K3M1K200-R可用于制动单元或有源前端(AFE)电路，其高频开关能力有助于减小滤波元件的体积，提升整个驱动系统的功率密度。　　K3M1K200-R　　结语　　森国科K3M1K200-R高压SiC MOSFET的推出，不仅是森国科在高压功率器件领域技术实力的有力证明，更是对工业与能源市场迫切需求的精准回应。我们致力于通过不断创新的SiC技术，为全球客户提供更高效、更可靠、更具竞争力的功率解决方案。K3M1K200-R现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，共同探索高压功率转换的无限可能。
2026-06-30 10:29 reading：369
森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元
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森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

　　新品发布：K2M025065-V，定义性能新标杆　　森国科(SGKS)正式推出采用TOLT先进封装的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管K2M025065-V。这款产品将森国科领先的SiC MOSFET芯片技术与优化的封装设计相结合，旨在为高功率密度和高效率的应用场景提供革命性的解决方案。K2M025065-V的发布，标志着森国科在宽禁带半导体领域的技术实力和产品布局迈上了新的台阶。　　01　　森国科SiC MOSFET：卓越性能的核心　　森国科的碳化硅MOSFET芯片以其卓越的物理特性，从根本上解决了传统硅基器件在高压、高频应用中的瓶颈。K2M025065-V继承了这些核心优势，为系统设计带来质的飞跃。　　高耐压与低导通损耗：　　该器件拥有650V的高阻断电压和典型值仅为25mΩ的超低导通电阻(RDS(on))。这意味着在相同的导通电流下，器件的导通损耗极低，能显著提升系统效率，尤其是在大电流工作条件下优势更为明显。　　高频开关与低电容：　　得益于SiC材料的特性，K2M025065-V具备极高的开关速度和低输入/输出电容。这使得它能够工作在远高于传统硅器件的频率下，从而允许使用更小的无源元件(如电感和电容)，极大地提升了系统的功率密度。　　优异的体二极管特性：　　其内部集成的体二极管具有快速恢复和低反向恢复电荷(Qrr)的特点。在需要体二极管进行续流的应用(如逆变器)中，这能大幅降低开关过程中的能量损耗和电压震荡，提高系统可靠性和效率。　　02　　TOLT封装：为高性能而生　　K2M025065-V采用的TOLT封装并非传统封装的简单迭代，而是一次为高性能功率器件量身定制的创新。它在多个维度上对传统封装进行了优化，将SiC MOSFET的性能潜力发挥到极致。　　极致的散热能力：　　TOLT封装采用了优化的内部结构和导热路径，使其结壳热阻(RthJC)低至0.40℃/W。出色的散热性能意味着器件在高功率工作时，热量能被更高效地传导至散热器，从而保持较低的结温，确保器件长期稳定可靠运行，并允许更高的功率输出。　　更低的寄生效应：　　优化的引脚布局和内部互连设计，有效降低了封装的寄生电感。更低的寄生电感对于高频开关应用至关重要，它能减少开关过程中的电压过冲和震荡，降低电磁干扰(EMI)，使系统设计更加简洁、可靠。　　坚固与可靠：　　TOLT封装在设计上考虑了功率器件在严苛环境下的应用需求，具备良好的机械强度和可靠性，能够满足汽车级和工业级应用的严苛要求。　　03　　应用领域：赋能绿色科技　　凭借其卓越的性能组合，K2M025065-V特别适用于对效率和功率密度有极致追求的应用领域。　　太阳能逆变器：　　在光伏系统中，更高的效率意味着更多的电能产出。K2M025065-V的低损耗特性可显著提升逆变器的转换效率，尤其是在最大功率点跟踪(MPPT)电压范围内的效率表现优异，助力绿色能源的高效利用。　　电动汽车电机驱动：　　在电动汽车的主驱逆变器中，K2M025065-V的高频开关能力和低导通损耗，有助于减小电机驱动系统的体积和重量，同时提升车辆的续航里程。其优异的体二极管特性也使其在复杂的电机控制工况下表现稳定。　　高压直流变换器与开关电源：　　在这些应用中，K2M025065-V能够支持更高的开关频率，从而减小磁性元件和电容的体积，实现更高功率密度的电源设计，满足数据中心、通信基站等对空间和效率要求苛刻的场景。　　结语　　森国科K2M025065-V TOLT封装SiC MOSFET的推出，是森国科在功率半导体领域技术实力的集中体现。它将SiC材料的本征优势与先进封装技术完美融合，为工程师提供了一个能够突破现有设计瓶颈的强大工具。我们相信，这款产品的问世将加速碳化硅技术在各个高增长市场的应用普及，共同推动能源转换技术迈向一个更高效、更紧凑、更可靠的新时代。
2026-06-29 10:02 reading：355
电机控制省钱神“芯”：森国科 SGK32G023X 无刷电机 MCU
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电机控制省钱神“芯”：森国科 SGK32G023X 无刷电机 MCU

　　森国科经济型 SGK32G023xxxx 是基于 ARM Cortex-M0 内核的电机专用 MCU ，工作电压为 3V - 28V ， 工作温度范围在 - 40°C 至+105 °C，CPU 工作频率最高可达 48MHz 。具备 16KBytes 的 Flash 、以及 4KBytes 的SRAM ，Flash 的擦写寿命可达 10 万次，数据保持时间达 10 年。 拥有 2路UART ，支持在 MCU 停机模式下数据接收唤醒; 1 路高速(最高 1MHz )I2C ，同样 支持停机模式下数据接收唤醒;以及 1 路高速(最高 18Mbps )SPI ，支持 I2S 协议。 包含 1 个16-bit 高级 PWM 定时器，其中 3 路带死区互补输出; 1 个16-bit 通用 PWM 定时器，共 4 路PWM 输出; 1 个16-bit 基本定时器，支持 CPU 中断;还有 1 个MCU 停机模式下工作的自动唤醒定时器 AWU 和1 个MCU 待机模式下工作的自动唤醒定时器 STBAWU 。集成 1 个12 位1Msps ADC ，共7路模拟信号输入通道，支持差分对输入，可实现多种模拟信号的 快速精确转换。配备 1 个Beeper 蜂鸣器，可输出 1、2、4、8kHz 频率脉冲，即便在 MCU 停机模式下， Beeper 也可继续工作并可定时触发 ADC 采样。具有 CRC 计算单元、独立看门狗 IWDG 、窗口看门狗 WWDG 等功能，还提供唯一的 96 位ID 标识，具备高可靠性和安全性。　　八位机替代的省钱“芯”　　在国产芯片崛起的大背景下，森国科 SGK32G023xxxx 凭借着自身出色的产品性能，成为了国产替 代浪潮中的省钱“芯”。该芯片使用 32 位 ARM Cortex-M0 内核，内嵌 ARM 的 SWJ-DP 接口， 其结合了单线调试接口，大大降低了企业的研发成本和风险，缩短了产品上市周期，为国内企业 提供了一个高性价比的选择。它在多个方面展现了强大的竞争力。　　技术实力过硬：　　采用先进的 ARM Cortex-M0 处理器，确保了芯片在运算速度、功耗控制 以及实时性等方面的出色表现，能够满足不同应用场景下的需求。　　高性价比优势：　　在同等性能指标下，相较于一些国内外同类产品， SGK32G023xxxx 的价格更 具竞争力，能够为用户带来更高的性价比，有效降低了产品的成本，这对于推动国产芯片 的广泛应用具有重要意义。　　主要推广市场　　森国科 SGK32G023X 凭借其卓越的性能、丰富的产品特色和突出的竞品优势，成为了电机控制、工 业自动化、消费电子、智能家居等领域理想的芯片解决方案。它不仅满足了市场对高性能、 低功耗、高可靠性芯片的需求，还推动了国产芯片在相关领域的广泛应用和快速发展。　　在主要推广市场方面，森国科 SGK32G023X 系列 MCU 可应用于以下领域：　　家电市场：　　如风扇、空净、迷你洗衣机等家电产品的电机控制，实现高效节能的变频控制，提升 家电产品的性能和用户体验。　　工业自动化市场：　　适用于各种工业风机、水泵、压缩机等设备的电机驱动控制，提高工业生 产效率和设备运行的稳定性。　　电动工具市场：　　为电动工具提供强劲的动力控制，满足电动工具对高转速、大扭矩和长续航 的要求，提升电动工具的性能和使用寿命。　　智能家居市场：　　可用于智能窗帘、智能门锁、智能灯具等设备的控制和驱动，实现设备的智 能化控制和互联互通，打造智能家居生态系统。　　医疗设备市场：　　满足医疗设备对芯片的高可靠性和低功耗要求，可用于医疗仪器、康复设备 等的控制和监测，为医疗设备的正常运行提供保障。　　暴力风扇方案　　功能参数　　控制方式：无霍尔 BLDC控制　　过流保护，过压保护，欠压保护，堵转保护　　优化的起步控制算法　　输入电压： 3V~24V　　连续工作电流：最大可达 22A　　电机：无霍尔传感器三相 BLDC高速电机　　优化的起步算法，启动成功率 100%　　电机噪音低，无金属异响，控制稳定　　方波控制转速达 13万转以上(一对极电机) MCU:SGK32G0233
2026-02-02 15:18 reading：1215
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