纳芯微丨如何平衡算力与成本？NSSine™系列实时控制MCU/DSP助力数字电源与电机开发
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纳芯微丨如何平衡算力与成本？NSSine™系列实时控制MCU/DSP助力数字电源与电机开发

　　近日，在2026 RT-Thread 20周年庆典暨开发者大会上，纳芯微市场总监宋昆鹏带来了一场聚焦于高实时性控制的技术分享，深度解析NSSine™系列实时控制MCU/DSP如何为数字电源与电机控制应用提供兼具性能与性价比的核心方案，并积极响应开发者生态需求，携手RT-Thread，为高实时性控制场景提供更开放、更高效的国产化平台支持。　　聚焦专用场景：不止于MCU，更是实时控制专用平台　　NSSine™系列实时控制MCU/DSP(NS800RT7/5/3/1系列)产品是为实时控制场景量身定制的“专用芯片”，而非通用MCU。其目标应用直指对实时性要求苛刻的领域：　　• 数字电源：光伏储能、服务器电源、充电桩、车载充电机(OBC)等。　　• 电机控制：工业伺服、变频器、汽车空调压缩机及主驱电机等。　　其核心优势在于“硬件不改，软件小改”的兼容性设计——与主流DSP产品引脚兼容，同时基于Arm内核正向开发专属外设，既降低了客户的迁移成本，又实现了超越现有方案的性能表现。　　目前NSSine™系列已实现入门级到高端产品的全档位覆盖，部分型号实现量产，更提供工规与车规双版本，满足多元场景需求。　　全系列解析：从高端算力到“M7平权”　　NSSine™系列构建了全谱系覆盖的产品矩阵，每款产品都支持AEC-Q100 Grade1认证，并针对特定算力需求优化设计：　　• 高端算力RT7系列：搭载双核Cortex-M7内核(主频400MHz)，配自研eMath加速单元与高规格外设，支持超高算力。　　• 中端主力RT5/3系列：以单Cortex-M7内核(主频200-300MHz)为核心，支持多电机同步控制，是工业控制、车载场景的高可靠之选。　　• 入门爆款RT1系列：以5元起售实现“M7平权”，主频200MHz且带浮点运算单元，集成可编程逻辑模块，以极致性价比提供高性能多路控制能力。　　性能验证：全栈优化的实时信号链是关键　　NSSine™系列的性能优势不仅在于全系搭载的M7内核主频(200MHz至双核400MHz)，更在于对整个实时信号链的深度优化：　　• eMath硬件加速器：将三角函数、开方、FFT等算法硬件化，相比软件库实现，运算速度提升最高达3.5倍，极大解放CPU资源。　　• 极速信号链：实测从中断响应、完成算法运算到更新PWM输出的全链路时间，RT7系列仅需1.5微秒，RT5系列约2.5微秒，为高频高精度控制奠定基础。　　• 高精度外设：配备采样率达5Msps的ADC、响应时间20纳秒的快速比较器，以及分辨率达100皮秒的高精度PWM(HRPWM)。　　典型方案落地：从单芯片多电机到完整方案　　依托NSSine™系列的硬核性能，纳芯微已打造多个落地方案：　　• 在数字电源领域，基于NS800RT5039的6.6kW单相双向OBC方案采用SiC拓扑，单芯片即可实现全拓扑控制，峰值效率超96%，适配车载及充电桩场景。　　• 在电机控制领域，基于NS800RT5/3系列可实现4台PMSM电机同步无感FOC控制，算力冗余充足;NS800RT3025驱动的汽车空调压缩机方案，全国产化器件适配400V平台，支持OTA升级。　　点亮“生态树”：降低开发门槛，加速方案落地　　为助力开发者快速上手，纳芯微构建了全方位的开发工具与生态支持体系。　　• 软件层面，天然兼容Keil MDK、IAR EWARM主流工具链，自研免费NovoStudio开源开发平台(基于GCC与Eclipse)集成数字示波器、实时变量刷新、图形化代码生成等功能，同时提供完善的底层驱动、BootCode及通信软件支持;　　• 硬件层面，NSSine™ Pad评估板自带板载仿真器(USB-TypeC接口)，采用隔离及防浪涌设计，板载CAN收发器支持CAN2.0及CANFD，接插件覆盖芯片所有IP资源，同时兼容J-Link仿真器，开箱即可开展开发工作。　　在本次大会上，纳芯微受邀参与 “RT-Thread 睿赛德生态树” 点亮仪式，与 30 余家芯片原厂、方案商及社区领袖等生态伙伴同台亮相，共同见证开源生态的蓬勃发展。　　纳芯微市场总监宋昆鹏与生态伙伴共同见证点亮仪式　　纳芯微亦在现场展台打造专属方案展示区，吸引众多开发者交流互动，全方位展现实时控制MCU/DSP的技术硬实力与生态布局，与全球千余名开发者共探产业智能化升级新路径。　　纳芯微市场总监宋昆鹏上台分享、开发者在纳芯微展台现场交流
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发布时间：2026-01-30 10:16 阅读量：324 继续阅读>>
纳芯微多通道LED驱动正式通过A<span style='color:red'>SI</span>L B功能安全认证，助力提升汽车照明系统可靠性与开发效率
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纳芯微多通道LED驱动正式通过ASIL B功能安全认证，助力提升汽车照明系统可靠性与开发效率

　　近日，纳芯微汽车级 NSL21912/16/24FS 系列线性 LED 驱动产品正式通过第三方检测认证机构DEKRA的功能安全评估，获得ISO 26262:2018 ASIL B功能安全认证。该评估结果表明，NSL21912/16/24FS系列产品在设计、验证及测试等关键环节满足 ISO 26262 功能安全标准中 ASIL B 等级的相关要求，能够适配对功能安全与可靠性要求较高的汽车照明应用。　　权威认证，助力提升汽车照明系统：可靠性与开发效率　　当下，车灯已成为汽车品牌设计的重要载体，其应用场景众多，且部分车灯应用会直接与驾驶安全挂钩，例如制动灯、转向灯的控制。以往，车灯应用的功能安全等级往往集中于QM(Quality Management)到ASIL B之间，而由于车灯厂商的平台化设计需求，以及全球日益严苛的汽车安全法规与供应链准入要求，ASIL B已成为LED驱动芯片功能安全设计的重要目标等级。　　纳芯微此次通过认证的NSL21912/16/24FS系列产品可驱动多达12/16/24串LED，搭配高速通信接口，广泛应用于贯穿式流水尾灯，转向灯，制动灯，格栅灯以及ISD交互等场景。获得功能安全产品认证标志着该系列芯片在系统性失效以及随机硬件失效的应对能力上达到了汽车功能安全ASIL B等级要求，可有效保障车灯安全功能。　　同时，NSL21912/16/24FS系列芯片集成了多项安全措施，可以有效检测芯片自身以及外部组件的异常情况，并通过额外的Fail Safe控制功能，确保系统在检测到异常时能够进入预期的安全状态，从而提升行车安全性，保障驾乘人员及其他道路使用者的安全。　　在此基础上，纳芯微还将为汽车主机厂和Tier 1零部件供应商提供完善的功能安全文档以及技术支持，帮助客户以更低的验证成本、更快的开发速度，打造满足更高功能安全等级的汽车照明系统。　　从体系建设到产品落地：持续输出功能安全成果　　作为汽车模拟芯片行业的头部企业，纳芯微始终重视功能安全体系和产品开发能力建设。NSL21912/16/24FS系列芯片通过 ASIL B 功能安全认证，体现了纳芯微功能安全产品的落地能力。纳芯微的功能安全产品开发流程遵循 ISO 26262 V-Model，专职的功能安全团队在项目初期就深度参与芯片 SEooC(Safety Element out of Context) 制定，在主导芯片安全架构定义的同时，持续运用多种安全分析方法优化设计合理性。ISO 26262 V-Model开发流程　　目前，纳芯微具备功能安全特性的产品已覆盖多个关键领域，包括ABS 轮速传感器 NSM41xx、超声雷达探头芯片 NSUC1800、隔离式栅极驱动 NSI6911 以及磁编码器 MT6511/6521 等。此外，纳芯微还与包括欧摩威(原大陆集团汽车子集团)在内的行业头部客户合作，联合开发功能安全的压力传感器产品。在功能安全团队及内部协同能力支撑下，纳芯微不断深化功能安全项目在多个领域的布局，为全球汽车客户提供涵盖传感器、信号链、电源管理等领域的更高功能安全等级的芯片选择。
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发布时间：2026-01-29 09:39 阅读量：300 继续阅读>>
英飞凌新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板
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英飞凌新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板

　　英飞凌推出新品：碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板　　EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器，能将400V直流输入电压转换为稳定的50V直流输出电压。得益于CoolSiC™器件的卓越性能与顶部散热封装方案，该板实现了接近99% 的效率与170W/in³的超高功率密度。　　产品型号：　　■ EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC2　　框图　　　　产品特性　　半载(50%负载)效率达98.95%　　满载(100%负载)效率达98.48%　　谐振频率为200 kHz　　采用三相交错并联LLC拓扑　　应用价值　　采用TOLT封装的高性能CoolSiC™ 650V器件　　顶部散热设计　　超高效率与功率密度　　数字化控制　　应用领域　　电信基础设施用DC-DC电源转换　　功率变换　　服务器电源供应单元
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发布时间：2026-01-27 10:15 阅读量：364 继续阅读>>
以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道
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以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道

　　在功率半导体领域，碳化硅(SiC)技术以其卓越的电气性能已成为不争的未来趋势。然而，市场普及始终面临一个核心挑战：如何在不牺牲性能的前提下，将成本降至可与成熟硅基产品正面竞争的水平?森国科最新推出的KWM2000065PM(750V/2Ω)与 KWM1000065PM(750V/1Ω)两款SiC MOSFET产品，以其革命性的微型化芯片设计，给出了一个强有力的答案——通过极致缩小的Die Size，实现系统级成本与性能的双重优势，直指高压平面MOSFET与SJ MOSFET的替代市场。　　01技术深潜：微型化Die引发的性能与成本革命　　这两颗晶圆最引人注目的特点，是其极其紧凑的尺寸。KWM2000065PM的芯片面积(不含划片道)仅为0.314 mm²(0.560 * 0.560mm)，而KWM1000065PM也仅为0.372 mm²(0.560 * 0.665mm)。这一尺寸远小于同规格的硅基器件，奠定了其颠覆性优势的基础。　　热性能的先天优势：更稳定，更高效　　与传统硅基MOSFET相比，SiC材料本身拥有高出三倍的热导率。这意味着，在同等体积下，SiC芯片内部的热量能更快速地传导至外壳。结合森国科这两款产品的微型化设计，其热阻(RthJC)具备先天的稳定性优势。　　--热阻稳定性：硅器件在高温下导通电阻(RDS(on))会急剧增大，而SiC的RDS(on)随温度变化率远低于硅。规格书显示，即使在175°C的高结温下，KWM1000065PM的导通电阻典型值仅从25°C时的1.0Ω升至1.6Ω，变化幅度远优于同级硅器件。这带来了更可预测的功耗和更稳定的高温运行表现。　　--高效散热：小尺寸Die允许采用成本更低、体积更小的封装(如DFN5x6, TO-252等)。由于芯片热点与封装外壳的热路径极短，热量能更高效地散发，从而允许器件在更高的功率密度下运行，或减少散热系统的体积与成本。　　电气性能的极致化：支持高频、高可靠性应用　　高开关速度与低损耗：两款产品均具备极低的电容(Ciss/Coss/Crss)，例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。这直接转化为更快的开关速度、更低的开关损耗(Eon/Eoff)和更小的栅极振荡，为高频开关电源提升效率、缩小无源元件体积奠定了基础。　　--750V耐压的可靠性裕量：相较于传统的600V-650V硅基MOSFET，750V的额定电压提供了更强的抗电压冲击和浪涌能力，在PFC电路、反激式拓扑等应用中，系统可靠性得到显著提升。　　--快速体二极管：内置的体二极管具有快速反向恢复特性(Qrr低)，在桥式电路或硬开关条件下，能有效降低反向恢复损耗，提升整体效率。　　成本结构的颠覆：从“芯片成本”到“系统成本”的胜利　　这才是森国科此次产品的核心破局点。微型化Die的直接优势是：　　单颗芯片成本大幅降低：在同等晶圆上，更小的尺寸意味着可切割的芯片数量呈指数级增长，直接摊薄了单片晶圆的制造成本。　　--封装成本显著下降：小芯片可采用更小、更简单的封装，封装材料(塑封料、引线框)和工艺成本随之降低。　　--系统级成本优化：由于SiC的高频、高效特性，电源系统中的散热器、磁性元件(电感、变压器)和滤波电容都可以做得更小、更轻，从而在整体系统层面实现显著的体积缩减和成本节约。　　02应用蓝图：灵活封装策略覆盖广阔市场　　森国科此次提供晶圆形态的产品，赋予了下游客户极大的设计灵活性，精准瞄准两大应用方向：　　合封(Chip-in-Package)：赋能超紧凑电源　　对于追求极致功率密度的应用，如氮化镓快充充电器、服务器AC/DC电源模块、通信电源模块等，这两颗小尺寸Die可与控制器、驱动IC等合封在一个多芯片模块(MCPM)内。这种“All-in-One”的方案能最大限度地减少寄生参数，提升频率和效率，是实现拇指大小百瓦级快充的理想选择。　　独立封装：替代传统硅基MOSFET　　对于工业电源、光伏逆变器辅助电源、电机驱动、LED照明驱动等需要独立器件的应用，这两颗晶圆可被封装为成本极具竞争力的分立器件。其目标正是直接替代目前市场中广泛使用的750V-800V高压平面MOSFET和超结MOSFET(SJ-MOSFET)，让终端产品在几乎不增加成本的情况下，轻松获得效率提升、体积缩小和可靠性增强的优势。　　03市场展望：开启“硅基成本，碳化硅性能”的新纪元　　森国科KWM2000065PM与KWM1000065PM的推出，具有深远的市场意义。它标志着SiC技术不再仅仅是高端应用的奢侈品，而是可以通过创新的设计与制造工艺，下沉到主流功率市场，成为替代硅基产品的“性价比之选”。　　森国科的这两款微型化750V SiC MOSFET晶圆，是一次精妙的“四两拨千斤”。它们没有盲目追求极致的单一性能参数，而是通过芯片尺寸的微型化革命，巧妙地平衡了性能、可靠性与成本，精准击中了市场普及的痛点。这不仅是两款优秀的产品，更代表了一种清晰的市场战略：让碳化硅的强大性能，以客户乐于接受的成本，渗透到每一个可能的电力电子角落，加速全球电气化的高效与节能进程。对于所有寻求产品升级换代的电源工程师而言，这无疑是一个值得密切关注的技术风向标。
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发布时间：2026-01-26 17:43 阅读量：355 继续阅读>>
森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准
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森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准

　　在追求更高效率、更高功率密度的电力电子领域，碳化硅(SiC)功率器件的性能优势已得到广泛认可。然而，传统的封装技术正成为限制其潜能全面释放的关键瓶颈。森国科(SGKS)近日创新性地推出KM025065K1(650V/25mΩ)与 KM040120K1(1200V/40mΩ)两款SiC MOSFET产品，率先将TOLL封装与铜夹片(Cu-Clip)技术深度融合，为下一代高性能电源方案树立了新标杆。　　01 技术基石：为何选择TOLL封装?　　TOLL(TO-Leaded，L-type)封装是一种专为大电流、高散热需求设计的表面贴装(SMD)封装。其外形与标准的TO-LL规范兼容，具备以下核心优势：　　低外形与高功率密度：　　TOLL封装的高度通常极低(如规格书中标注的典型值为2.30mm)，非常适合在空间受限的应用中实现高功率密度布局。　　出色的散热能力：　　封装底部具有大面积的可焊接散热焊盘，为芯片到PCB(或散热器)提供了极低的热阻路径。规格书中KM025065K1的结壳热阻(RθJC)低至0.46°C/W，KM040120K1更是达到0.42°C/W，为高效散热奠定了基础。　　低寄生电感：　　多个开尔文源极引脚和功率引脚的优化布局，有助于减小开关回路中的寄生电感，这对于发挥SiC高频开关优势、抑制电压过冲和振铃至关重要。　　02 性能跃迁：Cu-Clip技术如何赋能TOLL封装?　　森国科的创新之处在于，在TOLL封装内部，用铜夹片(Cu-Clip) 替代了传统的铝键合线(Bonding Wires)。　　彻底告别键合线瓶颈：　　传统键合线存在寄生电感较大、载流能力有限、热机械可靠性等问题。Cu-Clip通过一块扁平的铜片直接连接芯片源极和引线框架，实现了面接触。　　实现“三位一体”的性能提升：　　超低导通电阻：　　铜的导电性远优于铝，Clip结构提供了更广阔的电流通道，显著降低了封装内部的导通电阻。　　极致散热性能：　　铜片成为高效的导热桥梁，将芯片产生的热量快速、均匀地传导至整个引线框架和封装外壳，这正是实现超低RθJC的关键。　　更高的可靠性与电流能力：　　消除了键合线可能因热疲劳而脱落的风险，载流能力大幅提升，规格书中KM025065K1的连续漏极电流在Tc=25°C时高达91A。　　03 强强联合：TOLL+Cu-Clip与SiC晶圆的完美协同　　当优化的TOLL封装、先进的Cu-Clip互联技术与高性能SiC晶圆相结合，产生了“1+1+1>3”的协同效应：　　充分发挥SiC高频特性：　　低寄生电感的封装允许SiC芯片以更快的速度开关(如KM025065K1的上升时间tr=28ns)，从而显著降低开关损耗，提升系统频率和效率。　　最大化功率密度：　　优异的散热能力使得器件能在更高结温(Tj=175°C)下持续输出大电流，允许使用更小的散热器，最终实现系统体积和重量的大幅缩减。　　提升系统鲁棒性：　　KM040120K1规格书中特别提到“带有单独驱动源引脚的优化封装”，这有助于进一步改善开关性能，减少栅极振荡，使系统运行更稳定可靠。　　04 应用场景：为高效能源未来而生　　这款创新封装的SiC MOSFET非常适合对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用：　　光伏/储能逆变器：　　高开关频率可减小无源元件体积，高效率直接提升发电收益。　　电动汽车车载电源(OBC/DCDC)与电机驱动：　　高功率密度和卓越散热是满足紧凑空间和高温环境要求的关键。　　服务器电源/通信电源：　　助力打造效率超过80 Plus钛金标准的高密度电源模块。　　工业电机驱动与不间断电源(UPS)：　　高可靠性和高频特性满足工业环境的严苛需求。　　森国科KM025065K1与KM040120K1的推出，不仅是两款新产品的面世，更是一次针对功率封装瓶颈的精准突破。它证明了通过封装-互联-芯片的协同设计与创新，能够充分释放第三代半导体的巨大潜力。这为设计工程师在面对未来能源挑战时，提供了一把兼具高性能、高可靠性与高功率密度的利器，必将加速光伏、电动汽车、数据中心等关键领域的技术革新。
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发布时间：2026-01-26 17:39 阅读量：358 继续阅读>>
森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命
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森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命

　　在小体积、高功率密度、高效散热成为行业刚需的今天，　　森国科通过创新的封装技术给出了自己的解决方案。　　继成功推出PDFN8 * 8+Cu-Clip封装的SiC二极管后，森国科正式发布三款同封装类型的SiC MOSFET产品——KM025065P1、KM040120P1和KM065065P1，形成了完整的650V-1200V电压覆盖，为高功率密度应用提供了更为丰富的选择。　　这一系列新品基于森国科自主研发的第三代平面栅SiC MOSFET芯片技术，通过创新的铜夹片封装技术和优化的内部结构设计，在保持高性能的同时显著提升了散热效率和功率密度。　　PART01 三款新品核心参数解析：满足不同功率等级需求　　KM025065P1：650V/25mΩ高电流型号　　这款产品在25℃条件下连续漏极电流高达91A，脉冲电流能力达到261A，特别适合大电流应用场景。其低导通电阻(典型值25mΩ)确保在高电流下仍保持较低的导通损耗。　　该器件结壳热阻低至0.49°C/W，配合Cu-Clip技术，能够将芯片产生的热量快速传导至PCB板，保证在高功率运行时的稳定性。　　KM040120P1：1200V/40mΩ高压应用优选　　针对光伏逆变器、工业电机驱动等高压应用，KM040120P1提供了1200V的耐压能力，同时在15V驱动电压下导通电阻典型值为40mΩ。该产品静态栅源电压为-5/+15V，适用于严苛的工业环境。　　值得一提的是，这款产品特别优化了开关特性，在800V/33A测试条件下，开关能量表现优异(Eon典型值530μJ，Eoff典型值32.1μJ)，有效降低系统开关损耗。　　KM065065P1：650V/65mΩ性价比之选　　对于成本敏感型应用，KM065065P1提供了平衡的性能与价格。其导通电阻典型值为65mΩ，连续漏极电流38A，适合中小功率场景。该产品输入电容仅为977pF，栅极总电荷41nC，便于驱动电路设计。　　三款产品均支持-55℃至+175℃的工作结温范围，满足汽车电子、工业控制等严苛环境要求。　　PART02 PDFN8 * 8+Cu-Clip封装技术深度解读　　PDFN8 * 8+Cu-Clip封装是森国科为应对高功率密度挑战而推出的先进封装解决方案。与传统的引线键合技术不同，Cu-Clip(铜夹片)技术采用扁平铜桥连接芯片表面和外部引脚，有效降低封装电阻和热阻。　　这种封装结构的优势显而易见：更低的寄生参数、更好的热性能以及更高的电流承载能力。实测数据显示，与传统封装相比，Cu-Clip技术能够降低约35%的封装电阻，同时提升约20%的电流能力。　　热性能是功率器件的关键指标。PDFN8 * 8+Cu-Clip封装通过优化设计，实现了从芯片到PCB的高效热管理路径。三款新品的结壳热阻均在0.46-0.81°C/W范围内，大幅提升了整体散热能力。　　封装尺寸方面，PDFN8 * 8保持了8mm×8mm的紧凑外形，引脚间距为2.0mm典型值，厚度控制在0.95mm典型值。这种紧凑设计使得器件在空间受限的应用中具有明显优势。　　PART03 电气性能优势：低损耗与高可靠性兼备　　开关损耗是影响功率转换效率的关键因素。三款新品在开关特性方面表现出色：　　优化的开关速度:　　由于减少了栅极回路的寄生电感，新品的开关速度得到显著提升。以KM025065P1为例，其开启延迟时间仅12ns，上升时间28ns，下降时间22ns，支持更高频率的运行。　　低栅极电荷：　　KM065065P1的栅极总电荷仅为41nC，KM040120P1为84nC，降低驱动电路的设计难度和功率需求。　　优异的体二极管特性：　　内置的快恢复体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)，KM065065P1的Qrr典型值仅为67nC，减少反向恢复损耗。　　可靠性方面，所有产品均通过严格的可靠性测试，包括高温反偏(HTRB)、高低温循环等测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。　　PART04 应用场景全覆盖：从消费电子到工业驱动　　新能源汽车领域　　在车载充电机(OBC)和直流-直流转换器中，KM025065P1的高电流能力(91A连续电流)可直接替代多个并联的传统器件，简化系统设计。KM040120P1的1200V耐压适合800V电池系统应用。　　可再生能源系统　　光伏逆变器是SiC MOSFET的重要应用领域。KM040120P1的高耐压和低导通损耗可有效提升系统效率，配合其优异的开关特性，助力实现99%以上的转换效率。　　工业电源与电机驱动　　服务器电源、通信电源等场景中，KM065065P1的平衡性能和成本优势明显。其紧凑的封装尺寸有助于提升功率密度，满足现代数据中心对高密度电源的需求。　　消费类电子　　大功率快充电源适配器、便携式充电站等应用中，KM025065P1的高功率密度特性可在有限空间内实现更大的功率输出。　　PART05 设计与应用支持：助力客户快速量产　　针对不同的应用场景，森国科技术团队可提供定制化的解决方案，帮助客户优化系统性能，缩短产品上市时间。　　在驱动设计方面，由于三款产品的阈值电压(VGS(th))在2.7-3.2V范围内，建议驱动电压在15-18V之间，以确保充分导通的同时避免过驱动。　　散热设计建议　　虽然Cu-Clip封装具有良好的散热性能，但在大功率应用中仍需注意PCB的热设计。建议使用2盎司及以上铜厚的PCB，并合理设计散热过孔和散热焊盘。　　森国科此次推出的三款PDFN8 * 8+Cu-Clip封装SiC MOSFET产品，与先前发布的同封装SiC二极管共同构成了完整的功率半导体解决方案。这一产品组合体现了森国科在碳化硅技术领域的深厚积累和对市场需求的精准把握。　　随着新能源、电动汽车等行业的快速发展，对功率器件的功率密度、效率、可靠性要求不断提高。森国科通过持续的技术创新和产品优化，为行业客户提供更具竞争力的解决方案。　　未来，森国科将继续扩展Cu-Clip封装的碳化硅功率器件产品线，包括2200V及更高电压等级的器件，为全球绿色能源转型提供核心半导体支撑。　　以下是三款产品的规格：
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发布时间：2026-01-23 11:02 阅读量：384 继续阅读>>
森国科丨破局“SiC封装瓶颈”：PCB嵌入式3D封装如何引领SiC进入系统集成新时代
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森国科丨破局“SiC封装瓶颈”：PCB嵌入式3D封装如何引领SiC进入系统集成新时代

　　在碳化硅(SiC)技术飞速发展的今天，我们正面临一个关键的转折点：芯片本身的卓越性能，正日益被传统封装的寄生参数和热管理瓶颈所制约。要实现电力电子系统在效率、功率密度和可靠性上的再一次飞跃，必须从“封装”这一基础环节进行革命。PCB嵌入式3D封装技术，正是破局的关键。而森国科最新量产出货的KC027Z07E1M2(SiC S-Cell)，作为该技术的成熟载体，标志着我们正从简单的“器件替换”迈入深度的“系统重构”时代。　　01 技术基石：为何PCB嵌入式3D封装是必然趋势?　　PCB嵌入式3D封装，是一种将半导体裸芯片(Bare Die)直接埋入印制电路板(PCB)内部的先进集成技术。它不同于将封装好的器件焊接在板卡表面，而是让芯片成为PCB的一个“内部层”，从而实现系统级的性能优化。　　其核心优势体现在三个根本性突破上：　　电气性能的跃迁：实现“最短”功率回路　　通过芯片与PCB内部铜层的直接三维互连，彻底消除了传统封装中键合线(Bonding Wire)和长距离引线带来的寄生电感和电阻。这使得开关过程中的电压过冲和能量损耗(EON, EOFF)大幅降低，允许系统工作在更高的频率，同时显著改善电磁干扰(EMI)性能。这对于追求极致效率的应用至关重要。　　热管理的革命：从“点”散热到“面”散热　　传统封装热量只能通过芯片底部单一路径传导。嵌入式封装实现了双面甚至多面散热，芯片产生的热量可以通过上下方大量的导热过孔(Thermal Vias)迅速传导至PCB大面积铜层，再高效散出。这带来了极高的散热效率，直接提升了系统的长期可靠性和峰值功率输出能力。　　系统架构的重构：迈向高度集成化与小型化　　此技术为一个集成平台，而非单一器件。它允许将直流母排、驱动电路、无源元件乃至电流采样单元(如嵌入式分流器)与功率芯片共同集成于同一基板。这极大简化了系统结构，减少了互联接口，提升了生产一致性与功率密度，为终极的轻量化、小型化设计奠定了基础。　　02 广阔前景：嵌入式SiC将赋能哪些前沿领域?　　上述技术优势，精准命中了下游高端应用对电源系统的核心诉求，市场前景极为广阔。　　新能源汽车与泛新能源领域：　　在电动汽车的主驱逆变器、车载充电机(OBC)中，嵌入式SiC能进一步提升效率，延长续航，同时减小系统体积和重量。在光伏逆变器、储能变流器中，其高可靠性和高效率是提升发电效益的　　AI服务器与算力中心：　　单机柜功率密度持续攀升，对供电单元(PSU)和散热提出极致要求。嵌入式SiC的高频、高效和高功率密度特性，是构建下一代超高效、高密度服务器电源和GPU加速卡直接供电(Point-of-Load)方案的基石。　　低空飞行器(eVTOL)与航空航天：　　重量即生命线。嵌入式SiC的轻量化和小型化优势直接转化为更长的航程和更高的载重。其卓越的散热能力和在极端温度下的稳定性(如规格书中Tvjop max=175℃)，是飞行安全与可靠性的根本保障。　　智能充电网络：　　直流快充桩对功率密度和效率的追求永无止境。利用该技术可打造更紧凑、更高效的充电模块，缩短充电时间，提升运营效益。　　03 森国科推出的KC027Z07E1M2 SiC S-Cell，正是上述技术理念的成功实践。它并非一个抽象概念，而是一款已经量产的、具备优异性能的已经用于PCB 嵌入式3D封装的650V/27mΩ SiC MOSFET：　　卓越的芯片性能：　　其芯片本身具备低栅极电荷(Qg=120nC)和快速开关特性(tr=28ns, tf=22ns)，为高频高效运行提供了基础。其体二极管也具有快速反向恢复特性(trr=17ns)，适用于桥式电路;　　量化封装优势：　　规格书中0.36°C/W的极低结壳热阻(RthJC)是其双面散热能力的直接证明，确保了在高负载下的稳定输出(如Tc=100°C时Id达64A)。板上集成母排和逻辑的设计，使其实现了“易于互连、改善回路电阻、小型化”的系统级优势。　　森国科SiC S-Cell的量产，标志着PCB嵌入式3D封装技术已从实验室走向产业化。它解决了SiC技术向更高阶应用发展时的核心瓶颈，为新能源汽车、算力基建、低空经济等前沿领域提供了实现其苛刻目标的钥匙。随着这种系统级集成理念的普及，我们有理由相信，电力电子技术将进入一个性能飙升、形态重构的新纪元，而森国科已通过SiC S-Cell在此赛道上占据了有利位置。
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发布时间：2026-01-23 10:58 阅读量：382 继续阅读>>
纳芯微推出基于QM隔离驱动、满足A<span style='color:red'>SI</span>L C功能安全等级的电驱系统方案
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纳芯微推出基于QM隔离驱动、满足ASIL C功能安全等级的电驱系统方案

　　随着新能源汽车对安全性要求的持续提升，电驱系统正从单一的动力执行单元，逐步演进为深度参与整车制动与扭矩安全控制的关键系统。在这一趋势下，于2026年实施的强制性国标GB 21670明确提出：制动系统需按照ISO 26262功能安全流程进行开发。尽管该标准并未强制规定具体的ASIL等级，但从整车扭矩安全角度来看，电驱系统由于间接或直接参与制动功能，因而需要满足更高的功能安全要求。　　在此背景下，纳芯微推出基于QM(Quality Management)隔离驱动芯片NSI67xx-Q1系列的系统级ASIL C功能安全解决方案，在满足法规与安全诉求的同时，为客户提供低变更、低成本、高可靠性、可快速落地的电驱系统解决方案。　　更高性价比选择：　　以QM隔离驱动芯片实现系统级功能安全设计　　针对电驱系统的功能安全实现，行业目前存在两种路径。　　电驱系统的功能安全实现路径　　路径一是当前行业内实现电驱系统功能安全的通用做法，其核心逻辑是追求每一个核心器件的“功能安全”，即电驱系统的MCU、PMIC、驱动芯片等核心器件本身需要具备对应的ASIL等级。　　路径二则体现了更为灵活的系统工程思维。其逻辑是在MCU与PMIC满足功能安全等级的基础上，将成熟可靠的QM隔离驱动芯片与功率器件、电机共同作为扭矩输出单元，通过对应的外围电路设计与软件架构协同，在系统层级实现功能安全目标。　　纳芯微基于QM隔离驱动芯片　　实现电驱系统级功能安全设计方案　　在电驱系统升级的实际方案落地中，路径二展现出了综合竞争优势。在开发维度，通过在硬件设计上仅增加必要的冗余关断路径，该方案最大程度地减少了对主功率回路的调整，使得软件与系统架构的改动处于高度可控范围内，显著缩短了开发周期，能够快速响应在研项目对2026年国标切换的时间要求。　　目前，该方案已全面兼容SiC与IGBT功率平台，覆盖400V及800V高压系统，成为电驱系统架构实现功能安全等级的选择之一。　　基于NSI67xx-Q1　　实现ASIL C系统级功能安全的电驱解决方案　　目前，纳芯微推出的电驱解决方案已通过第三方认证机构德凯(DEKRA)的权威评估，基于NSI67xx-Q1系列隔离驱动芯片打造的电驱系统能够满足ASIL C的功能安全等级。作为该方案的核心器件，NSI67xx-Q1系列隔离驱动芯片在性能、可靠性与工程适配性方面具备多项优势：　　集成隔离模拟采样功能：可用于温度检测或电压检测，有助于简化系统设计。　　高抗干扰能力：CMTI≥150kV/μs，适配复杂电驱电磁环境。　　高驱动能力：支持最高±10A拉灌电流，轨到轨输出，满足SiC/IGBT高功率密度电驱需求。　　更强的鲁棒性设计：在EOS、浪涌耐受等关键指标上表现出色，质量表现稳定。　　安全保护机制：支持ASC功能(原边/副边)，异常情况下可强制输出至安全状态。　　灵活封装选择：提供小型化封装(SSOW20)与标准封装(SOW16)方案，兼顾成本、空间与平台化需求。　　量产验证充分：基于成熟产品平台演进，具备良好的可靠性与一致性基础。　　德凯评估报告　　从体系到产品，　　纳芯微持续构建全栈功能安全能力　　在功能安全领域，纳芯微始终坚持体系化能力建设。早在2021年，纳芯微就已获得德国TÜV莱茵颁发的ISO 26262功能安全管理体系ASIL D "Managed"级别认证;2025年，纳芯微功能安全管理体系进一步获得莱茵TÜV颁发的ISO 26262 ASIL D "Defined-Practiced"级别认证，这标志着公司完成了从“体系建立”到“工程实践”的能力跃迁，成为国内少数具备该能力等级的模拟芯片企业。　　目前，公司已建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架，并将其成熟应用于多款关键产品的全生命周期开发中，实现了从方法论到产品落地的成功闭环。在汽车关键应用中，纳芯微的功能安全产品已在轮速传感器、LED驱动、隔离栅极驱动、超声雷达等领域实现量产，并与包括欧摩威(原大陆集团汽车子集团)在内的行业头部客户合作，联合开发功能安全的压力传感器产品。　　依托精专的功能安全团队及深度协同能力，纳芯微正加速在多个领域推进功能安全项目，为全球汽车客户提供涵盖传感器、信号链、电源管理等领域的更高功能安全等级的芯片选择。
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发布时间：2026-01-22 13:06 阅读量：345 继续阅读>>
帝奥微16通道矩阵控制管理器DIA82664获A<span style='color:red'>SI</span>L-B功能安全符合性声明
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帝奥微16通道矩阵控制管理器DIA82664获ASIL-B功能安全符合性声明

　　近日，由帝奥微发布的汽车级16通道矩阵控制管理器DIA82664，成功获得ISO 26262 ASIL-B符合性声明，这标志着帝奥微继2024年通过 ISO 26262 ASIL-D功能安全流程认证后，在汽车电子领域再次实现关键进阶。　　ASIL(汽车安全完整性等级)是国际标准 ISO 26262 定义的汽车电子功能安全分级，其中 ASIL-B等级针对直接影响行车安全的关键零部件，是汽车电子领域公认的核心安全准入门槛，更是芯片可靠性与风险控制能力的重要背书。　　对于 ADB(自适应远光灯)大灯这类关乎夜间行车视野清晰度、对向车辆驾驶安全的核心系统，功能安全是产品落地应用的核心前提。通过 ASIL-B 认证，意味着产品在故障诊断、风险防控、持续稳定运行等方面满足了汽车行业的严苛要求，为终端行车安全增添关键一重防护。　　DIA82664是帝奥微推出的国内首款具有ASIL B功能安全等级、集成振荡器和EEPROM的汽车级16通道矩阵控制管理器，填补了国产化方案和技术的空白。它通过提供独立的像素级LED控制，实现了完全动态的自适应照明。该器件采用具有自主知识产权的Smart Driver技术，创新性地解决了客户端烧灯珠、烧芯片的应用痛点;高耐压设计，显著提高了芯片的可靠性;内置振荡器和EEPROM，结合极简的电荷泵外围设计，为系统小型化设计和EMC性能优化提供了极大便利。此外，该器件集成了UART接口，传输速率高达1Mbps，内置ADC支持多路复用输入，可对所有LED通道、IC芯片温度以及LED灯串电流进行实时采样。　　产品特性　　系列产品：DIA82664/4A/5A　　芯片功能安全等级: ASIL B　　集成16个旁路开关　　UART 串行通信(兼容 CAN 收发器)，速率高达 1Mbps;　　内置时钟以及用于同步器件的 LVDS 时钟驱动器;　　集成 10bit ADC，可用来检测每个开关的 LED 电压，灯串电流以及内核温度，并且支持2路通用 ADC输入(兼容热敏电阻)　　内置EEPROM确保fail safe状态下灵活的输出配置　　产品优势：　　- 线性平滑的开关性能　　- 高度集成化，极简外围　　- 优越的EMC性能　　近年来，帝奥微在车灯赛道进行全方位布局，以全场景技术矩阵重塑智能车灯新范式，现已构建覆盖头灯、尾灯、氛围灯三大核心领域的完整解决方案体系，并随着车灯产品的系列化与差异化，持续加速客户端应用落地。　　DIA82664满足功能安全等级 ASIL-B的能力要求，是帝奥微在汽车电子功能安全领域的又一重要突破。未来，公司将聚焦功能安全与集成化技术创新，推出更多高性能、高可靠性的车规级模拟芯片，助力车企打造更安全、更具性价比的智能出行方案!
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发布时间：2026-01-12 13:05 阅读量：606 继续阅读>>
思瑞浦TPT1463Q车载CAN收发器，以<span style='color:red'>SI</span>C技术与卓越EMC性能护航行车安全
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思瑞浦TPT1463Q车载CAN收发器，以SIC技术与卓越EMC性能护航行车安全

　　在汽车智能化、电动化加速推进的当下，CAN总线作为整车电子系统的 “神经网络”，数据传输稳定性直接关乎行车安全。思瑞浦深耕车载芯片领域，全新推出汽车级CAN收发器 TPT1463Q，凭借出色抗干扰设计，通过IEC62228-3国际标准与德国大众VW80121-3标准规范认证，为全球车企提供高可靠、高性能解决方案。　　全流程国产化供应链自主可控　　为客户排忧解难　　TPT1463Q不仅性能对标国际一流水平，更实现全流程国产化：　　晶圆环节：采用国内成熟汽车级工艺平台，核心材料与制造流程本土供应，规避国际供应链波动影响;　　封装环节：采用国内头部企业汽车级封装方案，提供SOP14与DFN14两种封装形式，DFN14封装支持AOI检测，兼顾小型化与生产可靠性;　　测试环节：全项测试由国内具备汽车电子认证资质的实验室完成，保障性能符合车载标准，缩短研发与量产周期。　　全流程国产化既保障供应链稳定安全，又能通过本土产业链协同降本，为国内车企提供高性价比自主可控方案。　　全项通过IEC+VW双标准　　为车企提供新选择　　随着汽车智能化、电动化升级，整车电子模块数量激增，电磁环境愈发复杂，对核心器件的EMC性能要求更为严苛。思瑞浦TPT1463Q凭借卓越的芯片设计，不仅通过了IEC62228-3各项标准规范，更通过了大众集团VW80121-3，2023-12对CAN FD-SIC标准要求，实现无特殊条件备注下全测试向量通过Class-3最高等级。涵盖四大核心测试维度，全面覆盖车载场景电磁干扰风险，在抗干扰功率、瞬态防护等关键指标上设置更高阈值，充分验证芯片在复杂车载环境中的稳定性。　　VW 80121-3, ed. 06-2022　　IEC 62228-3　　具体测试表现如下表：　　TPT1463Q IBEE/FTZ-Zwickau 认证测试结果　　EMC性能再提升　　为客户降本增效　　TTPT1463Q的优异EMC性能源于针对车载复杂干扰场景的创新硬件设计。其内置总线对称性调节电路，优化总线输出信号对称性以削弱电磁辐射，无额外屏蔽措施时仍可能满足整车EMC要求，帮助客户简化设计、减少PCB板面积占用、降低系统成本。　　TPT1463Q CE测试结果　　高抗扰电路设计：　　TPT1463Q内置 “差分信号增强单元”，兼顾高速通信和高抗扰性能，在2Mbps/5Mbps高速通信场景下，无需依赖行业常规的共模电感即可实现高抗扰性能，在BCI大电流注入测试中，无共模电感情况下在0.1-400MHz全频率范围干扰功率最高200mA，仍能稳定通信，这一性能既保障强干扰环境下高速传输稳定，又节省外围器件成本与PCB空间，降低故障风险，提升系统可靠性。　　TPT1463Q DPI测试结果　　TPT1463Q在5Mbps速率下DPI测试结果>Class3　　(无总线共模电感)　　IOPT测试通过　　为整车总线互联互通保驾护航　　TPT1463Q通过C&S互联互通一致性与兼容性测试(IOPT 测试)，在2M/5Mbps不同速率下的复杂组网异构场景中，展现出与国际竞品的良好通信能力，具备与整车CAN总线上下游设备的无缝对接能力，可与其他C&S认证CAN收发器无障碍通信，无需车企投入大量资源进行整车兼容性测试，缩短车型研发周期。　　TPT1463Q C&S认证测试结果　　此外，C&S参考CiA 601-4专项测试规范，搭建特定振铃网络模拟复杂车载信号干扰场景，重点考察接收端表现。TPT1463Q依托出色的SIC振铃抑制电路设计，有效抑制信号振铃，保障干扰环境下数据可靠通信，充分验证了其在复杂车载通信场景的稳定性与兼容性。　　SIC振铃网络　　TPT1463Q振铃抑制表现　　TPT1463Q功能优势　　为客户提供更优方案　　TPT1463Q的CAN SIC功能通过精准电路设计构建完整振铃抑制机制。当总线电平从显性转隐性出现振铃时，内置电路实时捕捉电平边沿变化，快速激活抑制模块，动态调整总线电平以维持信号完整性，大幅降低误码率，确保CAN FD在复杂拓扑环境中高速可靠通信。　　无SIC功能表现　　有SIC功能表现CAN SIC功能的价值在于解决CAN FD协议在复杂星型拓扑、高传输速率场景下的信号振铃问题;在复杂组网条件下为车载提供高效可靠的通信网络。　　TPT1463Q产品优势：　　通信速率突破上限：实测速率高达10Mbps，远超CAN FD标准的5Mbps，满足ISO11898标准对8Mbps的要求，传输延迟更低，适配智驾、座舱等高数据量传输场景。　　多模式切换、控耗适配新能源：支持Normal、Standby、Listen-only、Sleep四种工作模式，休眠模式通过INH控制实现超低功耗，可通过总线远程唤醒或KL15信号本地唤醒，匹配新能源汽车低功耗需求;　　误码率显著降低：强效抑制信号振铃，强电磁干扰环境下仍能精准传输数据，保障车辆控制系统稳定运行。　　组网灵更灵活：打破传统CAN FD适用局限，多节点复杂星型组网下仍保持高质量总线电平波形，拓扑设计更灵活。　　宽压供电降设计复杂度：VIO采用1.7~5.5V宽压供电，直接兼容车载MCU、传感器等不同电子模块，无需额外电压转换电路，简化系统设计。
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发布时间：2026-01-12 13:02 阅读量：352 继续阅读>>

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