相约2026算博会｜永铭电解电容展区前瞻：<span style='color:red'>SSD</span>场景电容方案全解析
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相约2026算博会｜永铭电解电容展区前瞻：SSD场景电容方案全解析

　　2026年9月2-4日，2026开放数据中心大会(ODX)暨首届算博会将在北京国家会议中心二期盛大启幕。上海永铭电子股份有限公司将在B11超级电容展区、B12电解电容展区重磅亮相。　　本次展会，永铭电解电容展区将围绕AI服务器主供电源、SSD存储、主板算力三大核心应用场景，展示液态牛角型、液态插件型、高分子混合动力、高分子聚合物钽、叠层高分子固态电解电容等多品类产品矩阵。本文率先聚焦SSD存储场景，详解永铭电容方案如何为AI数据存储筑牢电力根基。　　SSD场景：三大产品线协同，夯实AI存储电力根基　　AI服务器SSD对PLP掉电保护的储能容量与响应速度要求日益严苛，U.2、E1.S、E3.S等多样化形态也对电容器的薄型化与体积利用率提出更高挑战。　　永铭针对SSD场景，已形成高分子聚合物钽电解电容、高分子混合动力铝电解电容、液态插件型铝电解电容三大产品线，覆盖从PLP大容量储能到主控滤波的全链路需求。　　高分子聚合物钽电容　　永铭TQD/TQW系列聚合物钽电容，采用新一代底面端子结构，专为SSD薄型化与高可靠PLP储能场景设计　　核心优势：　　底面端子结构：同尺寸下钽芯体积提升25%，容量密度显著提高　　耐压提升10%：短路故障率降低4.6倍，可靠性大幅增强　　薄型化优势：1.5mm/1.9mm超薄封装，适配E1.S、E3.S等紧凑型SSD　　对比MLCC无偏压容衰：容量不随电压升高而衰减，实际有效容量更高　　无啸叫：无压电效应，避免可闻噪声　　节省PCB空间：单颗可替代多颗MLCC，大幅缩减贴装面积与焊点数量　　高分子混合动力铝电解电容　　永铭NGY/NHT系列固液混合电容，融合电解液的自愈特性和高分子材料的低ESR优势，兼顾大容量储能与长寿命需求。　　核心优势：　　固液混合技术：兼具电解液自愈性与高分子低ESR，双重优势　　大容量储能：单颗最高3300μF，并联颗数少、PCB空间省　　宽温宽压：35V耐压，覆盖SSD PLP主流储能需求　　高性价比：铝基材料成本可控、交期稳定，是大容量储能的理想选择　　液态插件型铝电解电容　　永铭LKL/LKF系列插件型液态铝电解电容，专为SSD的PLP(掉电保护)电路设计。掉电瞬间，电容快速释放储存电能，为Cache中的数据回写Flash提供完整的保护窗口，有效避免数据丢失风险。　　核心优势：　　0.8mm特制引线：直径加粗设计，拉力为友商0.6mm引线的2倍，抗振动性能优异，适用于企业级SSD高可靠性场景　　超低高度：实际高度≤29.60mm，满足紧凑型SSD限高要求　　容量提升6%、ESR降低35%：同等规格下性能更优　　130℃/5,000H高温耐久：容衰仅-12.26%，长效稳定　　20,000次充放验证：33V/10秒充放循环后容衰显著优于友商　　LKF系列长寿命备选：105℃/10,000H，适配不同寿命等级需求　　两场主题演讲·深度技术分享　　除展品展示外，永铭电子还将在本次算博会的两场核心分论坛中发表主题演讲：　　9月2日 | 会场5 · 服务器分论坛 ：　　永铭超级电容在服务器主(备用)电源中的解决方案　　9月4日 | 会场5 · 存储部件分论坛 ：　　永铭电容在SSD中的应用　　相约北京，共赴算力盛宴　　2026算博会以"开放算力生态，Token普惠创新"为主题，超8,000㎡展区将汇聚算力芯片、液冷技术、智算集群等全链条产品与方案。　　永铭SSD全场景电容方案均已就位。无论您正在设计企业级SSD的PLP保护电路，还是为液冷环境下的存储方案寻找高可靠电容——欢迎整机厂商、服务器方案设计商、数据中心架构师莅临B12电解电容展区，现场获取规格书、选型建议与FAE技术对接支持。　　我们期待与您面对面交流电容器在AI存储领域的最新技术突破，共同推动中国算力产业从"能用"迈向"好用、易用、优用"!
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发布时间：2026-08-25 14:47 阅读量：162 继续阅读>>
佰维携企业级QLC <span style='color:red'>SSD</span>等全栈AI存储方案亮相FMS 2026，彰显全球化品牌实力
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佰维携企业级QLC SSD等全栈AI存储方案亮相FMS 2026，彰显全球化品牌实力

　　近日，FMS 2026(Future of Memory and Storage)在美国加州圣克拉拉会议中心圆满举行。佰维存储携AI存储产品矩阵亮相大会，围绕企业级、AI端侧、工车规及PC OEM等领域的创新成果，展示了AI存储新品、全链路技术方案及多场景组合应用，其中两款企业级Gen5 SSD新品SP5002与SP509现场首发。　　01　　旗舰双擎 企业级新品首发　　此次展会，佰维现场首发两款企业级PCIe Gen5 SSD——SP5002与SP509，精准匹配从超大规模AI训练集群到核心数据库的多样化存储需求。　　SP5002　　大容量QLC企业级SSD，破解海量数据瓶颈　　佰维SP5002采用QLC高密度存储颗粒，基于PCIe 5.0×4接口与NVMe 2.0协议，顺序读取带宽达14700MB/s，在AI训练场景中可显著缩短PB级数据集加载的等待时间，提升GPU利用率。　　SP5002最大容量达61.44 TB，单盘存储密度较传统企业级TLC SSD提升约33%。在大规模部署中，以更少盘位实现同等存储容量，显著降低机架占用空间与整体TCO。产品提供EDSFF E3.S与E1.L多形态选择，适配不同服务器架构的扩容需求，尤其适合数据湖、云存储、AI归档等数据量持续膨胀但偏向读取的场景。　　作为一款应用于海量数据读取场景的企业级SSD，SP5002搭载企业级固件架构，集成端到端数据路径保护、异常断电保护、磨损均衡等可靠性机制，MTBF达250万小时，为AI数据湖、云存储、大数据分析等场景提供高可靠性存储底座。　　SP509　　内置压缩引擎企业级SSD，有效降低TCO　　佰维SP509采用内置硬件数据压缩与解压缩引擎，在用户无感知的情况下对数据进行透明压缩，可大幅降低AI存储等典型应用场景下NAND 写入量，从而提升1倍以上的性能，延长5倍以上的寿命，最终降低用户的TCO。　　佰维SP509全面遵循NVMe 2.0协议规范，充分释放PCIe Gen5接口性能潜力。在2:1数据压缩比下，顺序读写带宽达14700、13000MB/s，4K随机读写达3200K、1000K IOPS，读写时延低至55/7μs，99.99% QoS时延控制在15/100μs内，消除AI推理长尾延迟瓶颈。SP509提供从3.2TB到15.36TB的多档容量选择，并搭配1 DWPD与3 DWPD双重耐久度规格，精准匹配AI训练与推理的不同业务场景。　　可靠性方面，SP509集成增强型LDPC纠错、端到端数据路径保护、Internal RAID、磨损均衡、掉电保护、硬件加密等多重企业级机制，MTBF达250万小时，确保数据的完整传输路径中不被损坏，为AI训练与推理、云计算、全闪存存储、高性能计算中心等关键业务提供坚实的数据保护屏障。　　除了SP5002、SP509两款企业级PCIe Gen5 SSD新品外，在企业级存储领域，佰维现场还展示了SATA SSD、DDR5 RDIMM、CXL 内存模块等创新产品，覆盖高性能AI算力、企业级核心数据库、数据中心等全场景需求。　　02　　存力矩阵 AI全场景覆盖　　同时，佰维现场展出了覆盖AI端侧、工车规、PC OEM等领域的全场景存储产品矩阵。　　AI端侧存储：小尺寸低功耗，赋能AI移动设备　　AI正从云端向端侧设备加速落地，AI手机、智能手表、AI眼镜等端侧AI设备需要高带宽内存支撑大模型加载，对存储芯片的尺寸和功耗要求更高。佰维依托固件优化和先进封测能力，推出覆盖ePoP、uMCP及LPDDR5X等完整形态的AI端侧存储产品，全系采用低功耗设计，满足从超轻薄穿戴设备到高性能移动终端的多样化需求，支持Deep Sleep深度休眠与DVFS动态调压，有效延长移动设备续航。　　工车规存储：稳定高耐久，宽温高可靠　　工业自动化、智慧交通、电力能源、数据通信、智慧安防、汽车电子等场景对存储的宽温工作范围、数据完整性与长期可靠性有严苛要求。佰维工车规产品覆盖工业级eMMC、工业级PCIe SSD、车规级UFS 3.1等多元形态，提供工业标准级、工业宽温级(-40℃至85℃)及车规级(-40℃至105℃)多温度等级选择，全系集成掉电保护、LDPC纠错、RAID冗余等多重数据保护，确保稳定可靠。　　PC OEM存储：创新形态，灵活适配　　AI PC正驱动PC产业升级，终端设备对存储的形态与性能需求日益分化。佰维PC OEM存储覆盖Mini SSD、LPDDR5X CAMM2、PCIe SSD等包括高性能内存条与大容量SSD的多元形态，精准匹配从轻薄本、掌上设备到高性能AI PC的多样化需求。核心产品通过Intel与AMD等主流平台认证，以创新形态与灵活配置助力客户加速产品差异化。　　03　　结语　　此次展会，佰维集中呈现了覆盖云、边、端的全场景存储产品矩阵，从企业级Gen5 SSD到车规UFS，从合封嵌入式方案到Mini SSD等创新形态，全面展示了公司在企业级、AI端侧、工车规及PC OEM等领域的最新创新成果。　　未来，佰维存储将携手全球合作伙伴，共同把握AI浪潮带来的存储机遇，持续深耕半导体存储器研发设计、先进封测与全球品牌运营，依托“研发封测一体化”的全栈技术能力，以更高的产品力、技术创新力与体系化服务能力，为全球用户提供高效、可靠、智能的存储解决方案。
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发布时间：2026-08-13 09:41 阅读量：241 继续阅读>>
FMS 2026｜佰维企业级QLC <span style='color:red'>SSD</span>即将亮相，携云边端全栈存储方案驱动AI未来
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FMS 2026｜佰维企业级QLC SSD即将亮相，携云边端全栈存储方案驱动AI未来

　　INVITATION　　存储无限策解无疆　　FMS 2026　　时间：8月4日-8月6日　　地点：美国加利福尼亚州圣克拉拉市圣克拉拉会议中心　　展位号　　#619
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发布时间：2026-07-30 13:12 阅读量：418 继续阅读>>
长江存储企业<span style='color:red'>SSD</span>内置国产电容——永铭固液混合电容构建PLP掉电保护方案
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长江存储企业SSD内置国产电容——永铭固液混合电容构建PLP掉电保护方案

　　长江存储SE006的PLP电容选择　　据“超能网”公众号公开报道：长江存储SE006企业级SATA SSD方案中，采用5颗电压35V，容量100μF的永铭固液混合电容(NGY系列)，共同构成SSD的掉电保护机制。　　图片来源：超能网公众号拆解图　　三大核心优势，构筑存储电容优选方案　　永铭固液混合铝电解电容三大核心优势，精准匹配企业级SSD严苛要求：　　1、高能量密度：有限空间内储足电能，确保意外断电时完整写入关键数据，杜绝丢失。　　2、低ESR：瞬态响应快，瞬时释放大功率，满足PLP严苛要求，同时提供平滑直流电，规避电压不稳导致的数据错误或硬件损伤。　　3、耐高温长寿命：105℃下可靠运行10,000小时，覆盖企业级SSD 5年以上设计寿命，显著降低故障率与维护成本。　　除35V 100μF规格外，永铭固液混合电容涵盖多种容量及温度寿命等级，全面匹配您的不同SSD设计场景。　　算力长效保障·永铭全场景国产电容方案　　企业存储长期高负载运行，供电稳定性是核心指标。　　永铭完整电容解决方案同步覆盖存储SSD、服务器主供电源、服务器主板，适配数据中心、企业级算力多场景国产化替代需求。如需电容配套支持，我们可提供全套选型资料、规格、电性能检测报告，并提供免费样品供上机验证。
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发布时间：2026-07-23 09:15 阅读量：392 继续阅读>>
佰维海外媒体开放日圆满落幕，Mini <span style='color:red'>SSD</span>凭实力“圈粉”！
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佰维海外媒体开放日圆满落幕，Mini SSD凭实力“圈粉”！

　　近日，佰维存储“BIWIN Media Day/海外媒体开放日”圆满落幕。二十余位来自全球各地的知名游戏与科技KOL走进惠州先进封测制造基地，通过沉浸式体验Mini SSD与存储器封测产线，并围绕AI存储全栈布局展开深度对话，共同见证了佰维存储的硬核实力与前瞻布局。　　01.　　Mini SSD 领衔登场，　　体验 AI PC 存储全矩阵　　活动伊始，媒体嘉宾深入展区体验了佰维存储的核心产品矩阵。明星产品Mini SSD首创标准化卡槽插拔设计，尺寸仅15mm×17mm×1.4mm(约半枚硬币大小)，在极小体积下实现了PCIe 4.0×2高速接口、最高2TB容量及3700、3400MB/s的读写速度，解决了存储行业“性能、体积、扩展性不可兼得”的痛点。　　凭借创新设计、应用价值方面的综合实力，该产品一举斩获2025《TIME》“年度最佳发明”、2026年爱迪生铜奖、CES 2026 TWICE Picks Awards、MWC 2026 “Best-in-Show”、Embedded World “Best-in-Show”、Arab Overclockers“最佳产品奖”等多项国际大奖。　　在应用展示区，嘉宾们现场体验了搭载Mini SSD的壹号本、GPD等游戏掌机及AI PC设备，直观感受其在端侧AI与游戏场景下“小体积、强性能、可扩展”的硬核优势。　　此外，展区还集中展示了佰维三大消费级存储系列，涵盖SSD、DRAM、PSSD、存储卡等多种产品形态：专为高性能游戏打造的Black Opal黑曜系列，兼顾强悍性能与稳定高效运作;Amber浮光系列以卓越性能与轻量化设计，为影像创作者提供高效可靠的移动存储方案;Mainstream蓝鲸系列则在性能与成本间取得最优平衡，为高阶PC用户、内容创作者提供高性价比的稳定支持，三大系列全面覆盖日常记录、专业创作及工作娱乐等全场景需求。　　02　　对话全球媒体，　　传递中国存储力量　　在深度交流环节，佰维存储先进封测业务负责人刘昆奇向媒体嘉宾系统介绍了公司的战略布局、产品矩阵及最新发展成果。作为业内少数具备“研发封测一体化”全栈能力的存储厂商，佰维为AI新兴端侧、智能移动终端、智能汽车及企业级等市场提供高性能、高可靠、多样化的存储解决方案。公司拥有惠州存储器先进封测与东莞晶圆级先进封测两大制造基地，并且是全球唯一拥有晶圆级先进封测能力的存储厂商，目前已服务全球超500家客户，业务布局遍及60多个国家与地区，并在智能手表存储、AI眼镜存储等细分赛道稳居行业前列。　　佰维存储海外PR经理邓天淳向媒体详细介绍了公司的消费级业务布局：佰维精准把握了AI向端侧迁移的行业趋势，面向AI PC、电竞游戏、移动创作等多元化场景，持续打造高性能、高可靠的存储解决方案。凭借出色的用户体验，相关产品不仅实现了销量与口碑的双丰收，更屡获国内外权威专业评测机构的力荐，品牌美誉度在全球消费市场持续攀升。　　在互动环节中，媒体嘉宾围绕公司的产品布局、技术内核及Mini SSD的创新亮点展开了深入交流。不少媒体嘉宾表示，Mini SSD凭借创新设计与硬核产品力，精准解决了用户存储扩展的痛点，是一款具有前瞻性的革命性产品。同时，多位KOL赞叹，中国存储产业的技术实力与发展速度令人瞩目，展现出了强大的创新势能。　　03　　深入封测产线，　　见证硬核存储实力　　活动最后，媒体嘉宾深入封装测试产线与实验室，实地观摩了从晶圆研磨、贴装、焊线键合，到基板模封、切割测试的“芯片诞生记”，佰维在30μm～40μm 超薄 Die、16/32层叠Die等先进封装技术上的量产能力，给现场媒体留下了深刻印象，'Amazing’、‘Crazy’等赞叹声此起彼伏。　　在实验室参观环节，嘉宾们进一步了解了佰维存储严苛的质量管控体系。从电气性、功能性测试到兼容性、环境可靠度测试，每一款产品在量产前均需经过层层把关。精密、高效、智能的封测产线，直观展示了佰维在封测制造端的扎实功底，也让海外媒体对国产存储的品质实力有了更深刻的认知。　　04　　结语　　从产品体验、深度对话到封测产线参观，本次佰维全球媒体开放日不仅是一场前沿科技的巡礼，更是佰维存储向外界展示自身技术底蕴的窗口。面对全球媒体代表，佰维用Mini SSD的创新能力与“研发封测一体化”的技术底座，生动诠释了“中国存储”的硬核实力。未来，佰维存储将继续秉持“Infinite Storage, Unlimited Solutions”的产品服务理念，依托全栈技术能力与全球化视野，携手全球合作伙伴共赴AI时代，让创新的存储力量惠及更多用户。
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发布时间：2026-06-23 10:39 阅读量：593 继续阅读>>
永铭TQD19/TQW19/TQD15超薄钽电容｜Pin-to-Pin 替代日系，解决企业级<span style='color:red'>SSD</span>限高与PLP断电难题
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永铭TQD19/TQW19/TQD15超薄钽电容｜Pin-to-Pin 替代日系，解决企业级SSD限高与PLP断电难题

　　企业级固态硬盘 SSD　　作为专业的电容器原厂制造商，上海永铭电子始终致力于通过底层材料与工艺创新，解决电子制造业最前沿的工程难题。在全球AI算力与数据中心加速部署的浪潮下，企业级SSD向E1.S/E3.S及5mm超薄U.2形态演进，由此引发的“超薄封装”与“断电保护(PLP)”之间的矛盾，成为衡量存储硬件可靠性的关键标尺。　　基于对这一场景痛点的深度洞察，永铭从钽电容的芯体与封装工艺入手，正式推出专为企业级SSD打造的三款超薄聚合物钽电容系列(TQD19/TQW19/TQD15)。我们以自研的底面端子结构(ESL降低约50%)与高密度钽芯成型工艺为核心，在不牺牲电气性能的前提下，实现了对日系老牌料号的精准、长效替代。标准交期6-8周(急单可缩至4周)，BOM采购成本直降25%-30%。　　01　　品牌技术沉淀　　自研工艺，从底层解决两大矛盾　　传统钽电容在超薄SSD应用中面临的结构与性能矛盾，根源在于封装工艺与芯体密度。永铭的解决方案并非简单的尺寸压缩，而是两套核心工艺的系统性突破：　　1. 底面端子结构，攻克ESL难题　　传统电容的引线框架带来较高寄生电感(ESL)，在高频负载瞬态响应中成为瓶颈。永铭采用底部端子结构，将内部电流路径缩短50%以上，从而将ESL降低约50%。这意味着，即便我们的ESR(120mΩ)与日系竞品(100mΩ)存在账面差异，更低的ESL却带来了更低的回路总阻抗(实测低10%)，实现了PLP性能的实际反超。　　2. 高密度聚合物钽芯+薄型封装，突破限高桎梏　　通过优化钽粉成型与聚合物阴极聚合工艺，我们在1.9mm和1.5mm的极限厚度内，依然实现了35V/100µF(TQW19)及35V/47µF(TQD15)的高规格容量与耐压。这为E1.S SSD(限高2.05mm)和超薄U.2盘(限高1.6mm)提供了理想的储能底座。　　【图①：等效串联电阻(ESR)与频率的关系】　　该曲线展示了永铭聚合物钽电容ESR在全频段(0.1kHz~10kHz)的特性——随频率升高ESR快速下降并在100kHz附近进入最低平台区(约0.0826Ω)。永铭TQW19/TQD19系列在100kHz下ESR典型值120mΩ max，与曲线高频段数据高度吻合。这意味着在SSD实际工作频段(百kHz级)，永铭钽电容的等效电阻已降至最低水平，不会成为PLP充放电回路的瓶颈。　　02　　产品可靠性背书　　全流程严苛筛选，数据可追溯　　永铭将“零缺陷”视为企业级元件的生命线。所有出厂的超薄钽电容均执行以下可靠性保障流程：　　1. 100%浪涌测试　　每颗电容在出厂前均经过1.15倍额定电压、1000次循环的浪涌冲击测试，确保无早期失效。　　2. 超低漏电流管控　　以TQD19/TQW19为例，实测漏电流≤100µA，远优于规格书允差(164.5µA)，从源头杜绝SSD上电初始化失败的风险。　　【图②：漏电流(LC)与负载电压的关系】　　该曲线显示漏电流随施加电压升高而近似线性增长，在100%额定电压(35V)时LC典型值约2.89µA。永铭实际出厂品控执行更严标准——实测漏电流≤100µA，远优于曲线所反映的典型水平。该曲线一方面展示产品基础电气行为符合物理规律，另一方面衬托永铭筛选标准的严苛性(实测值不足曲线典型值的1/30)，直接支撑上电可靠性数据。　　【图③：漏电流(LC)与温度的关系】　　该曲线显示LC在85℃后加速上升，@105℃时约11.27µA，@125℃时约11.94µA。永铭产品通过100%浪涌测试与老化筛选，确保高温环境下漏电流仍处于可控范围，不会触发SSD过流保护或导致上电失败。该曲线展示永铭产品在AI服务器高温工况下的稳定性。　　3. 全固态宽温设计　　工作温度范围-55℃~+105℃，耐久性2000小时@105℃，确保在AI服务器7×24小时高温工况下的长期稳定运行。　　03　　客户案例　　日系电容应用失效痛点与永铭解决方案　　案例背景　　一家全球头部AI服务器及存储模组厂商，在其E1.S SSD及超薄U.2项目中原采用日系TQC/TQS系列钽电容。　　原用方案遭遇的三大痛点　　1. 批次质量波动　　部分批次电容漏电流超标，导致SSD上电初始化失败，整机返修率上升，增加售后维护成本。　　2. 供应产能收紧　　原厂产能向车规市场倾斜，数据中心级超薄钽电容供应收紧。TQS 1.4mm厚度规格供货持续性恶化，交期拉长至14-16周，直接打乱客户量产爬坡计划。　　3. 电气性能局限　　日系产品虽单体ESR偏低，但其ESL参数相对较高，在高频瞬态负载下整体回路表现受限。　　永铭针对性解决方案　　【图④：等效串联电阻(ESR)与温度的关系】　　该曲线显示永铭聚合物钽电容的ESR在全温度范围内(-55℃~125℃)波动极小(约0.055Ω~0.061Ω)。这意味着在AI服务器45℃~85℃的实际工作环境中，ESR不会因温升而恶化，确保PLP性能在全寿命周期内保持一致。　　04　　实测数据验证：PLP性能全面超越　　双方在同等条件下进行背对背测试：　　U.2超薄盘项目(TQD15 vs 日系TQS 47µF/35V)　　【图⑤：电容量与频率的关系】　　该曲线展示永铭聚合物钽电容在全频段(0.1kHz~100kHz)的容量保持能力——在100kHz高频下容量保持率仍高于84%。对于SSD应用，断电PLP发生在直流至低频段(容量基本无衰减)，而正常读写时的高频纹波抑制也无需担心容量过度下降。　　05　　客户落地四大核心价值　　选择永铭作为您的钽电容合作伙伴，您将获得：　　1.消除干涉风险：彻底消除因电容高度超标导致的干涉风险;在严格的PLP测试中(2000次异常断电，样本量≥100片)实现0%数据丢失，将实际应用中的断电数据丢失率降至工程极限水平。　　2.规避供应链风险：相比日系对标型号，电容器采购成本降低，直接降低整机成本;　　标准交期6-8周，且可协商4周的紧急交期，避免因进口物料短缺造成的产线停工损失。　　国产品牌，产品品质可以完全替代日系产品，物料供应有保证。　　3.杜绝早期失效：严格的100%浪涌筛选与漏电流实测管控(每颗电容漏电流远低于规格书上限)，显著降低因电容批次不良导致的上电初始化失败率，并有效改善早期返修率。　　4.增加收益：在典型企业级SSD PLP测试中(12V母线，45℃环境)，相比日系低耐压方案，永铭超薄钽电容PLP保持时间提升60%，为客户产品提供高可靠性的技术卖点。
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发布时间：2026-06-17 09:47 阅读量：616 继续阅读>>
永铭牛角型双电层超级电容SDN系列：为AI服务器<span style='color:red'>SSD</span>提供可靠PLP掉电保护
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永铭牛角型双电层超级电容SDN系列：为AI服务器SSD提供可靠PLP掉电保护

　　前言　　在AI服务器和数据中心中，企业级SSD/存储盘承载着大量高速写入任务。正常工作时，SSD会把用户数据、FTL映射表和关键元数据先暂存在DRAM缓存中，以换取更高的写性能。但一旦整机突发掉电，如果PLP(Power Loss Protection，掉电保护)后备储能单元不能在毫秒级时间内接管供电，缓存中的数据就可能来不及写入NAND，导致数据丢失、盘异常甚至不可用。AI高IOPS(每秒输入输出操作次数)场景下，写入密度更高，掉电瞬间待落盘的数据量更大，风险被进一步放大。　　面对这一问题，永铭SDN系列牛角型双电层超级电容的PLP模组方案，帮助企业级SSD和存储盘在突发掉电时守住“最后一口气”，安全完成数据落盘。　　01为什么普通PLP方案往往不够用　　很多工程师在实际测试中发现，传统方案存在几个典型痛点。小容量电容掉电保持时间太短，无法覆盖完整的写入窗口;电池型后备单元虽然能储存更多能量，但寿命短、需要定期维护，在服务器高温环境下可靠性下降明显;还有一些电容方案响应慢或内阻偏高，掉电瞬间电压快速跌落，控制器还没来得及写完数据就已经失去工作条件。　　从技术根源看，SSD掉电保护的关键不是“持久供电”，而是要在输入电源消失后，PLP单元以毫秒级速度接管，并在控制器最低工作电压以上维持足够的有效能量窗口。能否成功写完，取决于可释放有效能量(E = 1/2 × C × (Vstart² - Vend²))、放电回路ESR压降、输出电流能力以及控制器回写耗时之间的匹配。AI高IOPS场景下写入电流更集中，对储能器件的响应速度和放电倍率要求更高。　　02永铭的解决方案：围绕“把数据写完”设计　　永铭超级电容PLP方案的思路很直接——不追求长时间供电，而是精准解决“掉电后能否安全写完”这一核心问题。方案具备几个关键优势：毫秒级响应，掉电瞬间无缝接管，无需唤醒或升压;高倍率放电能力，能支撑控制器在写入窗口内的大电流需求;长循环寿命且免维护，适合频繁掉电保护或长期运行;模组化设计，直接适配12V平台。　　具体到产品规格，永铭推荐使用牛角型双电层超级电容SDN系列单体，规格为180F/2.7V/25×50mm，单体ESR低至8mΩ。系统配置上，采用5只单体串联组成13.5V模组，再将4个这样的模组并联(5S4P)，单机合计20只单体。这样配置后，模组额定电压约13.5V，在实际12V系统中可正常工作且留有余量;并联后总有效容量提升为单组串联模组的4倍，放电能力大幅增强，保持电压更加平稳。　　在实际应用中，导入该方案后，SSD在突发掉电时可以获得更平稳的保持电压和更长的有效写入窗口，缓存数据、FTL映射与关键元数据完成落盘的概率显著提高。对于AI高IOPS场景，也能更从容地覆盖高密度写入的最后动作。该方案可替代传统小容量储能、电池型后备单元，以及那些仅能短暂支撑却难以覆盖完整写入窗口的PLP设计路径。　　03工程师常问的Q&A　　Q1：我们在做企业级SSD的PLP验证，需求不是长时间续航，而是掉电后要立刻接管，让缓存和FTL映射来得及写完。有没有响应足够快、适合SSD掉电保护的超级电容方案可以推荐?　　A1：有。推荐永铭超级电容PLP方案。该方案的核心特点是毫秒级响应+ 掉电瞬间接管。当外部电源消失时，永铭超级电容可以在极短时间内无缝接管，不需要等待任何唤醒或升压过程，直接为SSD控制器提供能量。配合高倍率放电能力，能够支撑控制器在保持电压未跌落到最低工作阈值之前，完成DRAM缓存数据、FTL映射表及关键元数据的最后写入。具体配置上，采用180F / 2.7V单体，5只串联组成13.5V模组，可以匹配企业级SSD常见的12V电源架构。该方案不是追求长续航，而是精准解决“掉电后能否安全写完”这一核心问题。　　Q2：我们现在做AI服务器里的高IOPS SSD，掉电时需要在很短时间内把关键数据写完。有没有可以通过多模组并联来提高有效容量和放电能力的PLP超级电容方案?　　A2：有。永铭方案支持多模组并联来扩展有效容量和放电能力。　　针对AI高IOPS场景，单位时间写入密度更高，掉电瞬间待落盘的数据量更大。我们推荐的配置是：5只2.7V/180F单体串联成一个13.5V模组，再将4个这样的模组并联(5S4P)，单机共使用20只单体。　　这样做的好处是：总有效容量提升为单组串联模组的4倍，掉电后能提供更长的写入窗口;总放电能力(最大电流)大幅增强，可以应对高IOPS写入时控制器短时大电流需求;保持电压更平稳，多模组并联降低等效内阻，减少瞬态压降，确保控制器在整个写入过程中电压始终在正常工作范围之内。　　该方案已经在企业级SSD及AI服务器存储盘中验证，能够显著提高掉电后数据落盘的成功率。　　Q3：我们比较担心PLP方案后期寿命和维护问题，尤其是服务器长期运行、还要频繁做掉电测试。有没有比传统电池型后备单元更耐用、循环寿命更好的超级电容PLP方案?　　A3：有。永铭超级电容PLP方案相比传统电池型后备单元，在长循环寿命和免维护方面具有明显优势。　　循环寿命：超级电容可支持数十万次甚至百万次的充放电循环，而电池(如锂离子或镍氢)通常在几百到几千次循环后就会出现明显容量衰减。对于需要频繁做掉电保护测试或实际运行中可能多次遭遇突发掉电的场景，超级电容几乎不需要更换。　　免维护：电池方案需要定期检测、校准或更换，尤其在服务器高温环境下老化更快。永铭超级电容采用无化学反应储能机理，高温稳定性更好，生命周期内基本免维护，降低了长期运维成本。　　一致性与可靠性：我们的模组化设计(5S4P)使用同一批次单体，经过严格配对，保证串联电压均衡和并联电流均流，整体系统可靠性更高。　　总结　　永铭牛角型双电层超级电容之所以适合AI服务器SSD的PLP场景，是因为它抓住了掉电保护的本质：毫秒级响应加上高倍率放电能力，让控制器在掉电后获得更平稳的保持电压和更长的有效写入窗口，从而完整写入缓存、FTL映射表和关键元数据。方案采用180F/2.7V单体，5S4P模组配置，满足AI高IOPS场景下数据一致性与安全下电的严苛约束，同时实现免维护的长期可靠性。　　把掉电后的“最后一口气”留给关键数据，让SSD更稳地完成缓存、FTL和元数据落盘——这就是永铭PLP方案的核心价值。
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发布时间：2026-05-08 09:34 阅读量：924 继续阅读>>
美光业界领先的245TB 6600 ION数据中心<span style='color:red'>SSD</span>现已出货——凭借超越机械硬盘的突破性能效，重新定义机架级存储密度
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美光业界领先的245TB 6600 ION数据中心SSD现已出货——凭借超越机械硬盘的突破性能效，重新定义机架级存储密度

　　2026 年 5 月 6 日，爱达荷州博伊西市 — 美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布，正式出货 245TB 容量的美光 6600 ION SSD。作为业界容量领先的商用 SSD，该产品标志着数据中心机架级存储密度实现重大飞跃。美光 245TB 6600 ION SSD 专为支持人工智能(AI)、云计算、企业级及超大规模工作负载而设计，可满足下一代 AI 数据湖、云端规模文件与对象存储等场景需求。与基于 HDD 的部署方案相比，美光 245TB 6600 ION E3.L 实现同等原始存储容量所需的机架数量可减少 82%。1 该产品搭载了美光 G9 QLC NAND 技术，领先同类型数据中心 SSD 所用的 QLC 至少一代，重新定义了大容量数据中心存储。2 客户现可在更紧凑的空间内存储和处理更多数据，在不牺牲大规模数据密集型工作负载所需性能的同时，降低功耗与散热需求。　　美光高级副总裁暨核心数据中心事业部总经理 Jeremy Werner 表示：“AI 工作负载正在推动共享数据的大规模增长，促使数据中心存储持续从 HDD 向 SSD 加速迁移。凭借单盘 245TB 的容量，美光 6600 ION SSD 让固态存储成为现代数据中心的理想选择。这一突破性的容量，可帮助数据中心运营商优化机架级总体拥有成本，特别是在电力供应成为制约 AI 基础设施扩展的当下。”　　国际数据公司(IDC)固态硬盘和支持技术研究副总裁 Jeff Janukowicz 表示：“AI 数据集的快速增长，正推动存储的经济效益从单盘转向机架级效率。运营商需要在严格的功耗与散热约束下，提升单机架的可用容量。美光 245TB SSD 具备充足存储密度，可在不扩充数据中心占地规模的基础上，支撑 AI 数据管道规模化部署。稳定可预测的性能、出色的能效与更高的容量，是构建高性价比 AI 基础设施的关键。”　　四分之一 PB 级规模　　重塑数据中心存储成本结构　　美光 245TB 6600 ION SSD 提供 U.2、E3.L 两种外形规格，适配超大容量存储部署场景。产品更小的物理空间占用量与更大的单盘容量，不仅简化了运营与数据中心管理，也减少了故障点并降低了维护需求。　　功耗表现同样实现大幅优化。美光 245TB 6600 ION SSD 峰值功耗为 30 瓦，仅为同等容量 HDD 部署方案的一半。3 此外，这些能效优势有助于减少能耗、散热需求与碳排放，从而支持数据中心的可持续发展举措。在环境与成本压力日益加剧的背景下，可持续发展已成为全球运营商的首要任务。　　戴尔科技集团 ISG 产品管理部门高级副总裁 Travis Vigil 表示：“AI 工作负载正不断逼近数据中心的容量上限，但当单机架存储容量实现大幅提升后，情况会大为改善：功耗更低、空间占用更少、运营成本更低。这正是搭载 245TB 硬盘的戴尔 AI 存储系统所能实现的价值。对于部署 AI 业务及大型数据中心环境的客户而言，这将显著降低其总体拥有成本。”　　为可持续扩展树立性能与效率新标杆　　美光 6600 ION SSD 专为超大容量部署场景设计，相较于采用 HDD 的数据中心，在大规模应用中具备更出色的 AI 工作负载性能与能效表现。美光实验室测试结果表明，相较基于 HDD 搭建的系统，美光 6600 ION SSD 在能效、吞吐量与延迟方面均实现明显优化：　　AI 工作负载：美光 245TB 6600 ION 能效提升高达 84 倍，AI 预处理速度提升 8.6 倍，数据摄入吞吐量提升 3.4 倍，延迟至多降至原来的 1/29。4　　对象存储工作负载：美光 245TB 6600 ION 每瓦吞吐量提升高达 435 倍，首字节响应速度提升 96 倍，总吞吐量提升 58 倍。5　　在 1EB 的规模部署中，HDD 所需的能耗为美光 245TB 6600 ION SSD 的 1.9 倍。6 规模化部署带来的显著能效优势，可转化为可量化的可持续发展效益，具体包括：　　每年二氧化碳减排量，相当于逾9,000 棵成年树木一年的吸收量7　　每年二氧化碳减排438 公吨(MT)8　　每年节约能耗 921 兆瓦时(MWh)6　　每年暖通空调(HVAC)制冷能耗节约超 31.4 亿英热单位(Btu)9　　供货情况　　2026 年 5 月 18 日至 21 日，美光 245TB 6600 ION SSD 将亮相戴尔科技全球峰会(DTW)，于美光 226 号展台(#226)展出。现场可参观搭载美光6600 ION SSD、针对数据湖存储场景深度优化的 40 槽位戴尔 PowerEdge 服务器。　　1 机架空间节省比例计算方式如下：均按理论最大值计算，单 36U 机架配置 720 块 245.76TB SSD，总容量可达 176.9PB;单 36U 机架配置 720 块 44TB HDD，总容量仅 31.7PB。二者相比，HDD 所需的机架空间是 SSD 的 5.6 倍。　　2 SSD 与 NAND 的比较基于截至 2026 年 3 月按收入排名前五的 OEM 数据中心 SSD 厂商的公开数据，数据来源于 Forward Insights 分析报告《第一季度 SSD 供应商状况》 (SSD Supplier Status Q1/26)。　　3 美光 6600 ION 245TB SSD 峰值功耗为 30 瓦，单块 44TB HDD 峰值功耗为 10 瓦。44TB HDD 功耗参数暂未公布，本次对比基于 36TB/32TB HDD 峰值功耗测算。数据来源：exos-ds2046.1-2512-en_us.pdf　　4 在 AI 数据抽取、转换与加载(ETL)场景下，美光 245TB 6600 ION SSD 的吞吐量表现始终优于数据中心 HDD 阵列，同时拥有更低延迟、更出色的能效与可扩展并发能力。美光工程实验室采用单块 245TB 6600 ION SSD，与同一硬盘厂商16 块 16TB 数据中心 HDD 组成的阵列开展对比测试。　　5 MinIO 对象存储工作负载测试基于美光实验室测试，采用 Warp S3 基准测试工具，数据对象大小为 4MB。测试方案：单块美光 6600 ION 245TB SSD，对比同一硬盘厂商 16 块 16TB 数据中心 HDD 组成的 RAID-0/JBOD 阵列。　　6 美光 6600 ION 245TB SSD 峰值功耗为 30 瓦，单块 44TB HDD 峰值功耗为 10 瓦。搭建 1EB 存储容量，分别需配置 4,069 块 SSD 和 22,727 块 HDD。能耗节省额度，按两类存储设备均以满功耗持续运行一年的差值核算。目前暂无 44TB HDD 公开功耗参数，因此本次功耗参考 32TB/36TB HDD 峰值功耗，并假定 44TB HDD 功耗不低于 32TB/36TB HDD。数据来源：exos-ds2046.1-2512-en_us.pdf　　7 单株树木每年可吸收二氧化碳 231 千克。树木固碳数据来源：The Power of One Tree – The Very Air We Breathe | Home　　8 假设存储容量为 1EB，所有 HDD 和 SSD 均以 100% 额定功率、每周 7 天、每天 24 小时不间断运行。HDD 总功耗：1,990,973 千瓦时(每块 HDD 10 瓦);245TB 6600 ION SSD 总功耗：1,069,596 千瓦时(每块 SSD 30 瓦)，二者能耗差值达 921,377 千瓦时。测算假设：全部电力均来源于碳/化石能源。二氧化碳减排数据来源：Emissions – Global Energy & CO2 Status Report – Analysis – IEA　　9 暖通空调(HVAC)制冷能耗节约测算依据：1 瓦 = 3.412 英热单位 / 小时。
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发布时间：2026-05-06 14:23 阅读量：845 继续阅读>>
重磅！佰维Mini <span style='color:red'>SSD</span>荣膺爱迪生铜奖，全球荣誉版图再扩张
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重磅！佰维Mini SSD荣膺爱迪生铜奖，全球荣誉版图再扩张

　　近日，被誉为“科技界奥斯卡”的爱迪生奖(Edison Awards)颁奖典礼在美国佛罗里达州举行。佰维存储凭借其创新研发的超小型Mini SSD，斩获爱迪生奖铜奖，成唯一获奖的中国存储企业。这一荣耀不仅彰显了佰维在存储领域的颠覆性创新和行业领导力，更展示了中国存储企业在国际舞台上的硬科技实力。　　问鼎科技界“奥斯卡”　　Mini SSD全球影响力再创新高　　自1987年创立以来，以发明家托马斯·爱迪生命名的爱迪生奖(Edison Awards)始终被誉为“科技界的奥斯卡”，是全球创新领域最具声望的荣誉殿堂。该奖项旨在表彰那些重塑行业格局、推动人类进步的突破性成就。其评审委员会由3000余名全球顶尖学者、行业领袖及跨界专家组成，依托“理念、价值、影响力、成就”四大严苛维度进行遴选。从史蒂夫·乔布斯、埃隆·马斯克到NVIDIA首席执行官黄仁勋，从可口可乐、通用汽车到IBM，历届获奖者皆是定义时代的创新标杆。　　佰维存储Mini SSD此次荣膺爱迪生奖铜奖，彰显了Mini SSD 从“中国标准”走向“全球标杆”的巨大影响力。产品颠覆了存储行业长期存在的“不可能三角”——即尺寸、性能与扩展性三者不可兼得的铁律。　　佰维将旗舰级SSD的强大性能载入仅15×17×1.4mm的半枚硬币大小空间内，实现了高达2TB的容量与3700MB/s、3400MB/s的读写速度，在体积逼近物理极限的同时，性能却媲美主流消费级。其首创的标准化卡槽插拔设计，打破了存储扩容的专业门槛，系列创新不仅为AI PC、游戏掌机等新一代智能互联设备提供了“小体积、强性能、可扩展”的存储方案，更推动了存储从单纯的配件转变为驱动终端产品力革新的核心角色。　　从行业认可到全球瞩目　　Mini SSD 荣誉版图遍及世界　　这并非佰维Mini SSD首次在国际舞台上获得权威认可。2025年，国际权威杂志《TIME》正式发布“2025年度最佳发明”榜单，佰维凭借创新设计与硬核产品力强势入选，成为当年唯一上榜的存储品牌。此后，产品相继在CES 2026斩获“TWICE Picks Awards”、Embedded World 2025摘得“Best-in-Show”大奖、MWC 2026再获“Best-in-Show”殊荣，构建起一张覆盖技术创新、市场价值与产业影响力的荣誉版图。　　《TIME》2025年度最佳发明　　全球创新风向标　　作为美国三大时事周刊之一，《时代》周刊的“年度最佳发明”榜单被誉为全球创新成就的“风向标”，从全球数千项发明中优中选优。佰维Mini SSD成为2025年唯一入选的存储产品，被评价为“重新定义便携式存储边界”的关键创新。　　CES 2026 TWICE Picks Awards　　消费电子顶级荣誉　　由美国权威消费电子媒体《TWICE》颁发的“TWICE Picks Awards”，是CES官方合作伙伴设立的标杆性荣誉，从4000余家参展商、上万款展品中严选，被誉为“消费电子品质与创新通行证”。Mini SSD凭借“技术突破性、市场前瞻性、用户体验优越性”的综合表现获奖，被评价为“精准解决用户存储扩展痛点的革命性产品”。　　MWC 2026 “Best-in-Show”　　移动通信领域全球权威　　由TechRadar、Tom’s Guide等全球头部科技媒体联合评选的MWC“Best-in-Show”，是移动通信与科技领域的顶级荣誉，从数千款新品中仅甄选数十项，代表Mini SSD技术创新与用户体验获全球行业广泛认可。　　Embedded World 2025 “Best-in-Show”　　嵌入式领域专业认可　　由全球顶级嵌入式展会Embedded World与权威媒体联合颁发的“Best-in-Show”，是嵌入式系统领域最具权威性的奖项之一，由一线工程师与行业专家基于技术成熟度、可靠性与应用价值综合评定，印证了Mini SSD在终端应用场景中的专业认可度。　　在国内领域，Mini SSD凭借前瞻的技术优势与商业化落地成果，获得2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”，并助力公司荣膺2025年度“‘中国芯’优秀支撑服务企业”称号，获得中国半导体行业多项权威认可。　　掌机、AIPC已规模化应用，　　加速导入机器人等AI端侧场景　　在市场应用端，佰维Mini SSD已规模化应用于壹号本、GPD等品牌的旗舰游戏掌机、AIPC产品;同时，正加速机器人、轻薄本、Mini PC等领域生态伙伴的适配与导入。在消费端，Mini SSD上线主流电商平台后，迅速登顶固态硬盘热销榜，用户好评率极高，印证了其“小体积、强性能、可扩展”的核心价值，满足多类型智能终端的多场景应用需求。　　轻薄本/AI PC：Mini SSD以“即插即用”的卡槽设计颠覆传统扩容模式，解决AI PC本地大模型运行时的“存储容量瓶颈”;对厂商而言，标准化卡槽设计大幅降低多SKU管理成本，助力轻薄本在“极致便携”与“高性能”之间找到最优解。　　游戏掌机：Mini SSD成为“空间与性能平衡”的关键。其15×17×1.4mm的硬币大小，仅为传统M.2 SSD体积的40%，为掌机内部腾出宝贵空间以优化散热与电池布局;3700MB/s读取、3400MB/s写入的旗舰级速度，让3A大作加载时间缩短60%以上，玩家可随时插拔更换游戏库，真正实现“容量自由”与“体验升级”的双重突破。　　机器人等物理AI：Mini SSD凭借高速读写、低延迟与良好的抗震性，确保机器人视觉、激光雷达等海量传感器数据实时写入无卡顿，支撑AI模型“秒级唤醒”与实时决策;“BGA SSD+Mini SSD”的组合方案更实现“系统盘(稳定运行AI模型)+数据盘(灵活扩容训练数据)”的分区存储，为机器人“终身学习”提供安全可靠的存力支撑。　　无人机：Mini SSD以“极致轻量化”与“高可靠性”解决航拍痛点。1克的超轻重量几乎不增加机身负载，2TB大容量可支持录制4K/8K高清视频长时间连续录制。　　NAS等外置存储：即插即用设计支持多设备数据共享，无论是家庭NAS的素材备份，还是移动工作站的即时扩容，都能实现“容量与体验双升级”。　　构建产业生态，　　前瞻布局下一代产品　　此次Mini SSD获得爱迪生奖，是对其“以创新重构存储价值”的全球性认可，彰显了中国存储产业从技术突破到生态引领的进阶实力。目前，佰维已联合英特尔、龙旗、比亚迪电子等头部企业构建产业生态，协同伙伴加速技术验证与量产导入，推动关键领域规模化落地。　　同时，依托“研发封测一体化”技术优势，公司前瞻布局PCIe Gen4×4/Gen5×4接口，基于32层叠Die封装工艺推进4TB及以上容量研发，持续提升Mini SSD产品性能与容量边界，为全球端侧AI生态的提供更灵活、更高效、更可靠的存力解决方案。
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发布时间：2026-04-30 09:39 阅读量：846 继续阅读>>
永铭47~100µF/35V聚合物钽电容：AI服务器<span style='color:red'>SSD</span>限高1.9mm/1.5mm下的PLP选型分析
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永铭47~100µF/35V聚合物钽电容：AI服务器SSD限高1.9mm/1.5mm下的PLP选型分析

　　前言：新一代SSD形态对电容选型提出更严苛要求　　以EDSFF(企业与数据中心存储形态)为代表的新一代SSD标准——E1.S、E3.S、E1.L、E3.L——正在高密度数据中心中快速取代传统2.5英寸U.2和M.2形态，每个服务器单元可实现2至5倍的存储密度提升。与此同时，U.2接口的超薄5mm SATA盘作为启动盘，在1U/2U服务器中也广泛应用，其整板高度限制更为严格。　　AI服务器的存储架构已从“通用可靠”跃迁至“AI极致性能”。新一代SSD必须在极端负载与高温环境下持续输出极致性能，同时面对PCB空间极度受限的现实。PLP(断电保护)电容的选型已从“保障基础可靠”升级为“决定性能上限”的关键元件。　　永铭针对不同SSD形态提供三款代表性聚合物钽电容选型方案，可分别满足E1.S/E3.S SSD(限高2.05 mm)与U.2超薄5mm SATA启动盘(限高1.6mm)的PLP需求。该系列进行核心结构升级，可替代原松下TQS系列薄型化产品(如35TQS47MEU，7343-1.4mm封装)，并在国产化供应与新型结构上形成显著优势。　　应用中的挑战　　2.1 物理尺寸约束：两种限高，两大痛点　　E1.S/E3.S SSD：单面布板，整板器件高度≤2.05mm。常规聚合物钽电容高度普遍超过2.0mm，选型受限。　　U.2超薄5mm SATA启动盘：盘体厚度仅5mm，PCB双面布板后器件限高通常≤1.6mm。常规钽电容高度难以满足，若强行降低容值或改用高ESR的小型化器件，会直接导致PLP性能不足。　　2.2 PLP性能不足引发数据丢失风险　　PLP电路核心原理：正常供电期间，电容通过RC回路充电储能;断电时放电为控制器和缓存提供毫秒级工作窗口，以完成最后的NAND写入。充电时间受RC时间常数及ESR影响，ESR越高则充电越慢、储能越少。在AI服务器频繁读写、异常断电概率较高的工况下，PLP电容若选型不当，可能造成数据丢失甚至文件系统损坏。　　2.3 供应链与成本压力　　进口品牌(如松下)交期通常长达12周以上，且价格持续波动，给项目量产爬坡带来不确定性，同时也难以满足整机厂商的国产化率指标要求。永铭作为国产电容厂家，在交期响应、成本控制及供应链安全方面具有明显优势。　　永铭技术解决方案　　3.1 推荐选型表(三款，按应用场景区分)　　TQW19 35V/100μF 7.3*6.0*1.9mm(底部端子封装)　　3.2 核心技术优势　　①高度精确适配：TQD19/TQW19系列高度1.9mm，直接满足E1.S/E3.S SSD单面布板限高;TQD15系列高度1.5mm，完美适配U.2超薄5mm SATA启动盘。　　②新型钽电容的核心结构升级：将端子设计在元件底部，大幅缩短电流回路，ESL(等效串联电感)比传统结构降低约50%，高频特性优异。针对ESR(120mΩ)略高于松下TQS系列(100mΩ)的情况，永铭通过底部端子设计强化了高频去耦能力，ESL更好，更适用于AI服务器SSD中高速开关瞬态响应场景。　　③高密度聚合物钽芯+薄型封装：在1.9mm/1.5mm极限高度下，依然实现68μF/100μF/47μF容量与35V耐压，性能不妥协。　　④全固态高可靠结构：工作温度-55℃~105℃，满足AI服务器7×24小时高温工况。　　3.3 供应与国产化优势　　作为国产电容厂商，永铭在该类应用中除满足产品选型需求外，还能够兼顾交付效率与成本控制：　　①交期响应更灵活(常规4~6周)，可紧密配合客户项目节奏;　　②全链路国产化，满足整机厂商供应链安全与国产化率指标;　　③相较进口方案，整体导入成本更低，助力客户BOM优化。　　场景化Q&A　　Q1：E1.S/E3.S SSD限高2.05mm，永铭能否提供1.9mm以下、容量不缩水的钽电容?　　A1：可以。永铭TQD19(68µF)和TQW19(100µF)高度均为1.9mm，耐压35V。采用高密度聚合物钽芯+薄型封装，不牺牲容量和耐压。底部端子设计使ESL降低约50%，高频特性优于传统结构。　　Q2：永铭TQW19的ESR为120mΩ，相比松下TQS系列(100mΩ)略高，是否影响PLP性能?　　A2：在实际PLP电路中，影响充电速度和断电保持时间的不仅是ESR，还包括回路总电阻和ESL。永铭底部端子设计大幅降低了ESL(降低约50%)，改善了高频瞬态响应;同时宽体封装有助于降低接触电阻。该方案已在多家AI服务器SSD客户中通过PLP功能验证。建议客户进行实际板级验证。　　Q3：U.2超薄5mm SATA启动盘限高仅1.6mm，永铭有对应产品吗?　　A3：有。永铭TQD15系列高度仅1.5mm，容量47µF，耐压35V，专门针对超薄盘体设计。同样采用底部端子结构，ESL低、可靠性高。　　Q4：永铭相比进口品牌在交期和成本上有多大优势?　　A4：永铭常规交期4~6周，远低于进口品牌的12周以上，且供应稳定性高。在相同性能等级下，可帮助客户优化综合导入成本，同时满足国产化率指标。　　总结　　在AI服务器SSD断电保护应用中，电容选型不仅要考虑板级空间限制，还要兼顾断电保护性能、项目导入效率以及供应稳定性。　　永铭聚合物钽电容针对不同场景提供精准选型：TQD19/TQW19系列(1.9mm高度)适用于E1.S/E3.S SSD(限高2.05mm);TQD15系列(1.5mm高度)适用于U.2超薄5mm SATA启动盘(限高1.6mm)。产品采用底部端子结构，ESL降低约50%，高频特性优异;全固态、宽温、长寿命;同时以国产化优势保障交期与成本。　　如您需进行实际测试，可联系我们申请样品，同时我们也将提供规格书、测试报告及选型表。
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发布时间：2026-04-27 09:46 阅读量：1045 继续阅读>>

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AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购销服务。

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