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ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET， 非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！

Release time：2024-08-07
author：AMEYA360
source：网络
reading：717

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载NchMOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种封装10种型号的新产品已经开始销售，未来会继续扩大产品阵容。

ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET， 非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！

　　在汽车领域，随着安全性和便捷性的提高，电子产品逐渐增加，使得所安装的电子元器件数量也与日俱增，而且，为了提高燃油效率和降低电耗，还要求降低这些产品的功耗。其中，尤其是在对于车载开关应用不可或缺的MOSFET市场，对导通电阻低、损耗低且发热量低的产品需求高涨。

　　ROHM一直在为消费电子和工业设备领域提供采用中等耐压新工艺的低导通电阻MOSFET。此次通过将这种新工艺应用于对可靠性要求高的车载产品，又开发出具有低导通电阻优势的10款车载Nch MOSFET新产品。不仅有近年来需求高涨的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封装产品，还有传统的TO-252封装产品，未来将会继续扩大产品阵容并持续供应。

　　新产品的耐压分别为40V、60V和100V，均通过采用split gate*3实现了低导通电阻，有助于车载应用的高效运行。所有型号的新产品均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，并确保高可靠性。

　　封装有适用于不同应用的3种形式。小型封装DFN2020Y7LSAA(2.0mm×2.0mm)和HSMT8AG(3.3mm×3.3mm)非常适用于高级驾驶辅助系统(ADAS)等安装面积较小的应用。另外还有已被广泛用于车载电源等应用的TO-252(DPAK)封装(6.6mm×10.0mm)。DFN2020Y7LSAA封装的引脚采用的是可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术*4，TO-252封装的引脚采用的是鸥翼型结构*5，安装可靠性都非常高。

　　目前，新产品暂以月产1,000万个(10种型号合计)的规模量产(样品价格500日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂)，后道工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)和ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360电商平台可购买。

　　未来，ROHM将致力于扩大车载用中等耐压Nch MOSFET的产品阵容。计划于2024年10月开始量产DFN3333封装(3.3mm×3.3mm)和HPLF5060封装(5.0mm×6.0mm)的产品，于2025年开始量产80V耐压的产品。另外还计划增加Pch产品。ROHM将继续扩大产品阵容，为车载应用的高效运行和小型化贡献力量。

　　<产品阵容>

ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET， 非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！

　　<应用示例>

  • 各种车载电机(汽车门锁、座椅调节器、电动车窗等)

  • LED前照灯

  • 信息娱乐系统、车载显示器

  • 高级驾驶辅助系统(ADAS)

　　<电商销售信息>

　　电商平台：Ameya360

　　(开始销售时间：2024年6月)

ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET， 非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！

　　<术语解说>

　　01. 导通电阻(Ron)

　　MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗(电力损耗)越少。

　　02. Nch MOSFET

　　通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。

　　03. split gate

　　一种将MOSFET的栅极分为多段以有效调整电子流动的技术。利用该技术可实现高速且高可靠性的运行。

　　04. 可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术

　　一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。

　　05. 鸥翼型结构

　　引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。

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ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃
行业新闻

ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”，该模型提升了收敛性和仿真速度。　　功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。　　新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此，能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。　　“ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款机型)已于2025年4月在官网上发布，用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后，以往模型仍将继续提供。另外，ROHM还发布了详细的使用说明白皮书，以帮助用户顺利导入新模型。用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载　　<相关信息>　　- 白皮书　　- 设计模型支持页面　　- SiC MOSFET技术文档　　未来，ROHM将继续通过提升仿真技术，助力实现更高性能以及更高效率的应用设计，为电力转换技术的革新贡献力量。
2025-06-10 15:57 reading：246
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
行业新闻

ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

　　~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件~　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)于6月3日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。　　RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外， 新产品同时实现了更宽SOA范围*3( 条件：VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低导通电阻(RDS(on))*4，由此既可确保热插拔(电源启动)工作时的更高产品可靠性，又能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。　　为了兼顾服务器的稳定运行和节能，热插拔电路必须具有较宽的SOA范围，以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路，与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A，实现业界超优性能，能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。　　RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ ，而RY7P250BM 的导通电阻则降低了约18% —— 仅有1.86mΩ ( 条件： VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。　　与此同时，RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件，预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中，RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。　　新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格800日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂)，后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。　　未来，ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。　　<开发背景>　　随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及，如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求，一直是个难题。在此背景下，相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外， 在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中， 需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的 MOSFET，以防止浪涌电流*5和过载时造成损坏。新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，从而提升服务器的可靠性并实现节能。　　<产品主要特性>　　<应用示例>　　・AI(人工智能)服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路　　・工业设备48V系统电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　・AGV(自动导引车)等电池驱动的工业设备　　・UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年5月起　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　产品型号：RY7P250BM　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)功率MOSFET　　适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3)SOA(Safe Operating Area)范围　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*4)导通电阻(RDS(on))　　MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*5)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。
2025-06-04 09:42 reading：251
ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产
行业新闻

ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

　　5月27日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。　　新产品是ROHM首款面向高耐压GaN HEMT的隔离型栅极驱动器IC。在电压反复急剧升降的开关工作中，使用本产品可将器件与控制电路隔离，从而确保信号的安全传输。　　新产品通过采用ROHM自主开发的片上隔离技术，有效降低寄生电容，实现高达2MHz的高频驱动。通过充分发挥GaN器件的高速开关特性，不仅有助于应用产品更加节能和实现更高性能，还可通过助力外围元器件的小型化来削减安装面积。　　另外，隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度(CMTI)*¹达到150V/ns(纳秒)，是以往产品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作，从而有助于系统实现稳定的控制。最小脉冲宽度较以往产品缩减33%，导通时间缩短至仅65ns。因此，虽然频率更高却仍可确保最小占空比，从而可将损耗控制在更低程度。　　GaN器件的栅极驱动电压范围为4.5V～6.0V，绝缘耐压为2500Vrms，新产品可充分激发出各种高耐压 GaN器件(包括ROHM EcoGaN™系列产品阵容中新增的650V耐压GaN HEMT“GNP2070TD-Z”)的性能潜力。输出端的消耗电流仅0.5mA(最大值)，达到业界超低功耗水平，另外还可有效降低待机功耗。　　新产品已于2025年3月开始量产(样品价格：600日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始网售，通过电商平台均可购买。　　EcoGaN™是ROHM Co.,Ltd.的商标或注册商标。　　<开发背景>　　在全球能源消耗逐年攀升的背景下，节能对策已成为世界各国共同面临的课题。尤其值得注意的是，据调查“电机”和“电源”消耗的电量约占全球总用电量的97%。改善“电机”和“电源”效率的关键在于采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料制造的、负责功率控制和转换的新一代功率器件。　　ROHM充分发挥其在硅半导体和SiC隔离型栅极驱动器IC开发过程中积累的技术优势，成功开发出第一波产品——专为GaN器件驱动而优化的隔离型栅极驱动器IC。未来，ROHM将配套提供GaN器件驱动用的栅极驱动器IC与GaN器件，为应用产品的设计提供更多便利。　　<应用示例>　　◇ 工业设备：光伏逆变器、ESS(储能系统)、通信基站、服务器、工业电机等的电源　　◇ 消费电子：白色家电、AC适配器(USB充电器)、电脑、电视、冰箱、空调　　<术语解说>　　*1) 共模瞬态抗扰度(CMTI)　　隔离型栅极驱动器的主要参数之一，指产品对短时间内发生的电压急剧变化的耐受能力。特别是驱动GaN HEMT等转换速率较高的器件时，容易产生急剧的电压变化，通过采用CMTI性能优异的栅极驱动器，可有效防止器件损坏，并降低电路的短路风险。
2025-05-28 09:04 reading：281
ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用
行业新闻

ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，达到业界先进水平。　　新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片面积的导通电阻。另外，通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计，仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。　　新产品中的ROHM自有结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面，并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加器件内部芯片面积的比例，从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗，还有助于支持大电流，使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。例如，对小型设备的双向供电电路进行比较后发现，使用普通产品需要2枚3.3mm×3.3mm的产品，而使用新产品仅需1枚2.0mm×2.0mm的产品即可，器件面积可减少约81%，导通电阻可降低约33%。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新产品的导通电阻也降低了约50%。因此，这款兼具低导通电阻和超小体积的“AW2K21”产品有助于降低应用产品的功耗并节省空间。　　另外，新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用，在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。　　新产品已于2025年4月开始暂以月产50万个的规模投入量产(样品价格500日元/个，不含税)。新产品在电商平台将逐步销售。　　ROHM还在开发更小体积的1.2mm×1.2mm产品。未来，ROHM将继续致力于提供更加节省空间并进一步提升效率的产品，助力应用产品的小型化和节能化发展，为实现可持续发展社会贡献力量。　　<开发背景>　　近年来，为缩短充电时间，智能手机等配备大容量电池的小型设备中，配备快速充电功能的产品日益增多。这类设备需要具备双向保护功能以防止在非供电状态时电流反向流入外围IC等器件。此外，为了在快速充电时支持大电流，智能手机等制造商对MOSFET有严格的规格要求，如最大电流为20A、击穿电压*5为28V至30V、导通电阻为5mΩ以下等。然而，普通MOSFET产品若要满足这些要求，就需要使用2枚导通电阻较低的大体积MOSFET，而这会导致安装面积增加。为了解决这个问题，ROHM开发出采用超小型封装并具备低导通电阻的MOSFET“AW2K21”，非常适用于大功率快速充电应用。　　<产品主要特性>　　<应用示例>      ・智能手机・VR(Virtual Reality)眼镜・小型打印机      ・平板电脑・可穿戴设备・液晶显示器      ・笔记本电脑・掌上游戏机・无人机　　此外，新产品还适用于其他配备快速充电功能的小型设备等众多应用。　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年4月起　　新产品在电商平台将逐步发售。　　产品型号：AW2K21　　<术语解说>　　*1)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写)　　一种采用金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管，是FET中最常用的类型。　　通常由“栅极”、“漏极”和“源极”三个引脚组成。其工作原理是通过向控制用的栅极施加电压，增加漏极流向源极的电流。　　Nch MOSFET是一种通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。　　共源结构的MOSFET内置两个MOSFET器件，它们共享源极引脚。　　*2)导通电阻　　MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。数值越小，工作时的损耗(功率损耗)越小。　　*3)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)　　在晶圆状态下完成引脚成型和布线，随后切割成芯片的超小型封装。与将晶圆切割成芯片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。　　*4)GaN HEMT　　GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料，与普通的半导体材料Si(硅)相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。　　HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。　　*5)击穿电压　　MOSFET漏极和源极之间可施加的最大电压。如果超过该电压，会发生绝缘击穿，导致器件无法正常工作。
2025-05-16 10:52 reading：407
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