6.68 亿颗!纳芯微汽车芯片出货创里程碑,赋能汽车照明新变革

发布时间:2025-04-24 17:10
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:2035

  汽车照明与智能表面技术趋势与市场需求

  随着产业竞争重心从电动化向智能化转移,汽车产业发展进入“下半场”——2024 年下半年起,汽车行业正加速迈向智能化、自主化转型。这一趋势对汽车座舱领域提出全新技术需求,尤其在照明场景与智能表面技术的智能化、交互化应用方面,已呈现三大显著特征。这一趋势为汽车座舱领域提出了全新的技术需求,特别是在照明场景和智能表面技术的智能化与交互化应用方面呈现出三大显著特征。

  首先,智能化与交互化在重塑人车互动模式。传统机械按键正快速被触控、语音、手势等多模态交互方式所取代,显著提升了用户体验。现代多模态交互系统能够实现更自然、便捷的人机互动,如语音控制导航、手势调节音量等功能,充分满足了用户多样化需求。这种交互方式的升级不仅提高了操作便利性,更赋予了座舱更强的科技感和未来感。

  其次,轻量化与集成化需求日益凸显。最新的智能表面技术可将部件数量减少90%,PCB面积降低25%,有效减轻车身重量并提升能效。这种集成化设计使汽车内部结构更加紧凑,为中控台等区域集成更多功能模块创造了条件,同时也为车内空间优化提供了新的可能性。这种技术演进不仅响应了节能减排的行业要求,也满足了消费者对更大车内空间的期待。

  第三,个性化与场景化体验持续升级。内饰氛围灯正从单一色温向RGB动态光效演进,外饰灯则支持ADB、流水动画等高级功能。这些创新能够根据不同驾驶场景和用户偏好进行智能调整,例如在夜间行驶时自动切换为柔和光效,既提升了行车安全,又增强了科技感和仪式感。这种动态化的照明方案也正在成为汽车的重要卖点。

6.68 亿颗!纳芯微汽车芯片出货创里程碑,赋能汽车照明新变革

  纳芯微车规级芯片为照明技术创新赋能

  汽车照明系统从基础功能向智能化、交互化方向的转型,对核心驱动芯片提出了更高的要求。作为国内领先的汽车芯片供应商,纳芯微针对不同照明场景开发了系列化解决方案,持续推动行业技术创新。针对智能座舱氛围灯,纳芯微推出的NSUC1500-Q1LED驱动氛围灯驱动芯片采用高度集成化设计,单颗芯片集成了MCU、LDO、LIN-PHY和4路LED驱动四大功能模块。该芯片创新性地采用ARM Cortex-M3内核,相比行业普遍采用的M0内核,其哈佛架构带来的并行处理能力使运算效率提升了一倍,能够实时完成复杂的色彩矩阵计算,支持256色高精度调光需求。

6.68 亿颗!纳芯微汽车芯片出货创里程碑,赋能汽车照明新变革 

     纳芯微技术市场经理高峰谈到,针对LED行业普遍存在的红光高温衰减问题,芯片特别设计了第四冗余通道,通过并联驱动方式有效提升了系统可靠性。在温度补偿方面,芯片同时集成外部ADC采样和内置温度传感器双重监测机制,配合自主研发的温补算法,确保全温度范围内的色彩一致性。该芯片系统可满足CISPR 25 Class 5最高等级EMC认证。外饰照明系统方面,纳芯微也能提供完整的解决方案。尾灯驱动芯片突破传统设计限制,支持贯穿式尾灯12、16、24通道线性驱动,通过先进的级联技术可实现单系统265通道控制。其独有的热均摊(Thermal Sharing)专利技术通过优化热分布,使芯片温升降低30%,大幅提升了系统稳定性。芯片的全场景保护包括LED开短路检测、通信失效自动恢复,确保照明系统的安全可靠。

  前照灯驱动方案NSL31系列则采用双极电源架构,支持65V高压输入和1.6A大电流输出,特别适配ADB矩阵大灯的像素级精确调光需求。该系列产品均已通过最严苛的EMC测试认证,能够满足各类复杂外饰照明场景的技术要求。

  高峰说,在产业化方面,纳芯微也建立了显著的市场竞争优势。公司提供从芯片到系统的完整参考设计,包括EMC解决方案、开发评估板和配套工具链,帮助客户缩短产品开发周期。

  在供应链安全备受关注的背景下,纳芯微实现了全流程国产化替代和供应链安全可控,保障客户量产稳定性。更值得一提的是,公司创新性地采用ASSP定制化合作模式,与头部车企深度协同,共同定义芯片规格参数,确保产品精准匹配市场需求。目前,纳芯微的照明驱动芯片已在多款热销车型中实现规模化应用,涵盖从经济型到豪华型的全价格带产品。

  纳芯微智能表面SoC三位一体解决方案创新探索

  在汽车智能化浪潮中,智能表面作为人机交互的重要载体,其技术复杂度远超传统氛围灯系统。纳芯微基于对智能表面架构的深入理解,创新性地提出了“感知-控制-执行”三位一体的SoC解决方案,为行业提供了全新的技术路径。

  从系统架构来看,智能表面可分为三个关键层级:感知层采用高精度传感技术,支持电容触控、压力检测、压电感应等多种交互方式;控制层采用高性能处理器实现信号处理、逻辑判断和系统调度等核心功能;执行层则通过多通道驱动电路,精准控制RGB灯效、触觉反馈等输出。这种分层设计既保证了系统可靠性,又提升了响应速度。

  高峰提到,针对实际应用场景,纳芯微提出的解决方案展现出卓越的适应性。以空调控制面板为例,纳芯微基于Cortex M3内核的智能表面SoC可驱动多组RGB灯珠,通过红蓝双色清晰区分温区状态;在门锁控制模块,三色指示灯可实时反馈闭锁状态。此外,多通道RGB LED驱动的MCU内核除用于外部LED混色算法和校准外,还支持LED灯珠的温度补偿功能和短路,断路和阈值电压监测等全功能诊断。

  他表示:“纳芯微采用开放的ASSP合作模式,希望结合应用与Tier1伙伴共同定义芯片规格,为客户的产品带来差异化竞争优势。”

  未来展望与战略布局

  随着汽车电气化进程加速,48V系统正迎来快速发展期。伴随电气架构升级,高压系统将催生更多创新应用场景,这对芯片性能提出了更高要求。纳芯微敏锐把握这一趋势,已率先布局高压平台解决方案,涵盖前照灯、电气系统隔离驱动等关键品类,以满足日益增长的48V车型技术需求。

  高峰表示,在智能化交互领域,AI技术正重塑汽车照明体验。通过将光效与用户行为、语音交互深度联动,照明系统正从静态功能向动态智能转变。纳芯微正在探索新一代智能驱动芯片,以实时感知环境变化和用户习惯,实现自适应光效调节,打造更具情感化的交互体验。

  纳芯微目前可以提供丰富的车规级解决方案,不仅聚焦于智能座舱和外饰需求,还为智能网联/驾驶、车身控制、照明、底盘安全驱动、燃油/混动车动力总成和逆变器动力总成以及三电和热管理领域提供全面的解决方案。2024年汽车电子出货量3.63亿颗;截止2024年,累计汽车电子出货量6.68亿颗,这一里程碑印证了其在国产汽车模拟芯片领域的领先地位。

  纳芯微将坚持“芯片+生态”的发展战略:一方面深化从驱动IC到全场景照明解决方案的产品布局;另一方面通过技术创新和国产化替代,助力客户实现智能化、轻量化以及差异化的照明产品和交互体验。“我们的目标是成为汽车照明全栈解决方案领导者,推动中国汽车电子产业整体升级。”他分享道。

  在智能化浪潮下,纳芯微将与产业链伙伴共建创新生态,为全球汽车产业转型贡献中国芯片解决方案。我们相信,通过芯片技术的持续突破,将助力车企打造更安全、更智能、更具情感化的未来出行新体验。


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
国内首颗:纳芯微推出面向线控转向与制动的车规级三相浮动栅极驱动器NSD366x-Q1系列
  纳芯微近日推出车规级三相浮动栅极驱动NSD366x-Q1系列,包括NSD3661-Q1与NSD3662-Q1两款产品。该系列集成三路浮动栅极驱动,面向N沟道MOSFET,支持4.5V至50V宽范围输入电压与0%至100%占空比驱动,内置带扩频调制的两级电荷泵,适用于电动助力转向(EPS)、线控制动系统的相关断(相位隔离)应用,也可用于三相固态继电器、三相高低边MOSFET驱动等场景。  NSD366x-Q1系列通过AEC-Q100 Grade 1认证,采用小尺寸HTSSOP16封装,仅需极少的外围器件,即可帮助底盘线控系统实现快速、可靠的固态安全关断。  可控相关断,守护底盘线控安全  随着汽车智能化的不断演进,底盘执行系统正加速向电控化、线控化发展。线控转向(SBW)与线控制动是这一趋势下的重要技术方向,也是实现高阶自动驾驶的关键技术基础。GB 17675-2025《汽车转向系 基本要求》已于2026年7月1日起正式实施,明确允许全动力转向;GB 44721-2026《智能网联汽车 自动驾驶系统安全要求》也已发布,拟于2027年7月1日实施。在更严苛的功能安全要求下,EPS/SBW系统需要在发生故障时快速、可靠地切断助力电机的转矩输出,防止非预期的转矩叠加。相比传统机械触点方案,基于MOSFET的相关断方案响应更快、寿命更长、体积更小,正成为线控底盘安全冗余设计的重要选择。  相关断控制器正是实现这一安全功能的专用执行单元,它通常布置在三相逆变桥与电机之间,由三个N沟道MOSFET(每相一个)及其栅极驱动电路构成独立的切断路径:在正常工作时,三相MOSFET完全导通,助力电流经其流通;当系统诊断出主控失效、传感器故障、通信中断等故障时,相关断控制器可在微秒级时间内关断三相MOSFET,从物理上切断助力电机的供电路径——使主驱动路径完全失效,有效避免非预期转矩输出。由于该路径独立于主控回路工作、不依赖任何单一部件的正常运转,因此成为冗余架构中实现更高功能安全等级的关键构件。  这一应用场景对核心器件提出了苛刻要求:在冷启动电压跌落及负载瞬态变化等情况下,栅极驱动电压须始终保持充足、稳定,以保证低内阻MOSFET可靠导通、降低导通损耗;关断指令须在微秒级完成执行,欠压等异常状态也须主动关断响应;每颗MOSFET的导通状态需可诊断,以防止隐性失效;同时,系统对待机功耗要求严苛,并须保证掉电状态下MOSFET不会误导通。NSD366x-Q1系列正是针对这些应用需求而设计。  纳芯微NSD366x-Q1系列单芯片集成三路浮动栅极驱动,内置电荷泵,可产生高于电源电压的稳定栅极驱动电压,直接驱动N沟道关断MOSFET,无需为每相单独配置驱动电路,即可实现三相MOSFET的独立驱动,显著简化相关断电路的结构与布局,助力系统以更低成本满足功能安全要求。EPS/SBW相关断应用框图  封装与选型  纳芯微车规级三相浮动栅极驱动器NSD366x-Q1系列现已全面量产,该系列产品采用5.0mm×4.4mm的带散热焊盘的HTSSOP16封装,全系产品通过AEC-Q100 Grade 1认证。NSD3661-Q1支持4.5V至50V宽压输入,可实现全工况下的稳定驱动。面向功能安全应用,NSD366x-Q1系列内置多层次监测与保护机制。NSD366x-Q1系列选型表  完善的底盘产品矩阵,助力线控底盘全面升级  围绕转向、制动、悬架等线控底盘核心域,纳芯微已构建覆盖栅极驱动、电机驱动与预驱、电流与磁传感传感器、CAN接口、数字隔离、电源管理的产品矩阵,从感知、控制到执行,为线控底盘提供完整的系统级解决方案。纳芯微将持续深耕汽车底盘电控领域,以高可靠的车规产品与系统级支持,助力智能底盘加速落地。纳芯微SBW线控转向系统解决方案  纳芯微MotivDrive®:面向汽车、工业和智能终端市场的高可靠电机驱动方案  MotivDrive®是纳芯微倾力打造的电机驱动产品家族,以高集成、安全可靠、品类丰富为核心优势,产品覆盖直流有刷电机、步进电机、直流无刷电机的集驱和预驱(NSD7系列、NSD8系列、NSD3系列),继电器、电磁阀与螺线管的低边驱动(NSD56系列、NSD1x4系列)等多种品类。  MotivDrive®电机驱动产品支持高精度电流采样,并集成过流、过温、欠压保护及堵转、负载开路检测等全面的保护与诊断功能,帮助客户减少外围器件,实现小型化与高可靠性的系统设计。
2026-11-05 10:34 阅读量:259
把外部逻辑
  纳芯微近日推出NSSine™系列实时控制MCU/DSP新成员——NS800RT503xC与NS800RT5049C系列。新品在已量产的NSSine™实时控制平台基础上,新增4个可配置逻辑块(CLB)。工程师可通过软件在芯片内搭建自定义硬件逻辑,将原本依赖外部逻辑器件的功能集成到主控芯片中,从而简化系统设计,降低BOM成本与PCB面积,并获得更确定、更低延迟的控制响应。  实时控制之外,工程师还需要处理“逻辑”难题  在电机驱动、数字电源、储能变流器等应用中,工程师除运行控制算法外,还需处理编码器位置解码、PWM保护逻辑组合、自定义串行协议等“小逻辑”。主控芯片中没有现成模块承接这类功能,传统做法是外挂CPLD或FPGA等逻辑器件。这不仅增加BOM成本与PCB面积,芯片间的信号传输还会带来额外的延迟与可靠性风险。  针对这一需求,NS800RT503xC/5049C系列在已量产的NSSine™实时控制平台基础上,新增4个可配置逻辑块(CLB)。    新增4个可配置逻辑块(CLB):  把外部逻辑“装”进芯片  NS800RT503xC/5049C型号中的“C”即代表带CLB的产品。这4个可配置逻辑块在延续NSSine™平台高性能内核与丰富外设的基础上,将可编程硬件逻辑能力引入主控芯片。  CLB是一组可通过软件进行互连逻辑设计的模块,用于实现自定义数字逻辑功能或增强现有片上外设,能够通过交叉开关与ePWM、eCAP、eQEP等控制外设互联,也可连接外部GPIO引脚。  借助CLB,工程师可在芯片内实现在电机控制应用中的高精度位置编码器协议解码(BISS-C,ENDAT2.2,T-Format,SSI等主流编码器协议),实时脉冲序列输出(正交编码器信号分频输出,绝对值位置信号转QEI信号输出),复杂故障组合逻辑的PWM保护功能和用来扩展PWM输出通道,也可以处理数字电源应用中的LLC谐振变换的同步整流控制和三电平逆变器的延迟保护等功能,无需再增加外部类似CPLD或FPGA的逻辑器件。  上述功能处理完全由片内CLB硬件并行完成、不占用CPU资源,带来更确定、更低延迟的响应;同时减少板级互联,有助于提升系统可靠性。纳芯微同步提供图形化的CLB配置工具(NOVOCLBConfig)与示例应用,降低工程师的开发与迁移门槛。  两个子系列,选型梯度更灵活  在平台选择上,本次发布的C系列提供更灵活的梯度:  NS800RT503xC系列:涵盖NS800RT5039C(512KB Flash)与NS800RT5037C(256KB Flash),提供LQFP48至HLQFP128多种封装(最多67个GPIO),并支持QSPI(XIP)片外存储扩展,适合对封装尺寸、成本梯度有不同要求的电机控制与工业应用;  NS800RT5049C系列:提供512KB Flash与100/64引脚封装选项,面向对控制性能与集成度要求更高的数字电源、伺服与汽车应用。  成熟NSSine™平台,既有方案平滑迁移  NS800RT503xC/5049C系列基于Arm® Cortex®-M7内核,最高工作频率240MHz,支持双精度浮点运算单元(FPU)与DSP指令集,片上集成eMATH数学加速核与mMATH数字处理单元,可为电机FOC、数字电源环路等复杂控制算法提供充足算力;存储最高512KB Flash与256KB SRAM,可满足大程序与高速数据缓冲的需求。  模拟与控制外设方面,产品集成高速ADC、高分辨率PWM(HRPWM)、Σ-Δ调制器滤波器(SDFM)等模拟与控制资源完整保留,覆盖从信号采样到功率控制的全链路,可充分发挥SiC、GaN等宽禁带功率器件的性能优势。  产品满足AEC-Q100 Grade 1车规可靠性标准,功能安全符合ISO 26262 ASIL-B与IEC 61508 SIL2,并提供车规级与工规级产品选项。  此外,开发工具支持Keil、IAR、NovoStudio等主流环境——无论是光伏储能、工业自动化、数字电源还是新能源汽车三电应用,客户基于既有NSSine™项目的开发经验均可平滑迁移。
2026-10-30 10:50 阅读量:369
纳芯微推出Mini SBC NCA1169V-Q1系列,助力汽车电子控制单元高集成度升级
  纳芯微近日推出集成CAN收发器、LDO稳压器的Mini SBC产品NCA1169V-Q1系列。该系列产品满足ISO 11898-2:2024 标准要求,为汽车电子控制单元提供集成化的电源管理与CAN FD通信支持,可应用于汽车车身控制、智能座舱、车载照明、底盘转向及安全传感器等多种应用场景。凭借高集成度与低功耗设计,NCA1169V-Q1系列有助于简化外围电路设计,兼顾汽车电子系统对成本及可靠性的综合需求。  集成双路LDO  搭配看门狗保障系统稳定运行  NCA1169V-Q1集成两路内部LDO稳压器,提供强大的带载能力,支持灵活的负载配置。其中,主LDO(V1)提供350mA的电流驱动能力,辅LDO(V2)提供100mA的电流驱动能力。同时,NCA1169V-Q1内置看门狗功能,支持窗口模式、超时模式和自主模式三种工作模式,可根据不同系统运行状态与应用场景灵活配置,为MCU运行状态监控及系统异常管理提供支持,进一步提升系统运行的可靠性。  凭借双路LDO稳压器的集成设计,NCA1169V-Q1系列能够有效简化系统架构,减少外围器件需求,助力汽车电子控制单元实现更紧凑的设计,为整车电子系统的小型化与集成化发展提供支持。    图-1:NCA1169V-Q1功能框图  集成CAN FD满足最新标准,自研振铃抑制电路助力高速稳定通信  NCA1169V-Q1集成的CAN FD满足ISO 11898-2:2024 标准要求,CAN FD通信速率达5Mbps,在特定应用条件下最高可达8Mbps,充分满足汽车电子系统对高速数据传输的需求。  在CAN总线信号传输过程中,阻抗不匹配等因素可能会引发信号反射,形成振铃现象,影响信号完整性,并对高速通信的稳定性带来挑战。NCA1169V-Q1集成纳芯微自研振铃抑制电路,有效抑制总线信号振荡,改善信号质量,提升高速数据传输的稳定性,为汽车电子系统实现高速、可靠的CAN通信提供支持。  低功耗待机与多种唤醒机制,兼顾能耗与响应需求  NCA1169V-Q1具有极低功耗设计,在睡眠模式下电流仅34.3μA,待机模式下电流仅49.6μA,有效降低车辆非活跃状态下的静态能耗,为整车低功耗管理提供有力支持。  此外,NCA1169V-Q1支持标准唤醒、WAKE引脚本地唤醒及选择性唤醒等多种唤醒机制,并具备唤醒源识别功能,可根据系统需求灵活配置唤醒策略,在降低功耗的同时实现快速响应,助力汽车电子系统兼顾低功耗运行与高效响应的需求。  多重保护机制,提升汽车电子系统运行可靠性  面对复杂多变的汽车电子应用环境,NCA1169V-Q1集成多种保护功能,为芯片及外围电路提供多层次的安全保障。在总线故障保护方面,器件可承受最高±58V的电压,有效应对总线短路及异常电压冲击;在热保护方面,支持过热预警与关断机制,可在芯片温度过高时及时采取保护措施,防止器件损坏;在ESD防护方面,CDM静电放电耐受能力达±2000V,并针对CAN引脚提供相应的ESD防护,增强器件在装配及使用过程中的静电耐受能力。  封装与选型  NCA1169V-Q1系列产品采用DFN20封装,满足AEC-Q100汽车级要求,与市场主流器件P2P兼容。收发器的I/O电平可根据需要调整为微控制器的I/O电平,包括1.8V、3.3V和5V,灵活适配各类微控制器。NCA1169V-Q1系列现已支持送样,预计今年年底量产。  平台化接口IP,快速响应定制开发需求  纳芯微在通信接口领域布局已久,通过平台化IP和自研专利的协同,实现了快速的产品迭代,并且在CAN/LIN/RS485/I2C/I3C/SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面,纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破,达到业内领先的水平。  在技术迭代的同时,纳芯微全面落地全国产供应链体系,打通晶圆制造、封装测试、核心物料配套的全链路国产化。目前,纳芯微车载CAN/LIN/SerDes等汽车通信接口芯片,均已实现全国产供应链落地,精准匹配新能源汽车等领域的国产化替代需求。高度自主可控的本土供应链,不仅大幅提升了产品交付稳定性与成本可控性,还能快速响应客户定制开发与批量供货需求,为终端客户提供安全可靠、高适配的国产化接口芯片解决方案。
2026-10-29 17:04 阅读量:312
大电流、高集成、小尺寸,纳芯微发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动
  随着汽车车身、底盘、发动机和智能终端中的电机及电磁阀功能不断丰富,系统对大电流驱动的需求日益增长,这对H桥直流有刷电机驱动提出了新的挑战:传统 “预驱+外置MOS” 的分立方案不仅器件多、PCB占用面积大,而且在狭小空间内实现大电流驱动时容易出现各类问题,系统调试复杂、故障定位困难,制约了整机模块的小型化与可靠性提升。  NSD7308系列具备40V耐压、12A峰值输出电流,内部MOS导通电阻低至84mΩ (HS+LS),输出压摆率(Slew Rate)和输出电流阈值(Itrip)均可配置,并内置电流采样,提供全面的诊断与保护功能,包括开路/短路诊断、过流、过温、欠压和过压保护。该系列提供硬件输入和SPI输入两种版本,无论是大电流带载能力、紧凑的尺寸,还是完备故障诊断能力,均表现出色,可帮助客户简化硬件设计、提升可靠性并降低BOM成本。  NSD7308系列提供车规和工规两种版本,车规版本满足AEC‑Q100 Grade 1标准,可广泛适用于车身电子中的有刷电机、发动机ECU阀门、空气悬架CDC等应用场景。工规版本适用于智能电器、电动工具、自动升降桌、清洗机器人等多元化智能终端设备。  大电流驱动,具备强大带载能力  NSD7308上下管总导通电阻仅为84mΩ,峰值输出电流可达12A,可替代传统“预驱+外置MOS”的分立方案,直接驱动中大功率的有刷电机及电磁阀等负载。  实际对比测试表明,相较于国产同类产品,NSD7308在常温及85℃环温下均具备更优的温升表现,在高温环境下拥有更强的PWM带载能力;同时,无论直流还是PWM工况下,NSD7308的OCP触发电流阈值显著更高,展现出更强的冲击电流承载能力,为复杂负载工况下的稳定运行提供有力保障。  1. 常温下直流带载温升测试:Ta=25℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/1, VM=13.5V),带载后待IC温度稳定30分钟以上,使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示,温升明显优于国产友商的同类产品。  图1 常温下直流带载5.5A的芯片温升对比  2. 85°C环温下直流带载温升测试:Ta=85℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/0, VM=13.5V),带载后待IC温度稳定30分钟以上,使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示,温升优于国产友商的同类产品。  图2 85°C环温下直流带载4A的芯片温升对比  3. 85°C环温下最大PWM带载能力测试:Ta=85℃, PWM mode (10kHz PWM, 负载1ohm+1mH, VM=13.5V),如下图示,最大PWM带载电流能力优于国产友商的同类产品。  图3 85°C环温下最大PWM带载电流对比  4. 不触发OCP的最大冲击电流测试:Ta=25℃ (15kHz PWM, 负载 2mH+1Ω, VM=25V),如下图所示,不论是DC负载还是PWM带载,OCP过流阈值都大幅高于国产友商的同类产品。  图4 不触发OCP的最大DC冲击电流对比  (图中:紫色为IPROPI电压,绿色为负载电流,蓝色为OUT1电压,黄色为OUT2电压)  图5 不触发OCP的最大PWM冲击电流对比  (图中:紫色为IPROPI电压,绿色为负载电流,蓝色为OUT1电压,黄色为OUT2电压)  内部集成电流采样和电流调节功能,  减少系统面积和成本  NSD7308集成电流采样功能,无需外部采样电阻和电流运放即可实现电流检测。结合VQFN14倒装封装技术,NSD7308可实现3mm*4.5mm的超小封装尺寸,特别适用于紧凑空间。  NSD7308可通过IPROPI管脚,按比例输出内部MOS管的正向导通电流(即从Drain到Source的电流)。在H-Bridge模式下,IPROPI输出对应两个下管MOS电流之和的比例信号,即(ILS1+ILS2)/AIPROPI;在半桥(Half-Bridge)模式下,IPROPI输出对应两个上管MOS电流之和的比例信号,即(IHS1+IHS2)/AIPROPI。  此外,NSD7308还集成了电流调节功能,且电流调节阈值Itrip可配置。当负载电流超过设定的Itrip阈值时,芯片会自动执行电流调节功能,抑制电机启动或堵转等工况下的过大电流,降低芯片过热风险;同时,该功能也可用于负载电流及扭矩的精确控制。  支持多工况负载状态诊断,精准定位故障  NSD7308支持输出端负载状态诊断,可在电机启动前或运行过程中及时发现异常,提升系统可靠性。芯片支持两种检测模式:待机模式下的负载检测(OLP)和工作模式下的负载开路检测(OLA)。  待机模式下的负载检测(OLP)  芯片通过配置输入引脚状态,依次使能内部上拉和下拉电阻,测量OUTx端电压,并与内部比较器的电压阈值进行比较,从而检测诊断以下异常:  输出端对电源VM或者地GND短路(阻值<100Ω)  全桥负载或半桥低边负载开路(阻值>2kΩ)  半桥高边负载开路(阻值>10kΩ)  工作模式下的负载开路检测(OLA)  支持高边续流和低边续流两种工况,可根据不同的驱动模式和负载连接方式进行实时开路检测:  全桥模式(Full-Bridge): 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降,并与内部VOLA电压阈值进行比较,实现实时开路检测。  半桥模式(Half-Bridge),驱动对地负载: 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降,并与内部VOLA电压阈值进行比较,实现实时开路检测。  半桥模式(Half-Bridge),驱动对电源负载: 芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降,并与内部VOLA电压阈值进行比较,实现实时开路检测。  封装与选型  纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7308系列现已全面量产,具备更小内阻、更大驱动电流的NSD7305系列也即将送样,产品兼具高集成度、小尺寸与高可靠性,可在有限空间内实现更大负载的驱动。
2026-10-22 10:26 阅读量:289
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码