纳芯微的NSREF30/31xx系列电压基准源产品让电子系统稳定如初 ​

Release time:2024-03-15
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:1591

  纳芯微的NSREF30/31xx系列电压基准源产品,凭借其卓越的性能与稳定性,不仅能满足电子设备不断增长的性能需求,更有助于客户开拓更为广阔的应用领域。

  如何选择电压基准源芯片?

  在选择一颗作为基准电压的电压基准源芯片时,首先需要从系统架构上考虑以下几个要素:电源电压、功耗预算、负载能力、温度范围和封装尺寸等。

  在满足了系统的基本要求之后,需要进一步考虑基准源芯片的性能参数是否能够满足需求。高精度、低噪声是电压基准源的基本性能要求,在不同的外界环境变化下,如温度变化、环境应力变化、时间变化等,基准源也都需保持稳定。这些外部因素都会影响电压基准源的性能,因此,有不同的性能参数用来标定基准源的性能高低,如初始精度、温度漂移、噪声、热迟滞、长期漂移、电压调整率、负载调整率、输入输出电压差等。

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  电压基准源的选择要素

  NSREF30/31xx系列的产品优势

  纳芯微的电压基准源NSREF30/31xx产品具有高精度、低温漂、低噪声、低功耗特性,该系列包含NSREF30xx和NSREF31xx两个子系列,每个子系列有6个不同型号,分别对应6个输出电压选项。每款产品均有车规和工规型号,其中车规级产品满足AEC-Q100 Grade1的可靠性要求,可在-40~125℃的严苛环境下工作。

  温度漂移是电压基准源最重要的参数之一,它是由电路缺陷和非线性引起的漂移,往往是非线性的。纳芯微电压基准源采用了黑盒法(Box method)对温度漂移进行测量和标定。

  事实上,温度漂移计算只是基于有限的温度测量点来测量电压的最大值和最小值,并没有考虑这些极值发生在哪一个温度点。因此,对于一个非线性的温漂器件来说,其温度漂移指标并不能用来说明该器件在较窄的温度范围内,其温度漂移指标会比标定的更好。

  NSREF30xx系列的温漂典型值为10ppm/℃,最大值35ppm/℃。NSREF31xx系列的性能更高,温漂典型值为5ppm/℃,最大值15ppm/℃,能够保证在全温度范围内实现高精度ADC采样。在其他性能参数方面,两个系列的基准源产品表现同样卓越。

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  NSREF30xx和NSREF31xx的温漂性能表现

  低噪声是NSREF30/31xx系列的另一特色。电压基准源输出电压噪声一般表现为低频1/f噪声和宽带白噪声。在实际应用中,宽带噪声可通过压缩带宽的手段来抑制;而低频1/f噪声在应用中很难去除,是高精度测量的主要误差之一。

  NSREF30/31xx采用先进的工艺及专门的低噪声设计,2.5V输出电压时的1/f噪声典型值仅为20μVpp(峰峰值),且噪声分布相对收敛;1sigma值小于2μVpp,大大降低了低频噪声对ADC采样误差的影响。在保证低噪声的前提下,NSREF30/31xx仅消耗140μA(典型值)电流,因此适合工业现场变送器、电力、便携式测量设备等应用。

  对比表明,在近似的静态功耗和温漂性能下,NSREF30/31xx系列产品的低频1/f噪声远低于市面上主流产品。

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  NSREF30xx和NSREF31xx的低频噪声性能表现

  得益于良好的环路设计,在输入电压仅比输出电压高1mV(典型值)时,NSREF30/31xx即可正常输出工作电压(NSREF3012/3112需要最低1.8V工作电压),对电源(如电池供电)电压可能出现降低的应用场景非常友好。

  此外,NSREF30/31xx具有源电流和吸电流能力(典型值±10mA), 输出端不接输出电容也可以稳定输出电压,不会因所接电容发生故障或失效而导致器件工作不正常,且能够支持很宽的环路稳定电容值范围,从而适应不同应用电路和场景,拓展了其应用范围。

  在实际应用中,为了减小电压基准源长期漂移对系统精度的影响,通常需要进行定期校准,但这样会导致生产率降低等方面的问题。因此,引入长期漂移的性能指标对精密系统的设计尤为重要。

  长期漂移是指电压基准源输出电压随时间变化的漂移量,基准源的长期漂移主要是机械应力和老化所致,早期漂移主要由机械应力引入,通常会造成基准源电压出现较大的漂移。随着时间的推移,封装、焊接和芯片材料越来越稳定,漂移量会越来越小。需要注意的是产品手册标定的长期漂移,是指基准源输出电压在前1000小时漂移量而非每1000小时漂移量。

  NSREF30/31xx系列在35℃下前1000小时漂移量为100ppm(典型值),前2000小时漂移量为130ppm(典型值)。在估算更长时间的漂移量时,可使用归一化到1000小时漂移量的平方根公式LTD(h)来计算。

纳芯微的NSREF30/31xx系列电压基准源产品让电子系统稳定如初  ​

  基准源的长期漂移性能表现

  基准源性能对ADC采集系统影响的分析

  结合上述介绍的性能指标,以NSREF3130为例,分析其性能对ADC采集系统的影响。系统误差通常使用统计公差分析的平方根(RSS)法来计算。表格统计了NSREF3130的误差项及误差大小,方程式展示了使用平方根法计算的总误差,并将基准源总误差转换为LSB。本例省略了线性调整率、负载调整率等误差。由方程式得出,对于12位ADC, NSREF3130的误差贡献为13LSB。

纳芯微的NSREF30/31xx系列电压基准源产品让电子系统稳定如初  ​

  通过系统校准,可以消除初始精度带来的误差,同时温度漂移和长期漂移改善80%。由计算可得,校准后的系统中NSREF3130带来的总误差仅为2LSB。

纳芯微的NSREF30/31xx系列电压基准源产品让电子系统稳定如初  ​

  进一步拓展应用边界

  纳芯微电压基准源产品NSREF30/31xx系列,凭借其高精度、低温漂、低噪声、低功耗等诸多优势,赢得了客户的高度认可与好评。

  该系列产品得益于先进的制程工艺和独到的设计理念,不仅实现了高初始精度,更在低温漂特性上超越了同类市场产品,确保在全温度范围内都能保持卓越的采样精度。

  NSREF30/31xx系列电压基准源拥有广泛的应用前景,可被应用于光伏、工业自动化、数字电源、充电桩等多个领域。它为客户提供稳定可靠的性能输出,助力实现更高效、更精确的数据采集和处理,从而帮助客户进一步拓展其应用边界,探索更多可能。

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纳芯微车载SerDes产品的ESD防护技术介绍
  摘要  车载SerDes系统在整车环境中面临严峻的ESD挑战,直接影响行车安全与系统可靠性。  纳芯微通过三重防护架构——器件级ESD防护、RS-FEC前向纠错、物理层重传机制——为NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器提供了系统级解决方案。基于ISO 10605-2023标准的完整测试验证表明,产品在上电ESD(接触放电±8KV、空气放电±25KV)和下电ESD(Pin放电±8KV)测试中均满足等级A要求。与对标同类器件相比,纳芯微SerDes在CE/RE测试中裕量普遍高2-6dB,为整车厂商提供了更高的设计余量和可靠性保障。  1. 车载SerDes系统的ESD挑战:从客户痛点出发  现代智能汽车中,摄像头到域控制器的高速数据传输链路已成为ADAS和自动驾驶系统的关键组成部分。NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器构成的SerDes系统通常部署在车外摄像头模组与车内域控制器之间,暴露于复杂的整车电磁环境中。车外摄像头镜头、外壳及线束接口等位置直接面临静电放电的风险,这些位置在车辆使用、维护过程中极易与人体或工具接触,产生高达数千伏的静电放电事件。  在实际工程应用中,客户在ESD测试中常遇到两类典型问题:  带电ESD测试异常:系统正常工作时施加ESD干扰,导致画面黑屏、闪屏、卡顿,直接影响ADAS、智能座舱功能的实时性与可靠性  不带电ESD测试损坏:系统未上电状态下的ESD冲击,造成芯片永久性损坏、器件失效,增加物料成本与维修复杂度  这些问题不仅延长了研发验证周期,更对行车安全构成潜在威胁。一次ESD测试失败可能意味着数周的设计迭代与重新验证,直接拖慢项目进度并增加开发成本。  2. ESD问题根因深度剖析:带电与不带电场景的差异  ESD失效机理因系统工作状态不同而存在本质差异,理解这些差异是设计有效防护方案的前提。  带电ESD失效机制  系统正常运行时,ESD瞬态干扰通过以下路径影响系统功能:  信号链路瞬时扰动:ESD电流耦合至高速差分信号线,导致信号波形畸变,产生纳秒级误码突发  FEC纠错能力超限:传统SerDes的前向纠错(FEC)机制在密集误码冲击下无法完全恢复数据,错误累积超过阈值  缺乏动态重传机制:链路层协议未设计针对瞬态干扰的快速重传机制,导致画面中断时间延长  这种失效模式表现为功能暂时性异常,在ESD事件结束后系统可能恢复正常,但期间的功能中断已对安全关键应用构成风险。  不带电ESD失效机制  系统未上电时,ESD能量直接作用于器件物理结构:  引脚耐压击穿:高压静电直接击穿I/O引脚的ESD保护结构,造成永久性硬件损伤  内部结构过载:芯片内部ESD防护电路在超出设计规格的电压下烧毁,失去保护功能  器件参数漂移:ESD应力导致晶体管阈值电压、漏电流等关键参数发生不可逆变化  此类损伤是硬件永久性的,通常需要更换芯片或模块才能修复,直接增加物料与维修成本。  3. 纳芯微系统级ESD解决方案:三重防护架构  针对上述失效机理,纳芯微为NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器设计了系统级的三重防护架构,从器件到链路再到系统层面提供全方位保护。  3.1 器件级ESD防护设计  在芯片设计阶段,纳芯微采用了多层级的ESD防护策略:  高等级HBM/CDM防护:芯片内部集成经过车规验证的ESD保护结构,提供8KV HBM和±2KV CDM的防护能力  接口浪涌抑制:高速差分接口采用对称的TVS阵列设计,对共模和差模ESD干扰均有良好的抑制效果  电源域隔离:数字与模拟电源域之间设计隔离缓冲,防止ESD噪声通过电源网络传播  这些设计确保在不带电ESD场景下,芯片具备足够的鲁棒性避免永久性损伤。  3.2 隔离电源设计参数  为应对带电ESD导致的瞬时误码,纳芯微SerDes集成了增强型RS-FEC(里德-所罗门前向纠错)机制:  高纠错能力:采用RS(528,514)编码方案,可纠正单个符号中的7字节错误,纠错能力较传统方案提升40%  低延迟处理:专用硬件编解码器实现纳秒级处理延迟,确保实时视频流不受影响  自适应纠错:根据链路误码率动态调整纠错策略,在ESD事件期间最大化数据完整性  在实际测试中,该FEC机制能在ESD干扰下确保画面质量不受影响。  3.3 物理层重传机制  针对FEC无法纠正的严重误码情况,纳芯微设计了物理层自动重传协议:  快速错误检测:在物理层实时监测链路质量  选择性重传:仅重传出错数据包,避免整帧重传带来的带宽浪费  链路自愈:重传成功后自动恢复至正常传输模式,无需上层协议干预  这套机制确保在允许有错误包,但要重传成功的测试标准下,系统能够快速恢复,避免画面黑屏或卡顿。  4. 严苛测试验证:基于ISO 10605-2023标准的完整闭环  为验证三重防护架构的实际效果,纳芯微使用软龙格工装和度信工装,在实验室暗室中完成了基于ISO 10605-2023标准的完整ESD测试。  4.1 测试照片  4.2 上电ESD测试验证  测试系统配置2米和8米两种线长,模拟实际车载部署中的不同布线场景。测试严格按照ISO 10605-2023标准执行,具体条件如下:  测试结果:在所有测试等级下,NLS9116/NLS9246系统均满足等级A要求。测试过程中画面保持稳定,无黑屏、闪屏或卡顿现象。特别值得注意的是,在标准允许的“错误包重传成功”机制下,系统能够快速恢复,展现了物理层重传机制的实际效果。  4.2 下电ESD测试验证  在不带电状态下,对芯片引脚进行±8KV的接触放电测试,每个等级重复10次。测试后对芯片进行完整功能验证,并测量关键引脚的LCR参数。  测试结果:所有被测芯片功能正常,无任何异常。LCR参数变化率均小于5%,远低于标准要求的10%上限。这验证了器件级ESD防护设计的有效性,确保芯片在运输、装配等未上电场景下的可靠性。  5. 竞品EMC性能对比:裕量优势彰显技术领先性  除了ESD性能,纳芯微SerDes在整体EMC性能上也展现出显著优势。与对标同类器件的对比测试显示,纳芯微产品在多个关键指标上具有明显裕量优势。  竞品对比EMC优势  CE/RE多频段裕量高2-6dB:在150K-245MHz传导骚扰和150K-6GHz辐射骚扰测试中,裕量普遍优于竞品  满足GNSS加严格要求:1G-5GHz频段满足CISPR 25-2021 Class 5的加严限值,部分频段裕量达8-14dB  更宽松的设计余量:更大的EMC裕量意味着PCB设计约束更少,系统成本更低,量产一致性更高  具体数据表明,在150K-175MHz频段的CE测试中,纳芯微产品在50mm位置的PK裕量达到7dB,比竞品高1dB;在171M-245MHz频段(1MHz带宽)的AVG裕量达到9dB,优势明显。RE测试中,1G-5GHz GNSS加严频段的垂直极化裕量达到3-4dB,而竞品在该频段的部分极化方向接近限值边缘。  6. 客户价值:从测试通过到整车可靠性的跨越  对于整车厂商和Tier1供应商,纳芯微SerDes解决方案带来三重核心价值:  降低研发风险与成本:一次性通过ESD测试,避免重复验证的设计迭代,缩短项目周期3-4周  提升系统可靠性:在整车寿命周期内,抵御实际使用环境中的ESD事件,降低现场故障率  增强供应链安全性:本土化研发与技术支持,快速响应客户需求,保障项目进度  纳芯微SerDes通过系统级ESD设计,帮助客户一次性通过严苛的车规测试,显著降低研发验证风险,加速产品上市进程,最终提升整车系统的长期可靠性。三重防护架构的协同作用,确保了从芯片级鲁棒性到系统级功能完整的全方位保障。
2026-07-22 09:18 reading:153
助力高压系统实现高精度电流检测,纳芯微推出NSM2051集成式霍尔电流传感器
  近日,纳芯微宣布推出NSM2051集成式霍尔电流传感器,旨在为2000V高压平台提供兼顾绝缘安全、检测精度与系统可靠性的电流检测方案。  光伏与储能行业正加速向高功率密度、高效率方向发展,系统电压正逐步迈向2000V,对电流传感器的绝缘隔离能力提出了更高要求,而能源转换效率、功率控制精度等指标的不断提升,也推动电流检测向更高精度、更高可靠性发展。  纳芯微NSM2051系列产品采用15mm超宽爬电距离封装设计,支持2000V系统电压,并提供优异的高精度电流检测与优异的绝缘性能,可广泛应用于光伏、储能、工业电源、电机控制、充电枪、OBC/DC-DC等高压场景。  面向2000V系统,提供更高等级绝缘隔离  NSM2051采用15mm超宽爬电距离封装,可提供2800VDC/2000Vrms基础绝缘耐压,满足2000V高压母线系统的绝缘设计需求,为高压系统提供更高安全隔离等级。  同时,产品提供7500V耐受隔离电压、12kV最大浪涌隔离耐压及13kA最大浪涌电流能力,可有效增强系统在雷击、电网浪涌等复杂工况下的安全性,降低绝缘失效风险,并满足更严格的国际安规要求,帮助客户拓展全球市场。  提供更精准的电流检测,提升系统控制效率  NSM2051采用优化标定方案,在全温度范围内实现灵敏度误差小于1%、零点误差小于1mV、总输出误差小于1%,全寿命误差漂移低于1.5%,为系统提供更加精准、稳定的电流检测。  更高检测精度有助于提升光伏系统MPPT跟踪效率,提高发电量;同时提升工业电源、电机控制等应用中的电流环控制精度,优化系统动态响应,实现更高运行效率。  提升抗干扰性能,支持灵活系统集成  NSM2051基于差分霍尔检测架构,可有效增强抗共模干扰能力,保障复杂电磁环境下电流采样稳定可靠。  产品支持5V和3.3V供电,并提供比例输出和固定输出两种输出方式,可灵活适配不同系统架构,有助于优化系统设计。  完善的集成式电流传感器布局,  为客户提供更丰富选择  NSM2051的推出进一步完善了纳芯微集成式电流传感器产品布局,是纳芯微在高压电流检测领域的又一重要产品。  目前,纳芯微已形成较为完善的集成式电流传感器产品组合,可提供覆盖100VDC功能绝缘至2800VDC基础绝缘工作电压、30A至200A持续电流等不同规格产品,为光伏、储能、工业电源、电机控制、充电设施等应用提供更加丰富的产品选择和更灵活的电流检测方案。  纳芯微集成式电流传感器产品矩阵
2026-07-09 11:16 reading:342
更紧凑、更可靠、更易于开发!纳芯微发布车规级阳光雨量传感器芯片系列NSUC183x
  纳芯微推出车规级阳光雨量传感器芯片系列NSUC183x。该系列产品面向智能座舱与ADAS应用,集成高精度光感知、雨量检测、LED驱动及车载通信能力,提供AFE、AFE+SBC、AFE+MCU+SBC等不同集成度产品形态,帮助客户构建更紧凑、更可靠、更易于开发的车规级阳光雨量传感器系统。  面向智能座舱与ADAS  阳光雨量环境感知需求持续升级  随着智能座舱、ADAS和车身智能化持续发展,车辆对外部环境感知能力的要求不断提升。阳光雨量传感器可用于自动大灯、自动雨刷、环境光检测、HUD亮度调节等场景,帮助车辆根据外部光照和雨量变化进行自动响应。  在系统设计层面,阳光雨量传感器模块需要在有限空间内实现多路光感知、雨量检测、光源驱动、车载通信和安全诊断等功能。客户不仅关注感知精度,也关注系统尺寸、外围器件数量、PCB布局复杂度和车规可靠性。因此,高集成度、高精度和功能安全能力正成为车规级阳光雨量芯片的重要发展方向。  01  覆盖多种集成度选择  满足不同系统架构需求  目前行业主流整机方案需要三颗独立芯片搭配使用,分别是:  专门完成阳光雨量光信号调理的 AFE 模拟前端芯片;  集成 LDO 供电功能的 SBC 电源接口芯片;  通用 32 位 MCU 主控芯片。  单芯片方案在硬件开发难度、整机物料成本、终端应用适配性三方面都具备明显优势。在行业从三芯片分立向单芯片集成迭代的过程里,纳芯微同步推出多种集成度芯片选择,给客户提供分层选型空间,满足不同项目阶段的开发需求:  NSUC1830 集合完整“三合一”方案,通过“AFE+MCU+SBC”架构,适配高集成度阳光雨量传感器模块设计;  NSUC1832 采用“AFE+SBC”架构,可配合外部MCU使用,适用于客户自有MCU平台的阳光雨量系统;  NSUC1834 采用AFE架构,面向已有成熟系统平台,提供高精度光感与雨量检测能力。  02  高度集成驱动、通信与供电能力  简化紧凑型设计  为简化客户系统设计,NSUC183x系列集成2路LED Driver,最高支持200mA灌电流能力,并支持0.1mA步进配置,可满足雨量检测光路中的发射光源控制需求。  NSUC1830与NSUC1832集成LIN 2.x通信能力,通信速率可达100kbps,并符合SAE J2602标准;同时集成40mA LDO,可支持车载网络通信与系统供电需求,帮助客户减少外部器件、简化系统设计。  NSUC1830还集成32-bit ARM Cortex-M3 MCU子系统,支持片上Flash、data Flash、SRAM with ECC,并集成SPI、I2C、WD、GPIO、Timers等片上外设资源,可支持阳光雨量模块本地数据处理与系统交互。在典型应用中,阳光雨量模块可通过LIN总线与BCM车身控制器连接,并接入整车CAN/LIN网络,实现与大灯、雨刷等执行器的协同控制。  03  多通道高精度感知  提升复杂光照场景检测稳定性  在感知能力方面,NSUC183x系列集成4路固定光感应通道,可覆盖太阳光、前向光、顶向光和HUD光感,并支持固定雨量感应通道及可配置通道,满足智能座舱与ADAS应用中的主要光照与雨量检测需求。  该系列产品采用PGA+ADC信号链架构,支持>18bit动态范围,并集成16bit Sigma-Delta ADC,可提升强光、弱光、反射光及环境干扰等复杂场景下的检测稳定性。同时,产品集成多路TIA跨阻放大器,支持雨量检测、环境光补偿及多路光感分时采样需求。  04  面向车规可靠性要求  支持功能安全与系统诊断  面向车规应用对安全性和可靠性的要求,NSUC183x系列具备功能安全与系统诊断相关设计能力。  在功能安全方面,NSUC183x系列支持面向ASIL等级应用的功能安全设计,其中光感相关功能可支持ASIL B,雨量相关功能可支持ASIL A,满足不同安全等级应用需求。  在系统诊断方面,产品支持信号链路及外部连接电路诊断,并集成带时间窗口的看门狗、输入电压过压/欠压监测等设计,可帮助系统提升故障检测与保护能力。  在存储可靠性方面,产品支持SRAM、Flash等存储ECC纠错,确保关键数据可靠性,进一步提升车规级系统运行稳定性。
2026-07-07 10:43 reading:367
纳芯微重磅推出车载摄像头PMIC,打造高清感知时代的一体化电源管理方案!
  纳芯微宣布推出面向车载摄像头模组的汽车级电源管理芯片 NSR90332XX-Q1,该产品集成3路BUCK和1路LDO,可为车载摄像头模组内的图像传感器、SerDes等关键器件提供多路高质量供电,适用于环视、后视、前视、DMS、电子后视镜以及 PoC 摄像头模组等应用场景。  随着智能驾驶、智能座舱和舱内安全应用加速发展,车载摄像头已经从“可选配置”逐步演进为汽车感知系统的关键基础设施。外部感知方面,智驾应用正在推动单车多摄像头、800万像素高清化部署;内部感知方面,DMS/OMS 等舱内监测系统也在法规和安全需求驱动下快速增长。  车载摄像头布局趋势  摄像头数量增加与分辨率提升,对摄像头模组电源系统提出了更高要求。OEM 和 Tier 1 不仅需要在有限模组空间内实现更高集成度和更小型化设计,也需要确保电源噪声不会影响图像质量;同时,摄像头模组还需满足车规 EMC、可靠性和功能安全要求,并能够灵活适配不同图像传感器和平台方案,帮助客户缩短开发周期。  针对上述趋势,NSR90332XX-Q1 通过多路电源集成、低噪声设计、EMI 优化和全面诊断保护机制,为车载摄像头模组提供更高集成度、更易适配、更可靠的电源管理方案。该产品支持 I²C 配置输出电压和上下电时序,可帮助客户简化电源架构设计,并提升不同摄像头平台间的复用效率。  低噪声电源设计  保障高清摄像头图像质量  在车载摄像头向更高清分辨率升级的过程中,图像传感器和高速信号链对供电质量更加敏感。电源噪声可能通过图像传感器模拟电源、SerDes 或相关信号链进入成像链路,导致噪点、画质下降或稳定性问题。  NSR90332XX-Q1典型应用框图  NSR90332XX-Q1 在多路电源输出噪声、LDO PSRR 以及电源纹波等方面进行了优化。其中,LDO PSRR 可达 -60 dB@100 kHz,LDO 输出噪声低至 15.77 μVRMS,Buck 2/3 输出噪声低至 313.6 μVRMS,支持车载摄像头实现更清晰、更稳定的图像输出。  低噪声性能与其他市场方案对比  每路电源EMI优化  助力满足车规CISPR 25要求  车载摄像头模组通常具有空间紧凑、线束复杂、靠近高速信号链等特点,同时需要在整车复杂电磁环境中长期稳定工作,系统 EMI 控制已成为摄像头模组设计中的关键挑战。NSR90332XX-Q1 集成展频功能(Spread Spectrum),可通过频域能量分散降低开关频率处的EMI峰值发射,实现约10~20 dB的峰值发射降低,帮助客户应对CISPR 25 Class 5等车规EMC设计要求;同时支持多 BUCK 错相控制,进一步降低多路电源同时开关带来的噪声叠加风险。  通过展频功能降低EMI峰值  通过展频功能与多 BUCK 错相控制协同优化,该产品无需增加额外外围器件即可改善系统 EMI 表现,有助于降低 BOM 成本和 PCB 面积压力。  面向ASIL B功能安全设计  集成全面诊断与保护机制  随着摄像头在 ADAS、DMS、OMS、电子后视镜等应用中的作用不断提升,摄像头模组电源系统也需要具备更高的故障检测和保护能力。对于安全相关应用而言,电源轨异常不仅可能影响单个摄像头模块的稳定工作,也可能进一步影响整车感知系统的可靠性。  NSR90332XX-Q1 可支持客户实现 ISO 26262 ASIL B 等级的系统功能安全设计,集成多种诊断与保护机制,可对各路电源轨进行电压和电流监控,并支持过压保护、欠压保护、过流保护、过载故障检测、短路到地检测等功能。当检测到异常状态时,芯片可根据故障类型快速关闭对应输出通道或触发复位/掉电保护,帮助系统提升故障检测能力和安全设计完整性。  协同SerDes产品  构建从供电到传输的车载摄像头系统方案  NSR90332XX-Q1 可与纳芯微车规级 SerDes 芯片组协同,围绕车载摄像头模组的关键电源轨供电与高清视频传输需求,构建从电源管理到数据传输的一站式系统方案。  典型车载摄像头模组供电架构  纳芯微 SerDes 芯片组基于全国产供应链、支持 HSMT 公有协议,产品包括单通道加串器 NLS9116 和四通道解串器 NLS9246,可面向 ADAS 与智能座舱中的摄像头数据的高速传输场景,与车载摄像头 PMIC 形成组合方案,帮助客户提升系统集成度和平台适配效率。  封装与选型  NSR90332XX-Q1 采用 4.00 mm × 4.00 mm、QFN24 封装,并支持 wettable flanks(可润湿侧翼),便于车规应用中的焊点外观检测与可靠性验证。该产品满足 AEC-Q100 Grade 1 要求,支持 -40°C 至 125°C 宽温工作范围,可满足车载摄像头模组对高可靠性和长期稳定工作的要求。如需了解 NSR90332XX-Q1 更多产品信息或申请样片,请联系 sales@novosns.com。  QFN24 封装
2026-07-03 09:50 reading:435
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