纳芯微数字隔离器:系统和人身安全的隐形守护者

Release time:2023-10-09
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:2814

  要说电路设计有什么需要投入100%关注度,那一定要包含隔离器。

  隔离本身并不具备特别的计算、处理或转换能力,但是其发展却与工业、汽车、医疗、家用电子等发展息息相关。它的高可靠性和高性能是系统安全的保护神,所以千万不要在你的电路设计中忽略了隔离。

  隔离,隐形的守护者

  可不要觉得隔离是老生常谈的问题,它关乎着电路的安全,也关乎着人身安全。

  简单来说,电子设备中,执行系统与控制系统间电压不同,一个是数百伏交流,一个是低压直流,就和生活中,我们会把低压和高压隔离开来一个道理,高压系统往往会更容易出现静电放电、射频、开关脉冲和电源扰动,引起电压浪涌,这比许多电子元件的电压极限高出一千倍。最重要的是,这些高压除了给电子电路带来噪音和危害之外,更可能对人体造成危害。

  举一个简单的例子,电动汽车内电池电压可达400V,甚至是800V,但驾驶员依然可以从容且安全地操作各类设备、仪表和旋钮,这离不开各种形式的隔离,它们构建了高低压之间安全可靠的联系。

  既然影响深远,用什么隔离就显得尤为重要。

  自从电力为人所用开始,人们就渴望安全可靠的电力控制手段。19世纪30年代,美国物理学家约瑟夫·亨利在研究电路控制时,利用电磁感应现象发明了电磁继电器。利用电磁铁在通电和断电下磁力产生和消失的现象,来控制高电压高电流的另一电路开合,它的出现实现了电路远程控制和保护。

纳芯微数字隔离器:系统和人身安全的隐形守护者

  利用一节干电池控制电磁铁,就可以驱动220V交流电,实现安全的控制(或信息传输),有种四两拨千斤的感觉。这种简单的步骤就是隔离的本质,即两个不相干的彼此绝缘的电路间,通过某种方式实现关联。

  不过,电磁继电器的劣势显而易见,体积大、功耗高、易损坏。

  为了克服以上缺点,光耦便应运而生,它利用光电转换实现了传输与控制,在芯片级尺寸上实现相类似功能。基于光敏电阻的光隔离器于 1968 年推出,相比于变压器,光耦体积小、重量轻、价格便宜并且可靠性高,迅速成为了市场主流。光耦发展的时代,也是集成电路和信息化发展的时代,低压控制计算单元与大功率的电机、电源之间的交互越来越多,光耦也得以大发展。

  当然,微电子领域性能、功耗、体积是永远的话题,任何强大的技术也无法脱逃它的束缚。光耦如今也遇到了电磁继电器同样的问题,受限于激光器和光敏二极管,其尺寸、功耗、可靠性等都都失去了优势。

  随着半导体技术的发展,数字隔离器成了冉冉升起的新星。

  数字隔离器的爱恨情愁

  数字隔离器并不难理解,它和光耦类似,只不过是将光电转换调制变成了其它技术。不过,相比而言,数字隔离器不会出现光学衰减等现象,与光耦不同,凭借半导体技术,数字隔离器拥有诸多优势,包括开关特性好、不易老化、高可靠性、高耐压、高速率、可传输能量等。

  数字隔离器根据基本原理又可划分为电容隔离器和磁隔离器。

  电容隔离顾名思义,是利用芯片内部的微型电容进行芯片左右两侧的高压隔离,中间使用高电介质材料进行电压阻隔。电容器是一种能够存储电荷的元件,它由两个导体板和介质组成,其特性是通高频、阻低频,中间介质可以隔离低频或者直流高压信号。

  利用电容器通高阻低的特性,可以进行信号的调制传输。当输入一个高低高低的数字信号以后,芯片内部会进行信号调制,高频调制低频信号,使其可以传输到芯片另外一侧。典型的OOK(On Off Key)调制就是把“0、1”两个信号,用不同频率调制,比如高频信号代表1,没有调制的直流信号代表0,然后传输两个状态切换的信号。

纳芯微数字隔离器:系统和人身安全的隐形守护者

  电容隔离器产品框图及OOK示意图

  磁隔离器方面,与电容类似,只不过采用线圈的方式,利用电磁变换进行数据传输。

  总而言之,数字隔离器进一步解决了光耦在可靠性、传输速率、鲁棒性、尺寸、寿命等不足之处。

  科技领域从来不存在完美,数字隔离器的优势很明显,但总会有一些权衡取舍。

  首先,由于数字隔离器相对较新,因此其可靠性在不断完善和论证中。伴随相关国际标准、国内标准相继建立,现已形成一整套完善的认证流程和标准,也逐步获得了各类客户的认可。

  其次,目前光耦依然在业界占有主导地位,尤其是在一些传统应用中。因此,从光耦向数字隔离器的切换并不能一蹴而就,由于数字隔离器引脚和输入类型不完全兼容,这时就需要对设计进行改版,有时客户因为风险考虑,替换意愿不足。也正因此,业界提供了一种原位替代的方案,可以直接替代光耦,引脚兼容,在输入特性上内建电路模拟二极管特性,与光耦器件完全相同,应用设置也相同,可以实现直接进行设计替代。

  最后,电容隔离器可能会存在共模干扰问题,需要想办法抑制。

  通常的OOK技术比较直接,进来的信号是什么,就直接进行相应调制,然后在另外一边进行相应的解调。高频调制后,信号和高频共模电路都通过一个路径进行传输,因此会有共模干扰存在,这也是普通电容隔离器的不足之处。

  正是因为存在上述的问题,所以在挑选器件时才更要格外上心。有几种可以明显提升抗共模干扰能力的方法,以国内隔离器厂商纳芯微为例,其在OOK基础上开发出了Adaptive OOK®调制专利,提升了数字隔离器的抗共模干扰能力。

  所谓Adaptive其实就是自适应,通过芯片内部共模检测电路检测共模信号状态,再根据检测信号,动态、自适应地调节内部关键电路特性或增益,在共模噪声较大时,可以更好地抑制噪声,从而拥有更好的鲁棒性,提升隔离器的抗共模干扰能力。

  自适应的另一个好处是不需要在全工作状态下保证较高的抗共模干扰能力,只有当瞬间干扰比较大时,电路才需要执行更多功能以抑制干扰,而在大部分没有恶劣工况、抗共模干扰需求较低情况下,Adaptive OOK®技术则可以平衡系统性能及功耗,从而优化整体表现。

  让隔离更进一步

  从数字隔离器细分市场来看,磁隔离器只有少数公司提供,电容隔离器则是更多企业的选择,且出货量增长非常迅速。这里面不乏专利的原因,另外则是由于电容隔离在整个生产制造上相对简单,和一般的非隔离器件的晶圆生产差别不大,从而使得电容隔离在成本上有较大的优势。

  其次是电容隔离工艺能力的改善,性能也在不断的提升,特别是耐压能力、抗浪涌耐压能力等已经基本与磁隔离一致,使电容隔离同样能够满足丰富场景。

  就拿纳芯微产品来看,便可印证上述趋势。比如纳芯微第一代的NSI81xx系列是满足基本隔离要求的产品,第二代的NSI82xx系列则满足了增强型隔离的要求,另外在抗共模干扰能力,EMC性能等电气性能方面也得到了强化。据纳芯微透露,其第三代产品还将继续提升耐压性能及鲁棒性。

纳芯微数字隔离器:系统和人身安全的隐形守护者

  不同的隔离等级介绍

  电容隔离器其实是“螺蛳壳里做道场”,虽然原理简单,但一些工艺和微架构的优化创新都对整体性能有着非常大的影响。比如从OOK到Adaptive OOK®,这种让数字隔离器“更进一步”的努力,纳芯微还做了很多。

  首先,在性能上,工艺能力及微架构优化可促进耐压能力不断提高。比如同样是用SiO2高电介质填充,还需要掺杂不同元素来进一步提升耐压能力。另外电容的电场场强分布对隔离的耐压能力也是有较大的影响,因此每一家厂商的电容的结构、形状等微架构设计,都会影响性能。

  其次,在鲁棒性上,对于隔离产品的应用场合来说,更多的是工业和汽车等高压应用场景,隔离产品是属于安规产品,涉及安全相关,在这些场景下,一定要选择经过安规认证的产品。

  无论是模拟、接口、信号链等产品,厂商都需要推出不同的产品系列,以满足更多的应用场景,隔离类产品也不例外。通过基础的隔离功能,再结合其他接口、驱动或者采样等相关知识,便可让隔离技术有着更广泛的应用。

  从应用场景反推出产品定义是产品开发的主要思路,同时也是最主要的挑战,这些围绕应用进行的“隔离+”产品的定义和单纯的数字隔离器并不完全相同。

  比如隔离驱动,除了要处理数字信号,还要求厂商在具体应用场景中熟悉驱动相关的功率知识、与不同厂商功率管适配。更进一步的是,碳化硅等第三代宽禁带半导体应用对隔离驱动的安全和数据传输有更多要求。

  而在隔离接口产品中,则需考虑ESD、抗干扰能力等,隔离采样则还额外需要高精度信号链领域的积累。

  此外,隔离器有时需要与电源共同使用,因此也诞生了集成隔离电源的隔离器。

  我们看到纳芯微等国内外公司都在不约而同地布局更多隔离产品大类,从单一品类转向“隔离+”拓展策略,为更多产品提供隔离能力。

  除了产品种类丰富之外,伴随着新应用、新市场越来越多,也让数字隔离器和光耦处在了同一起跑线上。包括电动汽车、光伏、储能中越来越多细分应用领域正在涌现,对于数字隔离器的需求激增,在这些新应用的设计过程中,客户更愿意尝鲜数字隔离器。

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纳芯微丨低资源占用、快速切换:单 Bank Flash MCU 在线升级方案解析
  随着智能产品进入规模化应用,现场固件更新能力已成为产品持续迭代的重要支撑。对于 MCU 系统而言,固件升级不仅要完成新版本程序写入,还需尽量降低升级过程对设备运行状态和用户使用体验的影响。  针对单 Bank Flash MCU 平台,本文提出一种不断电固件升级方案,通过软件架构设计实现安全、快速、用户低感知的现场固件更新,为单 Bank Flash MCU 提供在线升级能力。  01 方案背景  目前,MCU 常见固件升级方式包括 IAP(In Application Programming)、ISP(In System Programming)、双 Bank 升级、OTF(On The Fly)、LFU(Live Firmware Update)以及 LiveUpdate 等。其中,不断电升级通常要求系统在升级过程中保持业务运行,不依赖设备重启,并实现新旧固件的平稳切换。  现阶段,OTF 和 LFU 是较为常见的不断电升级方案,但通常依赖 MCU 具备双 Bank 架构的 Flash 存储器。而在实际应用中,单 Bank Flash MCU 仍然占据较大存量。由于单 Bank Flash 不具备动态 Bank 切换能力,如何在不依赖双 Bank Flash 架构的前提下,实现无停机、无复位、业务连续的现场固件升级,成为单 Bank Flash MCU 在线升级设计中的关键问题。  02 系统架构与核心技术点  由于单 Bank 架构的 Flash 不具备动态切换 Bank 或启动时自动切换 Bank 的功能,因此需增加 Bootload 程序,负责系统引导、启动选择及运行环境构建。Bootload 支持烧录 App 固件、读取 App 信息区、并为 App 区配置运行环境。  这种架构可支持多个 App 区,每个 App 区均设有独立的信息区。信息区用于存储对应固件分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度(Length)以及中断初始化程序等必要信息。  整体方案的组成框架如图 1.1 所示。需要实现的关键技术包括:  ① APP 区信息的保存与动态分析;  ② 切换 APP 区时的定点切换;  ③ 在主循环内更新主循环本身。  图 1.1 单 Bank 不断电升级方案框架  03 固件分区与信息提取  Bootload 与 App 区在运行过程中需动态读取固件信息,以便为后续执行的目标代码构建运行环境。需特别说明的是,Bootload 跳转至 App 区的机制与 App 区之间的跳转机制并不相同。在本文提供的方案中,Bootload 跳转至 App 区采用传统的 IAP 跳转方式;而 App 区之间的跳转则基于固定代码区的锁定机制,以确保跳转过程的安全性。  Flash 存储器需要通过 FMC 模块与 CPU 进行通信,Flash 在执行擦除操作时需耗费一定时间,若在此期间 CPU 发起对 Flash 的读取请求,将会因为等待 FMC 完成擦除而导致阻塞。  这引入了第一个需要解决的问题—— App 区内擦除 Flash 阻塞。为避免该问题,在擦除 Flash 时应避免 CPU 同时读取 Flash,相关操作需置于 SRAM 或 ITCM 中执行。  为简化实现流程,本方案将 App 区固定运行于 SRAM 中。Bootload 在启动阶段将 App 代码从 Flash 手动拷贝至 SRAM,从而有效避免擦写冲突,确保升级过程的稳定与可靠。  App 区的分区功能使用的是 Sct 分散加载脚本功能,如程序清单 1.1 所示。  程序清单 1.1 App 区的 Sct 文件  以 App0 为例,其分区信息与作用描述如表 1.1 所示。  表 1.1 App 区的分区功能描述  固件信息区 FIRM_DROM 用于存储程序清单 1.1 中各个分区的关键参数,包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度,以及用户自定义和其他辅助信息。这些信息通过编译器自动生成的全局环境变量进行记录,具体声明方式如程序清单 1.2 所示。  程序清单1.2 分区信息保存方法  清楚如何将 Load 地址拷贝到 Image 、和复制长度,即可动态搭建不同固件的运行环境。  04 固定代码区  堆栈污染防护机制  在 C 程序运行过程中,堆(Heap)用于程序源动态申请和释放临时变量,而栈(Stack)则用于在子函数调用或中断触发时保存临时变量、返回地址等上下文信息,通过“进栈-出栈”机制实现函数调用链的正确返回与运行环境恢复。  基于上述机制,引入本方案需解决第二个关键问题——App区相互跳转前后,堆栈中保存的返回地址与新固件无法对接,即“堆栈污染”问题。由于 App0 与 App1 区的代码随用户程序迭代而不断变化,若直接跳转极易因堆栈不一致导致系统异常。为此,方案引入固定代码区以保障跳转过程的稳定性。  固定代码区本质上位于 main() 函数内的主循环(如 while(1) )中。该循环具备一个重要特性:所有子函数执行完毕后均会返回至主循环入口,中断服务程序执行完毕后也同样返回到此位置。根据堆栈行为特点,当程序运行于主循环内部时,堆栈中不会保留函数调用信息,此时堆栈处于“最干净”状态,从而有效避免了跳转过程中的堆栈污染问题。  要做到这点,需要将 main() 放到 FIXCODE 区域内,然后 main 内部的初始化和主循环内统一调用子函数,增减的代码都在子函数内处理,让切换 App 区执行代码不发生偏移。如程序清单 1.3 所示。  程序清单 1.3  05 运行时固定代码区更新策略  FIXCODE 本身是 main() 和主循环,里面同样包含用户层的应用代码,所以更新固件这部分也同样需要更新到最新版本。本方案需要解决第三个关键问题——程序运行期间不能被擦除,否则会导致指令读成乱码,所以在更新固定代码区的操作要放在非固定代码区,且保证执行完后能回到正确的堆栈点。  图1.2 更新固定代码区  06 中断向量表与函数分区更新实现  中断处理包括中断向量表处理和中断函数处理。中断函数通过声明中断服务函数以及其调用的子函数分配到 RW_APP0_ITCM 区,这样就可以通过分区更新功能统一更新。本方案需要重点处理中断向量表。  中断向量表涉及的方面包含以下几处地方:  ① Sct 文件内声明的 RESET 区域,如程序清单 1.1 所示;  ② SDK 包内默认的中断向量表地址,包括 Flash 中断向量表和 VT_DTCM 的中断向量表;  ③ 在切换新固件的中断部分,准备好内存空间,最后修改 VTOR;  在第二点中,SDK 内对中断向量表的操作如程序清单 1.4 所示。  程序清单 1.4 SDK 包中断表处理  代码路径:interrupt.c  VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 是指固件的头部装载地址,需要留意的是,这个表里还包含了默认处理函数句柄以及 Reset 等前面不可屏蔽的处理函数。  SDK内默认将 VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 设置为 0x08000000,对每个 APP 区必须在 interrupt.h 内改为对应地址。  程序清单 1.3 内的函数实现的主要目的,是将存放在 DTCM 空间内的 vectorTableDTCM 表重初始化。  在 App 区内的操作流程如图 1.3 所示。可看到板级初始化做的是 App 本身所占用的中断表地址,而切换则是搭建新固件的中断表地址。  07 变量偏移防护与共享内存设计  由于业务逻辑要持续运行,所以对于关键的状态变量、计数变量等需要做特殊处理。这里就提出第四个问题——由于编译器为节省空间,会将变量紧密排序,从而导致全局变量在切换到新固件时产生不可预计的偏移。简单而言就是将这类需要继承的变量,存放在 ShareMemory 空间内,并以绝对地址的形式固定下来。这种方案相较于其他依赖编译器的固定方式最直接快速。
2026-06-04 10:23 reading:297
纳芯微丨AI 服务器电源功率密度提升,隔离采样芯片如何应对采样与保护挑战?
  随着 AI 服务器电源功率密度和运行频率持续提升,系统对关键节点电压、电流的采样精度、响应速度和隔离安全提出了更高要求。  在服务器电源系统中,从 AC/DC PFC 输入级到 DC/DC LLC 谐振级,各级功率转换均依赖精确的电压、电流监测数据,以支撑系统高效、稳定运行。在高压、高频、高功率密度工作条件下,如何在高压侧与低压控制侧之间实现可靠的物理隔离,并保障关键信号的准确、及时传输,成为系统设计中的重要问题。  隔离采样技术可在高压侧与低压控制侧之间建立安全隔离,同时实现电压、电流等关键信号的采集与传输,帮助降低高压串扰、雷击或瞬态过压等因素对低压控制电路的影响,并为系统控制与保护提供必要反馈。  01  隔离采样技术演进  从基础隔离到智能集成  纳芯微隔离采样产品矩阵体现了从基础隔离采样向集成化、智能化方向的演进。  以 0–2V 单端输入的 NSI1311 为起点,纳芯微隔离采样产品逐步向隔离电压采样、隔离电流采样和隔离比较器等方向拓展。  在隔离电压采样方向,产品由单端输入的 NSI1311,发展至差分输入的隔离运放 NSI1312 和差分输入的隔离 ADC NSI1316,进一步覆盖不同应用需求。随着产品迭代,集成化趋势更加明显。NSI36xx 系列将隔离 DC-DC 电源集成于采样芯片内部,有助于简化高压侧供电设计。其中,NSI36CxxR 版本进一步集成比较器和运放,可简化系统电路,并支持硬件过流、过压保护。  在隔离电流采样方向,产品由 NSI1300 演进至 NSI1400/1200C 系列,并推出了集成隔离电源的 NSI360x 系列。  面向快速响应和简化设计需求,纳芯微推出隔离比较器 NSI22C12。该产品集成窗口比较器、隔离通道及高压侧 LDO,可用于实现过压或过流保护,尤其适用于服务器电源 LLC 谐振腔的快速过流保护场景。  在服务器电源系统中,PFC 电路通常负责对输入交流电进行整形和升压,LLC 谐振拓扑随后完成 DC/DC 变换并形成最终输出。整个能量转换链路的安全、稳定运行,依赖于对关键节点电压和电流的精确监测。  纳芯微隔离采样芯片可部署于服务器电源各核心监测点,覆盖 PFC 输入电压/电流检测、PFC 输出电压检测、LLC 谐振腔电流检测与快速过流保护,以及 DC/DC 输出电流检测等环节,支持电源系统实现从输入到输出的全链路监测与保护。  02  三款新品详解  面向服务器电源的集成化设计  服务器电源对功率密度、可靠性和效率要求较高。围绕不同层面的设计挑战,纳芯微推出了三款新品。  首先是集成隔离电源的 NSI36xx 系列。相较于上一代 NSI13xx 系列,NSI36xx 系列进一步提升了集成度。传统方案通常需要分别为高压侧和低压侧设计供电电路,在浮地采样等场景下,设计复杂度和 PCB 占板面积较高。  NSI36xx 系列仅需在低压侧提供单一电源即可正常工作,可省去高压侧供电电路设计,降低电源设计复杂度,并节省约 30%–50% 的板上面积,在空间受限的服务器电源系统中具备应用优势。  NSI36CxxR 是该系列的差异化产品,集成内部比较器和单端准差分运放,可在百纳秒级时间内检测异常并触发保护机制,提升系统安全性和可靠性。  第二款新品是 0–4V 宽压输入的隔离电压采样运放 NSI1611。面向服务器电源向更高电压发展的趋势,NSI1611 将输入范围扩大一倍,有助于提升系统抗干扰能力和采样精度。  在相同扰动电压下,更宽的输入范围可降低扰动对采样结果的相对影响。同时,NSI1611 在保持 1GΩ 高阻输入的基础上拓宽输入范围,可进一步提升系统采样精度。  NSI1611 提供单端输出或比例输出版本。其中,比例输出版本可将后级参考电压直接接入芯片 Reference 引脚,由芯片完成差分转单端转换及简单自适应放大,帮助客户充分利用后级 ADC 满量程,提升整体采样精度。  第三款新品是面向快速保护设计的隔离比较器 NSI22C12。在服务器电源谐振腔过流采样中,传统方案通常采用 CT 方案或分立方案。CT 方案体积较大,输入端还需增加额外调理电路,会增加成本和 PCB 占板面积;在 DC 负载过流保护中,部分客户则采用普通比较器搭配高速光耦或数字隔离器的分立方案。  NSI22C12 采用单芯片集成设计,集成窗口比较器,支持正负阈值设定;同时集成内部隔离通道,比较后可直接输出隔离数字信号。其高压侧集成高压 LDO,供电范围为 3.1V 至 27V,可直接接入驱动供电,简化外围供电设计。  该产品保护延时最大仅 250 纳秒,可用于快速过压、过流检测,帮助服务器电源系统在异常工况下及时触发保护机制,提升系统控制的安全性和可靠性。  03  服务器电源应用  从PFC到DC/DC全链路保护  在典型服务器电源架构中,隔离采样芯片可部署于电能转换链路的关键环节,用于实现电压、电流检测及保护反馈。  电源系统通常始于 PFC 电路。PFC 电路负责对输入交流电进行整形和升压,优化电网供电质量,并为后级电路提供稳定的高压直流电源。纳芯微隔离采样芯片可部署于 PFC 输入端和输出端,实时监测输入电压/电流及输出电压,为 PFC 控制回路提供关键反馈信号。  随后,LLC 谐振电路完成 DC/DC 转换,将高压直流电转换为服务器主板所需的低压直流电。在这一环节,谐振腔电流检测与过流保护尤为关键。纳芯微隔离比较器 NSI22C12 凭借低于 250 纳秒的快速响应时间,可检测异常电流并触发保护机制,帮助降低功率器件损坏风险。  在输出端,DC/DC 输出电流检测同样需要高精度隔离采样。通过监测输出电流,电源管理系统可根据不同负载条件调整工作状态,提升系统运行效率与稳定性。  通过覆盖 PFC 输入/输出、LLC 谐振腔及 DC/DC 输出等关键环节,纳芯微隔离采样产品可支持服务器电源实现从输入到输出的全链路监测与保护。  04  精度、安全与成本  隔离采样的三重优势  纳芯微隔离采样芯片从采样精度、隔离安全和系统成本三个方面,为服务器电源设计提供支持。  在采样精度方面,NSI1611 系列输入偏置电压优化至 ±0.8mV,较前代产品的 ±1.5mV 进一步降低;增益温漂由前代的 45ppm/℃ 优化至 40ppm/℃,提升全温区精度稳定性。其采样带宽达到 330kHz,可适配 SiC、GaN 等高频开关器件控制需求,满足系统高动态响应要求;  在隔离安全方面,纳芯微“隔离+”产品提供高于基础隔离要求的安全等级,帮助系统建立高低压安全边界。NSI1611 系列隔离耐压可达 5700Vrms,最大浪涌隔离耐压 VIOSM 可达 10kV,可适配高温、高压等严苛应用环境;  在系统成本方面,集成隔离电源的 NSI36xx 系列可省去外置隔离电源模块,降低整体 BOM 成本约 10%–20%;同时可节省 PCB 面积约 30%–50%,有助于实现更小型化的电源设计。NSI1611 的单端输出信号可直接接入 MCU 的 ADC 接口,省去传统差分输出方案所需的后级运放及调理电路,进一步降低 BOM 成本和 PCB 布局复杂度。
2026-06-03 10:02 reading:313
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