新品发布丨士兰微LED照明<span style='color:red'>驱动</span>领域重磅推出双级非隔离大功率全套片方案
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新品发布丨士兰微LED照明驱动领域重磅推出双级非隔离大功率全套片方案

　　方案概述　　01　　当下工业大功率 LED 照明行业呈现三大核心发展趋势：大功率集成化、调光智能化、能效极致化。市场对一站式完整套片方案的需求日益迫切，旨在降低供应商对接成本，缩短产品开发周期。　　针对这一需求，士兰微电子推出 BOOST+BUCK 双级非隔离大功率全套片：SD7510/10A(前级 PFC-Si/SiC双版本选型)+SD7960(后级 BUCK 恒流)+SD7558C(三合一调光IC)+SDH8592AS(辅助供电) ，功率覆盖 100W~300W，支持 100~277Vac宽压输入。　　士兰微一站式供应全套 PFC、BUCK、辅助供电、调光控制芯片，配套全系列 Si/SiC-MOS 功率器件，真正实现芯片 + 功率器件一体化供货。全方位打造具备超强市场竞争力的大功率工业照明电源解决方案。　　士兰微电子将持续推出适配照明市场的新产品，长期为客户提供稳定、高竞争力的解决方案。　　方案核心亮点　　02　　双版本 PFC 前级，Si/SiC-MOS可选　　SD7510适配Si-MOS控成本，SD7510A直驱SiC- MOS提能效，内置 THD 补偿，满载 PF>0.9、低谐波，轻松满足 IEC 谐波标准。　　双级非隔离通用成熟拓扑结构　　BOOST+BUCK 双级架构，临界 / 断续双模式，负载动态响应性能优异，轻载工况输出电压稳定。　　功率档位覆盖100~300W 功率、100~277Vac 宽电压，适配UFO、High-Bay、隧道灯等照明电源驱动应用。　　智能化三合一调光，支持用户自由定制　　SD7558C 内置 MCU，可自定义调光曲线;兼容 0-10V/PWM 多合一调光，调光深度<3%、全程无频闪，SD7558C 支持 4 档/电流拨码硬件设置，大幅简化 PCB Layout 走线，减少布线难度与出错概率。　　一站式全套芯片 + 功率器件供货　　士兰微自主全套控制芯片 + 可配备Si/SiC-MOS 同步供货，无需多供应商对接，简化采购、缩短研发量产周期，极致降低客户开发供应链成本。　　典型应用原理图　　整机DEMO　　士兰微全套片方案
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发布时间：2026-09-04 10:06 阅读量：199 继续阅读>>
全光交换OCS核心<span style='color:red'>驱动</span>芯片！思瑞浦发布全集成32通道200V高压DAC芯片
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全光交换OCS核心驱动芯片！思瑞浦发布全集成32通道200V高压DAC芯片

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦 3PEAK(股票代码：688536)推出高集成度32通道、14位数模转换器(DAC)TPC2400。面对AI超算集群与超大规模数据中心对全光交换(OCS)的爆发性需求，TPC2400内部集成14位高精度DAC，高压输出放大器，满量程输出电压达最高200V，并且集成内部采样ADC、高压负载开关、独立输出关断和故障告警等功能，专为基于MEMS技术的OCS高密度高压控制场景打造，以保障系统长期稳定和可靠运行。　　OCS(Optical Circuit Switch，光电路开关)是一种在光域直接实现光信号路由与切换的设备。在AI万卡/十万卡GPU超算集群及超大规模数据中心中，OCS被越来越多的头部互联网和云厂商用于AI/HPC网络脊节点(Spine Layer)、大容量网络骨干层及动态拓扑重构，有效解决了传统电交换网络功耗飙升与散热极限的瓶颈。　　为什么需要TPC2400? MEMS 微镜依靠静电吸引力驱动偏转，通常需要数十至上百伏的高压控制。传统方案由“低压DAC+外挂海量高压运放”组成，系统极为臃肿。TPC2400专为解决这一核心痛点打造，该产品目前正在多家客户端测试验证中。　　01　　产品优势　　32通道独立高压DAC　　单芯片集成32通道14位DAC及高压输出放大器，满量程输出电压支持50V至200V编程调节，覆盖不同端口数量OCS方案中，对MEMS微镜静电偏转驱动所需的高压偏置要求，大幅降低系统BOM成本与PCB占板面积。　　灵活可选三线/四线SPI控制模式　　用户通过硬件管脚可以灵活配置芯片工作在三线或者四线SPI模式下，支持回读功能，用于读取配置、监控高压输出、获取各种故障告警及故障详细信息等，极大提高了系统的控制可靠性和故障监控能力。　　32通道独立可控关断　　系统MEMS微镜出现意外故障后，TPC2400每个输出通道均可独立关断，保持高阻状态，防止因为微镜短路等意外故障导致的芯片损坏，同时可以降低系统功耗。　　高压供电端集成负载开关　　TPC2400芯片内部集成了负载开关功能，当DAC输出负载出现短路等意外情况时，可以自动关断芯片内部高压供电路径，既能保护芯片自身的安全，又可以避免对于高压供电电源端的影响。　　全集成输出电压和温度监控功能　　TPC2400内部集成了32路输出高压采样网络，12位ADC，可以用来监控输出和实际设定电压是否一致，确保系统实时工作状态正常，极大提高了系统的可测性。　　内部温度传感器可以用来监控芯片工作温度，支持模拟电压输出外部采集或者内部ADC采集后输出对应温度数字码。　　软硬件故障告警功能　　TPC2400提供多种故障告警功能，包括输出短路，高压过流等，故障信息可以通过硬件ALARM管脚输出中断信息，也可以通过软件回读故障寄存器信息。02产品特性　　通道数与分辨率： 32通道、14位分辨率数模转换(DAC)　　高压可调输出： 集成高压输出放大器，满量程输出电压可在 50V至200V范围内灵活编程(基于参考电压输入调节)　　驱动能力： 具备500µA的Source/Sink电流驱动能力　　高速控制接口： 支持3线及4线SPI串行通信协议，最高时钟频率可达40MHz　　内置监控与诊断(Readback Monitoring)：　　o集成12位SAR ADC与多路复用器(Mux)　　o支持DAC输出电压回读监测　　o支持芯片内部温度实时监测　　o支持通过AMUX引脚进行外部ADC采样扩展　　系统级安全保护：　　o各通道具备独立的短路(Short Circuit)检测机制，并可通过专用ALARM引脚实时输出报警信号　　o集成阈值可编程的高压负载开关(Load Switch)　　o支持各通道独立的关断/低功耗模式(Power Down)　　封装形式与工作温度：　　o紧凑型BGA 15mm×15mm-124封装　　o工业级工作温度范围：−10°C至+85°C　　03典型应用　　思瑞浦提供面向OCS MEMS控制需求的全套解决方案：　　3PEAK Solution for MEMS OCS　　除了TPC2400，思瑞浦可以为OCS系统提供包括电源和信号链的整套外围模拟解决方案，根据OCS功能以及系统需求，当前总体解决方案汇总如下：
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发布时间：2026-08-26 13:30 阅读量：279 继续阅读>>
ROHM课堂丨什么是无刷电机<span style='color:red'>驱动</span>器
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ROHM课堂丨什么是无刷电机驱动器

本文将从技术角度出发，对三相无刷电机的电机驱动器的作用、种类和规格进行介绍。通过本文，您可以学习到电机驱动器选型所需的基础知识。“什么是无刷电机驱动器”面向的是那些“想要尝试使三相无刷电机运转”以及想要了解“电机驱动器是什么？”的电机初学者，介绍使无刷电机运转所需的电机驱动器究竟是什么、有哪些种类及其各自的特点等电机驱动器的基础知识。本文所介绍的是在选择和使用电机驱动器时需要预先掌握的知识，推荐那些为了理解电机驱动器的特点和规格而想要学习所需基础知识的读者阅读。另外，如果想了解电机转动的原理或者为了使其转动需要做什么等电机的基础知识，请先参阅本文所在的“Sugiken老师的电机图书馆”中的另一篇文章“初识电机”。“什么是无刷电机驱动器”的内容对三相无刷电机的要求电机驱动器的作用电机驱动器的结构（形态）控制器（通电波形）控制器（位置检测和控制功能）功率晶体管栅极驱动器用途和特点电机驱动器示例最后下面，首先介绍一下“对三相无刷电机的要求”。对三相无刷电机的要求电机被用于驱动从工业领域到车载、家电、玩具等领域的各种产品。因此，电机通常需要满足“效率”、“振动噪声”、“控制性和易用性”、“可靠性”和“成本”等方面的要求。本文所讨论的三相无刷电机（以下简称“无刷电机”或“电机”）能够全面且高水平地满足这些要求，因此近年来得到了广泛应用。下面对这些要求进行逐一介绍。效率这里的效率是指电机输出相对于输入（功率）的比例。高效率电机可以说是一种损耗较小、有助于实现节能的电机。振动噪声如果电机产生的转矩存在脉动，就会引起振动。当该振动传递到电机的配套设备上时，可能会产生噪声。另外，电机本身也可能发出声音。对于要求静音性能的设备，通常会配备低振动、低噪声的电机。控制性和易用性这里的控制性是指对目标旋转工作和转速进行调节的便捷性、响应敏捷性以及对指令的跟随能力。电机不仅要能转动，还需要控制转速和转矩。另外，其控制的指令的易操作性、自动化程度、变动范围等，将电机安装到设备时的简便性也备受关注。可靠性可靠性要求电机不易损坏、特性不发生变化、不发生误动作，也不会危险运行。对于电气噪声和电磁噪声，不仅需要电机具备承受噪声时的耐受能力，而且其发出的噪声也必须在容许范围内。成本成本是指原材料费用和零部件价格，而减少材料用量和零部件数量也是关乎环保措施的重要考量。电机的设计需满足其配套设备的性能要求。但是，若要使包括成本和资源在内的所有项目都达到非常高的水平是很困难的，或者也可以说是性能过剩。通常，性能要求是有优先级的，并且该顺序会根据配套设备的不同而有所变化。因此，设计人员需要在掌握包括电机在内的整个配套设备的基础上进行设计。电机的性能是由机械性能（这里指由磁铁和铁芯等材料和结构决定的电机性能）和控制性能（由电机驱动器的功能和特性决定的电机性能）两者共同决定的。电机驱动器之所以存在多种类型，可以说是因为电机驱动器会影响电机特性，并且在进行整体设计时，对其要求也会发生变化。接下来我们将在上述内容的基础上，介绍电机驱动器的作用。电机驱动器的作用无刷电机是通过电路对线圈施加电压或电流来生成基于线圈（电磁铁）的旋转磁场的，因此是一种必须使用电路（电机驱动器）的电机。这种旋转磁场的生成是最基本的工作。除此之外，电机还要求具备下图所示的性能和功能。为了实现这些性能和功能，电机驱动器承担着如下所述的作用。电机驱动器能够自由调节输出的电压值，利用这一性能，不仅可以进行电机的输出调节，还可以通过抑制转矩脉动提升静音性能、通过调整电压施加时序来减少损耗以高效获取转矩的控制、抑制旋转波动的转速控制以及支持在无法安装位置传感器的环境下的无传感器控制等。上述作用仅为部分示例。此外，实现这些作用的手段也多种多样。因此，在选择电机驱动器时，需要同时了解所需的功能及其实现方法。接下来，我们将介绍承担这些作用的电机驱动器的电路结构。电机驱动器的结构（形态）电机驱动器的基本电路结构如下图所示。电机驱动器向电机线圈供电的作用是通过名为“功率晶体管”的电子器件来实现的。功率晶体管是指能够处理较大功率的晶体管。下图展示的是N沟道MOSFET的电路符号，但有时也会使用P沟道MOSFET、IGBT（N沟道或P沟道）或双极晶体管（PNP或NPN）。该功率晶体管连接电源，起到电气开关的作用。与电源正极相连的功率晶体管被称为“上臂晶体管”或“高边晶体管”等。与负极（接地端或Gnd端）相连的功率晶体管被称为“下臂晶体管”或“低边晶体管”等。通过高边和低边晶体管的任意一个导通，来决定施加到线圈上的电位。三相无刷电机通常使用3对（共6个）功率晶体管。负责控制这些功率晶体管导通和关断的是控制器。通常采用IC（集成电路：Integrated Circuit，此处指不使用软件的控制器）或微控制器（Microcontroller，此处指使用软件的控制器）。控制器在考虑转子位置和从外部来的指令的同时，决定施加给线圈的电压，并生成功率晶体管的导通和关断指令信号（下图是使用霍尔元件确定转子位置时的电路示意图，霍尔元件安装在能够检测转子磁通量的位置）。除了这些电路之外，还会使用连接控制器和功率晶体管的栅极驱动器。栅极驱动器的主要作用是将来自控制器的指令信号的电位和极性，转换为足以使功率晶体管工作的电位、极性和电流量。这些电路的详细说明将在后文阐述。这些电路模块以下表所示的单一功能或复合功能的形式被集成到IC中。因此，电机驱动器就是由其中一个或多个IC组合而成的。组合方式需要从易用性、设计变更的灵活性、封装尺寸、电路板上的布线数量（难易程度）、外围电子元器件的数量、每个电路模块的耐压差异和温升（散热效果）等角度综合考虑，因此，无法一概而论哪种组合方式更为优越。关于下图所示结构示例的特点，请参阅本文所在的“Sugiken老师的电机图书馆”中的另一篇文章“Sugiken老师的电机驱动器课堂”的“第10集 电机驱动器的结构”。这里先介绍一下施加在电机驱动器各电路模块上的电压。首先，施加于无刷电机线圈上的电压会受到电机机械模块特性的影响。有的电机仅需低至3.3V的电压，有的则需要高达340V以上的电压。为了在线圈上施加该电压，功率晶体管需要具备更高的耐压。驱动该功率晶体管的栅极驱动器电路，会承受与功率晶体管同等或更高的电压。例如，为了使高边的N沟道MOSFET导通，需要比施加在功率晶体管上的电压更高的电压。与上述两个电路模块不同，控制器不依赖于电机特性，且通常在相对较低的电压下使用。基于以上原因，施加到电机驱动器上的电源电压，有时会使用高电压和低电压两个系统，有时也会仅使用一个相对较低的电压系统。这种电压差异也是判断电路模块的结构（是采用一体化封装还是多个元器件组合）的依据之一。另外，施加在电机线圈上的电压大小是综合考虑配套设备的电源环境、功率转换效率、线路的容许电流、电机特性和可靠性等因素进行设计的。下面介绍一下各个电路模块规格的主要特点。控制器（通电波形）无刷电机的电机驱动器中，通电波形是需要关注的规格之一。这里的通电波形是指施加在线圈上的电压波形。无刷电机通过这个施加的电压使线圈中流过电流，并产生旋转磁场。该旋转磁场的工作会影响电机的输出转矩，因此通电波形可以说是一项非常重要的规格。该通电波形是由控制器生成指令，并通过导通和关断功率晶体管而产生的。因此，配备了控制器模块的电机驱动器器件会标明通电波形的规格。下图展示了电机驱动器的基本通电波形。120度通电是指将通电模式的一个周期设为360度时，在120度的区间内高边导通或低边导通，在60度（两处）处于关断状态的通电波形。有时也被称为“120度矩形波”。从控制电路的角度来看，这种通电波形生成相对简单，但输出转矩存在脉动。150度通电是指在150度的区间内高边导通或低边导通，在30度（两处）处于关断状态的通电波形。有时也被称为“广角通电”。这种通电波形的控制电路比较复杂，但比下述的正弦波通电更易生成，并且具有能够抑制输出转矩脉动的特点。此外，为了进一步抑制转矩脉动，也有不采用单纯的矩形（方形）而改变形状的通电波形。这种波形有时也被称为“梯形波通电”等其他名称。正弦波通电呈正弦波形状。有时被称为“180度通电”，但可能与180度矩形波（本文未详述）混淆，因此需要确认。这种通电波形的控制电路更为复杂，但电流波形为正弦波，理论上可以消除转矩脉动。这里介绍一下可称为通电波形生成基础技术的PWM控制。PWM控制称为“脉冲宽度调制（Pulse Width Modulation）”，是调节施加电压的方法之一。通过调节规定时间内高边和低边功率晶体管的导通和关断比率，将期望比例的电源电压作为平均电压施加到线圈上。例如，规定时间设为50us，其中40us为高边导通，10us为低边导通，则平均电压为80%。此外，高边和低边功率晶体管的导通和关断工作有多种类型。有根据比率使高低边互补导通的方式（一方导通则另一方关断，但需设置死区时间），有仅导通和关断高边而低边保持关断的方式，以及相反的高边保持关断而仅导通和关断低边的。关于这些控制的特点，请参阅本文所在的“Sugiken老师的电机图书馆”内的另一篇文章“电机相关术语集”中对“互补PWM”、“单边PWM”、“死区时间”等术语的详细解说。使用这种控制方法，可以在120度通电方式下调整施加电压的大小。另外，若在360度的区间内使比率呈正弦波规律变化，就可以实现正弦波通电（这也是正弦波通电的控制电路更为复杂的原因之一）。上述正弦波通电的波形呈正弦波形状，但正弦波通电还有其他的通电波形。下图所示的双相调制正弦波，是大多数正弦波通电规格的电机驱动器IC所采用的波形。图中展示了施加到无刷电机U相和V相线圈的电压波形，以及U-V相之间（线间）的电压波形。双相调制正弦波虽然每相的电压不是正弦波，但线电压为正弦波。与常规正弦波（纯正弦波）相比，其特点是通过PWM控制使功率晶体管的开关范围较窄（降低开关损耗），并且可以增大线间电压的振幅（提高电压利用率）。对于正弦波通电，波形的分割数（分辨率）也是一项规格指标。这里的分割数是指360度内波形变化的次数（见下图）。分割数越多，正弦波形越平滑，但控制电路也越复杂。此外，即使分割数很多，也无法生成超出前述PWM控制的每个脉冲所能实现的施加电压比率的性能波形。控制器（位置检测和控制功能）用于无刷电机的控制器，因转子位置检测方法、指令规格以及内置控制功能等的不同而存在多种类型。本节将对以下项目进行介绍。位置检测通常，控制器通过确定（考虑）转子位置来生成通电波形。该转子位置的检测主要有两种方法，一种是使用霍尔元件，另一种是检测感应电压。后者由于不使用直接的位置检测传感器，因此被称为“无传感器”。关于霍尔元件的工作，请参阅前述“电机相关术语集”中的“霍尔元件和霍尔IC”词条。关于通过感应电压确定转子位置，请参阅本文所在的“Sugiken老师的电机图书馆”中的另一篇文章“电机疑问解答专区”的“为什么可以通过感应电压知道转子的位置”一文。由于该规格的差异，控制器的信号输入引脚的数量会发生变化。下图是引脚的示意图。使用霍尔元件的控制器有6个或3个输入引脚，无传感器控制器则没有用于输入霍尔元件信号的引脚（有时会设有用于输入电机线圈电压的引脚作为替代）。使用霍尔元件的控制器之所以有两种，是因为使用了霍尔元件的电子元器件有两种不同的类型。这里，我们将其中一种称为“霍尔元件（作为电子元件的名称）”，另一种称为“霍尔IC”。霍尔元件是一种将作为磁检测元件的霍尔元件的输入输出直接当作4个引脚进行连接的电子元件。在下图的①和③引脚间施加电压使电流流过时，根据穿过IC的磁通量，在②和④引脚上会出现如图所示的电压。通常，在采用霍尔元件的控制器中，会将这两个引脚的电压差作为磁通量检测结果使用。因此，这种规格的控制器为U、V、W各相均准备了P和N两个输入引脚（见上图）。霍尔IC是将作为磁检测元件的霍尔元件的输出电压，通过IC内部电路进行信号处理，使其输出High和Low两种电位的电子器件。由于输出信号只有1个，因此采用霍尔IC规格的控制器的信号输入引脚为3个。（霍尔元件和霍尔IC等名称仅为示例，引脚名称也可能采用数字或+/-，如H1+、H1-或H1、H2等）使用霍尔元件（电子元件）规格的控制器，有时也支持使用霍尔IC。此时，在空着的输入引脚上输入基准电压（例如，如果向HUP输入High电压5V、Low电压0V的霍尔IC信号，则向HUN输入2.5V等）。但是，控制器引脚对输入电压范围是有规定的，因此使用时需要进行确认。另外，在采用霍尔元件的控制器中，也存在仅使用1个或2个霍尔元件的规格型号。在无传感器方式中，通过检测感应电压的相位来确定转子位置（虽然还存在其他无传感器方法，但本文仅对感应电压检测进行说明）。感应电压可以在电机处于旋转状态且目标线圈没有电流流过时，作为线圈引脚的电压被检测到。因此，如果线圈引脚本来就已经连接到电机驱动器，则无需其他的信号输入引脚。对于采用检测感应电压方式的无传感器控制器，需要确认以下两种情况的规格：电机未旋转时的应对策略（未产生感应电压时的应对），以及为了检测感应电压必须使线圈电流为零的应对策略。特别是前者的电机旋转启动方法和后者的正弦波通电时的通电波形均因控制器不同而有所差异，因此需要根据应用需求选择更合适的控制器。另外，在正弦波通电的控制器中，有时会标注名为“全正弦波”等的通电方式。这一表述是指相较于因检测感应电压而导致正弦波波形畸变的无传感器电机驱动器（控制器），这种控制器的通电波形能够保持正弦波形状而不产生畸变。指令控制器接收的指令信号包括输出电压大小、转速等调整值的指令。该指令信号主要有3种规格，分别是模拟电压、使用脉冲的High/Low比率（Duty）指令的脉冲信号和使用频率（周期）指令的脉冲信号。以下对各个信号分别进行介绍。・模拟电压指令控制器接收电压值作为指令。通常会设定指令电压值的上限值和下限值，通过该设定值与指令电压值的相对比较来决定指令信息。例如，上限值为5V、下限值为1V的规格情况下，将1V以下的指令视为0，5V以上的指令视为100（%），其间的值按比例决定。这种情况下，输入3V则为50（%），输入4V则为75（%）等。如果这是输出电压大小的指令，那么通常驱动电路会在输入3V时输出50%的电压，输入4V时输出75%的电压。如果是转速指令，则需要确认控制器等的产品规格书中记载的指令值与转速关系的特性数据（图表等）后再使用。・Duty脉冲指令接收Duty脉冲作为指令。这里的Duty脉冲是指在下图所示的一定频率的脉冲信号中，High所占比例发生变化（High与Low的比率发生变化）的信号，该比率即为指令。识别信号High和Low的电压电平（阈值）以及可输入频率的范围需确认所使用的控制器的产品规格书等。如果这是输出电压大小的指令，那么通常指令的比率会直接反映出来。如果是转速指令，则需要确认控制器的产品规格书中记载的指令值与转速关系的特性数据（图表等）后再使用。・频率脉冲指令接收频率脉冲作为指令。这里的频率脉冲是指在下图所示的脉冲信号中频率发生变化的信号，其频率即为指令。有时会将该频率转换为0到100的指令，用作输出电压大小或转速指令，但通常的控制方式是直接将此频率脉冲指令与电机的转速信息脉冲进行比较。具体来说，是将控制器生成的电机转速信息信号（频率根据电机转速变化的信号，由霍尔元件信号等生成）与指令信号的频率（周期）进行比较，控制电机转速使其与指令信号频率一致的方式。要掌握指令信号频率与实际电机转速的关系，需要确认控制器的产品规格书和电机的规格（极数等）。除了这些之外，有时也使用数据通信作为指令。控制功能本节简单介绍一下控制器中配备的各种控制和功能。・转速信息输出在装有电机的设备中，有些会利用电机的转速信息来实现电机控制。对于这类设备，控制器会输出名为“FG（Frequency Generator）”的信号作为转速信息。FG信号是一种频率（周期）随电机转速而变化的信号。控制器通常输出采用单个霍尔元件信号（见下图）生成的信号（例1）或输出对三个信号进行处理后的信号（例2），也有些控制器可以在两者之间进行选择。以此方式生成的FG信号，电机每旋转一周的脉冲数会因其极数不同而不同。对于4极电机，每旋转一周的脉冲数为2个或6个脉冲；而对于8极电机，则为4个或12个脉冲。如果电机的配套设备所能应对的电机每旋转一周的脉冲数是固定的，那么要使用极数与此不匹配的电机，就需要设法改变FG信号的频率。有些控制器还具备该信号频率的转换功能。・保护功能控制器具有保护电机驱动器和电机的功能。下表列举了几种保护功能的示例。这些功能用于检测需要保护的状态或异常状态，并执行关断功率晶体管等工作。保护功能名称有时会有不同的叫法，因此不能仅凭名称来判断，还需要了解其内容。保护功能内容主要工作电流限制（抑制）限制（抑制）流过晶体管和线圈的电流调整输出电压过电流限制流过晶体管和线圈的最大电流关断功率晶体管，在一定时间或PWM周期后恢复过热限制电子元器件的温度关断功率晶体管，复位控制器部分动作，待温度下降后恢复低电压监测电压是否低于电路的工作电压关断控制器或栅极驱动器动作，电压上升后恢复过电压监测电压是否超出电路的使用范围关断功率晶体管，电压下降后恢复堵转（锁定）监测电机是否处于停转状态关断功率晶体管超速监测电机是否超过规定转速关断功率晶体管，转速下降后恢复霍尔异常监视霍尔信号是否有异常关断功率晶体管外部输入接收来自外部（其他电路）的工作停止信号关闭控制器的工作，并关断功率晶体管・旋转方向切换在保持转子位置检测用霍尔元件的安装位置固定（不变）的情况下，改变电机旋转方向的功能。即使输入给控制器的霍尔元件信息（N极和S极）相同，只要切换旋转方向的设置，线圈产生的电磁铁的磁极就会发生变化，从而使电机产生反向转矩。这里虽以霍尔元件规格的工作为例进行说明，但无传感器控制器中也有该功能。另外，实际电机是顺时针旋转还是逆时针旋转，取决于线圈和电机驱动器的连接方式以及霍尔元件的安装位置。・超前角控制无刷电机通过持续在与转子位置对应的合适角度产生旋转磁场（由电磁铁产生的磁场），以获得更大转矩。如果这个角度存在偏差，即使电磁铁大小相同，所能获得的转矩也会降低。这意味着输出功率相对于输入功率的下降，从而导致效率降低。因此，控制器通过确定转子位置来调整施加在线圈上的电压时序。但是，在实际使电机转动时，由于电枢反应和线圈电感，会产生电流延迟。补偿这种影响的功能就是超前角控制。由于该控制会使时序从初始的通电时序向比相位更超前的方向变化，因此被称为“超前角”（使角度提前）。这种因电枢反应和电感引起的电流延迟，会随电磁铁磁力的大小和电机转速的不同而变化，因此通电时序的提前量也需要相应进行调整。关于调整的规格，有多种方法。一种是控制器从外部接收超前角值指令的方法（直接指令）。此外，还有控制器利用转速、电压指令和电流大小等物理量来决定超前角值的方法（比例调整）。由于相对于物理量的更优超前角值因电机而异，因此有些控制器支持比例系数的设定。另外，比例的形式除了简单的线性比例外，也有从某个值开始改变比例系数，或进行二次比例的情况。还有一些控制器无需这些繁琐操作，能自动进行超前角调整（自动调整）。要实现这种方法，需要检测电流相位。・速度控制至此，我们主要介绍了电机驱动器（控制器）接收输出电压指令，并向电机线圈施加指定电压的工作原理。另外，前文也提到通过输出FG信号（转速信息信号），使电机的配套设备能够实现转速调节，但部分电机驱动器的控制器内置了该转速调节功能。此类控制器接收转速指令后，会与电机的转速信息进行比较，并自动调节输出电压。需要注意的是指令转速可能存在上限值和下限值。・待机控制器在电机停转时仍保持电路运转，以便接收指令并启动控制工作。此时，电路中仍有电流流过，消耗电力。为了降低这种待机时的功耗，有些控制器具有停止部分电路工作的功能。该功能被称为“待机功能”、“降低待机功耗模式”或“节能功能”等。・软启动当电机驱动器的工作及电机处于停止状态时，如果接收到高电压指令（如100%输出电压指令等），高电压施加到线圈上会导致电流急剧开始流动。该电流的增加若引发过大转矩，可能会产生噪声和剧烈振动。防止这种情况发生的正是软启动。软启动是在电机启动阶段抑制电流急剧上升，使其逐渐增大的功能。・短路制动短路制动是指在电机旋转期间将线圈短路（电气连接），使生成负转矩的电流流过的状态。该功能通过导通所有高边功率晶体管或所有低边功率晶体管来使线圈短路。通常，与将所有功率晶体管关断以停止电机驱动相比，短路制动能使电机更快停止旋转。下图展示了转子位于图示位置的瞬间，线圈中流过的电流、电磁铁以及生成转矩的方向。当所有低边功率晶体管导通时，会流过与正常驱动方向相反的电流，电磁铁的极性也反转，从而生成负转矩（转子停止旋转方向上的转矩）。另外，关于短路制动的更多信息，请参阅前述“电机相关术语集”中的“短路制动”词条。至此我们介绍了与控制器相关的规格和功能。实际使用的控制器通常会配备上述部分规格和功能。在转动电机时，需要从这些控制器中选择符合应用需求的型号。功率晶体管在电机中，功率晶体管用于向线圈施加电压并流过电流。因此，其指标包括可施加的电压、可流过的电流、流过电流时的损耗以及导通和关断的开关速度（SW速度）。下图是电机中常用的功率晶体管的种类和特点。双极型（双极结型晶体管）是一种通过使基极流过电流来实现导通状态的电流驱动型晶体管。导通状态下的损耗包括VCE（集电极-发射极间的电压）乘以集电极电流所得的功率和基极电流的功率。这是历史悠久的基础型晶体管，但由于无法进行高速开关，故不适用于PWM控制，近年来此类晶体管已经很少被电机应用采用。MOSFET是通过给栅极施加电压来实现导通的电压驱动型晶体管。其损耗为导通电阻（RON）乘以漏极电流的平方所得的功耗。该晶体管的优点是无需持续向栅极提供电流且开关速度快，缺点是当漏极电流增大时，损耗会呈平方级增长。IGBT是一种兼具双极晶体管和MOSFET优点的晶体管。由于是电压驱动，栅极电流消耗较低，损耗仅与电流的一次方成正比。缺点是开关速度中等。近年来，以RON×电流与VCE的大小关系为分界点，在小电流应用中多采用MOSFET，而大电流应用中则多选用IGBT。接下来，我们以MOSFET为例说明电机中功率晶体管的结构。MOSFET有两种规格，分别被称为“N沟道（N型）”和“P沟道（P型）”。这两者在原理上的区别可以说是在于电流通过电子流动还是通过空穴（Hole）流动。由于这一差异，N沟道MOSFET的规格是相对于源极引脚（S），向栅极引脚（G）施加高于阈值的电压来使MOSFET导通；而P沟道MOSFET的规格是相对于源极引脚，向栅极引脚施加低于阈值的电压来使其导通。另外，如果要使N型和P型具有相同大小的载流特性，通常N型可做到比P型更小的尺寸。这也受是使用电子还是空穴的影响。在无刷电机的电机驱动器中，低边MOSFET通常采用N型。原因是低边MOSFET的源极电位是Gnd（接地）电位，生成栅极指令电压相对容易，并且如上所述，N型比P型尺寸更小。高边MOSFET既有采用N型的也有采用P型的。两者都会使用的原因是若使用N型，可以与低边MOSFET的特性保持一致（也能实现更小尺寸），但维持导通需要高于功率晶体管所连接电源（V）的电压；而若使用P型则无需高于电源（V）的电压，但相对于N型的尺寸更大（或者特性会改变）。从外部供给电机驱动器电路的电源，通常以功率晶体管所连接的电源电压为更高。因此，是否需要该电压以上的电压便成为关键选择之一。另外，施加在电机线圈上的电压及电流会因电机的配套设备和电机的特性而有所不同，因此需要选择能够满足电机所需电压和电流规格的功率晶体管。栅极驱动器栅极驱动器是将来自控制器的指令信号传递给功率晶体管的电子元器件。下图是高低边均为N沟道MOSFET时的信号示例。控制器输出Low为0V、High为5V的指令信号。仅凭此信号无法直接导通和关断高低边MOSFET。如前文所述，N沟道MOSFET需要相对于源极施加阈值以上的电压，而高边MOSFET的源极电压有时会达到电源电压（下图中的VM）。在下图中，栅极驱动器将低边指令信号的振幅提升至VCC。该VCC需设定为远高于MOSFET阈值的电压。此外，使高边MOSFET导通的电压需达到VM＋VCC。通常，栅极驱动器的输出能力，即其能提供和吸收的电流量，比控制器的输出能力要大。这是因为MOSFET的导通和关断需要一定的电流（该电流量不足时，MOSFET的开关速度可能会受到限制）。综上所述，栅极驱动器的作用包括调整指令信号的振幅、调节成与电源电压（VM）相匹配的电位以及提升最大电流量。此外，如果高边是P沟道MOSFET，还会进行极性的反转。下面展示了实现上述工作的电路结构示意图。N沟道-N沟道型（N-N）的低边指令信号通过缓冲电路输出（这里的缓冲电路是指调整信号大小（振幅）和电流供应能力的电路）。高边的指令信号则先经由信号传输电路进行信号电平调整后，再通过缓冲电路输出。此时的电压也会使用高于VM的电压。P沟道-N沟道型（P-N）的低边与N-N型相同。高边的结构示例如图所示，导通的指令会使缓冲电路后的晶体管导通。通过这一工作，高边MOSFET的栅极电压降低，从而实现导通。由此可见，根据功率晶体管是N-N型还是P-N型，栅极驱动器的电路结构也会有所不同。在N-N型电路中，需要比VM（功率晶体管高边的电源）更高的电压。该电压通常由电机驱动器内部的升压电路生成。此升压电路主要有以下两种类型。一种是被称为“电荷泵”的电路。通过使VCP1引脚的电压在0和VM电压之间交替重复的工作，对电容器C2充电。通过这一工作，VCP引脚的电压将达到VM＋VCC（不包括二极管的电压降），从而可作为升压电压使用。另一种是自举电路。当低边功率晶体管导通且VS引脚电压接近0（Gnd电位）时，电容器C1会被充电。通过这一工作，使VB引脚相对于VS保持VCC的电位差，从而可作为升压电压使用。关于这两种电路的工作和特点，请参阅本文所在的“Sugiken老师的电机图书馆”内的另一篇文章“Sugiken老师的电机驱动器课”的“第12集　电路的深度知识　＜升压电路＞”。用途和特点无刷电机被安装于各类设备中，并广泛应用于多种领域。例如，仅以部分家电和消费电子为例，电机就被应用于风扇、压缩机、洗衣机的滚筒、复印机的多棱镜和送纸器、电脑的驱动（硬盘和光驱）、吸尘器的吸力装置等场景中。当使这些设备运转时，它们各自都有其特点和要求（限制）事项（或者非要求事项）。例如，风扇要求以恒定速度旋转，但对旋转波动和转速精度的要求并不严格。对旋转波动和转速精度有严格要求的是驱动与设备性能直接相关的部件（如多棱镜、送纸器和驱动器等）旋转的电机。压缩机要求无传感器控制，而吸尘器则需要较高转速。如果试图用一种电机驱动器来应对具有各种特点和要求（限制）的电机，可能导致性能过剩或者功能冲突。因此，电机驱动器有针对风扇或多棱镜等应用特点而设计的产品，具备与之相匹配的性能。另外，输入至电机的功率电源（连接功率晶体管的电源）主要有两种类型：一种是将商用电源（AC100V或AC200V）整流后得到的直流电压，另一种是比该电压更低的直流电源。前者为DC140V或DC280V，有时被称为“高压（高电压）”；后者为DC24V、DC12V或DC5V等，有时被称为“低压（低电压）”。为了表明能够适配这些电压范围，有时会用“高压驱动器”或“低压驱动器”等用以表示电机驱动器额定电压范围的名称。电机驱动器示例本节我们将介绍ROHM官网产品信息页面中几款电机驱动器IC的规格、特点和主要应用领域。・三霍尔低电压120度矩形波BD63006MUV是一款全集成电机驱动器IC，推荐电压为8V～24V，可输出1.5A的电流。采用三个霍尔元件检测转子位置，通电波形为120度矩形波。可以通过施加Duty脉冲指令来调节输出电压。内置N-N型功率晶体管，通过电荷泵生成电压。配备有节能电路、旋转方向切换、短路制动功能和各种保护功能，主要适用于OA设备及普通消费电子产品中安装的电机。单霍尔低电压正弦波BD63251MUV是一款预驱动器（控制器+栅极驱动器），推荐电压为5.5V～15V，需搭配P-N型功率晶体管使用。采用单个霍尔元件检测转子位置，通电波形为正弦波。可以选择施加模拟电压指令或Duty脉冲指令的任意一种来调节输出电压指令（给功率晶体管的信号）。由于是P-N型，因此没有升压电路。配备有自动超前角控制、固定超前角调节、软启动功能、旋转方向切换和各种保护功能，主要适用于服务器和电脑散热风扇中安装的电机。无传感器中电压正弦波BD64070MUV是一款预驱动器，推荐电压为28V～77V，需搭配N-N型功率晶体管使用。通过感应电压的过零点（电压极性发生变化的点）检测转子位置，通电波形为正弦波（为检测感应电压，正弦波波形中有部分为断电区间）。内置速度控制（反馈）电路，可通过施加频率脉冲指令将转速调节至任意值。由于是N-N型，因此通过电荷泵生成电压。配备有死区时间设置功能、节能功能、旋转方向切换、短路制动功能和各种保护功能。主要适用于风扇和普通消费电子产品中安装的电机。无传感器低电压正弦波BD63242EFV是一款全集成电机驱动器IC，推荐电压为5V～16V，可输出1.0A的电流。通过感应电压的过零点（电压极性发生变化的点）检测转子位置，通电波形为正弦波（为检测感应电压，正弦波波形中有部分为断电区间）。可以选择施加模拟电压指令或Duty脉冲指令的任意一种来调节输出电压。内置P-N型功率晶体管，没有升压电路。配备有旋转方向切换和各种保护功能。主要适用于冰箱风扇和普通消费电子产品中安装的电机。三霍尔正弦波BD62018BFS是一款控制器IC，推荐电压为10V～18V，需搭配支持N-N型的栅极驱动器和功率晶体管使用。推荐电压为控制器IC电源电压，因此不限制栅极驱动器和功率晶体管的电压。采用三个霍尔元件检测转子位置，通电波形为正弦波。可以通过模拟电压指令来调节输出电压。控制器IC输出的功率晶体管通断指令信号，其极性是预设为N-N结构设计的。配备有超前角调节功能、旋转方向切换和各种保护功能。主要适用于风扇、泵类和家电产品中安装的电机。高压栅极驱动器和功率晶体管（IPM）BM6242FS是一款IPM（智能功率模块），推荐电压为400V以下，可输出1.5A的电流，需搭配控制器IC使用。内置N-N型功率晶体管，通过自举电路生成电压。配备有各种保护功能和显示保护工作状态的信号输出功能。主要适用于风扇、泵类和家电产品中安装的电机。三霍尔高电压正弦波BM6249FS是一款全集成电机驱动器IC，推荐电压为400V以下，可输出2.5A的电流。采用三个霍尔元件检测转子位置，通电波 形为正弦波。可以通过施加模拟电压指令来调节输出电压。内置N-N型功率晶体管，通过自举电路生成电压。配备有超前角调节功能、旋转方向切换、各种保护功能和显示保护工作状态的信号输出功能。主要适用于风扇、泵类和家电产品中安装的电机。最后以上就是“什么是无刷电机驱动器”的介绍。无刷电机驱动器不仅在额定电压和额定电流等常规规格上存在差异，在转子位置检测方式、通电波形以及控制功能方面也有多种不同的类型。在选择电机驱动器时，需要从中筛选出符合应用需求和应用场景的产品，为此，了解所安装的电机和设备的知识以及电机驱动器的知识至关重要。
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发布时间：2026-08-20 11:34 阅读量：286 继续阅读>>
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捷捷微电可控硅光耦驱动解决方案

　　导言　　在 220V AC 交流负载控制中，为什么有些应用需要选择过零检测型光耦，而有些应用却必须使用随机触发型光耦?　　光耦与 Triac 如何匹配?门极限流电阻和泄放电阻分别起什么作用?面对电机、水泵、电磁阀等感性负载，又为什么需要配置 RC 吸收回路和压敏电阻?　　作为功率半导体领域的 IDM 厂商，捷捷微电围绕光耦与可控硅产品体系，形成覆盖过零检测与随机触发的可控硅光耦产品方案，并可结合功率 Triac 为客户提供国产化配套选择。　　本文从 220V AC 交流可控硅交流驱动电路出发，系统介绍可控硅光耦的选型方法、外围电路设计及典型应用。　　在 220V AC 负载控制应用中，通常采用“MCU/控制端 + 光耦 + Triac + 交流负载”的隔离驱动架构。　　光耦负责实现低压控制侧与高压功率侧之间的电气隔离，后级 Triac 则承担交流负载的开关控制。　　典型外围电路主要包括输入限流电阻、输出限流电阻、门极泄放电阻，以及针对感性负载配置的 RC 吸收网络和压敏电阻等。　　其中，光耦输入端限流电阻可根据控制电压、LED 正向压降及目标触发电流进行计算：　　RF ≈(VCC − VF)/ IFT　　输出侧则需要根据光耦输出能力和后级 Triac 的门极触发要求，对 RL、RG 等参数进行匹配。　　过零/随机触发光耦选择　　过零检测型光耦　　输出端在交流电压接近零点时触发导通，可降低开通瞬间的电流冲击及 EMI 干扰，适用于照明、继电器、电磁阀等以通断控制为主的应用;不适用于需要相位控制的调光、调速及调功场景。　　推荐型号：JOCSZ21B-D5P/S、JOCSZ31B-D5P/S;　　随机触发型光耦　　不集成过零检测功能，可根据输入控制信号在交流周期内的相应相位触发，从而支持可控硅相位控制，支持相位控制和调功，适用于风扇调速、可控硅调光、温控及工业调功等应用。　　推荐型号：JOCSR21B-D5P/S、JOCSR31B-D5P/S;　　触发条件　　选型时应确保光耦输出能够为后级可控硅提供足够的门极触发电流，并为可控硅的 IGT 预留合理裕量，并综合考虑输入电压、温度变化、可控硅参数离散及负载工况，保证可控硅可靠触发。推荐采用 RL 输出限流电阻 + RG 门极泄放电阻的双电阻设计：RL 用于限制门极驱动电流，RG 用于提高门极抗干扰能力，降低噪声及 dv/dt 引起的误触发风险;　　保护电路与可靠性　　针对不同负载特性选择合适的光耦及外围保护方案,感性负载如电机、水泵、电磁阀及线圈等，在可控硅关断过程中容易产生反向感应电压和较高的 dv/dt，建议增加 RC 吸收回路及压敏电阻 TNR，其中 RS/CS 构成 RC 吸收网络，用于限制可控硅两端电压变化率 dv/dt，抑制感性负载关断过程中产生的电压尖峰及振荡，降低误触发风险，提高系统可靠性;　　隔离耐压　　根据整机工作电压、安规等级、爬电距离及电气间隙等要求，选择合适的隔离耐压和封装规格。捷捷微电可提供 3750Vrms、5000Vrms 等不同隔离耐压规格，封装覆盖 DIP-5、SMD-5、SMD-7、SOP-4 等，可满足不同家电、工业控制及电源应用的隔离与安装需求;　　负载适配　　灯泡、加热器等阻性负载与电机、线圈、电磁阀等感性负载应区别选型。感性负载建议增加 RC 吸收回路及 TNR 压敏电阻，用于抑制关断瞬间产生的反向感应电压及浪涌，提升 可控硅 工作稳定性;对应上图原理图元器件为 TNR / RS / CS;　　器件象限兼容性　　在 220V AC 双向可控硅应用中，需要综合考虑可控硅的触发象限、IGT、IH 以及光耦输出触发能力。对于需要双向稳定导通的应用，应通过器件参数匹配和实际波形验证，确保正、负半周均能可靠触发;　　温度可靠性　　对于高低温及温度变化较大的应用，关注光耦及可控硅的温度特性，优先选择触发电流 IGT、维持电流 IH 随温度变化较小的器件，确保全温度范围内稳定触发和可靠关断。　　捷捷微电可控硅输出光耦主要分为过零检测型(ZC)和随机触发型(RP)两大产品线，隔离耐压最高可达 5000Vrms，断态电压覆盖 600V、800V 等规格，触发电流支持 3-15mA可选,器件工作温度范围-55-110°C。产品封装覆盖 DIP 直插、SMD 贴片等形式，可满足家电、照明、工业控制及电源等多种应用需求，全系列产品具备 UL / VDE / CQC 等安规认证。　　行业多数厂商仅单独量产光耦或可控硅，捷捷微电实现隔离驱动光耦 + 功率 可控硅 双向可控硅一站式国产配套：　　光耦 + 功率可控硅同 IDM 体系协同　　光耦与功率 可控硅均来自捷捷微电产品体系，结合光耦输出触发能力、可控硅的 IGT/IH、dv/dt、di/dt 等关键参数进行选型匹配，减少不同品牌器件组合时的兼容性验证工作。　　自建光耦IDM产线，品质可靠保障　　捷捷微电自建完整 IDM 光耦生产线，建立覆盖芯片、封装及测试环节的全流程质量管控体系。全系光耦产品采用高温 ATE 热测、回流焊热测等可靠性验证手段;塑封环节配备全自动模封产线，并结合无氧水冷氮气烘箱、等离子清洗等工艺，强化产品制造过程控制与长期可靠性保障。　　原厂技术支持，一站式解决电路问题　　依托原厂技术团队，可为客户提供标准应用电路、关键参数选型建议、实测波形分析、EMC问题排查及安规设计参考等技术支持，覆盖硬件设计、样品测试及认证整改等环节，缩短客户产品开发周期。　　全链路国产现货交付　　光耦、功率可控硅均为捷捷微电自主研发及生产，产品供应链自主可控，为客户提供稳定的国产化替代方案。　　可控硅光耦隔离驱动是交流控制的基础电路，捷捷微电依托晶闸管细分龙头优势，打造JOC系列、JOCSR系列可控硅光耦 + 全规格双向可控硅完整国产解决方案，覆盖过零检测与随机触发两大品类，电流档从0.3A到1.2A，封装涵盖DIP-5/6/7、SMD和SOP4。
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发布时间：2026-08-19 15:19 阅读量：290 继续阅读>>
纳芯微丨高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN<span style='color:red'>驱动</span>、高带宽采样与400MHz实时控制
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纳芯微丨高密度AI服务器电源：HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制

　　文章导读　　高密度服务器电源设计：高压、高频、高功率密度和多相控制，带来哪些新的芯片设计要求;　　隔离+：800V高压架构下的耐压、CMTI、传输延时与集成设计;　　驱动：SiC/GaN高频开关对驱动电流、抗扰能力和延时匹配的要求;　　采样：高密度电源中的带宽、量程、精度与小型化设计;　　实时控制：多相电源对MCU运算性能、PWM和ADC资源的要求。　　五大落地路径　　电源设计应对高密度设计需求　　AI服务器功率和功率密度不断提升，对电源的通流能力、转换效率和散热带来更大挑战，设计主要从以下五个方向进行优化：　　大功率回路硬件扩容　　一方面选用大规格功率半导体器件，或采用多器件并联提升回路通流能力;另一方面采用多相交错电源架构，通过多个功率子模块协同工作，针对重载、轻载等不同工况优化电源转换效率，是当前大功率PSU的主流设计思路。　　系统架构高压化(HVDC高压直流)　　800V高压母线方案大范围普及，通过提升系统额定电压降低回路传输电流，减少线缆、铜排的传导损耗，同时缩减母线铜材占用空间，从系统层面提升整机功率密度。　　开关电源高频化　　利用SiC、GaN等宽禁带功率器件的高频特性，提高电源开关频率，缩小变压器、电感、电容等无源器件体积，是提升电源功率密度的重要技术路径。　　软开关拓扑+开关速率优化　　通过提高开关速度或采用软开关技术降低功率器件的开通和关断损耗，并通过降低损耗减小散热器尺寸，进一步节省PCB板卡空间。　　液冷散热+高密度PCB布局　　采用浸没式、冷板式液冷等方案提升散热能力;同时结合元器件小型化和高密度PCB布局，提高机箱内部空间利用率。　　以上五项优化主要集中在功率主回路，高压、高频和高密度设计也会影响控制回路，对隔离、驱动、采样和实时控制芯片的性能与集成度提出更高要求。　　四类芯片设计挑战　　高压、高密度带来更高性能要求　　隔离类IC　　高压安规、抗扰能力与集成化设计要求　　高压化是AI电源的重要趋势，隔离芯片作为高低压电气隔离的关键界面，承担系统安规防护作用，在800V及更高电压系统中，主要面临四方面技术要求：　　满足安规隔离耐压要求，保障系统用电安全;　　高频开关带来节点电位快速跳变，芯片需要较高的CMTI共模瞬态抗扰度，降低高压瞬态干扰造成通信失效、系统误动作的风险;　　随着开关频率提升，控制环路响应加快，隔离芯片需要更低的信号传输延时，保障主控与功率侧信号同步;　　800V系统对器件爬电距离和封装提出更高要求，分立器件方案会占用更多PCB面积，多功能集成化隔离芯片有助于降低板级空间占用。　　针对上述需求，纳芯微采用第三代电容隔离架构，并结合Adaptive OOK自主调制技术。相关产品可支持1500Vrms、2121VDC工作条件，设计使用寿命超30年;典型CMTI共模瞬态抗扰度>150kV/μs，实验室测试可达200kV/μs以上;最高通信速率150Mbps，信号传输延时可控制在15ns以内，满足高速控制链路需求。　　基于自研隔离技术，纳芯微形成了丰富的隔离产品矩阵，覆盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离栅极驱动等产品，并推出二合一、三合一等集成化产品，如隔离电源+隔离接口二合一芯片、隔离电源+隔离驱动+隔离采样三合一芯片，可通过单颗器件集成多项功能，减少外围器件数量和电路复杂度。　　纳芯微隔离产品覆盖不同隔离等级和爬电距离需求，基于在光储1500V高压应用中的技术积累，相关产品可适配800V HVDC数据中心高压母线，并面向更高电压等级的应用需求进行产品布局。爬电距离规格覆盖2mm、8mm、15mm等，其中2mm器件适用于低压小型电源的功能绝缘需求，8mm、15mm器件可满足高压系统的加强绝缘需求，适配不同功率等级PSU的选型。　　驱动类IC　　大电流、高抗扰、集成负压，适配新一代功率器件　　随着SiC、GaN等宽禁带功率器件的应用，隔离驱动芯片面临三方面更高要求：　　大功率器件通常具有更大的结电容，同时电源开关速度不断提升，驱动芯片需要在更短时间内完成功率器件结电容的充放电，因此需要更强的拉灌电流能力;　　驱动异常可能导致功率器件失效，因此对驱动IC的CMTI共模瞬态抗扰能力提出更高要求;　　高开关频率下死区时间缩短，对驱动通道的延时一致性提出更高要求，同时也推动驱动芯片向更高集成度发展。　　纳芯微针对数据中心高密度电源的驱动产品主要包括高性能隔离驱动和GaN专用驱动两类，可适配不同功率器件的驱动需求：　　高性能隔离驱动：产品按输入类型分为光耦兼容电流输入、TTL/CMOS电压输入两大系列;功能覆盖UVLO欠压保护、米勒钳位、DESAT退饱和保护、软关断、故障报警等，部分型号进一步集成隔离ADC及功能安全相关电路。相关产品输出拉灌电流可达±10A，可适配800V架构下大功率SiC器件的驱动需求。　　GaN专用隔离驱动芯片：GaN器件导通阈值较低、开关速度快，对误导通抑制提出更高要求。传统方案通常通过外部分立电路实现负压关断，占用一定板级空间。纳芯微GaN驱动芯片集成负压生成电路，可直接实现负压关断，减少外围辅助供电器件和PCB面积占用;产品覆盖高压GaN、低压GaN及不同输出电流规格，为不同应用提供相应选型。　　纳芯微驱动方案覆盖AI服务器电源前级SST、整流模块、BBU/CBU储能单元、二次/三次侧DCX变换器、板载千瓦级IBC电源及多相交错Buck电源等环节，并支持单向高压GaN、单向低压GaN、双向GaN及不同规格SiC器件。　　采样与信号处理IC　　多方案分层落地适配AI服务器电源采样需求　　AI服务器电源控制环路速度提高、电磁环境更加复杂，对采样器件的带宽、CMTI共模瞬态抗扰能力和量程提出了更高要求。电流采样常见方案包括集成霍尔、采样电阻+隔离运放、开环电流传感器和CT电流互感器等，不同方案在体积、精度、带宽及磁滞等方面各有特点，需要根据具体应用选择。　　功率密度优先的设计中，集成霍尔电流传感器通过集成基准、OCP过流保护等功能，减少外围调理电路;对采样精度要求更高的场景，则采用采样电阻+隔离运放架构。纳芯微产品覆盖这两类技术路线。　　以霍尔电流传感器为例，纳芯微针对不同电压、电流等级布局了多款产品：　　800V高压AIDC应用：耐压1550V、50A量程、8mm爬电距离、2MHz带宽;　　54V/12V低压电源：4×4mm小型封装、100A量程;　　大功率SST等高电流应用：200A以上大量程线性霍尔产品　　实时控制专用MCU　　高主频、多通道，满足电源实时控制需求　　电源实时控制MCU是数字控制与功率硬件之间的重要桥梁。多相交错拓扑带来多路PWM同步输出需求，叠加开关频率提升，对MCU的实时运算能力、采样通道数量及控制精度提出了更高要求。　　纳芯微电力电子专用MCU覆盖200MHz～400MHz Cortex-M7单核/多核架构，针对电源应用优化运算性能、片上存储、PWM及工业通信接口等资源配置，适配不同功率等级的服务器电源：　　7系列实时控制MCU：双400MHz Cortex-M7内核，搭载32路HRPWM、40路模拟采样通道，可用于大功率SST、HVDC AC-DC PSU等实时控制场景;　　5系列实时控制MCU：240MHz单核Cortex-M7，配置16路PWM输出，可用于PSU、DC-DC电源等应用;　　1系列实时控制MCU：200MHz单核Cortex-M7，适用于板载IBC、Buck等电源控制场景。　　面向AI数据中心电源高压、高频、高功率密度的发展趋势，纳芯微已形成隔离、驱动、信号采样和实时控制MCU等核心产品组合。　　以整机PSU为例，除上述四类产品外，还包括NTC温度传感器、高精度电压基准源、反激控制芯片、低压LDO、热插拔保护控制器等器件，满足温度监测、电压基准、辅助供电及系统保护等功能需求。　　同时，纳芯微可结合客户具体的系统设计需求提供芯片选型与应用支持，根据整机尺寸、额定功率、母线电压、散热架构等参数，协助进行器件选型和方案优化，为AI服务器电源不同架构和功率等级提供相应的产品与技术支持。
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发布时间：2026-08-13 09:49 阅读量：287 继续阅读>>
纳芯微丨同一辆车，为什么氛围灯还会有色差？从3 SDCM到红蓝补偿，拆解量产设计的两大难题——以NSUC15xx系列汽车氛围灯<span style='color:red'>驱动</span>芯片为例
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纳芯微丨同一辆车，为什么氛围灯还会有色差？从3 SDCM到红蓝补偿，拆解量产设计的两大难题——以NSUC15xx系列汽车氛围灯驱动芯片为例

　　汽车氛围灯从点光源、线光源发展至面光源和区域动态控制，灯珠数量更多、控制区域更复杂，用户对颜色品质的要求也随之提高。工程设计需要让不同位置、不同批次的灯珠稳定混出同一种目标色，同时兼顾红蓝光亮度、EMC、诊断与系统集成。　　本文从颜色一致性和亮度补偿两个常见问题出发，分析汽车氛围灯量产设计中的关键考量。　　01　　发光容易　　混出同一种光，为什么难?　　RGB氛围灯并不是直接发出一种固定颜色，而是通过调节红、绿、蓝三个LED通道的电流或PWM占空比，将三种颜色按照不同强度混合，形成目标颜色。在同一台车内，不同位置的灯珠可能来自不同批次，灯珠自身的色坐标、亮度和光学结构也会存在离散性。工程师需要在这些差异客观存在的前提下，让门板、仪表台、顶棚等不同区域仍然呈现统一、稳定的颜色效果。对终端用户而言，这些颜色效果会影响座舱是否显得协调、精致。　　CIE 1931色彩空间为颜色的客观测量提供了统一坐标体系，但它并不是均匀色彩空间：在不同颜色区域，即使色坐标偏移的距离相同，人眼感受到的色差也可能不同。例如，人眼在某些颜色区域对细微变化更加敏感，而在另一些区域则不容易察觉。　　MacAdam 椭圆正是用于描述这种差异。图中的每个椭圆都围绕一个目标色点展开，表示在该颜色区域内，人眼难以区分的颜色变化范围。由于人眼对不同颜色以及不同偏移方向的敏感度不同，椭圆的大小和方向也并不一致。　　在此基础上，SDCM可用于描述实际色点相对目标色点的偏差程度。SDCM数值越小，说明色点越集中、与目标色越接近;数值越大，允许的色差范围越大，也越容易被肉眼察觉。　　因此，对汽车氛围灯而言，颜色一致性的关键，是让同一座舱不同位置、不同批次灯珠混出的实际色点，尽可能稳定地落在目标色点附近较小的SDCM范围内。　　为更直观地观察颜色一致性表现，测试选取同一品牌、同一色度Bin的灯珠进行对比。在色度图中，每一个黑色测试点都代表一次实际混光结果。椭圆表示目标色点周围的参考色差范围。　　在本次测试条件下，相比行业传统方案，纳芯微方案下的色点分布更集中、能够提供更稳定的混光控制表现。　　注：测试结果受灯珠、温度、电流、光学结构及校准算法等因素影响，图示仅用于说明本次测试条件下的色差表现。　　02　　同样的电流，　　为什么红光和蓝光显得“不够亮”?　　颜色一致性之外，亮度平衡也是氛围灯设计中容易被低估的问题。人眼对不同波长光的敏感度并不相同，对555 nm附近的光最为敏感。在相同辐射功率下，该波段会显得更亮。因此，同一电流下，绿色通常更容易获得较高的感知亮度，而红光和蓝光则更容易显得偏暗。　　在实际RGB混光过程中，三个通道不能简单采用相同电流或相同PWM占空比，而是需要通过红蓝补偿，让三个颜色通道在感知亮度层面达到更合理的平衡，从而混出符合目标色点和观感要求的颜色。　　针对这一问题，纳芯微已量产的NSUC1500提供4通道驱动，增加混光调校自由度：　　传统RGB氛围灯通常需要三个驱动通道，分别控制红、绿、蓝三个LED。当红光或蓝光的感知亮度不足时，仅依靠原有三个通道进行调节，可能会受到单通道驱动能力、灯珠规格或光学结构的限制。　　纳芯微NSUC1500提供的第4个通道可根据不同项目需求灵活使用，可用于红光或蓝光补强，也可用于兼顾白光照明。当第4通道用于红光蓝光补强时，能够提供额外的光学调校空间。当第4通道用于白光时，可以减少仅通过RGB混合白光时可能出现的偏色问题，有助于提高混白光的显色指数，提高车内氛围灯的质感。　　03　　从单灯到面光源　　驱动芯片面对的是系统级挑战　　当氛围灯从几颗RGB灯珠扩展到多区域、多模式联动的座舱光系统，设计挑战也会从颜色和亮度延伸至系统层面。有限安装空间要求更高集成度;动态光效需要更多独立驱动通道;复杂车载电磁环境带来更严苛的EMC要求;同时，通信、故障诊断与可靠性设计也需要协同考虑。驱动芯片要同时承担LED驱动、通信、控制和诊断等功能。　　面向面光源和区域动态氛围灯，纳芯微NSUC1527集成27路高精度恒流驱动，支持CAN FD、LIN和UART通信，内置2分时，可独立控制18颗RGB灯珠，最多可控制81颗RGB灯珠。因此，NSUC1527进一步支持多区域独立控制，为音乐、语音、驾驶模式等动态联动场景提供更高的系统集成度和控制能力。
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发布时间：2026-08-11 13:14 阅读量：325 继续阅读>>
兆易创新GD32H77R机器人专用芯片重磅亮相，精准赋能伺服<span style='color:red'>驱动</span>与关节控制
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兆易创新GD32H77R机器人专用芯片重磅亮相，精准赋能伺服驱动与关节控制

　　8月5日，兆易创新(GigaDevice)正式推出GD32H77R高性能32位微控制器，该款芯片是面向伺服驱动与机器人关节控制场景深度定制优化的专用MCU。GD32H77R系列芯片搭载600MHz主频Arm® Cortex®‑M7内核，配备可与CPU同频工作的640KB紧耦合内存(TCM)，集成EtherCAT®从站控制器与多规格工业编码器接口，采用9mm×9mm BGA169紧凑封装精准适配机器人关节内部有限空间，可广泛应用于人形机器人关节模组、伺服驱动器、VFD变频调速、3D打印与数控设备、工业网关及多传感器融合系统。GD32H77R以高算力兼顾低动态功耗，一体化实时通信，超高集成度与小型化封装，完备运动控制外设的多重优势，为智能运动控制领域提供了一颗兼具算力与能效的“芯”选择。　　依托硬核算力　　打造机器人关节旗舰控制内核　　GD32H77R芯片搭载600MHz Arm® Cortex® M7超高性能内核，支持双精度浮点运算，内置三角函数加速器TMU，有效提升电机控制运算效率。芯片配置了640KB大容量与CPU同频运行的TCM紧耦合内存，运算代码可实现零等待读取，1.2MB片上共享SRAM，2MB高速可执行Flash以及3.5MB存储Flash。这套为高性能电机运算量身打造的硬件架构能够让超高速内核与超高速内存时刻匹配，彻底释放芯片澎湃算力。即便面对高频中断、多任务并行调度等强实时控制任务，GD32H77R系列MCU依旧能保障指令响应精准确定、算法执行高速稳定，从容承载复杂控制算法与海量高频数据处理需求，为高端伺服设备与各类高要求嵌入式场景筑牢硬核算力根基。　　除此之外，GD32H77R系列芯片支持1.7V~3.6V工作电压范围，搭载三种可灵活配置的节能模式。芯片采用先进功耗设计，动态功耗表现优异，大幅度减少芯片自发热，结合系统级热管理技术，可为高环温工业运动控制场景提供更高能效与更长工作寿命。　　EtherCAT®从站控制器 + 多规格编码器接口　　打造一体化运动通信中枢　　GD32H77R MCU片内集成EtherCAT®从站控制器与两路百兆以太网PHY，可灵活支持标准百兆以太网或EtherCAT®两种通信方式，片内整合方案省去两颗外置工业级百兆PHY器件，有效降低系统BOM成本与设计复杂度。针对EtherCAT®应用，芯片还进行了专项硬件优化，单边传输延迟最快可低至50ns以内。其EtherCAT®模块寄存器和数据采用直接寻址访问机制，大幅拉高EtherCAT®通信速率。DC同步周期精度可达62.5μs，可充分满足多轴联动场景下严苛的高精度同步控制要求。同时，GD32H77R系列芯片支持FSoE安全协议，依托EtherCAT®总线实现安全数据同网传输，满足IEC61508 SIL3功能安全标准，兼顾通信实时性与设备运行安全性，适配伺服、机器人关节的安全控制需求。　　芯片集成多种工业编码器接口，原生兼容EnDat、BiSS-C、Tamagawa等主流绝对式编码器协议，内置RDCM旋转变压器数字转换模块，能够精准采集电机位置与转速反馈，省去大量外围信号调理器件，有效精简硬件电路设计，缩减整机BOM用料与研发成本。　　高速互联+全能外设　　从容应对工业现场复杂互联需求　　依托丰富的高速通信接口与先进外设资源，GD32H77R系列构建起全功能的系统交互枢纽。这一卓越的连接性能，为工业现场的多轴同步控制与高带宽数据网关应用提供了坚实的硬件基础。其核心外设资源包括：　　高速有线通信：8xU(S)ART、4xI²C、6xSPI、4xI²S　　先进网络与总线：2x10/100Mbps Ethernet、3xCAN-FD　　高性能模拟系统：2x14bit ADC、1x12bit ADC、2CHsx12bit DAC、2xCOMP、1xHPDF、PMU　　高速数据接口：1xUSB HS OTG(内置PHY)、2xSDIO　　多层设防，稳固安全防护体系　　GD32H77R芯片集成硬件加密、哈希校验、参数防篡改与真随机数生成模块，依托CAU、HAU、EFUSE、TRNG四大安全单元完成数据加解密、完整性校验、关键参数固化与随机密钥生成，全方位守护固件与设备信息安全。产品与产品开发管理体系遵从欧盟网络安全弹性法案(CRA)法规要求与IEC62443安全标准，遵从各类相关行业国际标准，并可以为下游OEM提供信息安全方案与认证咨询。　　GD32H77R系列MCU STL已通过德国莱茵TÜV IEC 61508 SC3(SIL 2/SIL 3)功能安全认证，同时符合ISO 60730 B类功能安全标准。芯片配套包含安全手册FMEDA报告等关键资料，为工业场景设备运行搭建稳固可靠的功能安全底座。　　小封装高集成　　重塑工业伺服硬件设计边界　　针对伺服驱动器与机器人关节模组日益突出的小型化设计需求，GD32H77R面向紧凑型伺服与关节驱动量身打造实时控制MCU方案，采用9mm×9mm规格BGA169小型封装，在极小布板面积内集成多路高精度ADC、高级定时器及各类串行通信接口等丰富外设，凭借超高集成度有效缩减驱动板PCB体积，在算力、存储、总线通信与功能安全多维度实现优异平衡，帮助客户精简设备结构、降低硬件BOM成本，是人形机器人、工业机器人、数控机床等领域的理想主控芯片。
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发布时间：2026-08-06 13:25 阅读量：407 继续阅读>>
上海永铭丨引擎舱105℃电容扛不住？永铭LKL(R)系列135℃铝电解电容，从容应对冷却风扇<span style='color:red'>驱动</span>电路高温振动挑战
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上海永铭丨引擎舱105℃电容扛不住？永铭LKL(R)系列135℃铝电解电容，从容应对冷却风扇驱动电路高温振动挑战

　　在新能源汽车和燃油车的引擎舱中，冷却风扇是热管理系统的关键执行器。风扇一旦停转，电控系统热失衡，轻则空调失效，重则发动机拉缸甚至整车热失控。而这道防线的可靠性，往往取决于驱动电路中的一颗铝电解电容。　　但现实是：引擎舱100℃以上的高温与持续路面颠簸振动，对普通105℃铝电解电容而言几乎是“严刑”。　　一、失效机理：高温+振动，电容的“双重打击”　　铝电解电容的失效从来不是单一因素导致的。在引擎舱场景下，两股力量同时在作用：　　高温损伤：液态电解质在105℃以上环境中发生不可逆的分解反应，生成气态产物导致内压升高，同时导电离子浓度降低，使容量大幅衰减、等效串联电阻(ESR)显著增大。当内压超过外壳承受极限时，电容顶部防爆阀开启——这就是“鼓包”的物理根源。　　振动损伤：路面颠簸带来的持续振动，会加速电容内部芯包的机械松动，导致引线疲劳、接触电阻增大，进一步加速电解液泄漏。　　两者叠加的后果：电容鼓包、漏液、容量衰减、ESR飙升——最终导致风扇驱动板控制异常，风扇停转。　　二、客户代价：一颗电容失效，牵出的是百元级售后与百万级召回风险　　这不是实验室里的理论推演，而是真实发生在量产中的代价。　　一颗车载散热风扇售价约100元。因电容失效导致风扇整机报废，客户承担的售后成本包括换新、运费和人工，**单次赔付即超过百元。如果批量出现质量问题呢?那就是数十万甚至百万级的召回成本，外加品牌声誉的不可逆损伤。在汽车行业，一次因电容失效引发的召回，不仅意味着真金白银的赔付，更可能让客户丢掉后续订单。　　三、传统方案为何失效?——105℃通用电容的三大短板　　很多客户之前使用的是105℃通用铝电解电容。这些电容在实验室常温环境下或许表现正常，但一旦装车进入引擎舱，三大短板集中暴露：　　1. 温度偏低：105℃上限在引擎舱100℃+环境中几乎没有安全裕量，长期运行加速老化　　2. 高温耐久性不足：电解液在高温下快速挥发，寿命大幅缩短　　3. 浪涌电流耐受力差：风扇电机启动和PWM调速产生的高频纹波电流，加速电容内部发热　　测试阶段就出现鼓包漏液，更不必说量产装车后的长期可靠性。　　客户也曾考虑日系GPD、GVD等系列，但面临交期不稳定、供应链风险以及成本压力——采购想降本，老板又不准牺牲质量，交期还要保证，陷入两难。　　四、永铭LKL(R)系列：135℃车规铝电解电容，专为引擎舱恶劣环境设计　　永铭LKL(R)系列是专门针对车载散热风扇、DC-Link母线滤波、整车热管理系统等高温振动场景专项研发的135℃长寿命铝电解电容。　　四大核心技术加持：　　- 135℃高温专用电解液：极低挥发率，从源头解决电解液干涸失效问题　　- 抗震强化封装结构：加厚抗压外壳+加固芯包设计，抵御引擎舱持续振动　　- 优化内部散热通道：满载高温运行稳定控温，降低内部热损耗　　- 超低ESR设计(≤25mΩ)：减少纹波电流自发热，延长整机使用寿命　　实测硬核性能：　　- 135℃环境下，纹波电流承受能力提升20%　　- 高温满载使用寿命≥5000小时　　- 量产装车失效率控制在**10PPM**以内，远低于普通电容的300PPM　　更关键的是——永铭LKL(R)系列可以**PIN TO PIN替代NCC GPD/GVD系列，电气参数完全匹配，帮助客户在保证品质的前提下实现供应链本土化。　　五、选型参考：主推规格与关键参数　　选型建议：根据风扇电机功率和驱动板空间，优先选择50V耐压规格以应对车载12V/24V系统的电压瞬变。ESR越低，自发热越小，高温寿命越长。　　六、什么永铭“贵但值”?　　很多工程师和采购只对比单品采购价，忽略售后、返修、召回等隐性成本。正确的评判标准应看全生命周期成本：　　全生命周期成本 = 采购成本 + 售后维护 + 故障赔付 + 品牌损失　　大批量投产场景下差距尤为明显：　　单批次省下的售后费用，完全覆盖电容单品溢价;同时规避批量召回带来的大额损失，保护品牌长期订单。　　单次百元级风扇维修费用，可采购数百颗永铭车规电容。这不是成本，是投资。　　三、总结　　永铭LKL(R)系列135℃长寿命铝电解电容，专为车载散热风扇等引擎舱高温振动环境设计。采用135℃高温专用电解液、抗震强化封装和优化散热结构三大核心技术，实现135℃满载寿命5，000小时以上、纹波电流承受能力提升20%、量产失效率≤10PPM。该系列可PIN TO PIN替代NCC GPD/GVD系列，已在新能源汽车冷却风扇控制器市场批量应用验证。从全生命周期成本看，永铭方案将售后赔付从45万元降至近乎为零，综合成本优势显著。　　四、Q&A问答　　Q1：引擎舱100多度、长期振动，永铭LKL(R)怎么解决电容鼓包漏液问题?　　A：永铭LKL(R)系列针对引擎舱高温振动环境做了三项专项设计：①采用135℃高温专用电解液**，挥发率极低，从源头杜绝高温干涸;②高抗压封装外壳配合强化芯包抗震结构，抵御持续振动;③优化内部散热结构，确保高温满载下芯包温度稳定。实测在135℃环境下纹波电流承受能力提升20%，满载运行寿命达5，000小时以上。　　Q2：永铭LKL(R)能直接替代NCC GPD/GVD吗?不改板行不行?　　A：可以。永铭LKL(R)系列专为替代NCC GPD/GVD系列设计，PIN TO PIN无缝替代，电气参数完全匹配。该系列已在新能源汽车冷却风扇控制器市场中大批量应用验证，失效率可控制在10PPM以下。无需改板，直接替换即可。　　Q3：永铭比普通电容贵，怎么跟老板解释这笔投入?　　A：建议用全生命周期成本算账——以100万颗风扇为例，传统方案失效率约300PPM，售后赔付成本约45万元;永铭LKL(R)失效率≤10PPM，售后成本近乎为零。仅售后一项就省近45万元，足以覆盖电容本身的溢价。再加上规避百万级召回风险和品牌声誉保护，全生命周期成本反而更低。这不是多花钱，是花小钱省大钱。　　五、结语　　如果你正在为车载散热风扇选电容，不妨这样来验证：手头的方案在135℃高温下，纹波电流承载能力够不够?交期和品质能不能两头兼顾?　　永铭LKL(R)系列给出的答案是：135℃专用电解液解决高温干涸，抗震封装扛住引擎舱振动，低ESR设计降低自发热，5000小时满载寿命保障长期可靠性，10PPM失效率经批量验证——以上全部，电气兼容NCC GPD/GVD，不改板，直接换。　　技术问题交给我们来验证。如果需要规格书核对参数、或者拿几颗样品上板实测，访问永铭官网(www.ymin.com)，我们安排工程师对接。　　【本文摘要】　　“适用场景”: “车载散热风扇、冷却风扇控制器、引擎舱高温振动环境、DC-Link滤波、母线滤波、热管理系统”,　　“核心优势”: “135℃高温长寿命(5000h+)、低ESR(≤25mΩ)、纹波电流承受能力提升20%、失效率≤10PPM、PIN TO PIN替代NCC GPD/GVD”,　　“推荐型号”: “LKL(R)_25V_3300μF_16*25、LKL(R)_50V_1800μF_18*25、LKL(R)_50V_3000μF_18*35”, LKL(R)_35V_2200μF_16*25_±20%　　“行动指引”: “申请规格书、申请样品、测试验证、申请产品手册、联系官网(www.ymin.com)”
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发布时间：2026-08-06 10:16 阅读量：331 继续阅读>>
思瑞浦TPM27524A-DFSR：极小封装双路5A低边<span style='color:red'>驱动</span>硬核突围，助力高功率密度<span style='color:red'>驱动</span>设计
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思瑞浦TPM27524A-DFSR：极小封装双路5A低边驱动硬核突围，助力高功率密度驱动设计

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦(股票代码：688536)，持续在功率驱动领域深耕布局。针对当前火热的通信电源、服务器电源(砖模块)及充电桩模块等高密度应用场景，思瑞浦推出TPM27524A-DFSR双通道栅极驱动芯片,产品在保证强劲驱动能力的同时，以业界极小封装尺寸DFN1.5×1.5-8，有效解决系统“空间焦虑”痛点。　　01　　产品优势　　极小封装下的“散热”奇迹　　传统认知里，极小封装往往要牺牲散热性能，而TPM27524A-DFSR打破了这一局限，图1为该封装引脚示意图。图2直观对比了行业通用的SOP8、EMSOP8与DFN1.5×1.5-8三款封装的尺寸：DFN1.5×1.5-8的封装面积仅为SOP8的1/13、EMSOP8的1/6，底部还保留了专用散热焊盘。这种“小尺寸、强散热”的设计，给空间高度受限的大功率电源模块单板，留出了充足的布局调整空间。灵活的隔离驱动与供电方案　　依托极小封装尺寸，TPM27524A-DFSR在隔离供电场景下的适配优势十分突出，图3就是基于该芯片搭建的隔离供电参考方案。工程师可以把芯片直接贴装在小型变压器近旁，大幅压缩高频走线长度，有效降低寄生参数与信号干扰。这种布局的灵活性既能让单板布线更简洁清爽，更利于保障信号完整性，也能为多路输出电源的高密度堆叠腾出更多设计空间。　　02产品特性　　封装形式：1.5mm×1.5mm DFN-8(带散热焊盘);　　驱动通道：双通道独立驱动;　　供电电压范围：4.5V至23V;　　峰值拉/灌电流：5A/5A;　　传输延迟：典型值14ns;　　工作温度范围：-40℃ 至 +125℃;　　03典型应用　　TPM27524A-DFSR是面向高功率密度开关电源场景定制的驱动芯片，可广泛适配通信基础设施电源、服务器电源、新能源汽车、大功率充电桩模块等前沿领域。当前这类场景普遍面临功率升级带来的器件布局空间紧张问题，TPM27524A-DFSR的极小封装优势恰好能针对性破局，帮助客户轻松突破单板面积瓶颈，在不牺牲整机性能的前提下又能实现功率密度的显著提升。
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发布时间：2026-07-30 14:03 阅读量：405 继续阅读>>
FMS 2026｜佰维企业级QLC SSD即将亮相，携云边端全栈存储方案<span style='color:red'>驱动</span>AI未来
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FMS 2026｜佰维企业级QLC SSD即将亮相，携云边端全栈存储方案驱动AI未来

　　INVITATION　　存储无限策解无疆　　FMS 2026　　时间：8月4日-8月6日　　地点：美国加利福尼亚州圣克拉拉市圣克拉拉会议中心　　展位号　　#619
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发布时间：2026-07-30 13:12 阅读量：456 继续阅读>>

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