Infineon Technologies 高侧与低侧驱动器

发布时间：2023-07-28 14:17
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：2680

　　英飞凌科技高侧和低侧驱动器设计用于控制MOSFET和IGBT，包括两个非互锁通道。该选择具有650V高、低侧绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器IC，提供高侧 (2.5A) 和低侧电流 (0.7A) 选项。英飞凌高侧和低侧驱动器具有出色的坚固性和抗噪性，非常适合用于电机驱动器、家用电器、SMPS、电池供电应用和大功率照明。

Infineon Technologies 高侧与低侧驱动器

     特性

　　抗噪性

　　坚固耐用

　　应用

　　电机驱动器

　　家用电器

　　SMPS

　　电池供电应用

　　大功率照明

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