SiC主驱模块推进华润微深入融合新能源汽车领域

发布时间：2025-04-08 09:28
作者：AMEYA360
来源：华润微
阅读量：1330

　　随着消费者对续航和性能要求的提高，我国新能源汽车市场延续结构性升级趋势，主驱功率显著提升，高功率车型占比快速攀升。SiC主驱模块以其特有的高功率密度、高系统效率、耐高温等性能匹配新能源汽车发展需求，推动了SiC主驱功率模块市场快速增长。根据IDTechEX预测，全球新能源汽车SiC主驱渗透率将在2025年达到约40%，2030年达到50%，与Si IGBT持平，其中，国内SiC在乘用车主驱模块中的渗透率达到18.9%，800V高压平台车型的SiC渗透率为71%‌。随着主驱功率的不断提升，SiC模块在降低能耗和提升系统效率方面的优势进一步凸显。

　　一、产品简介

　　基于公司成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)推出了1200V 450A/600A的半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块。该系列模块兼具SiC器件的低导通损耗、耐高温特性以及DCM、HPD模块的高功率密度、高系统效率等优异性能，在汽车主驱系统应用中展现出了强大的竞争力。

　　二、封装外形

SiC主驱模块推进华润微深入融合新能源汽车领域

　　三、产品优势

　　性能对标国际主流产品。

　　6管/8管并联，通过对Vth的严格分档提高芯片一致性。

　　采用自主设计的Si3N4 AMB、银烧结、DTS工艺，均流特性好，寄生电感小。

　　采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃。

　　集成NTC温度传感器，易于系统集成。

　　产品外形及pin脚设计兼容市面主流产品。

　　DCM模块竞品对比：

　　华润微DCM模块开关损耗较竞品A有明显优势

SiC主驱模块推进华润微深入融合新能源汽车领域

　　 HPD模块竞品对比：

       华润微HPD模块开关损耗较竞品B有明显优势

SiC主驱模块推进华润微深入融合新能源汽车领域

　　四、应用优势

　　在水温65℃，相电流400Arms条件下运行，通过模块内部PTC电阻检测，模块内部温度为92℃。

　　模块每天持续运行8小时，累计运行160小时，各项参数无明显变化。

　　台架测试，华润微DCM模块效率表现优异。

　　均流测试，华润微DCM模块芯片间最大温差为1.78℃。

SiC主驱模块推进华润微深入融合新能源汽车领域

　　五、设计优化

　　采用创新的Pin-Fin设计，最高结温较传统Pin-Fin设计降低10℃。

　　通过内部布局优化设计，芯片结温较竞品降低6℃。

　　六、结语

　　PDBG基于自有的SiC IDM平台以及车规级SiC MOS系列产品，将持续推出更多SiC车规模块供客户选择，给予客户高效率、高功率密度、高可靠性的使用体验，推动电动汽车技术迭代并满足不断变化的市场需求。华润微通过持续的技术创新，致力于为新能源汽车主驱应用提供更高效、更可靠的解决方案，助力行业迈向高效未来。


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　　12月4日，2025行家说第三代半导体年会“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳举行。行家极光奖被誉为产业“金标杆”，华润微电子再度荣膺“中国SiC器件IDM十强企业”与“中国GaN器件十强企业(润新微)”称号，蝉联“双十强”荣誉彰显了行业对华润微在第三代半导体领域技术实力与市场地位的高度认可。　　华润微依托IDM商业模式优势，在第三代半导体领域深耕多年，产品技术规模国内领先，SiC和GaN产品销售收入同比实现高速增长。　　华润微电子再度荣膺“中国SiC器件IDM十强企业”　　在SiC领域，公司最新SiC MOS G4与JBS G3平台已全部量产，基于MOS G4平台开发了650V/1200V两大电压共数十颗产品，陆续通过AEC-Q101认证;相较于G2代产品，G4代产品RSP下降20%，Ron温升系数也优化下降，功率密度和转换效率显著提升。器件支持QDPAK、TOLT、MSOP等顶部散热封装，适用于OBC、AI服务器电源等高功率密度场景。模块方面，基于G4芯片的HPD/DCM/VD3等封装的主驱模块产品完成系列化，最低导通电阻仅1.6mΩ，系统损耗再降一档，目前部分产品已实现批量上车。　　技术布局上，8英寸SiC MOS于2025年8月顺利产出，参数、良率均达预期，已经开始产品系列化工作。2200V高压平台完成验证并启动系列化，公司实现650V-2200V全电压段一站式覆盖，自有晶圆产线掌握核心工艺，良率与质量管控满足高端车规，新能源汽车、充电桩、光伏、数据中心等标杆客户均已稳定批量提货。　　华润微电子再度荣膺“中国GaN器件十强企业(润新微)”　　在GaN领域，华润微在技术迭代、产能建设与客户合作等多个维度取得关键突破。针对不同电压等级GaN器件，公司采取双轨技术路线：在650V及以上高压器件领域，公司首先采用D-mode技术路线并依托6英寸晶圆产线实现规模化量产。其中，600V-900V产品已完成G3迭代,且进入了量产阶段,G4平台的大功率工控类产品已成功通过客户验证，并完成DFN、TOLL、TOLT、TO-252、TO-247、TO-220等多类封装规格的拓展适配，G5平台已启动研发。　　在40V-650V器件领域，公司同步采用E-mode技术路线，并依托8英寸晶圆产线进行生产。G1平台的工艺开发已经完成，其中40V双向充电OVP保护器件已通过可靠性验证，进入小批量试产阶段并进入国内头部手机用户供应商序列;40V单向、80V、100V、650V等不同规格的器件研发持续推进。此外，华润微已在GaN E-mode外延结构及器件领域完成多项自有专利布局，为后续角逐高端市场竞争构筑起坚实的技术壁垒。　　产能建设方面，公司外延中心正式投用，产能稳步提升;8英寸E-mode外延能力打通，计划于年底启动研发。 D-mode和E-mode成熟工艺平台加速迭代，产品供应持续扩大;新建平台开发工作持续稳步推进，预计在较短时间内会形成产品交付能力。华润微GaN产品具有高效率、低能耗、高频率、小体积等优点，可广泛应用于手机快充、数据中心电源、5G通信电源、高端电源、伺服电机、车载信息娱乐系统及汽车、人工智能计算芯片供电、人形机器人、激光雷达等应用领域。　　在全球数字化与智能化浪潮中，以SiC和GaN为代表的第三代半导体正迎来前所未有的市场机遇期。未来，华润微电子将坚持技术引领，坚定全产业链布局，加速SiC和GaN产品迭代与产能释放，以更高效、更可靠的半导体解决方案，助力客户实现价值突破，携手产业链伙伴共同推动第三代半导体产业的创新升级与可持续发展。
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华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车
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　　近日，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要突破，PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片，采用ValueDual封装，6/8管并联设计，最低导通电阻1.6mΩ，兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势，在商用车主驱系统应用中表现优异。　　一、产品核心特性　　高阻断电压与低导通电阻　　驱动简单易并联　　低电感封装避免振荡　　采用AMB技术　　二、应用领域　　xEV应用　　电机驱动　　智能电网、并网分布式发电　　三、产品列表　　第四代SiC MOS平台　　已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时，通过设计和工艺创新，进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数，显著提升功率密度和运行效率，为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。　　PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化，开发650V和1200V两个电压平台，推出十余个标准规格产品，同时搭配公司成熟的插件、贴片封装，包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装，产品综合性能表现优异，已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户，并实现批量供货，为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。　　第四代SiC MOS产品列表　　结语　　依托华润微电子在SiC领域长期沉淀的深厚技术积累，以及IDM商业模式所具备的独特优势，PDBG将持续对SiC产品系列进行迭代升级，不断优化产品性能。与此同时，积极开发与SiC特性相匹配的新型单管和模块封装形式，最大化发挥SiC器件的优势。未来，PDBG将凭借领先的技术和优质的产品，助力整机应用朝着高效化、轻量化的方向升级，为客户提供更具竞争力的产品选择。
2025-10-16 15:06 阅读量：636
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　　9月5日，华润微电子在重庆园区召开12吋功率半导体晶圆生产线产品上量专题会，会上宣布项目提前一年半达成月产出30000片目标。华润微电子董事长何小龙，重庆经信委、发改委有关领导，大基金、西永微电园等股东代表，华芯投资相关领导，华润微电子副总裁庄恒前、战略发展部总经理李金明、功率器件事业群总经理李超及重庆12吋项目团队代表等共同见证这一重要时刻。　　华润微电子副总裁庄恒前代表项目团队作项目总结报告，宣布重庆12吋项目已于2025年8月达成月产出30000片项目目标，较原规划节点提前达成。这一重要进展标志着华润微电子在重庆成功建成国内竞争优势突出的12吋车规级功率半导体晶圆制造平台，实现了高端功率芯片技术自主可控、制造全流程可信供应。　　从项目启动到产能爬坡，团队直面行业周期性波动、产能竞争加剧、高端人才紧缺及多线协同管理等挑战，始终以技术创新为根本、以责任担当为驱动、以卓越运营为支撑，一路提速攻坚——仅用一年完成产线通线，两年半即实现月产出30000片目标，不仅刷新行业同类型晶圆制造项目建设速度纪录，更提前撞线原规划节点，为功率器件制造领域树立起新的标杆。　　重庆12吋项目致力于打造对标国际一流的高端功率器件晶圆生产线，已形成五大核心竞争力：　　设备领先：全新业界主流机台占比达95%，铸就全球一流的12吋功率器件专业晶圆生产线。　　智能制造：全球顶尖品牌天车系统及自动化排产系统，匹配自动化立体仓储，打造业界领先的无人化工厂。　　技术前瞻：产品布局对标全球最新工艺代次，SGT G6、SJ G4、IGBT G7等核心技术平台全面服务汽车、AI、算力中心等高端应用领域。　　IDM一体化：配套7万平米车规级功率模块封测基地，提供一站式IDM高效服务。　　质量可靠：建立全流程车规级质量体系，配备投资超2亿元、面积超4000平米，并通过30余项CNAS认可的车规级实验室，产品在线良率稳定在99.65%以上。　　华润微电子在重庆深耕八载，已建成涵盖设计研发、外延中心、晶圆制造、封装测试、销售服务等全产业链的车规级功率半导体产业基地。以12吋月产30000片为“加速键”，华润微电子在渝晶圆产能已占重庆已建产能的半壁江山(折合8吋)，助力重庆功率半导体规模跻身全国前三。
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