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罗姆漫画第二弹 | 成为超级<span style='color:red'>工程师</span>的第一步！

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罗姆漫画第二弹 | 成为超级工程师的第一步！

　　罗姆“R课堂”应各位工程师的要求，开启了全新漫画系列“Sugiken老师的电机驱动器课堂”!目的是让参与电机设备开发和设计的工程师，特别是面向三相无刷电机驱动电路亦或是初学者们告别从前枯燥无趣的文字，在轻松的漫画氛围中同样可以掌握电机驱动器知识。　　第1集我们跟着主人公一漱学，在Sugiken老师的课堂了解了电机驱动的相关内容，各位工程师可以点击下方前往查看详细内容~　　接下来跟着主人公一起进入第2集课堂吧~　　【第2集】Sugiken登场!　　成为超级工程师的第一步　　从这一集开始，我将为大家介绍与电机相关的基础知识。首先，我们以最基本的有刷电机(带有电刷的电机)为例，来了解一下什么是电机以及电机的旋转原理。然后，我会为大家具体介绍一下无刷电机，这也是我们要学习的主题。　　关于本次讲解详细内容，可以点击下方链接前往查看!　　Sugiken登场!成为超级工程师的第一步　　无刷电机的结构示例和应用示例　　什么是无刷电机?了解电机的极数与槽数、机械角度与电角度、霍尔器件(霍尔IC)

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发布时间：2025-12-18 15:18 阅读量：361 继续阅读>>

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工程师召集！利用罗姆碳化硅模块的优势来助力汽车应用的未来发展

　　近年来随着电动汽车市场的不断扩大，对高性能、高效率的功率半导体器件的需求也在持续增长。碳化硅芯片以其出色的耐高温、耐高压、低损耗等特性，成为电动汽车电机控制器、电池管理系统等关键部位的首选材料。　　罗姆碳化硅业务布局，其贯彻垂直整合生产体系，通过第4代碳化硅晶圆及多类碳化硅模块，如 TRCDRIVE pack™(小型化、低寄生电感、散热好，适配主驱逆变器)、BSTB模块、HSDIP模块与2in1表面贴装模块(适用于OBC等)的性能优势与未来规划，为汽车电动化提供高效解决方案。　　本次研讨会将向大家讲解罗姆碳化硅模块方面的知识内容。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　01 研讨会提纲　　1. ROHM碳化硅业务概述　　2. 主流碳化硅模块产品介绍　　3. TRCDRIVE pack™模块　　4. BSTB模块　　5. HSDIP20/2in1 SMD碳化硅模块　　02 研讨会主题　　利用罗姆碳化硅模块的优势　　来助力汽车应用的未来发展　　03 研讨会时间　　2025年12月17日上午10点　　04 研讨会讲师张子阳(高级工程师)　　罗姆半导体公司的功率器件工程师，主要推广碳化硅等功率器件的推广和应用，深度了解碳化硅器件工艺及相关市场。　　相关产品页面　　· 二合一碳化硅封装模块“TRCDRIVE pack™”　　· 碳化硅塑封型模块“HSDIP20”　　· 罗姆碳化硅功率器件系列产品　　· 第4代碳化硅MOSFET　　好礼●来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取小米鼠标1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　标签打印机(30份)　　微信朋友圈　　车载手机支架(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。

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发布时间：2025-12-04 15:48 阅读量：435 继续阅读>>

CMP工艺<span style='color:red'>工程师</span>常用专业术语

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CMP工艺工程师常用专业术语

　　一、核心工艺参数与性能指标 (Core Process Parameters & Metrics)　　这些是你在日常工作中每天都要监控、分析和报告的关键数据。　　去除速率 (Removal Rate, RR)　　解释：单位时间内去除的薄膜厚度，是CMP最核心的性能指标。通常单位为埃/分钟 (Å/min) 或纳米/分钟 (nm/min)。RR的稳定性和可控性至关重要。　　不均匀性 (Non-Uniformity, NU%)　　解释：衡量整个晶圆表面去除速率差异的指标。通常分为片内不均匀性 (WIWNU, Within-Wafer) 和片间不均匀性 (WTWNU, Wafer-to-Wafer)。NU%越小，代表平坦化效果越均匀，对器件性能一致性越好。　　选择比 (Selectivity)　　解释：指在同一工艺条件下，对两种不同材料的去除速率之比。例如，在浅沟槽隔离(STI) CMP中，我们希望氧化物(Oxide)相对于氮化物(Nitride)有很高的选择比，以在去除多余氧化物的同时，尽可能少地磨损作为停止层的氮化物。　　下压力 (Downforce / Pressure)　　解释：研磨头(Polishing Head)施加在晶圆背面的压力，单位通常是psi (磅/平方英寸)。根据普雷斯顿方程，它是决定去除速率的关键输入参数之一。　　转速 (Rotation Speed)　　解释：指研磨盘(Platen)和研磨头(Head)的旋转速度，单位是rpm (转/分钟)。同样是影响去除速率和流体动力学的关键参数。　　二、关键硬件与耗材 (Key Hardware & Consumables)　　这些是你每天都要接触、更换和维护的物理部件。　　研磨液 (Slurry)　　解释：CMP工艺的“化学”核心。它是由研磨颗粒(Abrasive)和各种化学添加剂(助氧化剂、络合剂、pH稳定剂、表面活性剂等)混合而成的悬浮液。　　研磨垫 (Pad)　　解释：CMP工艺的“机械”核心。通常是聚氨酯(Polyurethane)材料，表面有特定的沟槽(Grooves)设计，用于传输研磨液和带走碎屑。分为硬垫和软垫。　　研磨垫修整器 (Pad Conditioner / Dresser)　　解释：带有金刚石颗粒的圆盘，用于在研磨过程中或研磨间隙对研磨垫进行“修整”。目的是去除嵌入的碎屑，恢复研磨垫表面的粗糙度和微观结构，以维持稳定的去除速率。　　挡环 (Retaining Ring)　　解释：位于研磨头边缘的环状部件，用于在研磨时固定晶圆，防止其滑出。同时，挡环的材质和状态对晶圆边缘的研磨轮廓(Edge Profile)有决定性影响。　　研磨颗粒 (Abrasive)　　解释：研磨液中的固体颗粒，提供主要的机械研磨作用。常见的有二氧化硅(Silica)、二氧化铈(Ceria)、氧化铝(Alumina)等，其粒径、形状和硬度都经过精密设计。　　三、平坦化形貌与缺陷 (Planarization Topography & Defects)　　这些是CMP工艺需要解决的核心问题和常见的失效模式。　　碟形凹陷 (Dishing)　　解释：在金属CMP(如铜互连)中，大尺寸金属区域由于材质较软，被过度研磨，中心区域低于周围介电层，形成碟状凹陷。这会增加后续连线的电阻。　　腐蚀凹陷 (Erosion)　　解释：在高密度图形区域，由于局部压力和化学作用增强，导致大面积的介电层被过度磨损而变薄的现象。　　残留 (Residue)　　解释：研磨后，本应被去除的材料(如金属、氧化物)未能完全去除，残留在晶圆表面。这通常发生在图形的凹陷区域，会导致短路等致命缺陷。　　划伤 (Scratches)　　解释：CMP工艺最常见的缺陷之一。由大的研磨颗粒、外部异物或研磨垫碎屑在晶圆表面划出的线状痕迹。　　边角磨圆 (Corner Rounding)　　解释：在STI CMP中，沟槽的边角被过度研磨而变得圆钝的现象。这会影响晶体管的几何形状和电学性能。　　四、工艺控制与终点检测 (Process Control & Endpoint Detection)　　这些是确保工艺稳定性和精确性的关键技术。　　终点检测 (Endpoint Detection, EPD)　　马达电流法 (Motor Current)：通过监测研磨盘或研磨头马达的电流变化(摩擦力变化)来判断。　　光学法 (Optical)：通过监测特定波长光的反射或干涉信号来判断薄膜厚度变化。　　涡电流法 (Eddy Current)：专门用于金属CMP，通过感应金属膜厚变化引起的涡电流变化来判断。　　解释：判断CMP过程何时应该停止的技术。这是从按时间控制(Timed Polish)向量产控制(Process-Controlled Polish)转变的关键。常见方法有：　　原位 (In-situ)　　解释：指在研磨过程中实时进行。例如“原位终点检测”(In-situ EPD)，“原位修整”(In-situ Conditioning)。　　CMP后清洗 (Post-CMP Clean)　　解释：一个至关重要的独立工序。使用刷洗、兆声波清洗和化学药液，去除CMP后残留在晶圆表面的颗粒、金属离子和有机物。清洗的好坏直接决定最终的缺陷水平。　　金属填充 (Dummy Fill / Metal Fill)　　解释：一种版图设计端的优化手段(DFM, Design for Manufacturability)。在图形密度低的区域，预先填充不具备电学功能的“假”金属块，以提高整个版图的图形密度均匀性，从而极大地改善CMP后的平坦度，减少Dishing和Erosion。　　五、理论与模型 (Theory & Models)　　这些是理解CMP机理、进行深入研究的理论基础。　　普雷斯顿方程 (Preston's Equation)　　解释：CMP最基础的经验模型：RR = Kp * P * V。其中RR是去除速率，P是压力，V是相对速度，Kp是普雷斯顿系数(一个包含了所有其他化学和材料因素的经验常数)。　　斯特里贝克曲线 (Stribeck Curve)　　解释：描述润滑状态下摩擦系数与(粘度×速度/压力)关系的曲线。在CMP中，它被用来解释研磨垫、晶圆和研磨液三者之间的复杂作用，帮助我们理解从接触式研磨到流体动力学研磨的转变，对优化工艺窗口有指导意义。　　希望这份清单对你有所帮助。在实际工作中，你会发现这些术语总是交织在一起出现。例如，你需要调整下压力和转速来优化去除速率，同时监控不均匀性，并利用终点检测来防止碟形凹陷和腐-蚀凹陷的发生。祝你在CMP领域不断进步。

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发布时间：2025-08-27 11:52 阅读量：741 继续阅读>>

<span style='color:red'>工程师</span>必备：36个开关电源专业名词解释

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工程师必备：36个开关电源专业名词解释

　　在快速发展的电力电子领域，无论是设计、选型、应用还是维护电源系统，清晰准确地理解相关术语至关重要。本文系统性地汇编了开关电源、DC/DC变换器及相关技术中常见的核心术语与概念，力求为工程师、技术人员及爱好者提供一份简洁明了的参考指南。掌握这些术语，是高效沟通、优化设计、规避风险、确保系统可靠运行的基础。　　辅助电源/AUX(Auxiliary power supply)：在有些AC/DC电源和DC/DC变换器中，有一个辅助的电源，一般加上输入电压以后就会有输出(少数辅助电源，例如，给风扇的电源也有受控的)，它主要用作控制信号的电源。　　“砖”/Brick：DC/DC变换器中，“Brick”是用来表示模块大小的“单位”，有所谓的全砖、半砖、1/4砖、1/8砖、1/16砖等，例如，密封的半砖模块，其大小为2.40×2.30×0.50(单位为英寸)，而开架结构半砖模块的大小为2.40×2.28×0.30(单位为英寸)(高度还有0.34英寸等不同的数值)。　　均流端/ CB (Current Balance)：为了增加输出功率，把多个具有相同输出电压和输出功率的电源并联使用，把它们的“CB”端连接在一起，以达到各个模块的输出电流大致相等，以免由于不均流而导致个别电流太大的模块损坏，均流端也有用“PC”，“SWP”，“C Share”等表示。　　立方英尺/分钟和英尺/分钟/CFM(Cube feet minute)、LFM(Line feet minute)：风冷的流量单位，CFM=LFM×面积S。风速的另一个单位为米/秒。　　共模噪声/Common Mode Noise：指两导体对某个基准点具有大小基本相等，方向相同的噪声，通常指交流输入L线和N线对地的噪声，可通过共模电感和Y电容来抑制它们。　　降额/Derating当环境温度较高时(例如50℃以上)，有的电源必须要降低使用的输出功率，另外，有些电源在规定的输入电压范围的低端，不能满足所有的输出参数(例如：电压可调范围或功率)，要降额使用。　　动态响应/Dynamic Response：当负载出现突变时，电源的输出电压会出现瞬间的过冲，然后回到正常输出状态，动态响应关心的是过冲幅度的大小和响应时间的长短。　　电磁兼容/EMC(Electromagnetic compatibility)：指电源在工作中产生的电磁发射要限制在一定的范围内，另外它本身也要有一定的抗干扰能力。　　电磁干扰/EMI(Electromagnetic Interference)：分为传导发射(conducted emissions)和辐射发射(Radiated emissions)。　　散热器/Heat sink：用来帮助电源内的功率元器件散热的外加金属附件，一般以铝材为多，DC/DC模块的铝基板和散热器之间，应加一些导热硅胶或导热膜，使它们有良好的接触，有助于热量的散出。　　保持时间/Hold-up Time：在开关电源的输入电压撤销后，依然保持额定输出电压不变的时间。　　浪涌电流抑制/Inrush Current Limiting：限制开机瞬间过大浪涌电流的抑制电路，最简单的是在输入电路中串接热敏电阻，也可在输入电路中串接MOS管并联功率电阻等方法来抑制浪涌电流。功率因数校正电源模块中的浪涌抑制电路是用可控硅和功率电阻并联来完成的。　　绝缘/Isolation：在电源设备中，输入端和输出端的隔离是通过高频变压器来完成的。　　环境管理体系标准/ISO14000：是国际标准化组织(ISO)继ISO9000系列标准后提出的又一套重要的系列标准。它是一整套新的、国际性的、环境方面的管理性标准，包括环境管理体系、环境审计、环境标志、环境行为评价、产品寿命周期等几个方面。该标准是一套环境自愿性标准，通过第三方认证的方式实施。　　漏电流/Leaking Current：通过输入交流电源线(L线和N线)和地线之间的电流，我国军用标准GJB1412，规定的泄漏电流小于5mA，在医疗设备上使用的电源，其漏电流一般要求小于100UA。　　电源电压调整率/Line Regulation：指输出负载固定时，输入电压从最小值缓慢变到最大值时，输出电压的变化，用百分数表示(有时也用变化量表示)。　　负载调整率/Load Regulation：指输入电压为额定值，输出负载电流从最小值缓慢变到最大值时，输出电压的变化，用百分数表示(有时也用变化量表示)。　　低电压指令/LVD (Low Voltage Directive)：CE标志中的一条指令，它的对象是电压在50-1000Vac 或75-1500Vdc范围内工作的设备或机器，确保产品不危害人身与财物的安全。　　最小负载电流/(Minimum Load Current)：在多路输出的电源中，有些多路输出的电源在其主路必须施加一个最小的负载电流，才能保证各路输出稳定可靠地工作。有些单路输出的电源，在并联的时候，也要加一个最小的负载电流。　　平均无故障时间/MTBF(Mean Time Between Failure)：可以计算也可以由温度加速寿命试验来认证。　　负逻辑/Negative Logic：指控制模块开关的信号为低有效。当控制端对-Vin的电压为低电时，模块有输出;为高电时，模块被关闭。　　过流保护/OCP(Over Current Protection)：当输出电流大于105-145%的额定电流值时，电源开始保护(输出电压下降直至停止输出)，在消除了过载状态后，一般能自行恢复输出。　　并联工作/Parallel Operation：为了增加输出功率把二个模块并联起来使用，一般采用同功率，同输出电压的模块，必须把均流端连在一起，保证输出电流大致相等。总的输出电流应该小于总电流的95%。在1+1备份使用中，由于有二极管的隔离，就无所谓均流的问题了。对于并联工作的模块，其输入端必须分别连接共模电感和Y电容，以免模块之间互相影响。　　功率因数校正/PFC(Power Factor Correction)：开关电源因采用电容输入滤波，功率因数很低，一般只有0.65左右，大大降低了交流电力的利用率，与此伴随的是输入电流严重的非正弦失真而增加了对电网的污染，为提高功率因数而采用功率因数校正电路，通常分为无源PFC和有源PFC两种。而且有专用功率因数校正的集成电路。　　正逻辑/Positive Logic：指控制模块开关的信号端为高有效。当控制端Remote ON/OFF对-Vin 端的电压为高电平时，模块有输出;为低电平时，模块被关闭。一般非隔离DC/DC模块的Remote ON/OFF端悬空时，为模块开启状态。　　脉冲宽度调制/PWM (Pulse Width Modulation)：在开关管频率恒定的条件下，通过改变脉冲导通宽度的方法来实现稳压输出的一种方法。　　遥控开关/Remote ON/OFF：也有称CNT、RC等各种称谓，有正逻辑和负逻辑两种方式，一般DC/DC隔离模块的控制端在悬空时为高电平。而非隔离模块的控制端悬空时，正逻辑为高电平，而负逻辑为低电平，使用时更方便，如果不用控制端，悬空就行。　　射频干扰/RFI(Radio Frequency Interference)：由开关电源的开关元件工作而引起的，不希望传输和发射的高频能量频谱。　　纹波和噪声/Ripple and noise：电源直流输出端的交流分量的幅值，用峰一峰值或有效值来表示，纹波的频率和开关频率相同，而噪声是由开关管，高频变压器、整流二极管等元器件的工作而产生的尖峰电压。　　指限制使用某些有害物质的指令/RoHS(Restriction of Hazardous Substances)：有害物质包括：镉Cd、铅Pb、汞Hg、六价铬Cr6+、多溴联苯PBB和多溴联苯醚PBDE六种物质;DC/DC模块电源满足RoHs标准必须要求：镉物质的含量小于0.01%(100ppm)，其它物质的含量小于0.1%(1000ppm)。　　串联工作/Series Operation：为了增加输出电压而把二个模块串联起来使用，一般采用同功率同输出电压的模块。如果功率不同的模块串联使用，应以输出电流小的值作为总的电流。另外模块串联使用，必须在每个模块的输出端并联一个反向肖特基二极管，因为在开机时，由于不同电源模块输出端的电压的建立可能不同步，较慢启动模块的输出端被加上反向电压，反向偏置连接的二极管提供了一个反向电流的通路，起到了保护模块的作用。　　单列直插封装/SIP(Single In–line package)：模块的一种封装形式，一般为小功率DC/DC模块和非隔离电源中使用。　　输出电压调整端/Trim：外加电阻网络或电压源，可在一定的范围内调节模块的输出电压，输出电压被调高以后，输出电流应该减小，保证输出功率不会超过其额定值。在双路输出的模块中，有二路独立的Trim端，也有二路输出公用一个Trim端，也有一路有Trim端，另一个输出固定。　　X电容/X-Capacitor：和电感组成的π型滤波器的二个电容，用来滤除两根输入线的噪声。　　Y电容/Y-Capacitor：分别接在二根输入线到地的陶瓷电容和共模电感一起用来抑制共模噪声的，单从EMI滤波器的角度出发，Y电容越大越好，但从安全角度出发，Y电容的容量应越少越好，因为漏电流的大小取决于EMI滤波的Y电容的容量，最终Y电容的容量应根据安全标准来决定。　　安全距离：包括电气间隙(空间距离)，爬电距离(沿面距离)和绝缘穿透距离;电气间隙：两相邻导体或一个导体与相邻电机壳表面的沿空气测量的最短距离;爬电距离：两相邻导体或一个导体与相邻电机壳表面的沿绝绝缘表面测量的最短距离。　　本文梳理的电源核心术语，如同构建复杂电源系统知识大厦的一块块基石，对这些术语的精准把握，直接关系到电源产品的性能、效率、可靠性与合规性。

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开关电源

发布时间：2025-07-08 15:50 阅读量：916 继续阅读>>

硬件<span style='color:red'>工程师</span>应记住的10大软件技巧

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硬件工程师应记住的10大软件技巧

　　嵌入式系统设计不仅需要了解硬件，还需了解软件是如何影响硬件并与硬件进行交互的。设计硬件所需的范式可能与设计软件完全相反。当从硬件设计转向包含软件的设计时，硬件工程师应牢记以下十个技巧。　　01流程图第一，实现第二　　当工程师首次迈入软件开发领域时，会有一种强烈的诱惑力促使他们立刻投入工作并开始写代码。这种做法就好比在电路逻辑图还未完成前就试图设计印刷电路板(PCB)。在着手开发软件时，抑制一上来就想写代码的冲动至关重要，应首先用流程图制定一个软件架构图。这样的方法会使开发人员对应用所需的不同部分与组件形成一个概念，就像电路逻辑图可以告诉工程师需要哪些硬件元件一样。这样可确保程序整体建立在良好的组织和深思熟虑之上，减少程序调试时间，从长期看，这样做还可以节省时间、省去麻烦。　　02使用状态机控制程序流程　　状态机是20世纪最伟大的软件发明之一。一个应用程序往往可被分为多个状态机，每个状态机都控制该应用程序的特定部分。这些状态机都拥有自己的内部状态和状态转换，从中可看出软件如何与各种激励相互作用。用状态机来设计软件，可简化软件的开发，使之模块化、可维护，并易于理解，相关文章请移步此处:谈谈单片机编程思想——状态机。现在已经有多种资源来演示状态机理论和算法。　　03避免使用全局变量　　在函数式编程的年代，函数要先于形式，程序员的唯一目标是尽可能地让程序按预期方式快速运行，而不用考虑程序结构或可重用性。这种编程范式会毫无顾虑地使用全局性变量，程序中的任何函数都可能修改它。其结果就造成了变量被破坏的几率增加或变量被误用。在新推荐的面向对象的范式中，应在最小的范围内定义变量并封装它们，以防止其他函数的误用或破坏。因此，建议限制使用全局变量的数量。在C语言中可用外部关键字标识这些变量。　　04充分利用模块化特性　　无论问哪一名工程师，项目的哪部分最有可能延迟交付并超出预算，答案都是软件。软件往往是复杂的，且难以开发和维护，尤其是当整个应用都存在于单个文件或松散关联的多个文件中时。为了改善可维护性、可重用性及复杂性，强烈建议程序员充分利用现代编程语言的模块化特性，将常用功能分解成模块。以这样的方式分解代码，程序员就能着手建立函数与特性库，然后在一个接一个的应用中重用它们，从而通过连续测试而改善代码质量，同时也减少了开发时间，降低了开发成本。　　05保持中断服务例程的简单性　　中断服务例程用来中断处理器对当前代码的执行，而去处理刚刚触发中断的外围设备。无论何时执行中断，都需要一定的开销，用于保存当前程序的状态并运行中断，然后将处理器回归原程序状态。现代处理器要比多年前的处理器快得多，但仍需要考虑此花销。一般情况下，程序员都想把中断运行时间降至最低，以避免干扰主代码。这意味着中断应该短而简单。中断中不应调用函数。此外，如果中断变得过于复杂或耗时，那么就应该只在必要时利用中断做最少量的工作，例如，将数据载入缓冲区并设置一个标志，然后让主代码处理输入的数据。这样做可保证大多数处理器的时间用于运行应用，而不是处理中断。　　06使用处理器示例代码进行测试　　设计硬件时，构建原型测试电路总是有益的，这样可确保工程师对电路有正确的理解，然后再做电路板布局。这在设计软件时也同样适用。硅片制造商通常都有示例代码，可用来测试微处理器的各个部分，这样工程师们就可判定该部分的工作情况。此方法使人们明确知道应该如何设计软件体系架构，以及可能碰到的任何问题。在设计初期了解可能存在的障碍，比在产品交付前的最后几小时才发现它们要好得多。这是预先测试一段代码的好方法，但需提醒的是，制造商代码往往不是模块化的，要经过彻底的修改才可用于实际应用。随着技术的进步，也许某一天芯片供应商会提供可用于生产的代码。　　07限制功能复杂度　　工程学中有一个旧词叫“KISS”——保持简单和直接。无论在处理何种复杂的工作时，最简单的方法就是把它分解为更小、更简单、更易处理的任务。随着工作或功能变得越来越复杂，人们要准确无误地记录所有的细节也变得更困难。在写一个函数时，其复杂度在当时看似适中，然而还必须考虑到，6个月后当工程师进行维护时，还需要查看代码。测量函数复杂度(如循环复杂度)的方法很多，现在已经有工具可以自动计算某个函数的循环复杂度。由经验可知，函数的循环复杂度保持在10以下是最理想的。　　无论在处理何种复杂工作时，最简单的方法就是把它分解为更易处理的任务。　　08使用源代码存储库并频繁提交代码　　人都是会犯错误的，写代码时也会犯错。这就是为什么开发人员使用源代码存储库是如此重要。源代码存储库可使开发人员“存入”一个好的代码版本，并描述对该基础代码所做的修改。这不仅使开发人员可以复原或追溯到的旧版代码，还可以比较旧版代码之间的不同。如果开发人员做的一系列修改破坏了系统，只需点击一下即可恢复好代码版本!请谨记，如果不频繁提交代码，存储库就不会达到预期目的。如果做了不可修复的改变，过两周才提交代码再恢复的话，就会造成大量工作和时间的损失!　　09代码注释　　在紧张的软件开发中，开发人员很容易把注意力集中在编写和调试代码上，而忽略做详细的注释。在压力之下，注释工作往往拖到最后，因为开发人员认为这是最后的一件事。然而，趁代码在你脑中记忆犹新时就做注释是至关重要的，这样做可使其他开发人员或以后你自己读懂注释，理解代码是如何工作的。　　10使用Agile开发流程　　无论做何种类型的工程设计，都建议先设定并遵守某种流程，以便质量和成本都保持稳定的并能按时交付。软件开发人员已成功使用Agile开发流程开发高质量软件，这一流程可按任务的优先顺序做开发。优先级别最高的任务在指定的时间内首先完成，这被称为迭代。这种方法的好处是可以使软件开发流程保持顺畅，还可以根据结果和客户的需要，使需求和任务适应每一次迭代并做相应的修改。

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软件技巧

发布时间：2025-05-06 17:56 阅读量：751 继续阅读>>

<span style='color:red'>工程师</span>一定要知道的电子元器件分类

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工程师一定要知道的电子元器件分类

　　一、电子元器件分类有哪些?　　电子元器件可以按照不同的分类标准进行分类，以下是一些常见的分类方式：　　01按照功能分类：　　主动元件：如晶体管、集成电路等，能够放大、开关、控制电流或电压的元件。　　被动元件：如电阻、电容、电感等，不能放大或控制电流或电压，主要用于限制、储存或传输电能的元件。　　02按照材料分类：　　半导体元件：如二极管、晶体管、集成电路等，利用半导体材料的特性来控制电流或电压。　　电子真空管：如电子管、光电管等，利用真空中的电子流来控制电流或电压。　　电阻器：如固定电阻器、可变电阻器等，利用电阻材料的特性来限制电流或电压。　　电容器：如电解电容器、陶瓷电容器等，利用电介质的特性来储存和释放电能。　　电感器：如线圈、变压器等，利用电磁感应的原理来储存和传输电能。　　03按照封装形式分类：　　芯片封装：如SMD封装、BGA封装等，将电子元件制作成芯片形式，便于集成和焊接。　　插件封装：如DIP封装、TO封装等，通过引脚插入插座或焊接到电路板上。　　焊盘封装：如QFN封装、LGA封装等，通过焊盘与电路板焊接连接。　　04按照工作频率分类：　　低频元件：适用于低频电路，如电源电路、音频电路等。　　高频元件：适用于高频电路，如射频电路、通信电路等。　　这只是一些常见的分类方式，实际上电子元器件的分类还有很多，不同的分类方式可以根据不同的需求和应用来选择合适的元器件。　　二、常用电子元器件　　01电阻　　“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。”作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的，重要性毋庸置疑。　　电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。　　在物理学中，用电阻(Resistance)来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。　　电阻符号：电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。　　02电容　　电容(或电容量， Capacitance)指的是在给定电位差下的电荷储藏量;记为C，国际单位是法拉(F)。　　一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上;造成电荷的累积储存，最常见的例子就是两片平行金属板，也是电容器的俗称。　　03电感　　电感：当线圈通过电流后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。我们把这种电流与线圈的相互作用关系称其为电的感抗，也就是电感，单位是“亨利”(H)。也可利用此性质制成电感元件。　　电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小;当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH(误差5%)的电感。　　电感的基本单位为：亨(H)换算单位有：1H=103mH=106uH。　　04晶体二极管　　晶体二极管(crystaldiode)固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。　　此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。　　晶体二极管符号：晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。　　05晶体三极管　　晶体三极管是一种控制电流的半导体器件，能把电流放大。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关，来控制各种电子电路。　　三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。　　晶体三极管符号：晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。

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电子元器件

发布时间：2025-04-16 17:50 阅读量：1195 继续阅读>>

盘点电子<span style='color:red'>工程师</span>必须了解的21个电路

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盘点电子工程师必须了解的21个电路

　　在电子工程领域，掌握关键电路的知识对于工程师来说是至关重要的。尤其是里面有很多电子电路出现频率极高，是不少工程师需要重点学习，那么有哪些电路需要重点学习?　　01桥式整流电路　　利用二极管的单向导电性进行整流，输出直流电压。　　02电源滤波电路　　包括LC滤波和电容滤波，用于平滑直流输出电压。　　03信号滤波电路　　分为带通和带阻滤波，用于提取或抑制特定频率的信号。　　04微分和积分电路分别用于信号的微分和积分处理，改变信号的波形特征。05共射极放大电路　　基本放大电路，用于信号的电压放大。　　06分压偏置式共射极放大电路　　改进型共射极放大电路，具有更稳定的静态工作点。　　07共集电极放大电路(射极跟随器)具有高输入阻抗和低输出阻抗，用于信号的缓冲和阻抗匹配。08电路反馈框图　　描述电路中的反馈机制，包括正负反馈、串联和并联反馈等。　　09二极管稳压电路　　利用稳压二极管的特性实现电压稳定。　　10 串联稳压电源　　由多个元器件串联组成，用于提供稳定的直流电压。　　11 差分放大电路　　放大差模信号，抑制共模信号，提高信号的抗干扰能力。　　12场效应管放大电路　　利用场效应管的特性进行信号放大，常用于低功耗电路。　　13 选频(带通)放大电路　　选择并放大特定频率范围内的信号。　　14 运算放大电路　　具有高放大倍数和低输入阻抗，用于信号的运算和处理。　　15 差分输入运算放大电路　　输入差分信号，输出与输入信号相关的运算结果。　　16 电压比较电路　　比较输入电压与参考电压，输出高电平或低电平信号。　　17 RC振荡电路　　利用RC电路的特性产生振荡信号。　　18 LC振荡电路　　利用LC电路的特性产生稳定的振荡信号。　　19 石英晶体振荡电路　　利用石英晶体的特性产生高精度的振荡信号。　　20 功率放大电路　　放大信号的功率，用于驱动负载。　　21 基尔霍夫定理电路包括基尔霍夫电流定律和电压定律，用于分析复杂电路中的电流和电压关系。

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电子电路

发布时间：2025-04-10 13:53 阅读量：653 继续阅读>>

<span style='color:red'>工程师</span>如何处理开关电源的磁芯损耗？

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工程师如何处理开关电源的磁芯损耗？

　　在开关电源设计中，总会碰见各种各样的损耗，其中之一是磁芯损耗，由磁滞损耗和涡流损耗组成，难以直接估测，需要精确计算与合理选择磁芯材料来控制。　　1知晓磁芯损坏的组成　　磁滞损耗：与磁芯偶极子重新排列相关，正比于频率和磁通密度。　　涡流损耗：由交变磁通在磁芯中产生的局部电流导致，表现为I²R损耗。　　2选择合适的磁芯材料　　优先选用低损耗磁芯：如铁镍钼磁粉芯(MPP)，其损耗低于其他常见铁粉磁芯。　　权衡成本与性能：虽然铁粉芯成本较低，但磁芯损耗较大，需根据具体应用需求选择。　　3精确计算磁芯损耗　　确定峰值磁通密度：利用公式B = (L * ΔI) / (N * A)，其中L为电感，ΔI为电感纹波电流峰峰值，A为磁芯横截面积，N为线圈匝数。　　查阅磁芯损耗曲线：根据磁芯制造商提供的磁通密度与磁芯损耗(和频率)图表，估算磁芯损耗。　　4利用专业工具辅助设计　　下载并使用制造商提供的计算软件：如某公司的在线电感磁芯损耗和铜耗计算公式，快速准确估算损耗。　　模拟与验证：通过仿真软件模拟不同磁芯与电感参数下的损耗情况，进行验证与优化。　　5实时热管理措施　　设计有效的散热路径：确保磁芯及其周边组件的热能能够高效散出。　　监控温度：在实际应用中，通过温度传感器监控磁芯温度，及时调整设计或增加散热措施。　　6持续优化与迭代　　收集应用数：在实际应用中收集磁芯损耗与温度数据，分析损耗来源。　　迭代设计：根据数据分析结果，调整磁芯材料、电感参数或散热设计，持续降低磁芯损耗。

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开关电源

发布时间：2025-03-28 14:43 阅读量：843 继续阅读>>

雷卯推出SOD123HE封装二极管，帮<span style='color:red'>工程师</span>解决发热问题

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雷卯推出SOD123HE封装二极管，帮工程师解决发热问题

　　雷卯推出SOD123HE封装二极管，帮工程师解决发热问题　　为何肖特基二极管会发热?　　肖特基二极管在工作时发热量不可小视，发热量大小与实际工作电流大小有关，与肖特基二极管实际压降大小有关。这是可以通过测量和计算得到，很方便。　　方法是：测得二极管两端实际压降假如为0.5V，流过二极管实际电流假如为30A;　　那么肖特基二极管本身消耗功率P=U*I=0.5 *30A=15W，每小时做功W=P*T=15*1=15WH=0.015KWH;　　肖特基如何降低发热量?　　有以下方法可以解决　　一、选择更好芯片的肖特基　　同等电流情况下，一是可以选择更低压降的肖特基，可以保证VF稍微低0.2-0.3V，可以保证功耗情况下，比如选择雷卯的SS34LVFA 压降为0.3V。　　二、选择带散热焊盘的肖特基　　国内大部分工厂目前都用的两端引脚大小相同的封装，比如SMA SOD123等，现在有SOD123HE封装，可以解决一些散热问题，帮客户在不改变封装焊盘大小情况下，设计更好的产品。以下是2种封装的对比图　　同样大小的体积，SOD123-HE SOD123EP的产品热阻明显比普通封装小，散热能力大大增加。　　产品列表　　目前推出的SOD123HE系列的产品有FR系列快恢复二极管，US系列高效二极管，1A 2A 3A的肖特基产品。　　可以替代国外品牌的型号

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雷卯

发布时间：2023-07-05 09:45 阅读量：2404 继续阅读>>

7nm工艺延期推出股价暴跌，英特尔解雇总<span style='color:red'>工程师</span>

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7nm工艺延期推出股价暴跌，英特尔解雇总工程师

7月28日消息，据国外媒体报道，芯片制造商英特尔公司宣布解雇总工程师默蒂·伦杜钦塔拉(Murthy Renduchintala)，原因是公司未能跟上最新的制造进展。据悉伦杜钦塔拉将于8月3日离职，其领导的部分将被拆分，并由公司其它高管负责。英特尔在一份声明中表示，它之所以实施这些举措是为了“从领导能力层面推动产品加速，提高工艺技术执行的重点和责任心”。当伦杜钦塔拉于四年前加入英特尔时，个人被称赞拥有提升英特尔设计水平所需的经验。他后来被提升到现有职位，负责芯片制造，也是改善芯片性能的关键部门。上周，英特尔首席执行官鲍勃·斯旺(Bob Swan)向投资者表示，该公司新的7纳米芯片技术比计划落后6个月，英特尔可能会掏钱，转而外包生产芯片。在此之前，的新制程工艺也被推迟了多年。该股上周五暴跌16%，周一又下跌2%。在芯片设计大师吉姆·凯勒（Jim Keller）最近辞职后，英特尔也在努力招聘一名长期的芯片设计负责人。

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英特尔

发布时间：2020-07-28 00:00 阅读量：2130 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor

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