纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

Release time:2023-10-31
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:3391

  相比光耦,数字隔离器如今越来越流行,那么你真的会选数字隔离器吗?由于数字隔离器和光耦的功能基本相同,因此很多参数和光耦类似。但还有很多不一样之处,今天我们就结合Datasheet,来讲一讲数字隔离器的选型。

  从看Datasheet到提出问题

  既然谈到选型,就离不开Datasheet。Datasheet是芯片的说明书,每个产品的说明书都是循序渐进的,从概述到详细参数再到注意事项,Datasheet亦如此,它也有着固有格式,包括产品介绍、关键参数、通过的安规认证(隔离器关系到安全问题必须要有这项)、应用领域、器件基本信息(封装、尺寸)以及产品框图。

  那么,我们也应该循序渐进地逐步确定需求并缩小选型范围。

  拿到Datasheet第一步,就是先看第一页概述,这是对产品的总结,一般包括了参数和介绍等,让我们在短时间内得以迅速了解芯片的性能指标。选型和原型验证往往是系统设计时最花时间的,因此详细阅读并了解非常有助于我们前期筛选。

  然后,从应用角度出发,清晰了解应用具体需求及演进路线,一般Datasheet中都会具体列出适合的应用,比如汽车、光伏、电机、工业自动化等等。

  通过上述介绍,我们已经基本了解产品大致情况,对于应用而言,还需要有一些更为详细的参考,这就是我们接下来要聊的,数字隔离器都要看哪些参数?

  细数藏在参数里的门道

  对于数字隔离器来说,哪些参数值得关注?为了避免纸上谈兵,我们请教了纳芯微产品线总监叶健,深耕隔离器领域多年的他,完整见证了从光耦到数字隔离器的替代过程,提供了很多知识总结。他以纳芯微的NSI82xx-Q1SWWR系列高可靠性多通道超宽体数字隔离器为例,具体解读了数字隔离器的Datasheet。

  虽然Datasheet上存在隔离电压、CMTI、封装、速度、功耗、ESD等大量参数,让人眼花缭乱,但叶健也总结了应当重点观察的参数项。叶健结合纳芯微的产品列出了以下七个主要参数,不分先后。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  首先是隔离电压。隔离产品是一个安规器件,因此一定是围绕着安全进行选型,其中最主要的就是隔离电压的能力。比如纳芯微通过基本隔离、增强隔离等多种产品,覆盖了不同耐压范围,以满足客户不同的系统需求选型。

  其二是ESD。它是隔离芯片高可靠性的重要保证,对绝大多数芯片而言,ESD都是必须的,但也分强弱,而隔离芯片由于所处高压环境中,在系统中通常是处于高低压的接口处,因此ESD同样极为重要。纳芯微实现了8kV的HBM耐压能力,属于芯片级HBM ESD中最高等级。

  第三是CMTI。它是隔离产品另外一个重要指标,用以衡量芯片的抗瞬态干扰能力,也就是芯片在系统应用中的鲁棒性表现。CMTI具体是是指短时间电压上升或下降到可以破坏驱动器输出状态的值,瞬态干扰是由开关节点上的高 DV/DT 引起的,如果CMTI能力不够,可能会导致输出错误,甚至出现电路短路,影响系统安全。纳芯微隔离器的CMTI主要为±200kV/μs,部分型号甚至可达到±250kV/μs。

  第四是封装。这里的封装不止体现在尺寸上,而是与耐压或安规爬电间距等指标相关,也会根据客户的要求或系统要求提供不同芯片选型,但最终目标一定会是在更小尺寸、更高集成度情况下,同时能够满足安规要求。比如纳芯微就提供了包括SOP、SOW、SOWW等不同封装种类,满足不同安规要求,这点之后会细说。

  五是传输速率和延迟。它是数字隔离器高性能的体现,最高可以支持数百Mbps甚至达到Gbps的传输速率。不同通信标准和接口对于数据传输率要求不同,需要仔细审阅。但叶健也强调,无论是1Mbps还是150Mbps,对成本影响并不大,也正因此纳芯微的产品并没有根据传输速率设置更多的产品类别,而是基本都是一步到位做到了150Mbps,可以满足绝大部分应用需求。另外除了传输速率,在Datasheet中也会有时序相关的各类详细参数,这也是系统设计时需要考虑的。

  六是功耗。不过叶健表示,数字隔离器相对光耦而言,功耗已经实现极大降低,因此对于功耗的诉求相对不大,但Datasheet中还是会详细列出各种状况下的功耗指标。

  七是工作温度。工作温度与应用场景强相关,比如车规产品分了Grade 0到Grade 3四个等级,对应不同的温度要求,Grade 0需要覆盖的温度范围是-40℃~150℃,工规则根据不同的应用场景对温度有不同的要求,通常最高要求是-40℃~125℃等,这些都在Datasheet中有详细说明。

  封装的学问

  叶健强调,仅对隔离器而言,封装的影响很大,主要原因是封装的大小直接影响器件的耐压能力,因此这也是需要特别注意的地方。谁都愿意将产品小型化,但更高规格的隔离电压需要更宽的封装。也正因此,纳芯微推出包括普通、宽体以及超宽体的封装,超宽体封装的优势主要体现在两个指标上,一个是15mm爬电距离,另一个是8 kVrms的隔离耐压,增强型隔离器可以提供与两个串联的基本隔离器相当的绝缘水平,这可以满足一些特殊的应用需求,比如光伏逆变器等等。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  纳芯微不同种封装方式及详细指标都在Datasheet中列出

  简而言之,更大封装将允许更高的隔离电压规格。如果您可以选择更小的封装来满足系统的监管要求,那么更小的封装当然有助于节省板空间和成本。此外,您还需要考虑通信接口需要多少个隔离通道,因为通道数越高,封装类型就越重要。

  电气间隙(Clearance)和爬电距离(Creepage)是两个不同指标,电气间隙是两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间测得的最短空间距离,爬电距离则是指沿绝缘表面测得的两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间的最短距离。

  电气间隙和爬电距离受环境污染等级、海拔、CTI等影响,尤其是光伏、风电等野外恶劣环境下持续工作场景中,海拔和污染的影响很高。如何尽可能满足电气间隙和爬电距离的要求同时还能减少整体尺寸?纳芯微产品的CTI达到了600V,可以使得系统对爬电距离的要求降到最低,从而减少系统尺寸。

  安全标准至关重要

  光是满足参数标准,并不意味着选型结束,隔离器还要关注安全认证指标,作为安全相关产品,认证往往都会放在最醒目位置,比如纳芯微Datasheet第一页中就给出了其满足的安规认证标准,包括UL1577、CQC、CSA、VDE等不同认证体系。认证标准之所以重要,是因为制造商在选择带有认证标志的产品后,就可以很容易拿到系统的安规证书,使得产品放心地在全球范围内的使用和销售。

  UL1577标准是数字隔离器的关键元件级认证要求,适用于光隔离器、磁隔离器以及电容隔离器。为通过该标准的认证,器件必须承受隔离电压Viso(由制造商规定,通常为2.5kVrms或5kVrms)达1分钟。该规范还规定隔离器需要采用120%隔离电压进行100%生产测试,持续时间为1秒钟。

  另外,数字隔离器还需要参考CQC、CSA、VDE等地区性认证标准。

  安规认证背后,是严格的测试流程。需要经过包括老化测试,耐高压测试,抽样测试,宽温测试,寿命测试等各类测试,尤其是寿命测试,甚至需要半年以上才算一次完整的测试周期。

  通过机构认证并不意味结束,在产品量产时,还需要对每颗芯片进行测试。比如,纳芯微的每颗隔离器在出厂时都通过了高压测试,并且每季度还要进行批次性抽样测试。以完整的测试流程确保了隔离器件的安全可靠。

  写在最后

  Datasheet后半部分基本就是芯片的具体引脚布局图,特性指标,细节介绍,详细实测结果,应用指南,封装尺寸图,认证指南等等,为工程师在不同阶段的系统设计提供参考。

  由于隔离器件并不属于主芯片,因此使用过程中需要特别注意的事项不多,如果是主处理器等产品,Datasheet可能会有数百页之多。但隔离牵扯到至关重要的安全,因此还是需要工程师仔细完整的阅读所有相关信息。

  从分析纳芯微的Datasheet中,我们不光了解到数字隔离器的关键参数在选型中的作用,也包括安全标准介绍等基础知识,更是明显看到纳芯微乃至国产器件的进步,这一方面来自纳芯微对于研发的不断投入,也得益于其一直凭借贴近应用、贴近市场的方法论进行产品开发。

  总而言之,想要用好一款产品或技术,首先需要的是了解他,而了解的最好方式就是阅读Datasheet。

("Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal.")

Online messageinquiry

reading
纳芯微推出NST113x数字温度传感器,以高精度测温赋能新一代微型化终端设计
  随着终端设备向小型化、高集成度方向持续演进,温度传感器不仅需要提供更高测量精度,还需在有限空间内兼顾功耗、可靠性与系统集成需求。针对可穿戴设备、医疗电子、光学模组及电源热管理等应用场景对于精准测温的需求,纳芯微正式推出NST113x系列高精度低功耗数字温度传感器。  NST113x系列产品基于CMOS工艺晶体管PN结温度效应设计,采用仅0.75mm × 0.75mm的DSBGA(4) CSP封装,在实现±0.1℃(max)常温测温精度的同时,兼具超低功耗、高可靠性以及灵活的系统兼容能力,帮助客户在空间受限的设计中实现精准测温、长续航与高系统可靠性的平衡。  高精度输出,无需二次校准  NST113x系列采用高线性度数字输出架构,出厂完成校准,无需用户二次校准即可实现精准温度检测,有助于简化生产流程、减少系统校准工作量并加快产品导入。  产品在不同温度范围内均具备优异的测温性能:  25℃~45℃范围内,测温精度可达±0.1℃(max);  0℃~70℃范围内,测温精度可达±0.25℃(max);  -40℃~125℃全温范围内,测温精度小于±0.5℃(max)。  同时,NST113x系列具备0.015625℃温度分辨率,能够捕捉细微温度变化,为温度监测、热补偿及温控算法优化提供更丰富的数据支持,并为健康监测和系统补偿算法提供更细粒度的温度数据输入。  超低功耗,兼顾续航与测温精度  NST113x支持低功耗工作模式,在1Hz工作频率下运行功耗2.9μA,Shutdown模式下功耗仅0.25μA,不仅有助于延长终端设备续航时间,还能够有效降低器件自发热对测温精度的影响。超低功耗运行可以进一步提升测量准确性,特别适用于智能手表、智能戒指、连续血糖监测仪(CGM)等需要长时间连续监测温度变化的电池供电设备。  超小封装,适配高集成度设计  NST113x采用DSBGA(4) CSP封装,尺寸仅为0.75mm × 0.75mm,可有效节省PCB布局空间,为终端集成更多传感器及功能模块释放设计空间。  凭借超小尺寸优势,NST113x能够更好地适应对空间利用率要求极高的产品设计需求,同时也适用于各类紧凑型光学模组及便携式电子设备。  高兼容性与高可靠性,简化系统开发  NST113x兼容I²C和SMBus接口协议,支持最高2.8MHz通信速率、SMBus Time-out功能。同时,器件最多支持4种从地址配置,可有效提升多器件系统的扩展能力,帮助客户简化硬件设计并降低开发复杂度。  NST113x系列支持1.5V至3.6V宽电压范围供电,并具备±5kV HBM ESD防护能力,可有效抵御静电冲击,提高终端设备长期运行可靠性。
2026-06-24 11:05 reading:194
纳芯微丨AI服务器电源中的隔离电源:分立式与集成式如何选择?
  随着服务器功耗提升和供电架构复杂化,电源系统需要在安全性、效率和可靠性方面满足更高要求。隔离电源为服务器系统在高电压、大电流和复杂电磁环境下提供隔离供电,保障系统稳定运行。  纳芯微围绕“隔离+”产品布局,构建了覆盖分立式与集成式方案的隔离电源产品组合,可适配服务器及AI服务器电源中的多类隔离供电需求,支持系统在安全性、效率和可靠性方面的设计要求。  从“隔离”到“隔离+”:覆盖系统级隔离需求  在电力电子系统中,隔离用于建立电气安全边界,降低高低压侧之间的安全风险。纳芯微提出“隔离+”概念,围绕隔离等级、产品组合和应用场景,提供系统级隔离方案。  “隔离+”安全等级  纳芯微提供覆盖功能绝缘、基本绝缘到增强绝缘的隔离等级产品。增强绝缘适用于服务器 PSU 的 PFC 级、光伏逆变器直流侧等对单点绝缘失效有严格要求的高压场景。相关增强绝缘产品配备认证证书,并具备对应绝缘等级与长期工作电压能力,从芯片层面支持设备长期安全运行。  “隔离+”产品生态  纳芯微基于自主迭代多年的电容隔离技术IP,形成了覆盖多类隔离需求的产品组合。该组合包括数字隔离器,如 NSI82xx 和 NSI83xx 系列;集成隔离与接口功能的隔离接口,如隔离 RS-485/CAN;集成隔离与采样功能的隔离采样放大器;以及用于驱动功率器件的隔离驱动芯片。隔离电源是其中的重要组成部分,用于为上述隔离器件提供隔离供电。通过不同隔离产品的组合,纳芯微可为客户提供一站式隔离解决方案,支持系统集成度、可靠性和布局紧凑性的提升。  “隔离+”应用场景  “隔离+”面向电动汽车 800V 高压平台、兆瓦级光储充系统、AI服务器电源等应用场景,支持系统在安全性、可靠性和效率方面的设计需求。在AI服务器电源中,“隔离+”需要为数十甚至上百路隔离驱动、采样与通信接口提供稳定、高效且安全的供电,支撑复杂多相架构与高动态响应需求。  隔离电源:实现系统隔离的供电基础  隔离电源为隔离器件的原边和副边电路提供独立、不共地的电源。实现隔离电源供电主要有两种技术路径:分立式与集成式,核心区别在于能量转换的关键元件——变压器是否内置于芯片。  若使用非隔离电源,高压侧的电气噪声、浪涌或故障电压可能通过电源路径耦合至低压控制侧,导致MCU损坏或系统误动作。此时,即使信号路径已实现隔离,系统层面的电气隔离仍不完整。因此,隔离供电是实现系统电气隔离的重要条件。  例如,纳芯微数字隔离器 NSI824x 可实现低压MCU侧与高压功率侧(IPM)之间的信号传输,其原边(VDD1)和副边(VDD2)均需独立供电,以保证两侧的电气隔离关系。  NSIP3266:分立式隔离电源方案  分立式隔离电源通常由隔离电源控制器 IC、外置变压器、副边整流二极管等器件组成。其优势在于配置灵活。客户可通过调整变压器匝比和规格,实现 5V 转 5V、12V、24V 等不同输出电压,而无需更换控制器 IC。同时,外置变压器可根据功率需求选择磁芯和线径,支持数瓦至数十瓦输出,部分功耗由变压器承担,对 IC 散热压力相对较小。  分立式方案也会带来一定设计成本。系统需要管理控制器 IC、变压器、整流器件,部分场景还需要 LDO,BOM 数量较多。外置变压器占用 PCB 面积,也对高功率密度设计提出要求。此外,变压器在制造、运输和装配过程中可能出现线圈断裂、磁芯松动等问题,需要关注器件一致性和装配可靠性。  纳芯微 NSIP3266 是一款内置全桥拓扑的隔离电源控制器,搭配外部变压器可构成开环隔离电源方案。该产品支持宽输入电压范围,可降低前级电源设计复杂度;内置软启动和晶振,无需 MCU 控制即可工作;同时集成欠压、过流、过温等自恢复保护功能,支持系统在异常工况下保持受控状态。  NSIP3266 封装图HMSOP8,电路设计简洁  在服务器电源中,NSIP3266 为多路隔离驱动提供供电,例如 PFC 级、LLC 级中的 SiC 或 GaN 驱动器。该方案适合“一带多”的半分布式供电架构,用于应对功率级路数增加带来的隔离供电需求。  NSIP9xxx 系列:集成式隔离电源方案  集成式方案将变压器通过半导体工艺集成在芯片内部,形成单芯片隔离供电方案。与分立式方案相比,集成式方案减少了外置变压器及相关外围器件,在板级空间、器件数量和设计复杂度方面具有优势。其主要特点包括:  微型化  无需外置变压器,方案体积可缩减至传统分立方案约1/10 ,为服务器主板释放空间。  可靠性  消除外置变压器在振动、焊接、装配中的失效点。芯片采用标准表贴工艺,耐温范围更宽(通常 -40℃ 至 125℃ ),适用于严苛的工业与汽车环境。  简化设计  仅需配置输入输出电容,简化 PCB 布局与供应链管理。  性能优异  由于原副边电路与变压器高度集成,更容易实现闭环控制,从而获得更好的负载调整率和动态响应。同时,基于统一IP设计的集成变压器,其电磁辐射(EMI)特性更一致且易于优化。  纳芯微全新量产的 NSIP9xxx 系列,是“隔离+”产品布局在集成式隔离电源方向的代表性产品。该系列实现了 0.5W 隔离 DC/DC 电源( 5V 转 5V )与数字功能(如 IO 接口、隔离接口)的单芯片集成,可同时支持能量隔离与信号隔离,简化系统架构。NSIP9xxx 系列适用于对功率密度、板级空间和系统可靠性有要求的应用,如高端服务器、光储、汽车电子等领域。  以 NSIP9042 为例,该产品单芯片集成隔离 CAN 接口与 0.5W 隔离 DC/DC 电源。对于服务器 PSU 对外通信、BBU 与 BMS 通信等场景,传统方案通常需要“数字隔离器 + CAN 收发器 + 隔离电源”三颗芯片及多个外围元件。NSIP9042 将隔离通信与隔离供电集成在同一芯片内,在提供隔离通信功能的同时,由内置隔离电源完成自身供电,可节省超过 70% 的布板面积,并降低 BOM 复杂度和潜在失效点。  NSIP9042 封装图(SOW20 & SOW16)及功能框图  NSIP9xxx 系列在服务器电源中的主要应用场景包括对外隔离接口供电、IO 口供电,例如 PC PSU对外通信、BBU 与 BMS 之间的通信等场景。其核心价值可概括为四点:  高集成度  芯片级方案仅需添加输入和输出电容即可实现系统级功能,助力客户突破功率密度极限。  系统长期可靠  消除了磁性元件的所有传统失效模式,满足服务器、光伏储能等对寿命和稳定性要求极高的应用。  卓越的EMC表现  集成设计带来更可控、更优的电磁兼容特性,简化系统滤波设计。  一站式认证与高耐压  提供完整的增强绝缘认证,VIOSM(浪涌)与VIORM(重复工作电压)参数领先,为系统安全提供证书与性能的双重保障。  完善隔离电源产品组合  支持服务器电源设计  随着服务器功耗提升和供电架构演进,隔离电源在系统中的作用已从辅助供电单元,延伸到驱动供电、接口供电和系统隔离供电等关键环节。纳芯微围绕“隔离+”产品布局,形成了覆盖分立式方案(如 NSIP3266)与集成式方案(如 NSIP9xxx 系列)的隔离电源产品组合,适配从高功率、多路数驱动供电到紧凑型接口供电等需求。  面向 48V/800V 总线、SST 固态变压器等服务器电源架构方向,纳芯微将继续推进隔离电源向更高频率、更高效率、更高集成度,以及与数字控制结合的方向发展。  围绕服务器电源中更多隔离供电与控制需求,纳芯微计划推出集成变压器、支持 1.5W 输出功率的隔离电源 IC NSIP505S15,并陆续推出集成隔离电源的驱动控制 IC 与开关控制 IC。
2026-06-22 10:43 reading:226
高性价比:纳芯微推出面向RS485通信隔离的三通道数字隔离器SP301H/L系列
  纳芯微宣布推出基于其自研的第三代电容隔离技术的三通道数字隔离器——SP301H/L系列。作为面向RS485通信隔离应用打造的新一代产品,SP301H/L在传输速率、功耗表现、抗干扰能力及封装尺寸等方面实现全面升级。  相比前代SP301A及NIRS31系列产品,SP301H/L支持最高8Mbps通信速率,采用低静态功耗设计,并进一步优化电磁抗扰性能;小巧紧凑的SSOW10密脚宽体封装,在提升集成度的同时有效节省PCB空间,为客户提供兼具高性能、高可靠性与高性价比的隔离解决方案。  RS485通信因其传输距离远、抗干扰能力强、多节点组网灵活等优势,被广泛应用于电力终端设备、工业自动化控制、新能源储能系统等场景。在这些应用中,隔离器件是保障通信稳定性和系统安全性的关键环节。传统的RS485通信隔离中,三路光耦的隔离方案存在器件数量多、速率受限、易老化漂移及占板面积大等问题,难以满足高速通信、长寿命和小型化需求。随着系统性能要求不断提升,数字隔离正成为RS485通信隔离方案的重要发展方向。  高性价比:  单芯片替代三路光耦,简化设计降本增效  传统隔离RS485通信方案通常需要3颗光耦隔离器及多颗外围阻容器件,不仅BOM复杂、采购管理成本较高,还占用大量PCB空间。  SP301H/L通过单芯片集成三路隔离通道,可直接替代分立光耦及外围器件,在显著简化BOM清单的同时,减少器件数量与布线复杂度,提升整体方案集成度。  此外,SP301H/L采用紧凑型SSOW10密脚宽体封装,相比传统光耦方案可节省超过60%的PCB占板面积,进一步释放板级空间资源。  三路光耦隔离方案和SP301H/L的尺寸对比  性能方面,SP301H/L数据通道支持最高8Mbps通信速率,使能控制通道支持最高1Mbps,有效突破传统光耦方案的带宽瓶颈,满足智能电表、工业现场总线等应用对高速通信和低时延传输的需求;方案适配方面,SP301H使能引脚默认高电平,SP301L使能引脚默认低电平,可灵活满足不同软件方案中MCU的使能逻辑需求。  同时,芯片采用低静态功耗设计,适用于电池供电及现场仪表等对功耗敏感的应用场景,并且支持-40℃~125℃的环境工作温度,充分满足工业应用需求。凭借高集成度、小尺寸封装、优异的性能及精简的外围设计,SP301H/L能够更好地满足智能电表等设备对小型化、轻量化和高可靠性的设计需求,实现光耦方案的无缝升级替换。  高可靠性:  抗扰能力全方位提升,保障通信稳定运行  以智能电表应用为例,其通常部署于复杂电磁环境中,通信链路需要承受电网浪涌、开关噪声及长距离布线带来的各类干扰挑战。  SP301H/L通过优化隔离架构与抗扰设计,有效提升RS485通信链路的电磁抗扰(EMS)能力,降低通信误码率和掉线风险,保障电表数据传输的稳定性与可靠性。相较于前代SP301A及NIRS31系列,SP301H/L在电磁抗扰方面表现更为出色:  EOS性能提升约10%,Latch up电压达到10V以上,显著增强器件对电源过应力的耐受能力,有效避免因电源异常波动导致的损坏,延长系统运行寿命。  电源噪声抗扰性优异:在MHz级高频和大电压幅值的系统噪声干扰下,芯片仍能保持正常输出且无误码,进一步提升系统在复杂电磁环境下的可靠性。  共模瞬态抗扰度(CMTI)典型值高达200kV/μs,能够有效抵抗共模瞬态干扰,确保信号传输的准确性与稳定性。  此外,SP301H/L系列基于纳芯微领先的第三代电容隔离技术打造,具备卓越的隔离耐压能力:可达5kVrms(1分钟),并能够承受超过10kV的浪涌电压,满足增强绝缘要求。SP301H/L系列现已量产,可登录纳芯微官网进行样品申请。  丰富的“隔离+”产品  引领隔离芯片标杆  凭借在隔离技术方面的积累和领先优势,纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品,以全生态“隔离+”产品矩阵,为高压系统筑造安全可靠的防线:  “+”代表增强安全:纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级,为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。  “+”代表全产品生态:纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心,拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合,为客户提供隔离器件的一站式解决方案。  “+”代表深度赋能应用:纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统,以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求,实现系统级安全、可靠与高效。  截至2025年,纳芯微隔离相关芯片已累计出货超27亿颗,作为全球领先的隔离芯片供应商,纳芯微致力于通过全面的“隔离+”产品布局,以核心技术IP和全产品生态,引领隔离芯片标杆,为全球客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
2026-06-18 10:04 reading:335
第九届纳芯微技术大会圆满落幕,创新回响持续激荡!
  近日,第九届纳芯微技术大会 (NOVOSENSE Technology Conference,简称 NTC) 在上海举办。作为纳芯微一年一度的重要技术交流活动,本届大会吸引近 700 位研发与技术人员参与,共征集技术投稿 155 篇,规模创历届新高。  自 2018 年首届举办以来,NTC 历经九届沉淀。从最初的小型交流活动,逐步发展成为覆盖芯片设计、工艺开发、工程制造、系统架构、应用创新等多个技术领域的重要技术平台,也成为纳芯微工程师文化的重要载体之一。  今年 NTC 继续以“Innovation · Share · Lead” (创新、分享、引领)为使命,通过技术分享及研讨、Demo Show、特邀报告及 AI 创新赛事等多种形式,鼓励工程师分享经验、交流思想、探索前沿技术方向,持续营造开放创新的技术氛围。  01  创新驱动成长:  市场驱动迈向技术与市场双轮驱动  大会开幕式上,纳芯微 CTO 盛云表示,随着智能化、低碳化的持续演进,以及 AI 算力基础设施和机器人等新兴应用的快速发展,模拟与混合信号芯片产业正迎来新一轮创新机遇。客户对于差异化解决方案的需求不断提升,也对芯片企业的技术创新能力提出更高要求。  他指出:“纳芯微需要通过技术和产品创新持续提升产品竞争力和客户价值。从主要依靠市场驱动,逐步走向技术与市场双轮驱动,既要坚持以客户为中心,也要重视以技术为中心。”  盛云认为,无论是产品定义、工艺开发、电路设计还是工程实现,模拟芯片领域仍然存在广阔的创新空间。持续创新不仅是企业发展的重要动力,也是构建长期竞争力的重要基础。  02  专家引领创新,  持续夯实技术能力建设  近年来,纳芯微深耕技术能力建设,不断完善创新平台与人才发展机制,推动核心技术能力长期积累与传承。  目前,公司已建立覆盖多个专业领域的专家体系,并完成技术专家评审与认定,进一步畅通专业人才发展通道。大会期间还举行了第二届专家委员会成员聘任仪式。盛云表示:“专家不仅是技术体系的支柱,也是知识传承和人才培养的重要力量。”他同时透露,未来纳芯微将持续完善技术创新机制,将创新能力建设进一步融入产品定义、技术预研及研发流程管理中,为工程师创造更加开放高效的创新环境。  03  AI 创新实践首次亮相 NTC  与往届相比,AI 成为本届 NTC 最受关注的新议题。随着大模型和 AI Agent 技术快速发展,人工智能正在从辅助工具逐步走向复杂任务执行和自主协同的新阶段。面对这一趋势,纳芯微首次将 AGI 二次开发大赛纳入 NTC 整体议程,旨在推动 AI 技术与实际业务场景深度融合。  本次大赛自 4 月启动以来,吸引了来自多个技术领域和业务团队的踊跃参与。参赛项目聚焦研发、工程和业务运营等实际场景,围绕效率提升、流程优化、知识沉淀与智能辅助等方向展开探索,充分展现了工程师将前沿 AI 技术转化为实际生产力的创新能力。  盛云在致辞中表示:“对于公司和工程师个人而言,最好的选择是积极拥抱变化。”他希望通过 AI 大赛激发全员探索热情,为未来 AI 能力建设和业务应用落地奠定基础。  04  Demo Show:  从创意灵感走向应用落地  除了精彩纷呈的理论分享,纳芯微 Demo Show 为各类创新灵感提供落地实践载体。从最初的创意萌芽、严苛的初审入围,到精细的实物制作,再到 NTC 现场的惊艳亮相——生动展现了工程师们对前沿技术的实践转化。  05  让热爱同行,  共享荣耀时刻  两天精彩的技术研讨与成果展示后,本届大会特别举办了“芯光无界”工程师晚宴。在晚宴现场,大会表彰了在技术创新、Demo Show 及专家评选中表现突出的团队与个人,并特设拍照打卡区定格一个个值得纪念的瞬间。来自不同领域的工程师们因技术相聚、因创新共鸣,在交流与分享中碰撞灵感,也让属于纳芯微的工程师文化更加深入人心。  历届 NTC 见证着纳芯微技术底蕴的延续与沉淀,也记录着工程师们对创新与卓越的不懈追求。正如盛云在大会总结中所说:“以卓越之心,铸创新之芯,乘 AI 之势,聚专家之力。”  面向未来,纳芯微将继续坚持技术创新,拥抱 AI 带来的变革,与更多工程师共同探索技术边界,为客户创造更大价值。
2026-06-17 09:29 reading:282
  • Week of hot material
  • Material in short supply seckilling
model brand Quote
MC33074DR2G onsemi
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
model brand To snap up
TPS63050YFFR Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BP3621 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
Hot labels
ROHM
IC
Averlogic
Intel
Samsung
IoT
AI
Sensor
Chip
About us

Qr code of ameya360 official account

Identify TWO-DIMENSIONAL code, you can pay attention to

AMEYA360 weixin Service Account AMEYA360 weixin Service Account
AMEYA360 mall (www.ameya360.com) was launched in 2011. Now there are more than 3,500 high-quality suppliers, including 6 million product model data, and more than 1 million component stocks for purchase. Products cover MCU+ memory + power chip +IGBT+MOS tube + op amp + RF Bluetooth + sensor + resistor capacitance inductor + connector and other fields. main business of platform covers spot sales of electronic components, BOM distribution and product supporting materials, providing one-stop purchasing and sales services for our customers.

Please enter the verification code in the image below:

verification code