村田丨开拓<span style='color:red'>数据中心</span>光通信市场，时钟元件技术要如何进化？
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村田丨开拓数据中心光通信市场，时钟元件技术要如何进化？

　　智能手机、家电产品等支撑日常生活的多类电子设备中，都内置了电子电路。您知道吗，电子电路中装有称为“时钟元件”的元件，是一种确保电子电路正常工作的元件，可以产生出称为“时钟”的、具有固定间隔的信号。换言之，“时钟元件”就是电子设备的“心脏”。　　在以生成式AI为首的技术飞速发展的当下，人们对更高速、更高精度的通信需求日益增长。村田制作所开发出了一种时钟元件，具有高频且能够将时钟信号间隔偏差(即“抖动”)控制在非常低水平的性能，并成功确立了相关技术。与当前先端产品相比，性能增强6倍的村田时钟元件将如何为社会做出贡献?我们采访了该项目的负责人野村。　　时钟元件(晶体谐振器)是支撑AI社会基础的“心脏”!　　什么是时钟元件?　　时钟元件是驱动电子设备的心脏。那么，该如何理解这一定义呢?　　村田制作所功能元件事业部新型时钟元件项目相关负责人野村介绍说：“通俗地讲，时钟元件就是电子设备中发挥钟表的基础功能的那个电子元件。”时钟总是以“嘀嗒嘀嗒”这种有规律的节拍走着，时钟元件中的“嘀嗒嘀嗒”声是一种称为“时钟”的信号，时钟元件与振荡电路配合，产生作为电子电路基准的时钟信号，从而确保电子电路得以正常运行。　　正如演奏时以节拍器打出的节拍为基准一样，几乎悉数的电子设备都是基于时钟元件产生的固定节拍来运行的。　　——村田项目负责人 野村　　智能手机、电脑、家电产品、汽车等我们身边的许多电子设备，几乎都配备了IC芯片。如果把IC比作“大脑”，时钟比作“血液”，时钟元件比作“心脏”，应该就容易理解了。正如心脏以稳定的节律泵出血液，而正是有了这些血液，大脑才能正常运作一样，时钟元件(心脏)通过提供时钟(血液)，使IC芯片(大脑)能够正常工作，从而驱动电子设备运行。　　什么是时钟元件?　　用人体来比喻的话，时钟元件就相当于心脏的作用　　村田时钟元件的历史　　村田制作所起初是从市场需求的角度出发，采用了自创业之初就具备材料技术优势的陶瓷材料。陶瓷虽小巧，却不易损坏，且具备足够的性能。但是，随着电脑等设备的兴起，市场开始需要能够支持更高频率和更高频率稳定度的晶体谐振器。　　关于村田时钟元件的开发历史，野村介绍道：“因此，从2009年左右开始，我们便与东京电波株式会社(现为株式会社岩手村田制作所)共同正式着手开发采用晶体技术的时钟元件。”　　东京电波在晶体谐振器的开发和制造方面拥有出众的技术，并积累了生产人造晶体的专业技术。正是因为与该公司建立了合作关系，村田才能顺利开发出采用晶体技术的时钟元件。　　那么，村田这次提到的“性能是以往的6倍”的新技术是什么呢?　　村田新技术有哪些杰出之处?　　村田负责人表示，本次确立的新技术，性能是以往的6倍，可以称为“非常高的频率、低抖动晶体谐振器”：　　顾名思义，其特点是在通信时不仅提高了频率，还将“抖动”降到了非常低的水平。通过提高频率，可以在相同时间内处理更多任务，从而有助于实现高性能电子设备。　　——村田产品负责人　　抖动是指本应以固定间隔保持节拍的时钟所产生的“偏差”。在专业术语中称为“波动”，英语中称为“Jitter”(抖动)。如果抖动较大，则难以在正确的时机读取信号，这可能会导致通信质量下降或出现错误，进而引发延迟和卡顿。　　想象一下车站的检票口(下图)。如果乘客们排得整整齐齐，通行起来就会很顺畅。如果时间很紧的话，悉数乘客只要全部冲过去就行了，但只要出现一点点偏差，就会造成混乱，导致通行速度变慢——这一点不难想象。　　抖动变大便会导致延迟和卡顿　　村田本次开发的技术产生的抖动非常小，与目前市面上流通的先端时钟元件相比，在抖动成分方面可提供6倍的性能。因此即使在更高频率下——也就是说，即使悉数人以更快的速度冲刺，也能顺畅地通过检票口。　　为了便于理解，我们可以从时钟与频率的关系讲起。　　村田的新技术有助于实现高精度的高速通信　　例如，在采用光通信的数据中心中，为了实现数据的高速收发，正逐渐进入需要100GHz级甚至更高速度的信号处理和时钟生成技术的领域。不过，作为整个系统基准的、由时钟元件产生的时钟(称为参考时钟)本身，其频率要比这低得多。这里使用的是名为“PLL”的电路。　　PLL会将时钟元件产生的基准节拍提高数倍，从而生成实际通信所需的高速节拍。但是，作为基础的时钟元件的时钟偏差(即抖动)在频率提高的过程中，其偏差也会随之增大。因此，要生成高速通信时钟，除了要降低时钟元件本身的抖动外，尽可能减小PLL的放大倍率也至关重要。　　例如，如果要获得100GHz级别的通信时钟，由于先端的时钟元件频率只有625MHz，因此需要通过PLL将其增强约160倍。　　另一方面，村田此次确立的技术将时钟元件本身的频率提高到了1.25GHz。因此，为了获得100GHz级别的通信时钟，可以将PLL倍率控制在约80倍。　　这里值得注意的是，抖动小会产生怎样的影响。在先端的625MHz时钟元件中，抖动约为15fs(注：fs，即“飞秒”，等于10−15秒，即1000兆分之一秒)。如前所述，如果要获得100GHz级别的通信时钟，其频率将提高约160倍，因此抖动成分为15×160，相当于2400fs。　　相比之下，村田时钟元件的新技术所产生的抖动只有5fs，非常小。按照同样的思路计算，输出端的抖动成分为5×80，即相当于400fs。　　划重点：　　也就是说，村田的新技术通过“提高基础频率”和“减小基础抖动”这两方面，将输出端的抖动控制在普通时钟元件的六分之一。换句话说，在本次的比较条件下，其性能是先端时钟元件的6倍。　　新技术的关键：晶体培育　　村田在提高时钟元件自身频率的同时还降低了抖动，是如何实现的呢?　　要充分发挥晶体谐振器的性能，首先需要使用高纯度的人造晶体。我们利用共同推进研发的东京电波所掌握的人造晶体培育专业技术，培育出杂质很少的人造晶体。　　同时，晶体的加工技术也至关重要。晶体切得越薄，就能以越高的频率振动。　　野村认为，村田在其他产品领域积累了这项加工技术，并成功将该技术应用于晶体切片上。由于村田涉足多种产品领域，因此能够将其他领域积累的技术应用到晶体加工工艺中。正因为公司内部拥有多类技术人员，才得以实现这一点。　　此外，在对晶体谐振器进行封装时，村田也采用了特有的技术。当微小的灰尘或异物(即颗粒)进入封装内部后，如果晶体谐振器开始振荡，可能会导致工作异常，从而加剧抖动，甚至根本无法振荡。如果是智能手机，还可能出现无法开机的情况。村田凭借在制造阶段检测封装内部颗粒的技术，能够提供质量有保障的时钟元件。可以说，这种封装的“美观性”也是村田所具备的优势之一。　　在利用这些材料技术和加工技术将制成的晶体作为实际谐振器进行生产时，村田还自主生产了相关生产设备。野村认为：　　垂直整合型一体化制造体系为开发出出众的时钟元件提供了有力支持。　　应用前景：数据中心光通信...　　这项技术产品化后，预计将应用于哪些领域呢?村田认为，时钟元件的未来是数据中心的光通信化、6G基站，乃至更远的未来!　　根据日本总务省发布的“2025年版信息通信白皮书”，全球数据中心市场规模今后将继续增长。预计到2029年，该数字将达到6241亿美元，是2019年的2.1倍。村田制作所希望首先能将本次提及的时钟元器件新技术应用于采用光通信的数据中心以及6G基站通信中。　　凭借时钟元件的新技术，为更便捷的生活提供支持　　在数据中心中，通过使用被称为“光模块”的部件，在服务器和网络设备之间高速传输大量数据。在面向先端的数据中心的光模块领域，针对单模块1.6Tbps(太比特/秒)级的产品化及引进工作正在稳步推进。此外，预计传输速率达到其两倍的3.2Tbps级的光模块，也将在2028年前后开始推进实用化和商业化进程。如果能结合这个时机采用村田的新技术就太好了。　　此外，村田还计划支持未来传输速率高至6.4Tbps的下下代光模块。以目前的技术水平来看，我认为这在可实现的范围之内。　　随着AI的应用范围进一步扩大，数据中心处理的数据量和运算量也在不断增加。因此，在提高数据中心内部通信的速度和容量的同时，还需确保服务器内部的IC之间以及电路板之间能够以更高速、更稳定的方式进行数据传输。在这样的AI社会中，掌握关键的无疑是时钟元件。作为村田，我们下定决心，需要提供足以占据整个市场份额的价值。
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发布时间：2026-10-14 15:42 阅读量：243 继续阅读>>
瑞萨电子扩展GaN产品组合，推出首款面向AI<span style='color:red'>数据中心</span>和机器人应用的低压GaN FET
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瑞萨电子扩展GaN产品组合，推出首款面向AI数据中心和机器人应用的低压GaN FET

　　全新100V增强型GaN先进功率晶体管系列实现更高功率密度和业界卓越的优值性能　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布将其GaN产品组合扩展至低压应用领域，率先在业界推出100V增强型(E-mode)GaN分立功率晶体管系列。RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低压GaN FET可在AI数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动、电动工具以及太阳能微型逆变器等对效率要求极高的高功率密度应用中，实现超高速开关速度和增强的热性能。　　新款GaN FET实现业界卓越的硬开关和软开关优值(FOM)性能，相比同类GaN器件，硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM最高降低63%。低压GaN器件还保持与硅器件兼容的封装尺寸，便于导入现有设计。　　当前数据中心的电源转换器通常以数百千赫兹的开关频率运行。随着AI服务器和工业基础设施向800VDC配电和48V总线架构过渡，许多转换级正迈向兆赫级开关频率，以缩小磁性元件尺寸、提升功率密度并提高整体效率。　　在800V高压直流(HVDC)电源架构中采用低压GaN，可简化电源转换设计，显著减小无源元件尺寸，降低开关损耗和散热需求。在系统层面，这意味着更高效率、更少的热管理要求，以及更低的能源和BOM成本。　　广泛的GaN产品组合实现　　更高效率、功率密度与设计灵活性　　基于瑞萨近期扩展的低压增强型GaN技术平台，全新晶体管产品组合具备超高速GaN开关能力，并通过低总栅极电荷(Qg)和低输出电荷(Qoss)最大限度减少电压与电流重叠，从而降低AI电源单元、电机驱动和DC-DC电源级在每个转换周期中的能量损耗。该器件还具备零反向恢复(Qrr=0)特性，可消除相关能量损耗，立即提升开关效率。　　快速开关可通过缩小PCB占板面积、减小磁性元件和无源元件尺寸来提升功率密度，并实现更高频率运行;低导通电阻RDS(on)则可降低导通损耗，提高运行效率。底部散热和双面散热配置为散热和设计灵活性提供更多选择。根据具体应用要求和电源转换架构，低压GaN器件可将开关损耗降低多达40%至70%，并在系统层面实现最高两倍的功率密度。　　新款GaN晶体管提供多种标准MOSFET兼容封装，使客户能够快速从硅MOSFET布局迁移到GaN方案，无需大幅重新设计PCB，从而加快设计实施。多样化封装选项结合宽范围RDS(on)(5mΩ至1.2mΩ)，使设计人员能够在同步整流、多相降压转换和电机驱动等不同功率等级和应用之间灵活扩展。　　Akhil Nair, Senior Director, Low-Voltage GaN at Renesas表示：　　采用下一代GaN技术的客户正在为AI服务器、机器人、工业电机驱动和可再生能源系统寻求更高效的电源转换方案，并希望在日益紧凑的系统中实现这一目标。我们的低压GaN系列不仅提供设计人员期待的GaN效率、开关性能和功率密度，还显著降低了客户从现有硅MOSFET设计迁移至GaN方案的门槛。　　硅兼容封装中的高性能GaN　　全新GaN系列基于增强型(E-MODE常关型)GaN技术打造，可在便捷的硅兼容封装中发挥GaN的性能优势。这有助于设计人员充分利用GaN带来的效率和功率优势，并简化从现有硅基设计的迁移。　　全新低压GaN系列的主要特性　　相比硅基设计，效率提升1%至3%，并消除Qrr损耗　　开关损耗大幅降低40%至70%　　通过降低每个周期的开关能量并支持高频运行，实现功率密度翻倍　　更高开关频率有助于减小磁性元件尺寸、降低整体系统损耗，从而缩小系统占板面积　　优化热管理可减少风扇和主动散热需求，降低系统复杂度和BOM成本　　此外，凭借每个电源级更低的总能耗，全新GaN系列可帮助设计人员实现可持续发展目标。该系列通过减少热管理和气流管理所需风扇尺寸、支持使用更小的磁性元件并缩小整体PCB占板面积，助力AI数据中心和工业应用实现能效目标。
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发布时间：2026-10-10 10:54 阅读量：273 继续阅读>>
瑞萨丨率先推出业界首款采用8mm × 8mm双面散热封装的650V GaN器件，面向兆瓦级AI<span style='color:red'>数据中心</span>
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瑞萨丨率先推出业界首款采用8mm × 8mm双面散热封装的650V GaN器件，面向兆瓦级AI数据中心

　　与TOLT封装相比，双面散热(DSC)设计可将封装占板面积缩小57%，助力空间受限的兆瓦级机架实现更高功率密度。　　在8mm × 8mm封装中实现低至20mΩ的导通电阻，为650V同类产品中导通电阻超低的产品之一。　　采用业界标准PQFN封装尺寸，并配套完整的控制器、驱动器和MCU产品阵容，为800V设计提供单一供应商解决方案。这些解决方案将于10月12日至15日在美国加利福尼亚州圣何塞举行的OCP全球峰会上展出。　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布率先在业界推出采用双面散热技术的650V GaN器件，面向800V高压直流(HVDC)AI数据中心架构中的高功率密度电能转换。全新D-Mode GaN TP65H020G4PLSGBD采用超紧凑型双面散热(DSC)PQFN封装，导通电阻低至20mΩ，处于650V同类产品超低导通电阻之列，可在更小空间内实现更高的功率处理能力。目前，瑞萨已向主要AI数据中心OEM和ODM客户提供该器件样品。　　该器件基于瑞萨第四代升级版GaN架构打造，专为下一代AI数据中心的兆瓦级功率需求而设计，支持最高700V工作电压。其目标应用包括将800V电压降至48V、12V或6V的DC/DC中间总线转换器(IBC)级，以及侧挂式电源机架中的电池备份单元(BBU)和电容器组单元(CBU)级。　　随着机架功率从约120kW迈向兆瓦级，空间与散热能力已成为进一步提升系统功率的关键制约因素。不同于传统的顶部散热封装，新器件可同时通过顶部和底部散热，使顶部热阻降低10%。此外，其8mm × 8mm PQFN封装的占板面积较现有10mm × 15mm TOLT封装缩小57%。　　该器件充分发挥瑞萨第四代升级版650V GaN技术的优势，包括:　　低栅极电荷、低输出电容、内置具有极低反向恢复特性的续流二极管，以及无需负栅极偏置即可工作的高阈值电压。　　该器件可搭配标准硅栅极驱动器使用，并支持MHz级开关频率，从而减小无源元件并降低整体BOM成本，无需专用增强型GaN驱动器。　　John Wiggenhorn, Senior Product Line Director of High-Voltage GaN at Renesas表示：　　建设兆瓦级AI数据中心的客户，在达到功率极限之前，就已面临电路板空间不足和散热余量受限的问题。凭借瑞萨率先推出的采用双面散热技术的650V GaN器件，我们可从器件上下两侧进行散热，并显著缩小占板面积，使设计人员无需重新设计电路板或增加更多散热硬件，即可通过中间总线传输更高功率。此外，该器件延续了客户现有硅栅极驱动方案的简便操作，因此升级极为便捷。　　全新双面散热(DSC)PQFN封装由瑞萨与主要AI基础设施客户共同定义，采用业界标准封装尺寸，为客户提供灵活的供应选择。该GaN器件与瑞萨辅助电源控制器、栅极驱动器及MCU搭配使用，可为向800V架构转型的OEM、ODM和超大规模数据中心运营商提供一站式电源解决方案。　　瑞萨已完成该方案的芯片级验证。基于该新器件打造并由瑞萨RA6T3 MCU控制的6kW、800V转48V LLC直流变压器(DCX)参考设计，功率密度达到2.6kW/in³。模块级测试显示，其满载效率比采用同等TOLT封装的电路板高出0.21%。更小的封装还可节省PCB空间，并使FET之间的布局更加匹配。基于全新DSC 8mm × 8mm封装平台的800V转12V及6V DC/DC IBC参考设计同样可实现类似的性能提升、可扩展性和功率密度水平。
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发布时间：2026-10-08 16:30 阅读量：287 继续阅读>>
瑞萨｜为什么AI的下一阶段增长正在重塑<span style='color:red'>数据中心</span>基础设施
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瑞萨｜为什么AI的下一阶段增长正在重塑数据中心基础设施

　　人工智能基础设施建设的第一波浪潮是一场容量竞赛：AI模型训练推动了最初阶段的增长，更强大的xPU(包括GPU和AI ASIC)为超大规模数据中心的快速扩张提供了支撑。　　这一轮初始投资周期将AI转变为全球运算平台。如今，AI基础设施已进入新的阶段，工作负载正从基于超大规模数据集的模型训练，转向强调持续、实时应用处理的AI推理。随着模型推理逐渐成为主导工作负载，基础设施需求也正在超越单纯的原始运算能力。　　智能体AI和物理AI的兴起——后者将具备推理、规划和执行复杂任务能力的自主系统延伸到现实世界——正在多个市场和应用领域催生新的业务用例。例如在汽车领域，AI正在推动软件定义汽车的发展;而增强AI能力的人形机器人部署规模到本世纪中叶可能接近十亿台。　　因此，预计xPU将与一系列使能技术共同成为舞台主角，这些技术将定义未来数据中心的设计和性能。在这样的环境下，CPU和xPU，以及电源、内存接口和控制系统，将共同推动AI市场扩张，并创造出比许多人最初预期更广泛、更持久的基础设施机遇。在推理工作负载的放大效应下，AI对电力的快速增长需求正在触发基础设施架构的根本性重构。瑞萨电子凭借广泛的数字电源、功率半导体、内存接口、控制和模拟解决方案组合，处于把握这一机遇的独特位置。正如我在近期瑞萨电子资本市场日投资者活动中所分享的AI基础设施与运算更新中所述，这正是我们的优势所在。　　推理与机遇的交汇点　　随着推理工作负载成为AI部署的主导驱动力，它所打开的市场空间甚至比AI扩张第一阶段更加广阔。　　基础设施增长不再依赖单一处理器类别，而是越来越多地惠及连接、供电和管理每一个运算单元的各类技术。更多企业正在向基础设施和服务领域拓展，既带来了互补技术，也带来了新的竞争。　　瑞萨电子正围绕三大互补支柱来把握这一机遇：　　数字电源：应对AI系统不断增长的电力需求。　　内存接口：优化运算利用率，提升处理器与内存之间的数据传输效率。　　控制：管理服务器中复杂的电源平面和控制平面。　　这些技术共同使瑞萨电子能够服务于所有xPU相关机遇，无论采用何种处理器架构。　　电力是AI面临的关键工程挑战　　如果说xPU定义了AI基础设施的第一章，那么电源架构正在塑造下一章。下一代AI机架的功耗可能超过1兆瓦，足以为一千多户家庭供电。这要求整个数据中心在能源分配、转换、效率和热管理方面采用新的方法。　　一个显著例子是向800V直流配电的转变。随着传统电源架构逐渐接近其实际极限，行业正在采用更高电压的系统和更先进的供电技术。更高电压可降低电流、减少导通损耗，并在机架功率攀升时提高系统密度和效率。但随着更多xPU被更紧密地部署在一起，热管理如今变得与电气性能同样关键。　　这些变化正在重新聚焦对使能技术的需求，而瑞萨电子正以数字电源产品组合加以响应，覆盖供电链路的关键阶段——从机架级电源转换到处理器级电压调节。　　其中最重要的机遇之一在于垂直供电。瑞萨电子的垂直供电解决方案通过模块化、高密度、多相方案和功率级，将更高电流输送到更靠近处理器的位置。氮化镓(GaN)开关支持从新兴800V架构实现高效高压转换。同时，我们先进的MOSFET技术、低压GaN选项及相关驱动器，被广泛用于较低电压(隔离和非隔离)转换阶段，并由瑞萨电子基于智能MCU的数字控制器进行管理。　　在这些电压水平下，电源转换效率、功率密度和热管理已不再只是附带考量，而是成为系统级设计要求的最前沿。　　数据管理对AI性能至关重要　　除了高效、智能的电源管理之外，负责处理AI推理模型的数据中心还需要更高的内存带宽和更大的内存容量。处理器与内存之间快速传输数据的能力，对于维持系统性能至关重要，尤其是在以读取为主的推理工作负载持续扩展的背景下。　　作为内存接口技术领域的长期领导者，瑞萨电子的产品组合涵盖先进DDR内存模块中的关键组件，帮助客户提升带宽、可靠性、可扩展性和运算效率。　　AI数据中心需要智能控制　　随着AI基础设施变得更加复杂，运营商也需要在整个数据中心部署智能控制，以管理电源系统、监控性能并协调系统级功能。通过确保可靠性、效率和可管理性，控制功能在现代数据中心中发挥着关键作用，覆盖从机架级到各个子系统的各个层面。　　为满足这些客户需求，瑞萨电子正在扩展基于MCU的解决方案，提供电源管理和控制平面应用所需的灵活性与软件定义能力。　　基础设施的系统级视角　　对瑞萨电子而言，AI机遇之所以尤其具有吸引力，在于电源、内存和控制的融合。　　如今的数据中心架构师重视这样的设计合作伙伴：　　Q　　既能从系统层面到组件层面理解超大规模数据中心所面临的挑战，又能够在整个基础设施堆栈中优化性能。　　通过在开发周期早期利用我们的系统建模、电源仿真和软件工具开展协作，我们帮助客户在硬件构建之前识别问题，从而改善设计成果。　　瑞萨电子的系统导向也延伸到生产环节，我们将内部制造能力与晶圆代工合作相结合。这一混合模式使我们能够灵活响应不断变化的AI需求，并在不依赖单一制造来源的情况下支持快速扩产，同时降低供应链风险。　　赋能下一波AI浪潮　　AI基础设施正进入持续扩张期，下一代数据中心将需要先进的供电能力、内存带宽和智能控制。这些深度互联的需求将从支撑性技术演进为关键的AI构建模块，并在这一过程中塑造运算的未来。　　这一转变将有利于那些具备广阔平台优先思维，并拥有客户共同开发传统的公司。无论从哪个角度衡量，瑞萨电子都符合这一定义。
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发布时间：2026-08-05 10:09 阅读量：602 继续阅读>>
【新品介绍】Littelfuse NANO²® SMD 708 系列保险丝为大电流 48 VDC AI <span style='color:red'>数据中心</span>提供保护
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【新品介绍】Littelfuse NANO²® SMD 708 系列保险丝为大电流 48 VDC AI 数据中心提供保护

　　业界首款在 80 VDC 条件下额定分断电流为 14 kA，采用紧凑型表面贴装封装　　美国 伊利诺伊州罗斯蒙特、中国 上海 — 2026 年 6 月 16 日 — 为安全高效的电能传输提供多元化先进解决方案的领导企业 Littelfuse 公司 (NASDAQ：LFUS)，今天宣布推出 NANO²® 表面贴装型 708 系列保险丝，这是 Littelfuse 首款表面贴装式保险丝，在 80 VDC 电压下额定分断电流为 14,000 A。　　708 系列专为下一代 48 VDC 电力架构而设计，可满足 AI 服务器、超大规模数据中心和高密度配电系统不断增长的保护需求。随着功率水平的提高和电路板空间的缩小，设计人员不得不使用超大尺寸的手动安装插件式或螺栓固定式保险丝。708 系列在不影响性能的情况下提供了紧凑、自动化友好的替代方案。　　NANO²® 708 系列在紧凑的表面贴装封装中结合了高额定电流(60 A 至 200 A)和行业领先的分断额定值。这使设计人员能够保护暴露在高故障电流下的电路，同时优化布局效率并实现全自动组装过程。　　“我们的首款 Littelfuse 表面贴装保险丝在 80 VDC 下具有 14,000 A 的分断额定值，凭借这款新型保险丝，我们为使用传统插件式或螺栓固定式解决方案的设计人员提供了向表面贴装技术过渡的途径。”Littelfuse 过流无源器件产品管理高级总监 Daniel Wang 表示。“这种转变使自动化制造成为可能，提高了生产率，并降低了整体系统成本。”　　主要功能与优势包括：　　业界领先的额定分断电流：80 VDC 时为 14 kA，支持高故障电流环境　　高电流能力：60 A 至 200 A 范围，适用于要求苛刻的电源应用　　紧凑的表面贴装尺寸：节省空间并支持高密度设计　　自动化就绪型装配：无需手动安装与传统保险丝格式相关的操作　　性能可靠：高浪涌冲击的耐受力，符合全球安全标准　　708 系列旨在为预计会出现高故障电流的电路提供补充过流保护，包括配电单元(PDU)、电源架、电池备份单元(BBU)和电源单元(PSU)。它特别适用于 AI 服务器集群、网络设备和超大规模数据中心基础设施。　　其他应用包括可再生能源系统和电池管理系统(BMS)，在这些应用中，紧凑型大功率保护解决方案至关重要。　　708 系列是 Littelfuse 面向数据中心基础设施的 48 V 保护解决方案广泛产品组合的一部分，是对包括 456、871 和 881 系列在内的现有保险丝系列的补充。　　图 1.NANO²® SMD 708 系列保险丝　　NANO²® SMD 708 系列保险丝常见问答　　1.708 系列与现有 SMD 保险丝有何不同?　　它采用表面安装式封装，在 80 VDC 条件下提供业界领先的 14 kA 分断额定值。这种级别的保护以前只适用于较大的插件式保险丝或螺栓固定式保险丝。　　2.为什么高分断额定值在人工智能数据中心很重要?　　AI 服务器和高密度电力系统面临巨大的故障电流潜力。高分断额定值可确保保障电流安全中断，而不会损坏周围电路。　　3.708 系列能否取代现有的管状或螺栓固定式保险丝?　　是的。它是许多传统保险丝解决方案的替代产品，可实现更小的尺寸、更高的可制造性和自动化装配。　　4.表面贴装设计如何为制造商带来好处?　　表面贴装可实现自动化拾放组装，从而降低人工成本、提高一致性并提高产量。　　5.708 系列适用于哪些系统和电源架构?　　708 系列针对 AI 服务器、超大规模数据中心和高密度配电系统中常用的 48 VDC 电源架构进行了优化。它特别适用于 PDU、PSU、备用电池单元以及其他对高电流和紧凑设计至关重要的应用。　　6.设计师应该在什么情况下选择 708 系列而不是其他保险丝?　　当应用要求在紧凑的结构中同时具有高电流处理能力和极高的分断额定值时，708 系列是理想选择。在更换空间受限设计中的超大插件式或螺栓固定式保险丝时，或过渡到自动化表面贴装组装时，尤其有益。　　供货情况　　NANO²® 表面贴装型 708 系列保险丝提供 500 只装的卷带包装。通过全球任何一家 Littelfuse 授权经销商索取样品。如需了解 Littelfuse 授权经销商名单，请访问 Littelfuse.com。
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发布时间：2026-06-17 09:15 阅读量：1539 继续阅读>>
美光丨重新定义大规模<span style='color:red'>数据中心</span>存储
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美光丨重新定义大规模数据中心存储

　　数据中心正处于一个转折点。AI 管道、分析平台和对象存储环境的增长速度已经超出了电力、散热和物理空间预算所能承受的范围。对于许多运营商而言，制约因素已不再是原始算力，而是在艾字节 (EB) 规模下，高效存储、移动及访问海量数据集的能力。　　正因如此，美光现已正式出货 245TB Micron® 6600 ION NVMe™ 企业级 SSD，这是目前业界容量最大的企业级数据中心 SSD1，单块硬盘即可提供近四分之一拍字节 (PB) 的可用存储空间。　　更重要的是，6600 ION 245TB 不仅仅提升了容量。美光的工作负载工程团队已在真实的 AI 和对象存储工作负载中验证了其作用，展示了超大容量 SSD 与基于 HDD 的架构相比，如何从根本上改变数据中心的经济效益。　　为什么 245TB 会改变存储格局　　传统的横向扩展存储一直依赖于增加硬盘、服务器和机架的数量。然而，仅靠原始容量是不够的;架构必须跟上需求。在 AI 驱动的数据增长压力下，这种模式正走向崩溃。随着数据中心向 AI 领域扩张，运营商必须从总拥有成本 (TCO) 的视角，在机架级及艾字节级的部署规模中，综合考量空间、电力、基础设施、性能及容量的经济性。　　凭借 245.76TB 的可用容量，美光 6600 ION 245TB SSD 能够：　　大幅提升机架密度，在 E3.L 配置下，每机架容量可达 176.9PB，而使用大容量 HDD 的方案仅为 31.7PB2　　以更少的驱动器和更精简的基础设施，即可达成艾字节级的部署目标　　简化运维流程，大幅减少了部署、监控及后续更换所需的器件数量　　在 1EB 级部署中，基于 HDD 的架构所需的机架数量可能达到 245TB SSD 方案的近六倍2，这意味着在还没考虑性能差异之前，HDD 方案就已经大幅推高了机房空间、配电及散热成本。　　仅靠大容量是不够的。AI 和分析工作负载需要快速摄取数据、低延迟响应，以及高效访问海量数据集。　　美光 6600 ION 245TB 基于美光 G9 QLC NAND 打造，提供一套专为企业级应用设计的 QLC NVMe SSD 架构，从控制器、NAND、DRAM、固件，到生产制造与供应链物流，全链路均由美光掌控并进行深度优化。　　与 HDD 相比，其主要架构优势包括：　　PCIe® 5.0 NVMe 性能，支持大规模快速顺序和随机访问　　六平面 QLC NAND 架构，增强内部并行处理能力，带来更高吞吐量　　然而，单凭架构本身不足以说明全部，这正是美光工作负载测试的价值所在。　　工作负载测试揭示的结果　　美光的工作负载工程团队在美光实验室中使用与生产环境相关的真实工作负载，将 245TB 美光 6600 ION SSD 与容量相当的 HDD 配置进行了对比测试。　　针对 AI 数据管道工作负载(包括数据摄取、预处理以及存储与计算单元之间的数据移动)，我们的测试显示，单块 245TB 6600 ION SSD 实现了：　　AI 处理能效提升高达 84 倍(存储层级)　　AI 预处理吞吐量 (MB/s) 提升 8.6 倍　　数据摄取吞吐量提升 3.4 倍　　延迟仅为对比配置的 1/293　　这些性能增益可直接转化为更快的洞察获取速度。特别是在 AI 数据湖以及数据提取、转换与加载 (ETL) 任务密集的环境中，存储系统往往是制约效率的瓶颈，而这款 SSD 可有效解决此问题。　　对于支持 AI、分析及大规模数据服务的对象存储平台而言，延迟与吞吐量的一致性至关重要。　　在采用 MinIO 对象存储工作负载时，我们的测试表明，美光 6600 ION 245TB 实现了：　　能效提升高达 435 倍　　首字节时间缩减至 1/96　　每瓦吞吐量提升 56 倍4　　这些结果凸显了一个关键转变：对象存储的性能不再仅仅受限于网络或软件栈——底层存储介质的架构正从根本上塑造着用户体验与基础设施效率。　　艾字节级规模下的电力、散热与可持续性　　在现代数据中心中，能效已不再是可有可无的选择。在扩展存储规模时，电力供应和散热能力往往是运营商首先面临的限制因素。　　美光 6600 ION 245TB SSD 的最大功耗约 30W，同时实现每瓦 8.2TB 的存储量，而大容量 HDD 每瓦仅约 4.4TB，这充分说明了该 PCIe® 5.0 SSD 架构在规模化应用中的能效优势。5　　在艾字节级规模下，美光的工作负载工程分析表明，在提供相同可用容量的情况下，基于 HDD 的部署产生的总能耗几乎是基于 SSD 架构的两倍。这不仅可以降低驱动器能耗，还能：　　减少散热需求　　提升电源使用效率 (PUE)　　在整个部署周期内降低运营成本和减少碳足迹　　在现代 AI 与云环境中，决定可扩展性的不再是单盘成本，而是机架级效率。通过大幅提升单机架容量并降低功耗与架构复杂度，美光 6600 ION 245TB 助力运营商在既有的物理空间与电力限制下，实现数据规模的高效扩展。　　美光 6600 ION 245TB SSD 现已正式上市，提供 E3.L 和 U.2 NVMe 两种外形规格，专为超大规模、云端及企业级部署而设计，无需扩大数据中心占地面积即可实现高效扩展。　　随着 AI 数据集的持续增长，存储架构也必须随之演进。凭借 245TB 的美光 6600 ION SSD，美光正助力数据中心从渐进式扩展迈向更高效的未来，以应对艾字节级的存储挑战。　　容量更大，架构更简，在规模化应用中实现更优的每瓦性能。　　1 SSD 和 NAND 的对比基于截至 2026 年 2 月按收入排名前五的 OEM 数据中心 SSD 厂商的数据，数据来源于 Forward Insights 分析报告《2026 年第一季度 SSD 供应商状况》(SSD Supplier Status Q1/26)。　　2 机架空间占用量减少的计算方式如下：对于单个 36U 机架，部署 SSD 时的总容量为 720 × 245.76TB = 176.9PB;部署 HDD 时的总容量为 720 × 44TB = 31.7PB，均为理论上的最大值。两者相比，HDD 所需的机架空间是 SSD 的 5.6 倍。　　3 美光实验室测试表明，在处理 AI 数据的提取、转换与加载 (ETL) 任务时，6600 ION NVMe SSD 的吞吐量始终高于 HDD，同时展现出更低的延迟、更优的能效以及更出色的可扩展并发能力。此次测试使用单块 6600 ION 245TB SSD 对比由同一 HDD 制造商提供的 16 块 16TB 数据中心级 HDD 组成的阵列。　　4 基于美光实验室的测试，该测试使用 Warp S3 基准测试工具对 MinIO 对象存储工作负载进行测试，数据对象大小为 4MB，并将单块美光 6600 ION 245TB SSD 与由同一 HDD 制造商提供的 16 块 16TB 数据中心级 HDD 组成的 RAID-0/JBOD 阵列进行结果对比。　　5 美光 6600 ION 245TB SSD 的峰值功耗为 30W，每块 44TB HDD 的峰值功耗为 10W。能耗节省量的计算方式为：两种驱动器均以最大功率持续运行一年所产生的能耗差值。44TB HDD 的功耗数据暂不可用，比较结果基于 36TB/32TB HDD 的峰值功耗。来源：希捷 HDD 硬盘。
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发布时间：2026-06-12 09:14 阅读量：790 继续阅读>>
思瑞浦 AI <span style='color:red'>数据中心</span>全套模拟芯片解决方案，筑牢智算时代核心底座
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思瑞浦 AI 数据中心全套模拟芯片解决方案，筑牢智算时代核心底座

　　在全球AI大模型与智算产业爆发式增长的浪潮下，AI数据中心已成为驱动数字经济高质量增长的核心基础设施。根据IDC、Gartner等权威机构综合数据显示，2023-2025年全球AI服务器出货量年复合增长率(CAGR)超40%，AI数据中心总算力需求年复合增长率超50%，预计2025-2030年，全球智算相关基础设施仍将保持30%以上的高位增长态势，算力需求的持续爆发为底层模拟芯片带来广阔市场空间。　　思瑞浦依托在高性能模拟芯片领域的深厚技术积累与全品类产品布局，为AI数据中心打造覆盖算力核心单元、数据中心电源系统、AIDC备电BMS系统的全套模拟芯片解决方案。目前，思瑞浦已服务国内外主流AI服务器、电源模块、储能备电等领域头部客户超百家，在AI与数据中心领域实现营收高速增长，正成为智算时代国产模拟芯片的核心供应力量。　　AI数据中心是集算力、供电、安全防护于一体的复杂系统，其运行效率、稳定性与安全性直接决定智算服务的质量与连续性，是数字基础设施高效运转的关键，而模拟芯片则是保障各环节平稳运行的“隐形基石”。　　数据中心核心组成示意图　　算力核心单元　　全栈方案，护航算力引擎高效稳定运行　　算力核心单元是AI数据中心的 “算力引擎”，涵盖 CPU/GPU/AI加速芯片集群、显存配套、板级信号处理与供电网络，核心职责是最大化释放算力效率。此场景对模拟芯片提出极为严苛要求：超高精度供电监测、纳秒级信号响应、极低噪声干扰、以及7×24小时满负荷运行的长期稳定性。即便毫伏级供电波动，也可能导致算力芯片降频、运算异常乃至系统宕机。　　AI服务器主板功能框图　　检测与保护是服务器主板稳定运行的重要保障。思瑞浦AFE、ADC、CSA、比较器和温度传感器已在服务器行业深耕多年，应用场景成熟。针对AI服务器48V/54V高压电源输入，特别推出支持高共模电压工作电压范围的功率检测AFE产品和CSA电流检测运放产品，适配高压供电场景的需求，为服务器稳定运行筑牢第一道防线。　　TPA626　　TPA626集成16bit ADC，支持0V~36V宽共模电压范围和-81.9175mV~+81.92mV差分电压输入范围，支持I2C/SMBus接口，可以实时监测电流、电压和功率，保障服务器电源稳定性。　　TPA6271　　TPA6271集成16bit ADC，支持0V~102.4V宽压输入，最大±10μV失调电压，温漂0.025μV/℃，专为高精度电流检测优化，是专门针对AI服务器48V/54V高压输入电源高共模电压功率检测方案。　　TPA183Ax　　TPA183Ax是高精度零漂移CSA电流检测运放，支持2.7V~30V宽共模电压范围，失调电压低至55uV，同时提供了4 种固定增益可选：25V/V、50V/V、100V/V 及200 V/V，可以精准的检测电源总线中的电流值。　　TPA132Ax　　TPA132Ax是高共模电压CSA电流检测运放产品，支持-4V至80V超宽共模电压范围，支持1MHz高带宽，同时集成了增强PWM抑制能力，完美适用于AI服务器48V/54V高压输入场景下的精准电流检测。　　电源管理是推动服务器高效运转的动力源，要满足主板多轨差异化供电需求。思瑞浦推出了POL、LDO、电子保险丝、电源时序管理和电源监控等产品，为服务器主板提供高效、稳定的供电方案，助力算力引擎持续输出。　　TPP21206　　TPP21206采用自主研发的定频ACOT控制结构，在保留传统COT控制优势的基础之上，实现不同输入电压(Vin)、输出电压(Vout)和负载条件下的工作频率锁定。充分测试不同占空比和全负载条件，实测不同工况的频率都很稳定，解决COT结构工作频率不稳定的痛点，对瞬态响应和输出纹波有极大的改善。　　接口芯片是服务器内部设备互联的“通信桥梁”。思瑞浦已构建完整I2C/I3C接口芯片解决方案，全面覆盖IO扩展、多主机仲裁、多路信号切换、热插拔、电平转换与信号中继等全功能场景，打通设备互联壁垒。　　TPT29606　　TPT29606是思瑞浦面向I3C应用推出的电平转换芯片TPT29606，可以传输开漏(Open-Drain)信号和推挽(Push-Pull)信号，兼容I2C和SPI等应用场景，支持最低0.72V供电电压，最高26Mbps的传输速率，广泛应用于服务器、路由器、存储、PC等领域。　　信号处理芯片可实现多路信号切换、长距离信号驱动、电平转换及逻辑功能组合。思瑞浦已完整布局逻辑产品矩阵，覆盖AHC、LVC、AUP、AVC等多系列，提供2-8位固定方向与自动方向电平转换器，全面适配服务器各类信号处理需求，确保信号传输精准、高效、无失真。　　思瑞浦算力核心单元产品方案　　数据中心电源系统　　全链发力，赋能电源系统　　高效节能、稳定可靠　　数据中心电源系统作为AI数据中心的 “能量大动脉”，覆盖PSU电源模块、BBU电池备份单元、SST固态变压器三大核心场景，贯穿中压-低压电能变换、PF功率因数校正、隔离型双向DC/DC变换、直流母线稳压、冗余保护全链路。当前AIDC单台服务器功耗突破10kW、800V高压架构加速普及，电源系统对模拟芯片提出更高要求：高频高效功率变换、纳秒级瞬态响应、强抗扰隔离驱动、低EMI电磁兼容设计、冗余供电高可靠性，同时需满足严苛能效标准与10年以上长寿命运行要求。　　PSU Power Module功能框图　　在栅极驱动产品领域，思瑞浦推出了大电流、低延时低边驱动和符合安规需求的隔离驱动产品方案，帮助客户持续优化供电“动力系统”，在保障AIDC供电设备高可靠性的同时，有效提升系统运行效率，实现能源高效利用。　　TPM5355　　TPM5355是增强型隔离驱动产品，具有±150-kV/μs CMTI能力，并针对半桥串扰与直通问题，集成米勒钳位功能，显著增强半桥结构的稳定性，为MOSFET、SiCFET和IGBT等功率器件提供了稳定可靠的驱动解决方案。　　思瑞浦电源类(DCDC/LDO/电压基准)产品为AIDC供电设备数控IC提供高精度、高稳定的供电支持，确保系统长期稳定运行;同时提供多种小封装产品选型，适配高密度集成设计需求，帮助客户实现设备小型化、轻量化升级。　　TPP36308x和TPP36208x　　TPP36308x和TPP36208x分别是36V/3A和36V/2A的同步整流型Buck产品系列，采用了低导通电阻的MOSFET管代替了二极管，有效降低损耗并提高效率。产品系列共包括四种版本：分别对应开关频率为500kHz和2.2MHz，Current Mode为Pulse-Skip和Forced-PWM。　　思瑞浦丰富的接口产品组合，可助力AIDC供电设备实现高速、无损、低延时通信，保障PSU、BBU、SST等多模块协同高效运转，提升整个电源系统的响应效率。　　TPT1255和TPT1256　　TPT1255和TPT1256是加强型工业级5V CAN收发器，5Mbps CAN FD,具备高共模、高耐压、高ESD防护等级的特性，4.5V-5.5V VCC输入电压范围，支持3.3V~5V VIO，满足多种工业和通讯应用场景。　　TPT76XX系列　　TPT76XX系列数字隔离器可提供高达5000VRMS的电气隔离强度，有效防止高压串扰，保护低压侧设备和人员安全。产品同时具有200kV/µs高共模抑制比，可显著提升工业、新能源及汽车等高压系统的可靠性和安全性。　　思瑞浦深度贴合客户实际应用需求，坚持差异化技术路线，持续优化AIDC供电系统方案。思瑞浦有源滤波芯片TPAEF004x系列可高效改善系统电磁干扰EMI问题，在减小共模电感体积的同时，进一步降低整机成本，帮助客户实现性能与成本双重优化。　　思瑞浦数据中心电源系统产品方案　　AIDC备电与BMS系统　　高性能方案，筑牢智算安全续航防线　　AIDC备电与BMS系统是AI数据中心的 “安全续航底座”，由锂电池组、电池管理系统(BMS)、储能变流器(PCS)构成，可实时监控电芯全生命周期状态，在电网异常时实现毫秒级不间断供电，保障核心算力业务连续不中断，是数据中心安全运行的最后一道关键防线。随着800V高压直流架构的广泛应用，行业对BMS的电压精度、毫秒级响应速度以及绝缘安全提出更高要求，直接驱动高性能BMS方案的需求爆发。　　AIDC备电与BMS系统框图　　思瑞浦AIDC备电与BMS系统产品方案　　全栈模拟芯力量，夯实智算新基石　　AI数据中心的算力竞赛，本质上是底层核心器件的性能与可靠性的终极比拼。思瑞浦在运算放大器、基准电压、ADC、BMS AFE、隔离器、接口芯片、电源管理以及栅极驱动等领域实现全品类深度布局，为AI数据中心打造覆盖从信号感知、处理、传输到功率驱动的一站式高性能模拟芯片解决方案，全方位支撑智算产业发展。　　从算力核心的精密供电监测，到作为能量大动脉的PSU、SST高效电能转换，再到备电系统的全生命周期安全保障，思瑞浦以持续技术创新，为智算时代夯实底层硬件基石。凭借3200+款全链路产品矩阵、严苛质量标准、自主可控的测试体系与供应链优势，思瑞浦正全力迈向AI与数据中心领域全球领先的核心模拟芯片供应商，为数字经济与智算产业的高速发展持续注入核心动力。
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发布时间：2026-05-21 10:16 阅读量：1085 继续阅读>>
美光业界领先的245TB 6600 ION<span style='color:red'>数据中心</span>SSD现已出货——凭借超越机械硬盘的突破性能效，重新定义机架级存储密度
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美光业界领先的245TB 6600 ION数据中心SSD现已出货——凭借超越机械硬盘的突破性能效，重新定义机架级存储密度

　　2026 年 5 月 6 日，爱达荷州博伊西市 — 美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布，正式出货 245TB 容量的美光 6600 ION SSD。作为业界容量领先的商用 SSD，该产品标志着数据中心机架级存储密度实现重大飞跃。美光 245TB 6600 ION SSD 专为支持人工智能(AI)、云计算、企业级及超大规模工作负载而设计，可满足下一代 AI 数据湖、云端规模文件与对象存储等场景需求。与基于 HDD 的部署方案相比，美光 245TB 6600 ION E3.L 实现同等原始存储容量所需的机架数量可减少 82%。1 该产品搭载了美光 G9 QLC NAND 技术，领先同类型数据中心 SSD 所用的 QLC 至少一代，重新定义了大容量数据中心存储。2 客户现可在更紧凑的空间内存储和处理更多数据，在不牺牲大规模数据密集型工作负载所需性能的同时，降低功耗与散热需求。　　美光高级副总裁暨核心数据中心事业部总经理 Jeremy Werner 表示：“AI 工作负载正在推动共享数据的大规模增长，促使数据中心存储持续从 HDD 向 SSD 加速迁移。凭借单盘 245TB 的容量，美光 6600 ION SSD 让固态存储成为现代数据中心的理想选择。这一突破性的容量，可帮助数据中心运营商优化机架级总体拥有成本，特别是在电力供应成为制约 AI 基础设施扩展的当下。”　　国际数据公司(IDC)固态硬盘和支持技术研究副总裁 Jeff Janukowicz 表示：“AI 数据集的快速增长，正推动存储的经济效益从单盘转向机架级效率。运营商需要在严格的功耗与散热约束下，提升单机架的可用容量。美光 245TB SSD 具备充足存储密度，可在不扩充数据中心占地规模的基础上，支撑 AI 数据管道规模化部署。稳定可预测的性能、出色的能效与更高的容量，是构建高性价比 AI 基础设施的关键。”　　四分之一 PB 级规模　　重塑数据中心存储成本结构　　美光 245TB 6600 ION SSD 提供 U.2、E3.L 两种外形规格，适配超大容量存储部署场景。产品更小的物理空间占用量与更大的单盘容量，不仅简化了运营与数据中心管理，也减少了故障点并降低了维护需求。　　功耗表现同样实现大幅优化。美光 245TB 6600 ION SSD 峰值功耗为 30 瓦，仅为同等容量 HDD 部署方案的一半。3 此外，这些能效优势有助于减少能耗、散热需求与碳排放，从而支持数据中心的可持续发展举措。在环境与成本压力日益加剧的背景下，可持续发展已成为全球运营商的首要任务。　　戴尔科技集团 ISG 产品管理部门高级副总裁 Travis Vigil 表示：“AI 工作负载正不断逼近数据中心的容量上限，但当单机架存储容量实现大幅提升后，情况会大为改善：功耗更低、空间占用更少、运营成本更低。这正是搭载 245TB 硬盘的戴尔 AI 存储系统所能实现的价值。对于部署 AI 业务及大型数据中心环境的客户而言，这将显著降低其总体拥有成本。”　　为可持续扩展树立性能与效率新标杆　　美光 6600 ION SSD 专为超大容量部署场景设计，相较于采用 HDD 的数据中心，在大规模应用中具备更出色的 AI 工作负载性能与能效表现。美光实验室测试结果表明，相较基于 HDD 搭建的系统，美光 6600 ION SSD 在能效、吞吐量与延迟方面均实现明显优化：　　AI 工作负载：美光 245TB 6600 ION 能效提升高达 84 倍，AI 预处理速度提升 8.6 倍，数据摄入吞吐量提升 3.4 倍，延迟至多降至原来的 1/29。4　　对象存储工作负载：美光 245TB 6600 ION 每瓦吞吐量提升高达 435 倍，首字节响应速度提升 96 倍，总吞吐量提升 58 倍。5　　在 1EB 的规模部署中，HDD 所需的能耗为美光 245TB 6600 ION SSD 的 1.9 倍。6 规模化部署带来的显著能效优势，可转化为可量化的可持续发展效益，具体包括：　　每年二氧化碳减排量，相当于逾9,000 棵成年树木一年的吸收量7　　每年二氧化碳减排438 公吨(MT)8　　每年节约能耗 921 兆瓦时(MWh)6　　每年暖通空调(HVAC)制冷能耗节约超 31.4 亿英热单位(Btu)9　　供货情况　　2026 年 5 月 18 日至 21 日，美光 245TB 6600 ION SSD 将亮相戴尔科技全球峰会(DTW)，于美光 226 号展台(#226)展出。现场可参观搭载美光6600 ION SSD、针对数据湖存储场景深度优化的 40 槽位戴尔 PowerEdge 服务器。　　1 机架空间节省比例计算方式如下：均按理论最大值计算，单 36U 机架配置 720 块 245.76TB SSD，总容量可达 176.9PB;单 36U 机架配置 720 块 44TB HDD，总容量仅 31.7PB。二者相比，HDD 所需的机架空间是 SSD 的 5.6 倍。　　2 SSD 与 NAND 的比较基于截至 2026 年 3 月按收入排名前五的 OEM 数据中心 SSD 厂商的公开数据，数据来源于 Forward Insights 分析报告《第一季度 SSD 供应商状况》 (SSD Supplier Status Q1/26)。　　3 美光 6600 ION 245TB SSD 峰值功耗为 30 瓦，单块 44TB HDD 峰值功耗为 10 瓦。44TB HDD 功耗参数暂未公布，本次对比基于 36TB/32TB HDD 峰值功耗测算。数据来源：exos-ds2046.1-2512-en_us.pdf　　4 在 AI 数据抽取、转换与加载(ETL)场景下，美光 245TB 6600 ION SSD 的吞吐量表现始终优于数据中心 HDD 阵列，同时拥有更低延迟、更出色的能效与可扩展并发能力。美光工程实验室采用单块 245TB 6600 ION SSD，与同一硬盘厂商16 块 16TB 数据中心 HDD 组成的阵列开展对比测试。　　5 MinIO 对象存储工作负载测试基于美光实验室测试，采用 Warp S3 基准测试工具，数据对象大小为 4MB。测试方案：单块美光 6600 ION 245TB SSD，对比同一硬盘厂商 16 块 16TB 数据中心 HDD 组成的 RAID-0/JBOD 阵列。　　6 美光 6600 ION 245TB SSD 峰值功耗为 30 瓦，单块 44TB HDD 峰值功耗为 10 瓦。搭建 1EB 存储容量，分别需配置 4,069 块 SSD 和 22,727 块 HDD。能耗节省额度，按两类存储设备均以满功耗持续运行一年的差值核算。目前暂无 44TB HDD 公开功耗参数，因此本次功耗参考 32TB/36TB HDD 峰值功耗，并假定 44TB HDD 功耗不低于 32TB/36TB HDD。数据来源：exos-ds2046.1-2512-en_us.pdf　　7 单株树木每年可吸收二氧化碳 231 千克。树木固碳数据来源：The Power of One Tree – The Very Air We Breathe | Home　　8 假设存储容量为 1EB，所有 HDD 和 SSD 均以 100% 额定功率、每周 7 天、每天 24 小时不间断运行。HDD 总功耗：1,990,973 千瓦时(每块 HDD 10 瓦);245TB 6600 ION SSD 总功耗：1,069,596 千瓦时(每块 SSD 30 瓦)，二者能耗差值达 921,377 千瓦时。测算假设：全部电力均来源于碳/化石能源。二氧化碳减排数据来源：Emissions – Global Energy & CO2 Status Report – Analysis – IEA　　9 暖通空调(HVAC)制冷能耗节约测算依据：1 瓦 = 3.412 英热单位 / 小时。
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发布时间：2026-05-06 14:23 阅读量：984 继续阅读>>
瑞萨丨大咖谈技术 为AI<span style='color:red'>数据中心</span>供电：氮化镓（GaN）正成为焦点
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瑞萨丨大咖谈技术 为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点

　　在数据中心设计的新纪元，人工智能(AI)正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构，进而加速氮化镓(GaN)半导体的普及应用。　　剖析AI数据中心的电力挑战　　相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显著特征：更高的电力消耗，以及功耗动态变化的急剧增加。传统数据中心的服务器电源柜的功率上限可能最高为30千瓦。而如今，AI系统的单个电源柜运行功率已跃升至50千至300千瓦之间(具体数值因供应商而异)，按照这一趋势，预计到明年，单个机柜的功率甚至有望突破1兆瓦大关。在电源功率如此飙升的背景下，功率分配和电力转换已无法再作为后台的辅助环节被忽视。　　为了实现AI应用的可持续规模化扩展，电源架构必须迈向更高效、更紧凑，且更具适应性的新阶段。简而言之，电力已从昔日的运营支出项，演变为复杂且资本密集型的核心考量因素。并且，只要对算力的渴求继续由日益庞大的AI模型所驱动，这一趋势就将长期持续。　　AI推动新型电源架构　　这场变革最明显的标志之一，便是从传统的415V交流(AC)配电向800V直流(DC)(或±400V直流)架构演进。更高电压可降低传输电流、减少传导损耗，并全面提升系统效率。与此同时，这也对电力转换环节及其核心器件的性能提出了全新要求。　　深入服务器机架内部观察，可看到AI加速器已成为重塑数据中心供电方式的关键驱动力。这些计算引擎早已超越单一芯片范畴，演变为庞大而复杂的分布式系统。单个AI计算单元(或称“超级集群”)最多可容纳9,000个加速器、4,500个CPU、庞大的光纤互连网络，以及配套的电源管理模块、水泵和液冷基础设施。这还仅仅是一个单元，超大规模数据中心每年部署的此类单元可达数百个之多。　　更少的转换环节，更高的电压　　面对日益加剧的压力，数据中心运营商正在重新审视电力到芯片的整个传输链路。一大核心转变是采用更高电压的直流配电方案，包括800V(或±400V)直流架构，业内甚至已开始探讨未来实现1,200V或1,600V直流方案的可行性。　　其背后的逻辑直指效率：每一个中间电力转换环节都意味着能量的损耗。在传统拓扑结构中，电力以交流电(480V三相交流)形式输入，需经历数次形态转换：先转换为直流电用于电池充电，再逆变为交流电进行配电(415V交流)，最终再次转换为直流电(48V)供机架及板级使用。减少转换步骤能显著提升端到端效率，让更多来自电网的电能真正用于计算任务。　　这些变化正在重塑功率半导体的角色。例如，在高压应用场景下，固态变压器正逐步取代传统的油浸式线路变压器。通过一系列新物料应用使得新一代电源设计能在更高频、高压下提高效率。　　与此同时，机架功率的激增正推动交流/直流转换从服务器机箱内部转移至独立机柜。目前，相当一部分宝贵的机架空间被用于部署将415V交流电转换为48V直流电的设备。由于机架空间寸土寸金，电力转换硬件如今占据了高昂的空间成本。将这些转换环节集中至一个专用机柜，不仅能为AI计算单元腾出更多空间，还能更有效地集中管理散热。　　为何是GaN，又为何是现在?　　GaN的普及步伐加快，根源在于AI数据中心将其两大核心优势放大了：在紧凑尺寸下实现高压能力，以及快速高效的开关性能。　　与硅器件相比，GaN器件能在更小的芯片内承受更高反压。GaN的高电子迁移率和饱和速度使其开关频率可达到兆赫兹(MHz)级别，而硅器件通常运行的开关频率远低于此。此外，GaN的固有寄生电容低于硅，能够实现更快的开关速度且损耗更低。　　从系统层面看，开关频率与磁性元件及无源器件的尺寸成反比。如果设计人员能提高开关频率，便可缩小磁性元件体积，并减少电力转换环节的占板面积。消费电子领域已经通过微型快充产品成功展示了这一趋势。如今，AI基础设施正采用同样的策略，只是其规模已跃升至千瓦乃至兆瓦级别。　　GaN的“黄金应用区间”：　　800V至48V转换与双向供电　　在AI数据中心的电源链路中，不同的电压区间恰如其分的适配着不同材料。在数千伏的超高电压等级中，碳化硅(SiC)于固态变压器应用中大放异彩，而GaN在数据中心中最合宜且近期最具潜力的应用场景，当属从约800V高压到中间电压(如48V，特定情况下为12V)的转换环节。800V至48V的转换阶段正是GaN的“黄金应用区间”，在此区间内，GaN展现出比硅具有更高的效率、更稳定的运行性能和更快的开关速度。　　此外，AI数据中心还在交流/直流转换环节催生了双向供电的需求。这主要源于大型AI加速器极端瞬态变化的负载特性。当负载快速波动时，存储在电容元件中的能量要么以热能形式耗散，要么被智能地回收利用。双向架构使得能量在负载激增时能迅速流入系统，在能量过剩时又能回输至系统储能装置——这一概念与汽车的再生制动系统异曲同工。　　双向GaN器件极大的简化了此类设计。例如，以往需要四个分立式MOSFET构建的全桥电路，如今两个双向GaN器件即可胜任。瑞萨电子近期推出的首款双向GaN开关便是一例：该产品采用单级电力转换替代了传统的两级架构，进一步提高了效率。　　瑞萨电子：　　将GaN定位为系统级解决方案　　AI数据中心的创新节奏之快，已使设计人员无法再通过逐个优化元器件来构建系统。产品开发周期曾以三到四年为衡量，如今已缩短至12到15个月。这意味着AI数据中心架构师需要的是端到端的电源解决方案，以及全面、长远的规划蓝图，而非将整合风险转嫁给系统设计人员的零散产品组合。　　依托数十年的电源技术积累，瑞萨深知：要降低GaN的采用门槛并缩短设计周期，离不开控制器、栅极驱动器与保护器件的协同设计，再辅以完善的参考设计和专业的技术支持。我们在应用电力电子会议(APEC)上最新发布的GaN解决方案，正是这一系统级理念如何转化为更快速、更低风险设计的生动例证。　　通过收购Transphorm公司及其高压SuperGaN® D-mode GaN FET技术，瑞萨电子的市场地位得到了进一步的巩固。我们致力于为数据中心OEM厂商提供从器件级创新到系统级支持的全方位赋能，从而加速其评估进程，缩短产品设计周期。　　普及之路的挑战与未来展望　　尽管GaN优势显著，但其全面普及仍面临挑战。成本、严苛的认证要求，以及设计人员的熟悉程度，都将影响其普及速度。展望未来三至五年，GaN在AI数据中心内的集成深度，将取决于供应商能否通过有效的技术培训、便捷的设计工具和经充分验证的可靠性，切实化解这些顾虑。　　可以预见的是，AI工作负载将持续推动电源架构向更高密度和更高效率的方向演进。对于数据中心架构师而言，GaN是在避免能源消耗失控增长的前提下，推动AI算力持续突破的关键路径。对于习惯在效率上渐进式提升的功率半导体供应商来说，这更标志着电力传输方式的一次根本性转变。随着这一趋势的深化，那些曾让硅材料占据优势的权衡取舍，如今正使GaN的优势日益凸显。当下的问题已不再是GaN能否在AI数据中心占据一席之地，而是它将以多快的速度、多广的范围内被部署应用。
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发布时间：2026-04-15 10:15 阅读量：1166 继续阅读>>
美光推出全球首款高容量256GB LPDRAM SOCAMM2，为<span style='color:red'>数据中心</span>基础架构树立新标杆
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美光推出全球首款高容量256GB LPDRAM SOCAMM2，为数据中心基础架构树立新标杆

　　2026 年 3 月 5 日，爱达荷州博伊西市 —美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布开始向客户送样业界容量领先的 LPDRAM 模块 256GB SOCAMM2，进一步巩固其在低功耗服务器内存领域的领导地位。依托业界首款单晶粒 32Gb LPDDR5X 设计，这一里程碑式成就为 AI 数据中心带来变革性突破，提供足以实现全新系统架构的低功耗内存容量。　　AI 训练、推理、代理式 AI 和通用计算的融合，正推动更严苛的内存需求，并重塑数据中心的系统架构。现代 AI 工作负载催生了大模型参数、扩展的上下文窗口及持久性键值(KV)缓存的需求，而核心计算则在数据强度、并发性和内存空间方面持续扩展。　　面对上述工作负载，内存容量、带宽效率、延迟和能效已成为系统层面的主要瓶颈，直接影响性能、可扩展性和总体拥有成本。LPDRAM 融合上述特性的独特优势，在功耗与散热限制日益严苛的数据中心环境中，成为 AI 及核心计算服务器的关键解决方案。美光正与 NVIDIA 携手合作，共同设计高性能内存解决方案，以满足先进 AI 基础架构的需求。　　美光高级副总裁暨云端存储事业部总经理 Raj Narasimhan 表示：“美光 256GB SOCAMM2 为 AI 及高性能计算(HPC)提供更具能效的 CPU 附加内存解决方案。此次产品发布充分展现出美光在技术与封装领域的突破，打造业界容量领先、低功耗、小尺寸的模块化内存解决方案。美光在数据中心低功耗内存解决方案领域持续保持领先地位，这一独特优势使我们率先推出单晶粒 32Gb LPDRAM，协助推动业界加速采用更节能、更高容量的系统架构。”　　专为容量、能效和工作负载性能优化而设计　　美光的 256GB SOCAMM2 为各种 AI 和通用计算工作负载提供更高的内存容量、更低的功耗，以及更快的性能。　　为 AI 服务器扩展内存容量：256GB SOCAMM2 容量较前代最高规格 192GB SOCAMM2 提升三分之一，可为每颗 8 通道 CPU 提供 2TB LPDRAM 容量，从而支持更大的上下文窗口及更复杂的推理工作负载。　　功耗更低、尺寸更小：与相同容量的 RDIMM 相比，SOCAMM2 的功耗仅为其三分之一，尺寸亦缩减至三分之一，有效提升机架密度并降低总体拥有成本。1　　提升推理与核心计算性能：在统一内存架构中，与现有解决方案相比，256GB SOCAMM2 用于 KV 缓存卸载时，可将长上下文、实时 LLM 推理的首个 token 生成时间加速 2.3 倍。2在独立 CPU 应用中，针对高性能计算工作负载，LPDRAM 的每瓦性能较主流内存模块提升超 3 倍。3　　易维护、可扩展的模块化设计：模块化 SOCAMM2 设计可提升设备可维护性、支持液冷服务器架构，并能随着 AI 与核心计算内存需求的持续增长，实现未来容量扩充。　　NVIDIA 数据中心 CPU 产品部门主管 Ian Finder 表示：“先进 AI 基础架构需要在各个层面进行极致优化，才能有效应对严苛的 AI 推理工作负载对性能与能效的需求。美光通过 256GB SOCAMM2，以低于传统服务器内存的功耗，实现超大内存容量与带宽的突破，为下一代 AI CPU 提供关键助力。”　　推动行业标准制定　　加速低功耗内存普及　　美光在 JEDEC SOCAMM2 规范制定过程中持续发挥领导作用，并维持与系统设计人员的深度技术合作，以推动下一代数据中心平台在能效与性能方面实现全行业性提升。　　美光现已面向客户送样 256GB SOCAMM2 产品，并提供业界最全面的数据中心 LPDRAM 产品组合，涵盖 8GB 至 64GB 组件及 48GB 至 256GB 的 SOCAMM2 模块。　　1三分之一的功耗依据单个 128GB、128 位总线宽度 SOCAMM2 模块与两个 64GB、64 位总线宽度 DDR5 RDIMM 的功耗瓦数对比计算。三分之一的尺寸依据 SOCAMM2 的面积( 14x90 mm)与标准服务器 RDIMM 的面积之比。　　2结果基于美光内部测试，使用 Llama3 70B 模型(FP16 量化)进行实时推理测试，测试配置为：上下文长度 500K，并发用户数 16。首 token 响应时延(TTFT)的预期提升，基于每 CPU 配置 2TB LPDRAM 时延 0.12 秒，对比每 CPU 配置 1.5TB LPDRAM 时延 0.28 秒测算。有关测试条件详情，请参阅本月稍早发布的白皮书：LPDDR at Scale: Enabling Efficient LLM Inference Through High-Capacity Memory。　　3美光内部测试使用相同容量的 LPDDR5X 和 DDR5 进行 Pot3D 太阳物理 HPC 代码性能测评。
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发布时间：2026-03-06 11:37 阅读量：1147 继续阅读>>

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