士兰微新一代家用分体空调核心外机驱动系统

Release time：2024-12-05
author：AMEYA360
source：士兰微
reading：1205

　　自2014年开始，士兰组建国内外多元专家团队，从0到1自主设计开发了一整套变频及电源控制系统算法与软件框架，并提供各类使用手册与开发文档，面向对象的积木式软件架构设计为平台移植与全新组合方案的开发带来极大便利。

士兰微新一代家用分体空调核心外机驱动系统

　　核心算法包含完整的直流变频FOC控制算法，其中包含单电阻无传感控制，弱磁控制，死区补偿，过调制控制，高频注入等通用变频技术;算法还包括各类电源控制PFC算法，如载波高频化，交错式控制，矢量维也纳控制等，可适用于不同功率段，不同电源输入的需求。

　　除此之外，我们还将前沿人工智能神经网络算法应用到压缩机自适应转矩补偿等领域。并将压缩机控制、风机控制及PFC控制通过系统级控制优化算法有机结合，以实现最佳的整体工作状态。

　　02 Turnkey方案能力

　　除算法外，我们还为客户提供快速便捷的一站式Turnkey方案。服务主要包括：软硬件设计服务;各类可视化调试及生产工具支持;软硬件测试报告等。针对新设计的硬件平台，我们配套贴身的底层软件配置及调试服务，最快支持1天完成一套新硬件调试，2天完成一套新组合方案调试。

　　主控代码开发移植指导手册能够帮助客户快速且便捷地在我们提供驱动工程上开发或移植自有的主控层代码;自动化参数辨识软件能协助客户5分钟更换新电机;实时信号观测软件，能协助客户解决各类调试问题;自研的调试及烧录工具为客户提供专业可靠的生产及量产服务。

　　我们自研的完整的自动化软件测试体系，能从测试测量、波形抓取、测试判断，到报告输出，全部实现自动化软件控制，24小时工作时间可超过熟练工程人员一周测试工作量。

士兰微新一代家用分体空调核心外机驱动系统

　　报告覆盖电网异常、外部干扰、环境应力等多维度测试项目，并具备24小时测试监控，能通过大量的蒙特卡洛随机测试协助发现深层次问题，找到应用边界。

　　依托士兰IDM模式优势，我们将在一般家用空调驱动，商空多电机驱动，车载空调驱动，三相维也纳PFC等多个领域中为客户提供专业服务，与客户协同创新，合作共赢。

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士兰微电子荣获“国产半导体领军品牌”
行业新闻

士兰微电子荣获“国产半导体领军品牌”

　　12月10日，以“智能破界，万物共生”为主题的2025物联网产业大会暨第22届慧聪品牌盛会在深圳隆重举行。士兰微电子凭借在半导体领域的技术实力与市场影响力，成功荣获 “国产半导体领军品牌” 。　　本次大会聚焦物联网技术与产业融合，汇聚行业专家、企业代表与生态伙伴，共同探讨智能化时代的创新路径与发展机遇。士兰微电子在评选中脱颖而出，体现了行业与市场对公司技术积累、产品竞争力及品牌价值的高度认可。作为国内集成电路设计与制造一体(IDM)的龙头企业，士兰微电子长期致力于集成电路、功率器件、化合物半导体等领域的研发与制造，产品广泛应用于物联网、安防、汽车、新能源、工业控制、算力服务器、消费电子等多个关键领域。公司持续推动技术创新与产业协同，为下游客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案，助力万物互联的智能化转型。　　此次获奖，不仅是一份荣誉，更是一份责任。未来，士兰微电子将继续坚持自主创新，深化产业布局，携手合作伙伴共同推动国产半导体产业的蓬勃发展，为构建智能、融合、共生的物联网生态贡献更多力量。
2025-12-19 11:07 reading：288
士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块
行业新闻

士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块

　　新品　　士兰微电子推出新一代组串电站逆变模块解决方案，采用与国际TOP友商最先进芯片技术对标的FS5+ IGBT芯片技术，最大化光伏电能转换效率;搭配士兰自主开发的D6封装，全面支持2000V系统应用需求。　　产品型号　　SGM600TL14D6TFD　　产品拓扑　　产品特点　　采用FS5+ 1400V IGBT 技术，损耗低，效率高，降低系统成本　　长时持续运行工况Tjop 175℃　　集成1400V SiC SBD　　1.1倍标称BV下限管控，适配于工业新能源应用　　5000m海拔下，安规满足2kV系统电压要求，封装可兼容PV输入1500V系统和PV输入2000V系统　　采用最优的封装技术及材料，满足长时175℃高可靠性要求　　高功率密度，高效率，模块支持输出功率高　　有一体焊接针和压接针两种方案可选，满足不同客户的安装要求　　应用领域　　光伏　　储能　　开发背景　　光伏电站的BOS成本逐年下降，为降低光伏电站的BOS成本，行业主要围绕两大技术路径持续优化：一是提升逆变器单机功率，以减少设备数量、节约安装空间;二是增加组件串联数量，以提升直流侧电压、节省线缆并减少逆变器用量。在此趋势下，士兰微电子自主开发了新一代功率模块，具备高功率密度、低运行损耗和高可靠性等优势，可有效支持高电压、大功率逆变器的技术进阶，助力光伏产业持续降低BOS成本，推动行业向更高效、更经济的方向发展。
2025-12-19 11:02 reading：297
士兰微12英寸芯片生产线项目迎来最新进展
行业新闻

士兰微12英寸芯片生产线项目迎来最新进展

　　12月17日，士兰微(600460.SH)发布公告称，公司与厦门方面合作的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目已获厦门市备案，标志着该项目正式进入落地实施阶段。　　该项目一期投资100亿元，其中资本金60.10亿元，项目由合资公司厦门士兰集华微电子有限公司实施，目标建成月产能2万片。　　对外投资概述　　杭州士兰微电子股份有限公司于2025年10月18日与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时，为落实前述《战略合作协议》，公司、公司全资子公司厦门士兰微电子有限公司与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　根据《战略合作协议》和《投资合作协议》，各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集华微电子有限公司(以下简称“士兰集华”)”，作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体，建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线，产品定位为高端模拟集成电路芯片。一期项目投资100亿元，其中资本金60.10亿元，建成后形成月产能2万片。　　此前10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与士兰微电子股份有限公司正式签署战略合作协议，决定在海沧投资建设一条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线，项目规划总投资达200亿元。　　根据士兰微的公告，该项目由公司联合全资子公司厦门士兰微，与厦门半导体投资集团、厦门新翼科技实业共同向子公司士兰集华增资51亿元，作为项目实施主体。项目计划分两期建设，一期投资100亿元，主要用于建设主体厂房、配套库房等设施，计划于2025年年底前开工建设，2027年四季度初步通线并投产，2030年达产，届时将形成月产能2万片的规模。二期项目规划投资100亿元，在一期基础上通过购置工艺设备及配套实施，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片，对应年产量54万片。　　据悉，这条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线将对标国际领先水平，采用半导体设计与制造一体化(IDM)模式运营，拥有完全自主知识产权。其产品主要面向汽车电子、工业控制、新能源、通信等高端应用领域，有望填补国内汽车、工业、大型服务器、机器人、通讯等产业领域关键芯片的空白。
2025-12-18 14:44 reading：300
士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级
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士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级

　　2025年11月，杭州士兰微电子正式加入开放计算标准工作委员会。开放计算标准工作委员会(Open Compute Technology Committee)，简称OCTC，是中国电子工业标准化技术协会所属分支机构，主要成员来自数据中心上下游产业单位，旨在联合最终用户、系统厂商、核心组件供应商、科研院校，建立适用于新型数据中心的先进技术标准，完善产业链生态，推进产业健康、快速发展，满足国家对于数据中心绿色、集约、高效发展的要求。　　开放共建，协同创新，共筑芯未来　　杭州士兰微电子股份有限公司是国内最具规模、产品门类齐全的半导体IDM企业之一，已构建完整的IDM经营模式，覆盖从芯片设计、制造到封装的全产业链环节。公司拥有5吋、6吋、8吋和12吋的多条硅芯片生产线，以及6吋和8吋SiC功率器件芯片生产线。　　依托在功率半导体领域的深厚积累，士兰微电子为人工智能数据中心电源系统提供了“功率器件 + 电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、Multiphase Controller IC、DrMOS、eFuse、POL等产品系列，全面支持AI服务器电源系统中SST、HVDC、PSU、IBC、Hotswap、BBU、VRM等应用，持续赋能算力基础设施发展。　　士兰微电子人工智能数据中心电源系统产品方案(Powering AIDC)　　展望未来，随着人工智能(AI)技术快速发展，数据中心作为数字经济重要基础设施，对能源消耗需求日益增加。应对AI数据中心的碳排放挑战，士兰微电子通过功率半导体技术和产品创新，助力提升数据中心“从电网到核心”全链路能源转换效率，为实现数据中心绿色、高效、可持续发展贡献“芯”力量。
2025-12-10 17:20 reading：340
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