旺季需求带动均价小幅上扬，<span style='color:red'>DRAM</span>第三季总产值将续创新高
行业新闻

旺季需求带动均价小幅上扬，DRAM第三季总产值将续创新高

进入下半年，各大DRAM厂已陆续洽谈第三季合约价格，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，受惠于买方急欲增加库存水位以及第三季传统旺季需求来临，即便供给位元成长逐季增加，平均销售单价仍可望小幅上扬。DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出，回顾第二季，各供货商陆续转进1X或1Y纳米制程，虽然陆续传出有良率不甚稳定或量产品出现质量疑虑的状况，但相较第一季，供货位元季成长仍有3.2%。然而，就买方而言，由于库存尚未达到安全水位，因此仍有相对稳健的拉货动能，带动DRAM整体均价呈现微幅季成长。展望第三季，由于1X或1Y纳米的比重将持续增加，DRAMeXchange预估，第三季供货位元成长可望达4.8%，但在旺季需求的支撑下，DRAM价格仍会持续小幅上扬，带动第三季DRAM总产值续创新高。高端手机与数据中心支撑主流需求；图显内存购买动能骤减从产品类别来看，第三季DRAM价格涨幅主要由服务器内存与行动式内存带动。服务器内存的需求较第二季稳健提升，因此出货至一线厂的主流服务器模组价格仍有1-2%的上涨空间。但由于供货率(fulfillment rate)至今年年初起一路提升，因此价格上涨有限，且第三季服务器内存在一线厂与二线厂的报价区间不会有太大的差异。以行动式内存而言，价格的涨幅主要由Android高端手机在高容量LPDDR4采用量提升所支撑。近期推出的高端手机已将DRAM容量提升至6GB甚至是8GB，也使得LPDDR4系列不论是在分离式(Discrete)或者是eMCP的供应皆看紧。预期第三季整体行动式内存价格在高端机种的带动下有机会出现1-2%的涨幅。而图显内存与利基型内存受到虚拟货币(cryptocurrency)需求骤减影响，原先预估的涨幅可能完全消失。尤其图显内存经历上半年的价格飙涨，恐怕导致价格在下半年出现下跌。下半年DRAM价格续涨，然涨幅持续收敛整体而言，虽然10纳米级带来的位元成长不若先前世代明显，但随着供货商在今年上半年陆续导入，将持续贡献未来数个季度的位元增长。以下半年来说，DRAMeXchange认为，虽然需求在旺季支撑下可望维持稳健，但已可观察到价格上涨幅度越来越小，在今年第四季更可能面临持平开出的状况。
关键词：
发布时间：2018-07-03 00:00 阅读量：2037 继续阅读>>
存储器市场:<span style='color:red'>DRAM</span>稳中小涨 NAND Flash将反弹
行业新闻

存储器市场:DRAM稳中小涨 NAND Flash将反弹

目前存储器市况呈现两样情况，DRAM持续稳健发展，价格平稳或小涨；NAND Flash则因供过于求，价格缓跌。外界预期DRAM市场第3季将可喜迎旺季，而NAND Flash市场价格也可稍有反弹。在DRAM厂中，南亚科受惠转进20纳米制程，5月业绩达83.26亿元（新台币，下同），续创单月历史新高纪录，不但位元销售量有所成长，同时销售价格也微幅走扬，累计前五月合并营收为348.04亿元，年增68.4%。有消息称该公司本季业绩的季增幅度可望挑战三成以上，而且其单月营收还可持续走高到第3季。南亚科本季位元销售量预期将季增17%至19%之间，第3季旺季，位元销售量可望持续攀高。外界也关注，该公司在转入20纳米制程后，切入服务器应用，相关产品若出货顺利，对其业绩将可有更高贡献。华邦电累计前五月合并营收为211.33亿元，年增18.3%，其今年整体存储器月产能预期将从4.8万片扩增至5.2万片，38纳米DRAM产品已于去年第3季量产，而新一代的25纳米DRAM也预计将于今年下半量产，对于业绩可望渐有挹注。而今年以来NAND Flash市场供给过剩，固态硬盘（SSD）价格直落，240GB TLC SSD价格在6月中旬下看40美元，虽然改写历史新低价，但因价格降至市场甜蜜点，反而意外引爆终端市场需求持续转强，下半年将进入智能手机NAND Flash备货旺季，SSD销售量能持续攀高。去年NAND Flash出现难得一见的缺货行情，虽然价格大幅飙涨，但也重创了终端市场实际需求，SSD销售动能在去年下半年几乎呈现停滞状态。而今年以来随着三星、SK海力士、美光、东芝等大厂纷纷量产64层3D NAND，NAND Flash市场供需关系明显改善，市场行情回归理性，价格的下跌反而开始陆续刺激出终端市场需求。随着上游NAND Flash原厂的64层3D NAND产能持续开出，且被大量应用在SSD产品线，今年以来高容量SSD价格持续下滑，6月中旬主流的240GB TLC SSD现货价已降至40～43美元区间，今年来累积价格跌幅约达3成，价格虽改写市场新低纪录，但却明显带动终端市场需求，SSD出货量持续拉升。模组业者表示，NAND Flash产品价格与终端市场需求呈现反向走势，价格愈高自然需求愈低。去年NAND Flash价格大涨虽带动SSD价格同步走高，但终端需求反而持续降低。今年以来市况正好反过来，NAND Flash及SSD价格持续走低，终端需求持续提升，近期240GB TLC SSD价格降至接近40美元关卡，反而刺激需求进入快速成长轨道，代表价格已跌到引爆需求的甜蜜点。分析人士认为，NAND Flash产业的供过于求状态，导致消费终端Client SSD价格随之走跌，然而价格走跌反倒刺激需求成长，预期NB产品的SSD搭载率今年将正式突破50%，其中，PCIe介面SSD取代目前主流SATA III介面SSD脚步也将加速，PCIe介面SSD渗透率也可望于今年挑战50%大关。业内普遍看好SSD下半年强劲出货动能，包括在NAND Flash及SSD模组的销售动能，以及SSD控制芯片强劲需求，新一代96层3D NAND及QLC（四阶储存单元）控制芯片也已准备就绪。根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的市场观察报告，2018年第一季NAND Flash品牌厂营收季减3%；第二季市场仍处于小幅供过于求的状态，eMMC/UFS、SSD等合约价持续下跌，但供货商希望透过更具吸引力的报价以刺激中高容量产品如256GB SSD、128/256GB UFS更高的位元需求成长，在传统旺季、苹果新机备货的需求助阵下，促使NAND Flash市场价格波动将回到较稳定的状态。
关键词：
发布时间：2018-06-22 00:00 阅读量：2445 继续阅读>>
中国商务部约谈美光,<span style='color:red'>DRAM</span>价格涨势恐将遭压抑
行业新闻

中国商务部约谈美光,DRAM价格涨势恐将遭压抑

全球内存市占率第三的美光半导体传出在5月24日被中国商务部反垄断局约谈，最主要原因是标准型内存已连续数季价格上扬，导致中国厂商不堪成本负荷日渐提高.全球内存市占率第三的美光半导体传出在5月24日被中国商务部反垄断局约谈。据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)查证指出，美光被约谈最主要原因是标准型内存已连续数季价格上扬，导致中国厂商不堪成本负荷日渐提高，加上限制设备商供货给福建晋华俨然是妨碍公平竞争行为。2018年第一季三星、SK海力士与美光在DRAM产业囊括约96%的市占率，与其他终端产品所采用的半导体组件相比，似乎已明显构成垄断的条件，未来反垄断调查的事件可能将持续发生，并且可能将压抑内存涨幅。DRAMeXchange指出，2018年第一季存儲器三大厂商三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率分别为44.9%、27.9%、22.6%，显示出DRAM明显已是寡占格局。而据了解，中国反垄断法最终目的在维护市场的公平竞争，任何具有市场支配地位的经营者，不得滥用该市场优势来操弄价格。另一方面，由于DRAM生产周期长达八周以上，从投入资本支出后，到新增产能、颗粒产出更长达至少一年，DRAM厂商最容易在反垄断条文中「限制商品中销售数量」被调查。中国为最大存储器需求国，紧盯内存价格涨势此外，中国市场对于全球DRAM和NAND的消化量已经高达20%与25%，存为儲器最大需求国。尽管中国各地正积极进行半导体扶植计划，但要达到「技术自主研发」与「稳定量产规模」两项目标仍需要至少数个季度以上的时间，对解决成本压力的燃眉之急是远水救不了近火。除了此次美光被约谈之外，今年年初存儲器龙头厂商三星半导体也被中国的国家发展和改革委员会约谈，虽然目前没有证据显示这二者事件有关联性，但足以显示中国官方对于DRAM价格高涨的重视。DRAMeXchange分析，由于中国占全球的存儲器的消耗量非常可观，且厂商对于中国市场普遍采取高度尊重的态度，因此相关事件无疑将造成后续内存价格上涨受到压抑。以DRAMeXchange最新资料指出，三大DRAM厂商今年首季营业利益率(OP Margin)已达50-70%的水位，不仅是历史最高，该产品的获利能力甚至超过技术层级更高的中央处理器(Application Processor)，此现象史上未见。而DRAM厂为改善供货吃紧状况，近两年持续增加资本支出，然在制程持续微缩困难的状态下，各厂唯有透过扩产才能有效增加供给，预估DRAM新产能开出态势将于2019年更为明显。
关键词：
发布时间：2018-05-28 00:00 阅读量：1744 继续阅读>>
首季<span style='color:red'>DRAM</span>营收季增5.4％,再创新高
行业新闻

首季DRAM营收季增5.4％,再创新高

根据集邦科技存储器储存研究（DRAMeXchange）调查显示，2018年第一季的DRAM价格走势，除了绘图用GDDR受惠于基期较低及加密货币（cryptocurrency）挖矿运算需求的增温，带动价格有15％显著上涨外，其余各应用别的DRAM在第一季约有3～6％不等的季涨幅，今年第一季全球DRAM总营收较去年第四季成长5.4％再创新高。DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出，观察第二季价格走势，OEM厂已陆续议定第二季合约价格。就一线大厂订价来看，4GB DDR4均价已来到34美元，较上一季平均涨幅约达3％。从市场面来观察，由于伺服器需求较佳、毛利高、获利空间较大，一线DRAM大厂持续将产能转往伺服器DRAM，加上全球DRAM产能将于年底才会逐渐开出，使得标准型DRAM仍维持价格上扬格局。观察全球DRAM大厂营收表现，三星依然稳坐DRAM产业的龙头，第一季营收再度创下历史新高达103.60亿美元，较上季成长2.9％；SK海力士第一季营收达64.32亿美元，较前季成长2.2％，两大韩厂第一季的出货量受到手机需求疲弱影响皆略有下滑，营收市占率分别为44.9％与27.9％，合计约73％，较前一季度微幅下降。美光集团仍旧维持第三，不过美光在报价上相对积极，今年上半年持续扮演市场中的价格领导者，价格上涨幅度高于其他两家韩厂，第一季价格上扬幅度超过10％，带动营收达52.13亿美元，季增14.3％，市占率较前一季提升约2个百分点来到22.6％。台系厂商部分，南亚科受到转进20纳米带来明显的位元成长，加上价格持续走扬，第一季营收较前一季大幅成长15.1％达6.42亿美元，20纳米的成本效益更带动营业利益率提升至44.3％。展望未来，南亚科在20纳米良率将继续向上，透过产品组合持续优化的带动，获利表现将可望进一步提升。力晶科技方面，除了替晶豪科、爱普等IC设计业者代工生意成长外，力晶本身DRAM事业的产品报价亦上扬，带动DRAM营收较上季成长8.2％达1.13亿美元。华邦电DRAM营收则约略持平，季成长1.2％达1.75亿美元，主要为利基型DRAM报价成长幅度较小所致。
关键词：
发布时间：2018-05-15 00:00 阅读量：2039 继续阅读>>
南亚科出货中兴遭管制 战火延伸到<span style='color:red'>DRAM</span>产业!
行业新闻

南亚科出货中兴遭管制 战火延伸到DRAM产业!

南亚科接获台湾“经济部”国贸的管制令要求出货中兴通讯须先经过申请并通过核准才能放行，这意味着相关事件已从手机通讯相关领域，延伸至DRAM产业.近日，台湾最大的内存芯片制造商南亚科证实，已接获台湾“经济部”国贸的管制令要求出货中兴通讯须先经过申请并通过核准才能放行的通知，南亚科近期将向“经济部”提出申请出售关键内存给中兴通讯，该公司短期内出货中兴将受影响，这意味着相关事件已从手机通讯相关领域，延伸至DRAM产业，引起业界高度关注。DRAM即动态随机存储器，是最为常见的系统内存，比如手机里的4G、6G内存。除了智能手机之外，DRAM也是个人电脑、平板电脑、数据服务器等设备不可或缺的芯片部件。联发科后南亚科也遭管制，短期内出货中兴恐受影响美国商务部上月17日向中兴通讯发出长达七年的出口管制禁令，要求所有美商不得出售零组件给中兴通讯。 台湾“经济部”国贸局传出随后也对联发科发出公文，要求若要出货给中兴通讯，必须依进出口管制规定，提出申请，通过后始得出货。联发科则随后提出申请获准。如今传出南亚科也遭到管制，对于每月出货中兴的实际金额，南亚科并未透露，仅表示中兴通讯是该公司客户，虽然营收占比不高，但依照“经济部”的要求，已提出申请审核，只要对方保证所采用的内存不会用于输往违反美国禁令的地区，还是可以卖给中兴通讯， 不过短期内南亚科出货中兴通讯恐受申请程序而拖延。南亚科强调，目前DRAM供给短缺，货源相当抢手，不担心美国对中兴通讯出口管制，会影响南亚科业务。 不过，如果华为也受到美方制裁，影响性恐怕会比中兴通讯还大，南亚科会密切注意后续发展。全球存储器市场增长强劲2017年，全球存储器市场收入增加近500亿美元，达到1300亿美元，较2016年上涨61.8%。存储器市场的强劲增长带动半导体产业收入上升。2017年，全球半导体收入共计4204亿美元，较2016年上涨21.6%。中国在全球存储芯片市场消耗的量至少占1/2到1/3，但目前自主生产的 DRAM 芯片为零。全球市场目前几乎已经被三星（韩国）、美光（美国）和SK海力士（韩国）三家企业垄断。截至2017年年中，这三家公司总共占据全球DRAM芯片市场96%的份额。中国存储器市场投资超千亿，有望在2019年量产紫光国芯在2016年和2017年先后宣布在武汉和南京建厂，研发和生产NANO FLASH闪存和DRAM 存储芯片，两个半导体基地共计投入540亿美元。今年4月，紫光国芯宣布获准一笔13亿元的债券融资，其中1.9亿元将用于高性能第四代DRAM存储器项目建设。目前紫光国芯的DRAM存储器芯片已经形成了较为完整的产品系列，接口覆盖 SDR、DDR、DDR2 和 DDR3 DRAM等。除了国家队紫光国芯，中国DRAM存储芯片厂商还包括合肥长鑫和福建晋华。2016年底，兆易创新联合合肥长鑫投资494亿元建设DRAM存储器基地。同年，福建晋华则与台湾联华电子合作，一期投资370亿元，在晋江建设12英寸晶圆DRAM厂。整体而言，中国在存储芯片市场上的投入已经达到数千亿规模。业内人士预测，中国存储器三大厂商——长江存储（紫光控股）、合肥长鑫和福建晋华的试产时间都在2018年下半年，量产时间在2019年上半年。
关键词：
发布时间：2018-05-09 00:00 阅读量：2197 继续阅读>>
长鑫存储300 台设备到位,中国首颗19纳米12寸<span style='color:red'>DRAM</span>今年推出!
行业新闻

长鑫存储300 台设备到位,中国首颗19纳米12寸DRAM今年推出!

长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备基本全部到位，今年下半年将投片试生产......4月15日，主题为“筑梦‘芯’高地，扬帆‘芯’征程”的国家集成电路重大专项走进合肥。本次活动持续两天，是集成电路业内的“顶尖级”盛会，首颗“合肥造”存储器有望于今年下线。由国家集成电路重大专项实施管理办公室、集成电路产业技术创新战略联盟、省经信委和合肥市政府主办，着力打造长江经济带泛半导体创新绿色发展先进产业集群。据了解，长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备基本全部到位，运营及研发团队全部入驻厂房办公区，今年下半年将投片试生产，大批知名品牌的电子产品有望在明年用上“合肥造”的存储器芯片。长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国表示，截至4月15日，企业已经有1174名技术人员，44%来自省内。工厂在1月份开始设备安装，有望在2019年年底产能达到每月2万片。项目建成投产后，预计将占据世界DRAM市场约8%的份额。目前长鑫项目正在装机过程中。今年有望造出第一颗“合肥造”的19纳米级12寸DRAM工艺的存储器，这是几年团队默默工作的成果。据了解，这也将会是首颗“合肥造”存储器。
关键词：
发布时间：2018-04-17 00:00 阅读量：2477 继续阅读>>
<span style='color:red'>DRAM</span>报价超预期 IC insights大幅上修今年IC成长预估值
行业新闻

DRAM报价超预期 IC insights大幅上修今年IC成长预估值

因DRAM、NAND等内存报价上涨、需求强劲，调研机构3月14日发布最新研究报告，将2018年全球IC市场成长预估值拉高近一倍，从原本的8%一口气上修至15%。IC Insights3月14日发表研究报告指出，由于DRAM、NAND内存需求不减、产品报价强劲，故出手上修全球IC市场成长率至15%，若扣除掉DRAM市场，今年全球IC市场成长率则仅只有10%。IC insights指出，今年DRAM均价远优于预期，估计将较去年跳增36%，延续去年大涨81%的上升走势，而去年均价跳涨45%的NAND，今年报价也有望续增10%。相较之下，DRAM、NAND今年的位出货量成长率则只将达到1%、6%。基于上述预测，IC Insights认为，今年DRAM的全球市场规模有望成长37%，远优于先前估计的13%，而NAND则将成长17%、也高于先前估计的10%。3月6日，IC Insights绘制图表显示，DRAM的价格一直在急剧上升，每Gb DRAM芯片的价格在2018年1月份达到0.97美元，同比增长47%，这一增幅甚至比30年前的45%峰值还要夸张。报告称，2018年DRAM市场的整体规模预料会达到996亿美元，比NAND的621亿美元大幅超出375亿美元，成为IC业界规模最大的产品类别。从该机构制作的图表可以看出，过去五年来，DRAM已成为左右全球IC成长的关键因素。CNBC、路透社等外电报道，Nomura Instinet分析师Romit Shah 3月12日发表研究报告指出，年初以来，内存报价仅下滑3%，跌幅远不如过去三年的Q1平均跌幅(10~20%)，预估未来六个月报价有望上扬10%。研究显示，供货商应该会在Q2、Q3开始涨价，跟市场原本预测的“未来四季报价每季会跌5-6%”大相径庭。
关键词：
发布时间：2018-03-16 00:00 阅读量：1882 继续阅读>>
太子回归,三星将兴建平泽二号厂扩产<span style='color:red'>DRAM</span>
行业新闻

太子回归,三星将兴建平泽二号厂扩产DRAM

业界消息人士透露三星可能将兴建第二座厂房扩产DRAM，据悉目前该投资案已通过审议。若拍板定案，将是官司缠身的三星集团少东李在镕5日当庭获释之后，公司头一笔重大投资决策......三星考虑加码投资位于平泽的芯片厂以因应市场畅旺的半导体需求。据韩媒引援知情人士消息报道，三星已经决定启动在韩国平泽市存储芯片厂区兴建第二条生产线的投资计划，该投资案已审议通过。三星最高决策委员会周三稍早前召开投资会议，报导指出权五铉（Kwon Oh-hyun）、尹富根（Yoon Boo-keun）、申宗均（Shin Jong-kyun）等三大巨头全部出席，且以无异议通过投资案。Businesskorea 报导，三星韩国一号厂耗资15.6万亿韩元打造（约144亿美元），该产线去年7月投入量产，三星已计划再投入14万亿韩元，用以扩充该厂DRAM产能。观察家指出，二号厂投资规模应该不会亚于一号厂，也就是说总投资金额应该会逼近30万亿韩元。值得一提的是，三星副会长李在镕（Lee Jae-yong）日前刚获释，虽然三星官方说投资案与此无关，但仍被视为三星可能回复独特快速决策的象征。根据三星6日发布的电邮声明，这桩投资和“工厂的结构性基础”有关，公司将视市场状况随时调整决策。面对媒体求证时，三星电子副总裁尹富根仅低调表示，公司将快速处理所有重大的商业决策。
关键词：
发布时间：2018-02-09 00:00 阅读量：2003 继续阅读>>
<span style='color:red'>DRAM</span>价格垄断有前科,发改委约谈三星
行业新闻

DRAM价格垄断有前科,发改委约谈三星

据报道，中国经济监管机构密切关注手机存储芯片近期价格飙升势头，或将调查潜在的公司价格操纵行为，且已就此问题约谈三星。业内人士猜测几大寡头之间存在价格联盟，毕竟这一价格联盟在2000年期间曾经出现，后被美国司法部处以7.3亿美元罚款，怀疑三星、海力士等公司是否在故技重施...... 据路透社援引《中国日报》周三报道，中国经济监管机构密切关注手机存储芯片近期价格飙升势头，或将调查潜在的公司价格操纵行为。 发改委价监局处长徐新宇说：“我们已经注意到价格飙升状况，将更加关注该行业未来可能因‘价格操纵’引起的问题。”他还表示，可能有多家公司协同行动，尽量推高芯片价格，谋求获利最大化。供应紧张和需求激增引发的记忆体芯片行业“超级周期”，推高了三星电子和SK海力士等芯片制造商的产品价格和获利。 据21世纪经济报道称，中国监管机构收到多家手机厂商投诉，开始关注存储器价格飙涨问题，据悉发改委已经约谈三星。 多位业内人士猜测存储器巨头存在价格联盟。EE World也指出，中方怀疑三星电子、SK海力士、美光（Micron）涉及操纵价格，中国发改委考虑展开调查。 不过，目前三星和SK海力士都说未遭中方正式调查、也尚未接获通知。 韩国经济日报25日社论则称，全球需求大增，DRAM价格自然水涨船高。Hankyoreh否认韩厂操控价格，表示价格飞涨是因全球供不应求，中方大动作是想施压韩厂降价。 自2016年第四季度开始，DRAM和NAND Flash的价格就开始不断上涨，随即引起内存条和固态硬盘等产品的价格大幅上涨——原本能够买到128G MLC颗粒固态硬盘的价格，现在连128G TLC颗粒的固态硬盘都未必能买到，而内存条的价格更是吓人，一年内的价格增幅一度达到300%。 DRAMexchange数据显示，11月为止，DDR4价格升至3.59美元，与2016年6月的1.31美元相较，上涨超过2倍。据台湾相关产业链消息，三星、海力士陆续通知明年首季调涨DRAM售价3%-5%，存储产品价格上涨仍将持续。 全球存储芯片供应商只有三星、美光、东芝、海力士、西部数据等企业，其中，三星、美光、海力士在DRAM市场占据90%以上的市场份额。 作为全球最大的电子产品的生产地、消费市场，中国成为这一波涨价最大的承压市场。但PC、手机厂商在几家寡头面前几乎没有价格话语权。即便是最擅长供应链管理的富士康对价格也无能为力，一位富士康人士告诉记者：“已经明显感觉到市场饱和了，年初是拿着钱买不到产品，现在是给钱就能买到，但价格就是居高不下。” 巨额涨幅给这些芯片巨头带来丰厚利润。三星最新财报显示，2017年Q3三星收入545亿美元、同比增长29.7%，净利润127.6亿美元、同比增长179.47%。2017年前三季度，三星总收入1524.56亿美元，同比2016年前三季度的1304.46亿美元增长16.8%，但2017年前三季度利润为338.1亿美元，同比增长92.3%。 值得一提的是，2017年Q2，得益于存储芯片价格持续上涨，三星半导体部门收入157.3亿美元，超过Intel的147.63亿美元，首次成为全球最大芯片企业。2016年6月1日至今，三星股价从133万韩元涨至255.4万韩元，涨幅90%。2017年11月，三星创造近十多年来的最高股价，达到286万韩元。 价格垄断有前科 多位业内人士猜测几大寡头之间存在价格联盟，毕竟这一价格联盟在2000年期间曾经出现，后被美国司法部处以7.3亿美元罚款，属于当时美国历史上第二大反垄断罚款。 2000年，全球遭遇互联网危机，PC市场规模大幅衰减，当时三星、海力士、英飞凌、美光等企业刚刚经历过扩产，DRAM价格随之跳水。DRAM市场规模从2000年的288亿美元跌至2001年的110亿美元。 但其后，DRAM价格在市场并未起色的情况下又迅速反弹，半年时间价格涨幅超过300%。包括Dell、HP、苹果、IBM等公司直接承受涨价带来的成本压力。这一情况引起美国司法部注意，2002年美国司法部向美光、三星、海力士、英飞凌等公司发出传票，控告其价格垄断行为，并于随后启动调查。 调查中，美光科技率先认罪自首免于处罚，其后，2005-2006年间，三星、海力士、英飞凌、尔必达先后承认价格垄断行为，三星被处罚3亿美元，海力士、英飞凌、尔必达分别被罚款1.85亿美元、1.6亿美元、8400万美元，总计7.29亿美元。 三星3亿美元处罚主要为垄断收入罚款，美国司法部认定三星在1999-2002年间存在价格垄断行为，其间DRAM在美国销售额达到12亿美元，这些销售额按照20%比例处以罚款，达到2.4亿美元。需要指出，这一比例高于国内罚款标准。此前，发改委对高通处罚时，罚款基准为高通2013年在中国收入的8%。 虽然并不确定监管部门是否会对目前持续涨价的存储产品进行反垄断调查，但可能出现的价格联盟情况值得警惕。
关键词：
发布时间：2017-12-28 00:00 阅读量：1931 继续阅读>>
<span style='color:red'>DRAM</span>价格连涨7个季度,中国发改委或启动垄断调查
行业新闻

DRAM价格连涨7个季度,中国发改委或启动垄断调查

本月中旬台湾媒体报道，因DRAM严重供不应求，全球内存芯片龙头三星明年首季再涨价3%至5%之后，业界二哥南韩SK海力士下季也将涨价约5%，全球DRAM价格连续七季上扬，这一现象引起了国家发改委的关注...... 台湾DRAM相关厂商透露，三星、SK海力士陆续通知明年首季调涨DRAM售价,另有国内OEM大厂高层主管表示，近期拜访韩系记忆体厂讨论明年采购量，业者明示明年第一季DRAM合约价格续涨5～10％后，第二季恐将续涨5％以上。 由于需求太强劲，此波DRAM价格从去年下半年以来每季都调涨，加计下季持续涨价，报价连续七季走扬，堪称DRAM史上时间最长的多头行情。据IC Insights估计，第四季DRAM销售金额将来到211亿美元，较去年同期跳增65%，且是有史以来最佳记录。市场消息称，内存价格持续暴涨，8GB单条一度逼近1000元大关，直到最近才开始有所回落，但依然是两年前的三倍有余。 全年来看，DRAM市场预估成长74%，较1993-2017年平均水平高61个百分点，也是继1994年成长78%以来最强成长动能。 长期以来，DRAM内存颗粒行业由韩国三星、SK海力士和美国美光三强把持，市场份额分别高达45.8%、28.7%、21.0%，合计超过九成。 这个历时长、涨幅猛的涨价现象已引起国家发改委的注意。媒体报道称，过去几个月不断有终端厂商向国家发改委反映内存行业情况，据传发改委近期已经开始关注产业的相关动态，不排除未来对DRAM进行调查，以确定是否存在垄断行为的可能。
关键词：
发布时间：2017-12-21 00:00 阅读量：1828 继续阅读>>

跳转至

/ 7

热门分类
半导体 电路保护 机电产品 嵌入式解决方案 连接器，互连器件 传感器，变送器 光电元件 开发套件 测试与测量 电源 风扇，热管理 盒子，外壳，机架 电缆，电线 无源元件 其它
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

关于我们
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码