茂睿芯荣获产学研合作突出贡献奖!

发布时间:2024-01-19 09:19
作者:AMEYA360
来源:茂睿芯
阅读量:2170

  2024年1月11日下午,南方科技大学深港微电子学院建院5周年庆典大会隆重举行。茂睿芯作为学院合作单位受邀出席了本次庆典活动,并荣获深港微电子学院颁发的产学研合作突出贡献奖,我司易俊博士作为企业代表上台领取了奖牌。

茂睿芯荣获产学研合作突出贡献奖!

  南方科技大学深港微电子学院成立于2019年,为国家示范性微电子学院,主要聚焦集成电路设计方法学、集成电路设计、集成电路制造与工艺、微纳系统与集成四大研究方向,围绕半导体产业链,加强核心技术研发与人才培养,对包括深圳、香港、澳门在内的整个粤港澳大湾区,乃至全国的集成电路产业的发展起到良好的支撑作用。

  茂睿芯与深港微电子学院于2022年5月合作共建“先进绿色能源管理芯片联合实验室”进一步加强了校企合作关系,双方以联合实验室为平台发挥各自优势,共同推进高效能、高集成度电源管理IC芯片领域的技术升级和发展,探索、研究高能效、高集成度电源管理IC芯片的应用场景以及产品实现。联合实验室建立后,双方将科研成果与现实发展紧密结合,已开展多个具有行业针对性和精准性的项目,加强成果转化。

  从合作走向深度合作再到成果转化,双方都致力于将联合实验室建成集科研平台建设、产业技术研发、人才培养、应用示范、成果转化等于一体的创新平台。此次能获得学院颁发的“产学研合作突出贡献奖”,既是对过往双方砥砺前行的重视,也是对未来继续携手共进、再创佳绩的期望!“岂曰无衣,与子同袍。”茂睿芯真诚祝愿南方科技大学深港微电子学院建院五周年快乐,鹏程万里!

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  近日,茂睿芯两款创新产品分别获得汽车与消费电子领域两大行业奖项,10月30日,茂睿芯智能熔断高侧开关控制器MSF1848-Q1获盖世汽车“金辑奖“——“最具成长价值奖”,11月7日茂睿芯直驱SiC专用PWM控制器MK2606S又获充电头网“金充奖”——“技术创新奖”。  MSF1848-Q1助力整车智能化升级与供应链安全自主  MSF1848-Q1不仅集成传统“保险丝+继电器”方案功能,还具备更快的保护速度和更高的精度,支持可编程熔断曲线和智能化诊断功能,全面覆盖12V、24V及48V电池系统应用。  MSF1848-Q1拥有ASIL-B等级的功能安全认证、100V高耐压设计、趋势可调的I²t熔断曲线功能、集成先进的PWM精准限流软启动机制四大核心优势特征,每一个技术创新点都致力于应对当前12V传统架构迈向48V新系统的行业技术变化,为客户提供完整的“交钥匙”工程,为48V系统提供国产芯片解决方案,助力客户实现整车智能化升级与供应链自主可控。  强链补链,共建智能配电新生态!茂睿芯携48V国产方案亮相长安汽车交流会  MK2606S 助力工业消费节能降耗与高效集成技术自主  MK2606S是一款面向工业及消费电子领域的直驱SiC专用PWM控制器,是国内首款小6 pin 直驱SiC MOSFET 的 flyback AC/DC产品,其应用场景涵盖AC/DC适配器、工业辅源、储能系统辅助电源、组串逆变器辅源以及汽车直流充电桩辅源等。  MK2606S可以直驱SiC,省去SiC驱动器和专用的供电电路,MK2606S采用QR控制模式,可以降低开关损耗,并且采样自适应开关频率,能有效地解决工业辅源现阶段的固定开关频率而导致各负载段效率难以优化的痛点。它的外围简洁以及小体积优势,也可以应用于追求小型化、高集成、高效率和低成本的适配器和PD快充领域。  砥砺前行,践行产业使命  纵观当前半导体行业发展与市场变化,模拟芯片领域正迎来重大转变,双奖的认可,既是荣誉,更是责任。茂睿芯始终以技术创新为根基,通过MSF1848-Q1与MK2606S这两款高集成产品,分别在整车架构升级与能源转换效率的电子零器件领域实现技术创新自主。未来,茂睿芯将继续深耕高性能模拟芯片领域,坚持自主创新,致力于为汽车、工业与消费电子产业链提供更可靠、更高效、更集成的“中国芯”!
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茂睿芯推出国内首款直驱SiC MOSFET flyback AC/DC产品MK2606S
  一、前言  碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体,SiC MOSFET因其高耐压、高频开关、耐高温、低通态电阻、低开关损耗和内阻随温度漂移小等特点,已广泛应用于高频、高压功率系统,如新能源汽车与充电桩、光伏与储能、航天、航空、通信等领域。目前,碳化硅(SiC)已经得到大批量验证,其可靠性远优于传统硅(Si)器件。      在传统工业级电源中,面对高母线电压下功率器件耐压不足的问题往往需要双管反激拓扑来解决,从而导致成本升高。市面上的方案通常为固定频率、无谷底导通,随着母线电压越高开关损耗越大,即使使用了SiC方案,通常也需要额外的SiC专用驱动芯片,还需要考虑上电时序等诸多问题,难以在小体积系统中集成。      在消费领域中,随着碳化硅产能的扩张和良率提升,成本正在快速下降,SiC功率器件也已经逐步渗透到消费级产品中,尤其是PD快充一直追求小体积、高集成度、高效率和低成本的应用场景。      随着第三代半导体发展,国内已有直驱GaN方案,但面向消费级市场直驱SiC的专用PWM控制器,国内仍处于空白,针对上述这些问题,茂睿芯推出了国内首款小6 pin直驱SiC MOSFET的flyback AC/DC产品-MK2606S。  二、MK2606S引脚图  三、MK2606S典型应用场景  四、MK2606S关键产品特征  支持16~30V宽VCC供电  驱动电压16V,可以直驱SiC MOSFET  支持135kHz开关频率  专有的软起机方案,在开机时可以降低次级同步整流尖峰  抖频功能,优化系统EMI  恒功率、Line OVP功能可开放  SOT23-6封装  MK2606S一图了解  五、MK2606S直驱SiC方案在工业辅源上的优势  1、工业辅源现阶段应用痛点  由于母线电压高,1200V耐压的Si MOSFET难以选择,且价格高,通常需采用双管反激配800V Si MOSFET,方案略复杂;  现有工业辅源方案通常为固定开关频率,各负载段效率难以优化;  目前搭配的为诸如Nxx1351, Uxx28x45, Uxx2844, 都没有QR模式,开通损耗大,尤其母线电压越高时,开通损耗越大;  为SiC辅源优化的PWM少;  即使采用SiC MOSFET,仍需要额外加SiC驱动器和供电电路,还需要考虑上电时序等诸多问题;  2、MK2606S 应用优势  MK2606S可以直驱SiC,省去驱动器和供电电路,其SiC耐压做得更高,选型更容易,同时采用QR模式,降低了开关损耗等等。  六、MK2606S直驱SiC方案在适配器上的优势  1、MK2606S直驱SiC方案大内阻可替小内阻Si方案  众所周知,碳化硅(SiC)的内阻随温度变化小,由下图可见,对比常温25℃和高温100℃的SiC和Si内阻曲线,Si的Rdson上涨了1.6倍,而SiC Rdson无明显上涨。  注:通过采用48W 12V/4A适配器评估,工作频率均为135kHz,功率管封装均为TO252,且在同一块PCB上进行对比。  上表可见,在输入90Vac满载12V/4A老化30min,虽采用了MK2606S+大内阻的SiC方案,但效率比小内阻的Si方案仍要优秀,高出0.1%。  2、MK2606S 直驱SiC方案比Si方案温度更低  工作频率均为135kHz,功率管封装均为TO252,且在同一块PCB上进行对比。  实验可见,在效率相差很小的前提下,MK2606S +SiC方案比传统PWM +Si方案MOS表面温度低11.8℃,这也是得益于SiC比传统Si具有更优异的导热率。  SiC的热导率尤为突出,比Si和GaN都要好,所以在效率相当的条件下,SiC的温度要低于Si,这一特性在实际的产品应用中,能大大降低散热材料带来的额外成本上升,譬如在适配器产品中甚至可以去掉散热器,进一步提高产线生产效率和降低人工组装成本。  MK2606S+大内阻SiC方案可替小内阻Si方案,且效率更高、导热更好、温度更低!  七、MK2606系列选型表  八、结语  茂睿芯作为国内一站式解决方案的集成电路厂商,始终走在行业前沿。早在氮化镓(GaN)技术兴起之初,茂睿芯便率先推出直驱式GaN控制芯片,并针对PD快充市场优化推出多功能集成芯片MK2697G,该产品至今仍是广受市场欢迎的主流方案之一。当前,随着碳化硅(SiC)技术广泛应用,茂睿芯再次把握产业趋势,推出面向工业与消费类电子领域的直驱SiC专用PWM控制器MK2606S。
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