帝奥微丨【国内首发】车规级<span style='color:red'>SI</span>M卡接口电平转换器DIA74557S
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帝奥微丨【国内首发】车规级SIM卡接口电平转换器DIA74557S

　　智能网联汽车正在从技术验证走向规模化商用，智能网联依赖SIM卡接入到移动运营商网络。目前采用先进工艺SOC的接口电平一般为1.2V/1.8V，而标准SIM卡和eSIM卡I/O遵循ISO-7816-3，其接口电平一般为1.8V/3V。　　DIA74557S是一款专为汽车电子设计的高性能、高集成度SIM卡接口电平转换器。它完美解决了智能网联车载应用中，低电压域的SOC(如1.2V/1.8V)与标准SIM卡或eSIM(1.8V/3V)之间的电压不匹配的问题。　　DIA74557S采用超小型的QFN封装(1.8 x 1.4mm)，内部集成上拉/下拉电阻，使得外部电路大大简化，它特别适用于车载T-Box和智能座舱等对空间、可靠性和EMI性能有严苛要求的汽车电子场景。　　符合车规标准　　符合AEC-Q100规范。　　专为汽车级SIM卡接口标准应用的电平转换器　　宽电压范围：主控侧(低电压侧)支持1.08V - 1.95V;SIM卡侧支持 1.65V - 3.6V，兼容所有主流SIM卡电压标准。　　1组自动方向电平转换：对I/O信号进行自动双向电平转换，无需额外的方向控制引脚。　　2组固定方向电平转换：对CLK和RST信号进行HOST到SIM的固定方向电平转换。　　符合所有ETSI、IMT-2000和ISO7816-3 SIM智能卡接口要求。　　高度集成，BOM极简　　内置EMI滤波器：有效抑制数字信号的高次谐波，显著提升系统的电磁兼容性(EMC)，更容易满足车规级EMC要求。　　内置ESD保护：SIM卡侧引脚可提供IEC61000-4-2 level 4保护(接触放电±8kV，空气放电±15kV)，可省去外部TVS管。　　内置上拉/下拉电阻：芯片内部已集成所有必要的电阻，无需任何外部电阻，简化设计并节省PCB面积。　　优异的高频性能　　支持最高10MHz的时钟频率，满足SIM卡通信需求。　　图1：SIM接口信号测试波形(VCCA=1.2V,VCCB=1.8V,EN=VCCA,　　CLK=10MHz)　　智能使能与关断功能　　支持通过VCCB电压自动使能和关闭，同时支持通过EN引脚进行硬件控制。　　图2：VCCA=1.2V,VCCB=1.8V,EN=VCCA,CLK @1MHz,EN上电　　内置符合ISO-7816-3标准的安全关断时序，有效防止热插拔时数据损坏。　　图3：下电关机时序　　极小封装，适应空间受限场景　　QFN-10封装本体尺寸仅1.8mm×1.4mm，适配T-BOX、智能座舱等紧凑型车载设备，有助于缩短布线、提升信号完整性。　　可部署多颗DIA74557S芯片支持多SIM通道扩展，支持多卡多待的应用。　　图3：下电关机时序　　极小封装，适应空间受限场景　　QFN-10封装本体尺寸仅1.8mm×1.4mm，适配T-BOX、智能座舱等紧凑型车载设备，有助于缩短布线、提升信号完整性。　　可部署多颗DIA74557S芯片支持多SIM通道扩展，支持多卡多待的应用。　　一、车载T-Box (Telematics Box)　　痛点：T-Box主控SOC(如4G/5G模组)的I/O电压(如1.2V/1.8V)与eSIM或外部SIM卡槽电压(1.8V/3.3V)不匹配。　　解决方案：使用DIA74557S在主控SOC与eSIM/SIM卡槽之间进行电平转换。其高集成度和强ESD/EMI特性，能确保蜂窝通信链路的稳定，并通过严苛的车规EMC测试　　二、智能座舱系统　　痛点：智能座舱域中，先进工艺的控制器主控SOC接口电压较低，而SIM卡接口电压域高，并且存在热插拔需要SIM卡侧更强的ESD保护性能。　　解决方案：DIA74557S的超小封装和高可靠性使其可以轻松部署在主板上。其内置的EMI滤波器和ESD保护为敏感的SIM卡接口提供了坚固的屏障，保证了娱乐导航、语音助手、车联网等功能的稳定运行　　DIA74557S典型应用框图：　　DIA74557S主要性能参数：　　封装：QFN1.8×1.4-10　　帝奥微在电平转换领域拥有多年技术积累，全系列产品覆盖汽车应用、消费电子、工业互联等多元场景。　　电平转换器—产品系列概览：
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发布时间：2026-06-23 09:31 阅读量：173 继续阅读>>
思瑞浦丨超小封装！思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102，解决狭小空间高精度隔离采样痛点
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思瑞浦丨超小封装！思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102，解决狭小空间高精度隔离采样痛点

　　当前，低压伺服行业正蓬勃发展，2025年国内市场规模破120亿元，同比增速18.2%。受益于制造业升级与新兴产业崛起，锂电、光伏、机器人等领域需求旺盛。产品向小型化、集成化、低功耗演进，技术突破推动行业高景气前行。　　思瑞浦(3PEAK，股票代码：688536)推出TPA8101与TPA8102两款超小封装、高性能、功能性隔离精密Delta-sigma调制器。TPA8101与TPA8102分别支持±250mV与±50mV的输入电压范围。其隔离性能支持电压高达200V有效值电压及280V直流电压，并可承受60秒达570V有效值与800V直流电压的瞬态耐压。两者均采用3.5mm×2.7mm DFN8超小封装，具备100kV/μs的共模瞬态抑制能力(CMTI)。TPA8101与TPA8102适用于基本隔离、精密电流采样及空间受限各类应用场景。　　01　　产品优势　　超小型化封装　　DFN8封装，尺寸仅为3.5mm*2.7mm*0.9mm，相比于WSOP8封装(11.5mm*5.8mm*2.5mm)，单颗芯片面积可以缩小至原来的14%，三颗芯片共计可以节省约170mm2 PCB板面积，且厚度<1mm，可以同时满足平面与纵向高密度布局要求。　　图1　　优异的直流精度　　失调低于±15μV(图2,个体测试值)，增益误差小于0.1%(图3,个体测试值)，确保高精度测量。在-40~125℃范围内，失调电压温漂在±1μV/℃以内，增益误差温漂在±40ppm/℃以内。常温校准后，100℃温度变化，失调电压变化小于100μV，增益误差变化小于0.4%。　　图2　　图3　　出色的动态性能　　信噪比(SNR 图4)高达80dB以上(Fin≤20kHz),提高信号分辨质量。　　图4　　02产品特性　　•强抗干扰能力CMTI: 100kV/μs的共模瞬态抑制能力，确保在恶劣噪声环境下稳定运行;　　•宽供电电压范围:　　高侧(VDD1): 3.0V到5.5V　　低侧(VDD2): 3.0V到5.5V　　•输入电压范围: ±250mV(TPA8101), ±50mV(TPA8102);　　•低失调误差(25°C,最大值): ±150 μV(TPA8101) ,±50 μV (TPA8102);　　•低增益误差(25°C,最大值): ±0.3% ;　　•系统级诊断: 输入共模电压过压与高侧供电电压缺失检测功能;　　•宽工作温度范围: −40°C至+125°C;　　•隔离耐压:　　工作耐压:200VRMS, 280VDC　　瞬态耐压(60s):570VRMS, 800VDC　　03典型应用　　48V电机系统应用，流过分流电阻器RSHUNT的电流所产生的压降信号输入至TPA8101或TPA8102。器件将高压侧的模拟输入信号进行数字化，并通过内部隔离器将量化数据传送至低侧。在低侧，DOUT引脚输出数字比特流与CLKIN引脚输入的时钟同步，该数字比特流由微控制器(MCU)或FPGA中的低通数字滤波器处理，系统的48V母线电压可通过TPA8023检测与传输。TPA8101与TPA8102不仅适用于48V电机系统电流检测,也广泛适用于各类需要基本隔离的中低压电子系统电流检测应用。　　图5　　TPA8101与TPA8102现已开放样品申请，并配套提供评估板及技术支持。　　如有需求，请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。
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发布时间：2026-06-09 09:50 阅读量：404 继续阅读>>
罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~
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罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~

　　中国上海，2026年6月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将参展2026年PCIM欧洲展览会暨研讨会(PCIM Expo & Conference 2026)。该展会是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会，将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举办。　　今年，罗姆诚邀各位来宾莅临9号展厅的318号展位——与去年位于同一展厅，但位置不同。今年的展台设计焕然一新，展现出罗姆作为先进功率半导体供应商持续精进的发展态势。　　在2026年的PCIM欧洲展览会上，罗姆将展示其前沿功率半导体技术如何助力汽车、工业及基础设施应用提高效率、实现系统小型化并降低能量损耗。　　展位概览●　汽车电气化解决方案　　展示内容涵盖牵引逆变器、车载充电器、电池断路装置、电动汽车热管理系统以及面向下一代汽车的嵌入式技术。　　●　面向工业应用的高效电源技术　　展示适用于可再生能源系统、AI服务器、数据中心及工业电源领域的SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)解决方案。　　●　面向广泛应用的功率模块和元器件组合　　展示通过全球合作开发出的功率模块、分立器件及功率转换拓扑结构。　　更多信息请访问：www.rohm.com/pcim
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发布时间：2026-06-03 10:41 阅读量：603 继续阅读>>
罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
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发布时间：2026-05-28 09:23 阅读量：502 继续阅读>>
让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动N<span style='color:red'>SI</span>6602Ux
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让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

　　纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。　　此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能，并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。　　输入/输出侧电源状态反馈，　　助力功率器件开关安全　　在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中，驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用，器件驱动阈值更敏感、响应速度更快，这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。　　传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪，这不仅增加系统复杂度，还可能因延迟或干扰带来误驱动风险，进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患，同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。　　纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能，可实时输出芯片供电状态，直接反馈至MCU/DSP，实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路，即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险，从系统架构层面提升功率器件开关安全性。　　NSI6602Ux(右图)与NSI6602(左图)功能框图对比　　高性能驱动与多重保护协同，　　提升系统可靠性与效率　　NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力，可直接驱动IGBT、SiC等功率器件，支持最高2MHz开关频率，无需额外增设缓冲器或驱动放大电路，显著简化外围设计。　　器件支持最高32V驱动电压，并集成欠压锁定(UVLO)保护，可有效应对高压冲击场景。同时，内置输入侧IN+/IN-互锁功能，从硬件层面避免上下桥臂直通风险，大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外，通过DT引脚可灵活配置死区时间，搭配多档UVLO阈值选择，进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。　　在性能方面，NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真，处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI，有效抑制共模干扰，避免延时波动，在复杂工况下仍可保持稳定运行。　　灵活控制与接口兼容设计，　　降低系统复杂度与BOM成本　　NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置，可灵活适配不同控制架构;输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电，可直接兼容MCU、DSP，无需额外电平转换电路。　　通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑，有效降低系统设计复杂度与BOM成本，同时提升整体方案的通用性与可扩展性。　　NSI6602Ux产品特性：　　5.7kVrms隔离耐压，可驱动高压SiC和IGBT　　高CMTI：150kV/μs　　输入侧电源电压：2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护　　驱动侧电源电压：最高可达 32V　　峰值拉灌电流：+4A/-6A　　驱动电源欠压：8V/17V两档可选　　支持输入、输出侧电源监控上报RDY　　可编程死区时间　　支持使能逻辑控制　　典型传播延时：45ns　　工作环境温度：-40℃~125℃　　符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准　　符合RoHS标准的封装类型：SOW14/16，SOP16　　通过UL、VDE、CQC等多项安全认证　　NSI6602Ux典型应用电路　　封装与选型　　纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产，产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装，可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。　　NSI6602Ux系列选型表
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发布时间：2026-05-22 10:31 阅读量：576 继续阅读>>
开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛
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开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

　　第十二届高校电力电子应用设计大赛启动仪式正式开幕!纳芯微作为合作伙伴，全程支持本届以新能源与储能竞赛的赛事开展。　　纳芯微将以实时控制 MCU、隔离栅极驱动等芯片为核心支撑，为参赛团队提供技术支持，助力学子完成方案设计。　　优选芯片|用 MCU & 栅极驱动，赢在自适应与损耗优化　　纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP —— 用作高速策略大脑　　• 高性能实时 M7 内核;高速 ADC+高精度 PWM;自研 IDE Novo Studio。　　• 赛场用途：导通压降检测、工况识别、自适应驱动算法调度、保护逻辑管理。　　• 更多信息：www.novosns.com/real-time-mcu　　纳芯微隔离栅极驱动 —— 驱动模块核心器件　　• 针对宽禁带器件开发;2kV 工作耐压 + 5700V 冲击耐压;高集成化;驱动能力强、延时低。　　• 赛场用途：SiC MOSFET 开关控制、负压关断、串扰抑制、快速短路保护。　　• 更多信息：www.novosns.com/gate-drivers
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发布时间：2026-05-15 10:22 阅读量：860 继续阅读>>
纳芯微推出固态继电器N<span style='color:red'>SI</span>7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战
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纳芯微推出固态继电器NSI7117，以卓越EMC性能应对汽车BMS系统电磁挑战

　　纳芯微今日正式推出新一代固态继电器NSI7117系列，新器件面向新能源汽车电池管理系统(BMS)等关键应用场景，针对性地优化了电磁兼容性能(EMC)，在电磁干扰抑制(EMI)与电磁抗扰度(EMS)两方面实现系统级提升，全面满足新能源汽车日益严苛的电磁兼容要求，为高可靠的汽车应用提供坚实支撑。　　新能源汽车BMS系统由于直接连接高压电池包，本身就对电磁兼容性能有着极高要求，需要在复杂电磁环境下保证采样、检测与控制功能的稳定运行。　　如今，在新能源汽车轻量化的趋势下，其电池系统正加速向多材料电池壳体架构演进，复合材料的引入在实现轻量化与结构集成的同时，也削弱了传统金属壳体对电磁干扰的天然屏蔽能力，使BMS系统面临更加复杂和严苛的电磁环境。　　在此背景下，纳芯微新一代固态继电器NSI7117通过优化的EMC设计，助力整车厂与电池厂商在多材料结构趋势下实现更高水平的系统可靠性。　　卓越的EMC性能，　　适配多材料电池系统的严苛电磁环境　　纳芯微NSI7117针对BMS高压应用中的电磁干扰特性进行了系统级优化，实现了业内卓越的电磁兼容性能。在和头部客户基于实际应用场景的系统联调测试中，NSI7117在电磁干扰发射(EMI)方面表现优异：　　静电放电抗扰(ESD，ISO 10605)在下电模式下通过±8kV测试;　　电快速瞬变脉冲群(EFT，IEC 61000-4-4)达到Class 4等级;　　传导与辐射发射(CISPR 25)分别达到电压法Class 3或4(根据不同频点)、电流法Class 5及辐射发射Class 5水平，有效降低开关过程中引入的系统级电磁辐射。　　得益于优异的EMI控制能力，客户在整机开发过程中可显著减少滤波、屏蔽等板级整改措施，降低EMC调试复杂度，缩短开发周期。　　在电磁抗扰度(EMS)方面，NSI7117同样具备出色的系统鲁棒性。器件可在全频段范围内通过200mA大电流注入测试(BCI，ISO 11452-4，Class A)，并顺利通过辐射抗扰测试(RI，ISO 11452-2，Class A)及手持发射机抗扰测试(PTI，ISO 11452-9，Class 2)。　　在多材料电池壳体导致屏蔽能力下降、系统电磁环境更加复杂的背景下，NSI7117能够有效降低误触发与异常开关风险，为BMS系统提供更高裕量的电磁可靠性与安全保障。同时，其高抗扰设计有助于减少系统层面的防护冗余设计，进一步简化硬件架构与验证流程。　　可靠性全面升级，　　加速替代机械继电器与光耦继电器　　相较机械继电器与光耦继电器，固态继电器在新能源汽车BMS中具备更优的综合性能。机械继电器存在触点磨损、寿命有限和响应较慢等问题;光耦继电器虽提升隔离能力，但在耐压、漏电流及长期稳定性方面仍有局限。　　固态继电器基于半导体无触点开关，具备更高可靠性与更长寿命，并可在高压、高温等严苛工况下稳定工作，有效降低系统失效风险，正成为高压BMS系统中开关器件的重要选择。　　在此基础上，纳芯微NSI7117进一步在高压能力与极端工况可靠性方面实现突破。产品内部集成两颗SiC MOSFET，每颗器件支持高达1700V耐压，具有优秀的抗雪崩能力与瞬态过压承受能力。这一特性使其在电池系统异常工况(如浪涌、电压尖峰)下仍能保持稳定运行，有效提升系统安全边界。　　同时，NSI7117在高压高温条件下的漏电控制能力同样表现突出。在1000V工作电压、125℃高温环境下，器件漏电流可控制在1μA以内，显著优于传统方案。这一特性有助于提升电池包整体绝缘阻抗水平，降低系统误判风险，并提高绝缘检测精度，从而增强整车在高压状态下的人机交互安全性。　　满足各类安规要求，　　降低系统验证时间　　NSI7117提供SOW12封装，兼容市场主流光耦继电器，便于客户无缝替换升级。在SOW12封装下，NSI7117实现5.91mm副边爬电距离，原边副边爬电距离也达到8mm，满足IEC 60747-17相关要求。　　结合纳芯微成熟的电容隔离技术，NSI7117隔离耐压能力高达5kVrms，并满足UL、CQC及VDE等权威认证标准要求，有助于客户简化系统级认证流程，缩短产品开发与上市周期。　　同时，NSI7117采用全国产供应链，进一步提升供应安全性与交付稳定性。NSI7117即将进入量产阶段，车规版本NSI7117-Q1满足AEC-Q100 Grade 1要求，支持–40°C至125°C宽工作温度范围，同时亦提供工规版本，满足不同应用场景需求。　　NSI7117现已支持送样，请登录纳芯微官网(www.novosns.com)，进行样片申请。
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发布时间：2026-05-13 10:19 阅读量：614 继续阅读>>
ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证
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ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证

　　中国上海，2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS® *开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。　　“ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件，在数秒到数分钟内即可完成损耗和温升等参数的仿真。在电路设计的初期阶段，该工具可大幅减少理想器件选型所需的工时。ROHM官网上目前已发布20种拓扑，并且计划未来将进一步扩充SiC器件、IGBT和功率模块等产品的器件模型及拓扑。　　本仿真工具只需在ROHM官网上完成用户注册，即可免费使用。另外，在专题页面上，除了该仿真工具的访问入口外，还发布了用户使用时所需的资料(用户操作手册、电路工作说明应用指南)。　　在电路设计时，尤其是在电力电子电路中，通常会采用仿真来代替成本高又耗时长的硬件试制。ROHM于2020年发布了可一次性验证功率器件产品和IC产品的“ROHM Solution Simulator”，并致力于不断扩充拓扑和器件模型。通过ROHM提供的高精度SPICE模型，用户能够以高度的复现性确认接近实际设备的波形，这一点获得了广泛好评。另一方面，用户还希望在开发初期阶段，能够基于损耗和发热验证，在短时间内选出理想的功率器件。　　针对这一需求，ROHM推出了“ROHM PLECS Simulator”，专门用于损耗和热计算。用户可以利用PLECS®进行快速的初期探讨，运用“ROHM Solution Simulator”的优势进行详细且高精度的验证，并根据不同的开发阶段进行区分使用，进而实现从设计的损耗和发热验证到波形检查的一体化仿真。　　<术语解说>　　*) PLECS®　　为了在虚拟空间中对含有控制的复杂电气与电力系统进行建模和仿真而开发的电力电子电路及系统的仿真工具。擅长进行损耗等参数的高速计算，能够在开发的上游阶段快速验证整个系统的响应性能。　　PLECS® 是 Plexim,Inc.的注册商标。
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发布时间：2026-04-23 16:21 阅读量：804 继续阅读>>
国内首款，纳芯微推出通过TÜV莱茵认证的A<span style='color:red'>SI</span>L D等级隔离栅极驱动N<span style='color:red'>SI</span>6911F系列
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国内首款，纳芯微推出通过TÜV莱茵认证的ASIL D等级隔离栅极驱动NSI6911F系列

　　纳芯微今日宣布推出国内首款基于全国产供应链、通过TÜV莱茵认证并达到ISO 26262 ASIL D等级的隔离栅极驱动——NSI6911F系列。　　该系列产品专为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机及DC-DC转换器等高压应用设计，具备高达19A的峰值驱动能力、±150kV/μs的共模瞬态抗扰度(CMTI)，并集成12位高精度隔离采样ADC与先进诊断架构，为新能源汽车电驱系统提供更高安全性与系统集成度的解决方案。　　随着新能源汽车向800V高压平台及SiC功率器件加速演进，电驱系统的开关速度显著提升，dv/dt水平不断提高，对栅极驱动器在抗干扰能力、驱动性能及系统可靠性方面提出了更高要求。同时，根据《GB/T 43254-2023 电动汽车用驱动电机系统功能安全要求及试验方法》及《GB 21670-2025 乘用车制动系统技术要求及试验方法》等最新国家标准，电驱系统在防范非预期扭矩及协同制动能量回收等关键场景中，其功能安全等级需达到ASIL C甚至最高等级ASIL D。　　在此背景下，具备高等级功能安全能力并可直接支撑系统设计的隔离栅极驱动芯片，正成为整车厂与Tier 1实现安全合规与规模化量产的关键基础。　　TÜV莱茵权威认证，　　满足最高ASIL D功能安全等级　　NSI6911F系列已通过TÜV莱茵权威认证，达到ISO 26262 ASIL D等级，可为客户提供符合最高功能安全要求的硬件基础。　　该系列严格遵循ISO 26262 V-Model开发流程，从SEooC假设定义、硬件安全需求分解到功能安全验证，均经过系统化分析与严格验证。结合纳芯微完善的功能安全文档体系与技术支持能力，NSI6911F可助力整车厂及Tier 1高效完成电驱系统级功能安全评估，显著缩短开发周期。　　NSI6911F系列通过TÜV莱茵ASIL D功能安全认证　　领先驱动能力与全方位保护架构，　　打造高可靠电驱系统　　NSI6911F系列提供高达19A的峰值驱动能力，并具备±150kV/μs的高CMTI性能，可满足SiC及IGBT器件在高频、高dv/dt环境下的稳定驱动需求。产品集成米勒钳位、过温保护、可调DESAT/SC/OC、可调UVLO、可调软关断及两电平关断等关键保护功能，能够灵活且有效地优化功率器件的开关性能，降低开关损耗与短路失效风险，为电驱系统提供全面保护。　　在故障处理方面，NSI6911F系列支持三态输出策略，使驱动在异常情况下具备更合理的响应路径，显著提升整车电驱系统的鲁棒性。　　同时，NSI6911F系列丰富的电源管理与保护阈值配置选项可满足不同应用场景下的灵活设计需求，简化系统替换与开发流程。NSI6911F支持原边最高32V输入，并提供5V LDO电源，副边支持5V LDO电源及14V-21V的宽范围可调VCC2 LDO，丰富的内置电源可以为上层系统节约低压侧前级Pre DC-DC以及高压侧电源，灵活的可调电压可以提高系统适用性，减少上层系统电源设计变更。　　纳芯微功能安全驱动NSI6911F一览　　集成12位高精度隔离ADC，　　“就地感知”提升系统实时性　　NSI6911F系列集成业内领先的、达到ASIL B等级的12位高精度隔离ADC，实现系统关键电压与电流信号的本地高精度采样与隔离传输。相比传统分立方案，该设计显著减少外部运放、隔离器及独立ADC等器件数量，有效降低系统复杂度与BOM成本。ASIL B等级的ADC也具备在线诊断能力以及噪声抑制等技术，使得NSI6911F能够同时提升采样鲁棒性与与抗干扰能力。　　在高dv/dt环境下，内置隔离ADC可提供更稳定、低延迟的数据反馈，为控制与保护决策提供可靠依据。此外，该集成方案可直接支撑功能安全设计需求，提升关键参数的可观测性与诊断覆盖率，助力客户构建更高集成度与更高可靠性的电驱系统。　　引脚兼容设计与全国产供应链，　　保障快速导入与稳定交付　　NSI6911系列采用SSOW32封装设计，与对标器件实现Pin to Pin/BOM to BOM级兼容，支持客户在现有设计基础上快速替换，无需调整PCB布局，从而显著降低导入门槛并缩短开发周期。　　在供应链方面，该系列基于从晶圆制造到封装测试的全国产体系构建，具备更高的可控性与稳定性，有效降低外部环境变化带来的供货风险。结合纳芯微本地化技术支持与灵活交付能力，NSI6911F系列可助力整车厂及Tier 1在保障性能与功能安全的前提下，实现更高效率的产品迭代与量产落地。　　NSI6911F系列选型表　　筑牢安全底座，　　持续构建完善的功能安全体系能力　　作为国内汽车模拟芯片行业的头部企业，纳芯微始终重视功能安全体系和产品开发能力建设。早在2021年，纳芯微就已获得TÜV莱茵颁发的ISO 26262功能安全管理体系ASIL D “Managed”等级认证。2025年，纳芯微正式通过TÜV莱茵审核的ISO 26262 ASIL D “Defined–Practiced”级别功能安全管理体系认证，证明纳芯微已全面建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架。　　这套成熟的体系已成功赋能多款关键产品的全生命周期开发，实现从标准到落地、从流程到产品的可靠闭环。NSI6911F系列芯片获得权威机构TÜV莱茵ASIL D产品认证，正是这一体系实力的最佳例证。　　纳芯微的功能安全核心能力体现于三大维度：　　深度融合的正向开发流程：公司已将ISO 26262功能安全标准系统性融入研发全流程，确保安全要求内生于每个开发环节，并通过持续迭代优化，确保流程始终为产品的高安全与高可靠赋能。　　覆盖系统至芯片的全链路能力：纳芯微具备从系统级安全概念定义到芯片架构、设计与实现的端到端技术能力，能为客户提供跨系统与芯片的完整功能安全解决方案。　　可靠协同的组织文化：专职的功能安全团队自产品定义阶段即深入参与，全程赋能。项目之外，更致力于构建纳芯微安全文化，并通过设立功能安全能力中心(FuSa CoC)，建立跨部门协同与独立审核机制，确保每一项安全活动均受控、可信、可追溯。纳芯微ISO 26262 V-Model开发流程　　纳芯微通过 TÜV 莱茵 ISO 26262 ASIL D　　"Defined-Practiced" 级别认证　　在智能汽车技术的飞速演进中，安全是永不妥协的必选项，也是最复杂的挑战之一。纳芯微凭借从芯片到系统的全链路功能安全能力、经权威机构认证的流程体系，以及不断丰富的SafeNovo®功能安全产品矩阵，构建起完整的“功能安全赋能体系”。通过“流程管控”与“技术聚焦”的深度融合，确保每颗芯片都成为系统安全最可靠的保障。纳芯微致力于携手业界伙伴，以坚实的半导体技术和功能安全开发体系，守护每一程出行的安全。
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发布时间：2026-04-22 09:17 阅读量：586 继续阅读>>
ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：684 继续阅读>>

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