龙腾半导体推出1200V 50A IGBT，赋能中低压工业与新能源应用

Release time：2025-04-27
author：AMEYA360
source：龙腾半导体
reading：870

　　在功率器件快速发展的当下，如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖，成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，专为高频应用场景设计。依托先进工艺平台与系统化设计能力，为工业逆变、UPS、新能源等场景注入高效驱动力。

龙腾半导体推出1200V 50A IGBT，赋能中低压工业与新能源应用

　　产品特点

　　1.先进工艺，性能优越

　　本款IGBT采用Field Stop Trench技术平台，结合优化的沟槽栅结构，有效降低导通损耗和开关损耗，兼具高速开关能力与宽安全工作区(SOA)，特别适用于高频工作环境下的系统应用，为客户带来更高的系统效率与运行可靠性。

　　2.优异的电性能指标

　　·集电极-发射极电压(Vce)：1200V

　　·额定电流(Ic)：50A

　　·最大功耗(Pd)：399W @ 25°C

　　·饱和压降Vce(sat)：典型值1.85V @ 25°C

　　·关断损耗Eoff：典型值 1.86mJ @ 25°C

　　3.完善的热/电特性曲线

　　从输出特性、开关损耗到结温限制，该器件在设计初期就充分考虑了客户实际应用工况的匹配需求，具备出色的热稳定性与抗冲击能力。

　　该款1200V IGBT特别适用于

　　1.UPS与数据中心电源

　　2.电焊机与感应加热设备

　　3.光伏与储能逆变器

　　4.电动车DC-AC/DC-DC变换


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突破功率密度极限：龙腾半导体发布150V G3平台SGT新品
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突破功率密度极限：龙腾半导体发布150V G3平台SGT新品

　　随着新能源汽车电驱系统与电池管理(BMS)对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，龙腾半导体正式推出新一代 150V G3平台屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET产品— LSGT15R032。该产品凭借3.25mΩ的超低导通电阻与279A的强大电流能力，成为高端BMS、电驱及DC-DC转换应用领域的性能新标杆。　　产品核心参数　　产品核心特点　　极致低阻设计，能效全面跃升　　采用先进的G3代屏蔽栅沟槽技术，在150V电压等级下实现了3.25mΩ的业界领先导通电阻，较上一代G2平台产品(4.0mΩ)显著降低。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，直接提升系统整体效率，并降低温升。　　超强电流承载，功率输出澎湃　　在25°C壳温下，连续漏极电流高达279A，脉冲电流能力更达到1116A。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，系统可靠性与鲁棒性倍增。　　卓越坚固性能，稳定可靠运行　　产品保证100%雪崩能量(EAS)测试，额定雪崩能量高达1600mJ，具备优异的抗反向恢复和短路能力。TOLL封装提供了极低的0.26°C/W结到壳热阻，确保芯片热量能够快速导出，满足高可靠性应用要求。　　精准聚焦应用，性能量身定制　　此产品专为对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS(电池管理系统)与电机驱动领域优化。相较于前一代(G2)产品，在静态性能上优势明显。注：数据来源于龙腾实验室实测　　产品典型应用　　BMS　　电机驱动　　DC-DC转换器　　同步整流SR　　不间断电源UPS
2025-12-22 11:46 reading：366
龙腾半导体通过SA8000认证，以社会责任筑牢企业可持续发展根基
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龙腾半导体通过SA8000认证，以社会责任筑牢企业可持续发展根基

　　近日，龙腾半导体顺利通过国际权威认证机构SGS的全面严苛审核，正式获得SA8000社会责任管理体系认证证书。这一成果标志着公司在社会责任管理与员工权益保障领域的专业能力已达到国际认可标准，为企业拓展国际市场奠定了坚实基础。图：SA 8000体系证书　　SA8000是全球公认的社会责任权威准则，通过明确管理要求与严苛审核机制，推动企业构建道德经营与人文关怀并重的运营体系。此次认证的顺利通过，既是对龙腾半导体长期坚持规范化管理、积极践行社会责任的高度肯定，也彰显了公司在环境、社会及治理(ESG)建设中的扎实成效，印证了企业对人本理念的坚守与实践。　　未来，龙腾半导体将以此次认证为新起点，持续深化社会责任实践，将人本理念全面融入生产运营各环节，不断完善员工权益保障机制，推动企业高质量发展与社会责任履行深度融合、良性共赢，为行业可持续发展注入持久动力。
2025-11-19 14:05 reading：396
龙腾半导体：车规级超结MOSFET LSB60R041GFA ，以极致能效驱动高功率应用新高度
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龙腾半导体：车规级超结MOSFET LSB60R041GFA ，以极致能效驱动高功率应用新高度

　　1.产品概述　　本款产品采用新一代超结技术，专为汽车电子和高功率场景打造。在质量与可靠性方面，产品严格遵循 AEC - Q101 车规级可靠性认证标准以及 IATF 16949 汽车质量管理体系认证要求。凭借低导通电阻与高功率密度设计，确保在极端工况下稳定运行，为高效电机系统提供核心动力支持。封装形式产品可靠性测试报告　　2.核心特性　　导通损耗低：低阻值设计，减少发热并提升能效;　　开关损耗低：低栅极电荷，显著降低驱动损耗;　　功率密度高：卓越的热设计，适用于紧凑型高效能系统。　　3.产品优势　　车规品质：双重认证确保产品符合汽车行业严苛标准，可靠性与安全性行业先进;　　高效节能：通过降低RDS(on)与Qg，系统能耗显著降低的同时提升了运行性能;　　高可靠性：严苛测试保障恶劣环境下的长期稳定性。　　4.典型应用　　汽车领域：48V/12V DC/DC转换器、车载充电机(OBC)、电池管理系统(BMS);　　工业场景：工业开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS);　　新能源：光伏逆变器、储能系统解决方案。
2025-06-16 09:42 reading：1312
龙腾半导体MOS家族新增950V 超结MOS系列
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龙腾半导体MOS家族新增950V 超结MOS系列

　　随着高效能、紧凑型电源系统的需求日益增长，传统平面MOSFET已逐渐难以满足高压低损耗的要求。龙腾半导体自主开发的超高压950V超结SJ MOS平台，采用先进的多次外延结构设计，在保证高耐压的基础上，有效减少器件内部的寄生电容，进一步优化开关过程中的能量损失。与传统的PN结结构相比，这种新型结构能够有效减小漏电流，提高器件的热稳定性和抗电场能力，确保在高压条件下的可靠性。满足LED照明电源、适配器、模块电源、植物照明电源等高压中功率领域的需求。　　龙腾 950V 超结MOS　　采用多次外延工艺，通过精准堆叠外延层并优化掺杂分布，实现电荷平衡与电场均匀性的大幅提升，赋予产品三大核心优势：　　极低导通损耗　　Rsp(比导通电阻)较国际竞品降低22.3%，显著减少导通损耗，可在植物照明电源中实现更高能效。　　超快动态性能　　FOM(Qgd)优化14.5%，开关损耗(Eon/Eoff)分别降低18.5%和43.1%，助力高频电源设计简化。　　卓越可靠性　　Trr(反向恢复时间)缩短13.6%，减少开关噪声，提升系统稳定性;同时，多次外延工艺增强了器件耐压能力，支持950V高压场景下的长期稳定运行。注：数据基于龙腾实验室实测，实际性能因系统设计可能略有差异。　　龙腾 SJ MOS 800V-950V推荐型号
2025-05-29 11:06 reading：1429
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