苹果M5芯片首度曝光：台积电代工 用于人工智能服务器

Release time：2024-07-08
author：AMEYA360
source：网络
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　　据媒体报道，苹果M5系列芯片将由台积电代工，使用台积电最先进的SoIC-X封装技术，用于人工智能服务器。

　　苹果预计在明年下半年批量生产M5芯片，届时台积电将大幅提升SoIC产能。

　　目前苹果正在其AI服务器集群中使用M2 Ultra芯片，预计今年的使用量可能达到20万左右。

　　作为台积电先进封装技术组合3D Fabric的一部分，台积电SoIC是业内第一个高密度3D chiplet堆迭技术，SoIC是“3D封装最前沿”技术。

　　据悉，SoIC设计让芯片可以直接堆迭在芯片上，台积电的3D SoIC的凸点间距最小可达6um，居于所有封装技术首位。

　　与CoWoS及InFo技术相比，SoIC可提供更高的封装密度、更小的键合间隔，还可以与CoWoS/InFo共用，基于SoIC的CoWoS/InFo封装将带来更小的芯片尺寸，实现多个小芯片集成。

苹果M5芯片首度曝光：台积电代工 用于人工智能服务器

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芯片防电江湖：HBM、CDM、MM 竟是三大“防雷门派”？
行业新闻

芯片防电江湖：HBM、CDM、MM 竟是三大“防雷门派”？

　　一、你以为芯片最怕摔?错!真正的“芯片终结者”是隐形杀手“静电”!　　像脱毛衣的火花、指尖触碰的瞬间，都可能让芯片 “罢工”。—— 如果这股能量怼到芯片上，直接让它“当场去世”!　　这是因为静电放电超快(纳秒级)、电压超高(几千伏)，会直接击穿芯片内部精细电路。　　冷知识：芯片内部电路比头发丝细100倍，静电放电瞬间(比眨眼快10万倍!)能产生几千伏高压，会直接把晶体管“炸成渣”!　　二、江湖传言，芯片界有三大“防雷门派”，用生活场景类比，秒懂!　　1.HBM(人体模型)—— 防 “人摸电”　　模拟场景：组装工人没戴手环，指尖静电碰到芯片引脚。　　测试条件：电容100pF + 电阻1.5kΩ，脉冲宽度约200ns，电流峰值0.67A/kV。　　失效阈值：分为Class 1A(<250V)到Class 3B(≥8kV)，工业级芯片通常需满足≥2kV。　　2.CDM(器件充电模型)—— 防 “自放电”　　模拟场景：芯片在运输中摩擦带电，突然放电。　　测试特点：脉冲极短(<20ns)、电流峰值大(数十安培)。　　失效阈值：按125V~1000V分级，车规芯片要求≥500V。　　3.MM(机器模型)—— 防 “机器电”　　模拟场景：金属工具(如机械臂)碰到芯片引发的放电。　　测试条件：电容200pF + 电阻0Ω，脉冲能量更高失效阈值：通常低于HBM，工业级要求≥200V。(比 HBM 要求低但更“狠”)。　　三、一张表看懂三大模型差异　　四、防电避坑指南，给芯片“穿防弹衣”的绝招　　HBM：引脚别挤太近，多装“避雷针”(TVS管)　　CDM：减少芯片内部寄生电容，采用多层ESD保护结构　　HBM：遵循IEC 61000-4-2标准，整机需通过±8kv空气/±4kv接触放电测试　　结语　　ESD防护是芯片可靠性的根本，选择正确的模型并进行适当的测试，才能确保产品的“抗静电”能力达到最佳水平!
2025-06-17 09:46 reading：310
芯片管制升级！商务部：美方倒打一耙！中方坚决拒绝无理指责！
行业新闻

芯片管制升级！商务部：美方倒打一耙！中方坚决拒绝无理指责！

　　6月2日，商务部驳斥美方称中方违反中美日内瓦经贸会谈共识的言论。5·12声明发布后中方依规落实，美方却新增多项歧视性措施，包括发布AI芯片出口管制指南、停止对华芯片设计软件(EDA)销售等，严重损害中方权益。中方拒绝指责，敦促美方纠正错误 ，否则将采取措施维护权益。　　当日，商务部新闻发言人就美方有关言论答记者问。　　有记者问：近日，美方不断有消息称，中方违反中美日内瓦经贸会谈共识，请问商务部对此有何评价?　　商务部发言人表示，中方注意到有关情况。5月12日，中美双方发布《中美日内瓦经贸会谈联合声明》后，中方按照联合声明达成的共识，取消或暂停了针对美“对等关税”采取的相关关税和非关税措施。中方本着负责任的态度，认真对待、严格落实、积极维护日内瓦经贸会谈共识。中方维护权益是坚定的，落实共识是诚信的。反观美方，在日内瓦经贸会谈后，陆续新增出台多项对华歧视性限制措施,包括发布AI芯片出口管制指南、停止对华芯片设计软件(EDA)销售、宣布撤销中国留学生签证等。这些做法严重违背两国元首1月17日通话共识，严重破坏日内瓦经贸会谈既有共识，严重损害中方正当权益。美单方面不断挑起新的经贸摩擦，加剧双边经贸关系的不确定性、不稳定性，不仅不反思自身，反而倒打一耙，无端指责中方违反共识，这严重背离事实。中方坚决拒绝无理指责。　　《中美日内瓦经贸会谈联合声明》是双方在相互尊重、平等协商原则下达成的重要共识，成果来之不易。我们敦促美方与中方相向而行，立即纠正有关错误做法，共同维护日内瓦经贸会谈共识，推动中美经贸关系健康、稳定、可持续发展。如美方一意孤行，继续损害中方利益，中方将继续坚决采取有力措施，维护自身正当权益。
2025-06-03 14:10 reading：438
一文了解芯片制作所需的半导体材料
行业新闻

一文了解芯片制作所需的半导体材料

　　芯片，也称为集成电路，是现代电子设备的核心组成部分。从智能手机到电脑、汽车电子，芯片的普及带来了科技的飞跃。而芯片的生产过程高度复杂，其中半导体材料的选择和应用至关重要。　　主要半导体材料　　1. 硅(Si)　　硅是最常用的半导体材料，占据了芯片产业的主导地位。它具有丰富的资源、优良的电子性能以及良好的制造工艺，适合大规模集成电路的制造。硅晶圆是制造芯片的基础材料。　　2. 锗(Ge)　　锗具有比硅更快的电子迁移率，曾在早期的晶体管中使用较多。如今，锗在某些高性能或特定应用的半导体器件中仍有应用，如光电器件。　　3. 镓砷(GaAs)　　镓砷具有更高的电子迁移率和更宽的频带，非常适合高速和高频芯片，如卫星通信、手机和雷达等应用。它的制造成本较高，但性能优越。　　4. 氮化镓(GaN)　　氮化镓以其高功率密度和高频性能，常用于电源管理、射频器件以及LED照明。近年来，成为新型高效半导体材料。　　5. 磷化铟(InP)　　主要用于高速通信和光电子器件，因其优异的光电性能，广泛应用于光纤通信。　　其他半导体材料　　除了以上主要材料外，研究人员还在探索更多新型半导体材料，如二硫化钼(MoS₂)、碳纳米管等，意在实现更高效、更小型化的电子器件。　　半导体材料的选择直接影响芯片的性能、功耗和制造成本。硅由于其成熟的工艺和可靠性，仍然是芯片制造的主流材料。然而，随着科技发展，镓砷、氮化镓等材料的应用不断扩大，推动着电子技术的不断创新。从材料的角度来看，创新和发展是芯片行业持续前行的关键动力。
2025-05-22 11:52 reading：357
美国企图全球禁用中国先进计算芯片，中方回应！
行业新闻

美国企图全球禁用中国先进计算芯片，中方回应！

　　5月21日，商务部新闻发言人就美国企图全球禁用中国先进计算芯片发表谈话。　　中方注意到，美国商务部近日发布指南，以所谓推定违反美出口管制为由，企图在全球禁用中国先进计算芯片，包括特定的华为昇腾芯片。美方措施是典型的单边霸凌和保护主义做法，严重损害全球半导体产业链供应链稳定，剥夺其他国家发展先进计算芯片和人工智能等高科技产业的权利。　　中方认为，美方滥用出口管制，对中国进行遏制打压，违反国际法和国际关系基本准则，严重损害中国企业正当权益，危害中国发展利益。　　中方强调，美方措施涉嫌构成对中国企业采取的歧视性限制措施。任何组织和个人执行或协助执行美方措施，将涉嫌违反《中华人民共和国反外国制裁法》等法律法规，须承担相应法律责任。　　创新发展、合作共赢是大势所趋。中方敦促美方立即纠正错误做法，遵守国际经贸规则，尊重其他国家科技发展权利。中方支持全球企业按照市场原则，深入开展科技合作，实现互利共赢，共同推动科技创新造福世界各国人民。中方密切关注美方措施执行情况，将采取坚决措施维护自身正当权益。
2025-05-21 13:05 reading：752
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