海凌科：24G人在感应雷达和24G目标轨迹跟踪雷达的区别
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海凌科：24G人在感应雷达和24G目标轨迹跟踪雷达的区别

　　海凌科24G人体存在感知雷达模块和24G人体目标轨迹跟踪雷达模块都是人体感知雷达，那么在具体功能上和应用上面有什么差异呢?　　产品性能上的差异　　24G人体存在雷达　　功能定位：区分人体状态(静止/微动/运动)并输出存在性(即人在状态)+距离。　　技术实现：24G毫米波雷达模块通过发射24GHz高频电磁波并接收反射信号，利用FMCW调频连续波技术解析信号频率差，实现人体静止、微动及运动状态的精准感知，结合智能算法过滤干扰并输出距离、状态信息，支持多级调参与低功耗设计。　　24G人体目标轨迹跟踪雷达　　功能定位：在检测人体存在的基础上，进一步追踪目标的空间位置、移动方向及速度，实现多目标轨迹跟踪。　　技术实现：采用FMCW(调频连续波)雷达技术，通过测量回波信号的频率变化和相位差，计算目标距离、角度和高度，结合算法实现轨迹建模。　　应用场景上的差异　　人体存在雷达的核心场景　　》智能家居　　自动照明控制：检测到有人进入房间后自动开灯，人离开后延时关灯。　　隐私保护场景：在卫生间、更衣室等区域替代摄像头，实现无感化存在检测。　　》办公与酒店　　客房服务：客人进入房间后自动拉开窗帘、调节空调温度。　　人体目标轨迹跟踪雷达的核心场景　　》智能交互　　家电控制：根据用户位置自动调整空调风向。　　广告屏互动：检测观众距离和移动方向，动态调整屏幕内容。
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发布时间：2025-08-19 13:21 阅读量：244 继续阅读>>
海凌科：24G多目标轨迹跟踪雷达模块，让智能家居更
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海凌科：24G多目标轨迹跟踪雷达模块，让智能家居更"懂"用户

　　在科技发展日新月异的当下，智能家居的研发与进步离不开一个重要课题，那就是如何让产品更“懂”用户，如何让智能化更贴合用户的日常使用需求。　　其实在海凌科过往的雷达模块研发中，一直在深耕这个命题，从人体运动感知、人体存在感知，再到各种细化场景上的雷达应用。　　HLK-LD2460这款雷达模块专为空调、电风扇等家居设备研发，具备人体轨迹追踪和状态检测功能，当前版本支持X/Y轴定位，后续产品升级中将加入高度检测以实现3D感知，助力智能家居产品更“懂”用户，增加使用体验感。　　智能家居中为什么会用到LD2460雷达模块?　　以空调为例，智能家居场景中，普通空调实际使用过程中存在哪些不便?　　设备缺乏感应开关功能，操作依赖遥控器或手机，便利性不足。　　空调直吹人体易引发着凉，固定送风模式难以兼顾舒适与健康。　　离房忘关空调导致持续耗电，缺乏智能节能的主动管理机制。　　针对以上三点问题，目标轨迹跟踪雷达模块 如何解决?　　雷达模块结合遥控器/APP使用，感应到人体存在后，智能出风，感应关闭，更方便便利。　　空调根据目标轨迹跟踪雷达传输的数据，自动防直吹，可设置避开或者跟随人体移动送风。　　雷达模块持续监测房间内人体存在状态，若在设定时间内未检测到人体活动，自动关闭空调，节能省电。　　LD2460雷达模块拥有哪些功能特点?　　HLK-LD2460是海凌科推出的一款24G目标轨迹跟踪雷达模块，一发两收，在人体感知的基础上，通过X轴和Y轴精准定位目标位置，并追踪目标的移动轨迹，后续产品升级将加入高度检测，识别扫地机器人等，过滤低运动干扰目标。　　01 人体存在感知，精准识别　　24G雷达模块，不再是“感知人体运动”，而是“感知人体存在”。不管是人体静止、微动和运动都可以精准感知，感知更精准。　　02 动静皆宜，多人追踪　　24G 人体轨迹跟踪雷达模块 HLK - LD2460，在 6 米范围内能够同时感知 3 - 5 个人体目标的状态，可获取目标人体在垂直空间的具体位置信息，实现对人体目标的全方位精准感知。　　03 广角覆盖，精准定位　　24G 人体轨迹跟踪雷达模块 HLK - LD2460， 拥有水平角度 120°、垂直角度 90°的广阔感知视野，配合≤5°的角度精度，可实现精准的目标定位。　　04 快速响应，实时感知　　24G 人体轨迹跟踪雷达模块 HLK - LD2460 具备高效的响应机制，运动触发时间仅需 0.5 秒，存在感知时间≤30 秒。响应速度快，可实现实时感知并输出数据。　　05 新增高度检测功能　　24G 人体轨迹跟踪 3D 雷达模块 HLK - LD2460， 支持 APP 和上位机两种调参方式，操作灵活多样。后续将新增高度检测功能，便于区别人体和家用机器人，降低误识率。　　LD2460雷达模块在智能家居中的实际应用　　空调智能送风防直吹　　“风避人”模式：当人静止时，空调将调整出风角度，避免直吹;　　“风吹人”模式：当人移动时，空调跟随人体位置调整送风方向，确保均匀降温。　　窗帘与门窗控制　　通过雷达感知人员靠近或离开，自动开关窗帘或门窗，提升便利性和安全性。
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发布时间：2025-08-19 13:16 阅读量：252 继续阅读>>
力芯微推出GPIO扩展芯片ET6416
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力芯微推出GPIO扩展芯片ET6416

　　产品概述　　在科技日益发展的今天，折叠屏手机逐渐成为热门产品，成为智能手机创新最活跃的领域之一。小米，OPPO，VIVO，荣耀等手机主力厂商也纷纷推出各家折叠屏手机。　　折叠屏手机结构异常复杂，两块屏幕、多个传感器(内屏、外屏、铰链区域)、复杂的排线，SoC自带的GPIO引脚数量，根本不够用!尤其是在铰链区域，需要密集部署传感器来精准检测开合角度、速度、状态，所以折叠铰链中的布线，面临空间困境。　　力芯微重磅推出16bit I²C GPIO扩展芯片，支持1.65~5.5V电平转换，可以有效节省系统IO资源，简化PCB布线，降低系统成本。这颗仅3x3mm的微型芯片，以三种方式破解困局：　　1. 接口倍增： 通过I²C总线扩展出16路GPIO，为主控芯片释放珍贵接口资源;　　2. 空间重构： 将铰链区数十条排线精简为2-4条总线，布线空间节省40%以上，简化了主板到副板的FPC走线。　　3. 信号中继站： 集中管理铰链区域、副屏区域等远端的众多传感器信号(如角度磁铁检测的霍尔传感器、跌落检测传感器、屏幕状态检测等)。　　除了在手机领域外，还广泛应用于智能穿戴设备、各种嵌入式应用领域，智能家居、工业控制等。　　产品特性　　16bit GPIO扩展　　工作电压范围：1.65V to 5.5V　　支持双向电平转换　　极低的静态电流损耗：典型值 1.5uA@VDDP=5V;典型值 1.0uA@VDDP=3.3V　　IO输入/输出独立可配　　硬件复位输入信号，低电平有效　　400 KHz 快速模式(Fast-mode)I²C总线，2个I²C拓展地址　　GPIO端口最大驱动能力 25mA，直接驱动 LED　　封装形式：ET6416 BGA24 (3mm×3mm);ET6416Y QFN24 (4mm×4mm)　　管脚定义　　典型应用
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发布时间：2025-08-19 13:12 阅读量：219 继续阅读>>
力芯微推出共阴极16段8位恒流驱动电路ET61934
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力芯微推出共阴极16段8位恒流驱动电路ET61934

　　产品概述　　传统LED驱动芯片在电压波动或点亮数量变化时易导致电流波动，影响显示亮度的稳定性。为满足小型LED点阵屏对高稳定性、抗干扰及精准调光的需求，力芯微ET61934应运而生，其采用I²C通信协议与恒流驱动技术，解决了传统方案中亮度不均的问题，适用于对显示一致性要求较高的场景。　　该芯片支持最大16×8点阵(128个LED)，扫描行数可在1~8行间灵活配置，通过减少扫描行数可提升单点驱动电流至50mA。其提供4种设备地址选择，支持多芯片级联扩展。核心优势在于精准恒流控制：整体输出电流32级可调，单通道4级可调，彻底消除因电压或点亮数量变化引起的亮度波动。内置消隐功能与RC振荡器保障高刷新率显示效果，显著降低残影。芯片具备低功耗特性，休眠模式下电流仅5μA，集成软件复位、硬件保护及抗干扰I²C接口(400Kbps速率)，配合上电/掉电复位功能提升系统可靠性。封装提供EQSOP28(S型)与SOP32(M32型)两种选项。　　应用主要面向小型LED矩阵显示，包括工业控制面板的仪器状态指示、消费电子产品的家电信息屏、以及便携设备的嵌入式显示模块。其高集成设计、强驱动能力和抗干扰特性，特别适用于空间受限且需长期稳定运行的场景。　　产品特性　　I²C通讯接口，4个片地址可选　　最大应用点阵16×8　　点阵扫描行数可调(1~8位)　　输出恒流驱动，最大驱动电流50mA　　整体恒流输出32级可调　　单路恒流输出4级可调　　内置RC振荡，高刷新频率　　内置上电复位和掉电复位功能　　内置消隐功能　　管脚定义　　典型应用
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发布时间：2025-08-19 13:10 阅读量：228 继续阅读>>
森国科推出用于5G微基站电源的碳化硅二极管（SiC JBS）
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森国科推出用于5G微基站电源的碳化硅二极管（SiC JBS）

　　第5代通信技术5G频率越高，穿透和绕射能力会相对下降，信号智能直射传播，很多偏僻地方就会收不到信号，微基站很好弥补了这项缺陷。因此5G将会采取“宏基站+微基站”组网覆盖的模式，整个5G网络基站近80%将由微基站承载。　　微基站是一种从产品形态、发射功率、覆盖范围等方面都相比传统宏站小得多的低功率基站设备。特征是：小型化;低发射功率;可控性好;智能化;组网灵活。微基站电源应用场景如下：　　直流远供电源　　应用于BBU、RRU基站整合优化，运营商的室分系统、室外基站、灯杆站、微基站、直放站、综合接入 ONU 等设备;　　光电一体箱供电　　是对未来城市主干道信号覆盖提供支点，并与现有城市设施相融合，可应用于居民小区、沿街小巷、商业密集区、地下停车场。光电一体箱将传统的交流配电箱、光纤配线箱融为一体，有效解决了微基站配套设备的建设需求，满足了市政美化需求。微站电源产品，应用于小型程控交换机、接入网、传输设备、移动通信、卫星通信地面站、微波通信供电、室外基站、灯杆站、微基站、直放站、综合接入 ONU 等设备。　　太阳能模块供电　　主要安装在高山、公路、铁路等地，扩大基站的覆盖面，解决乡村信号盲区;高速公路、国道及铁路线上的信号覆盖;在需要建基站但又没有条件建的地方;解决业务边界问题。但是这些地方供电较为困难或有可能解决供电问题但耗资巨大，而且电力解决以后还有安全、维护等因素。具有可靠性、寿命长、连续阴雨天，全天侯、不间断地野外工作时间长的特点，与拉电力线相比有经济安全、故障率低、维护方便等优点。　　智慧路灯电源　　通过市政对路灯进行供电，解决路灯微基站供电问题。“智慧灯杆联网系统”，是以照明灯杆为基础，集成了音视频监控设备、无线基站、WIFI热点、多媒体屏幕、充电桩以及天气、环境等各种感知器的新型智能设备，结合应用“NB—IOT系统”技术通讯手段，将采集的交通信息、环境信息、河道信息和安防信息等进行运算、分析、形成大数据平台层，实现对城市照明、安防、交通、能源、市政等公共设施运营管控应用层面的智慧城市管理。　　微基站内部电源系统系统中对交流接触器的选用、断路器熔断器及空气开关的选用、保护电路的设计、交流电量检测电路的设计、防雷及抗涌措施的选择等要符合规范。　　下图是一款研发的5G基站建设的移动微站电源：　　由上图可以看出，此款电源产品主要由4个单元组成，其中通信模块和开关电源部分决定了5G微基站运行的可靠性。开关电源部分：由于基站供电多样性和复杂性，决定了微基站电源需要综合考虑不同输入兼容问题，其开关电源的功率从1000W~3000W不等，处理大功率器件及相关模块的稳定性是非常关键的。对于如此之大的大功率开关电源开机瞬间的浪涌电流抑制成为了关键中的关键。森国科为此开发了高Bv、低Vf、高浪涌电流的碳化硅二极管KS06065，标称650V的Bv值，实际测试可以达到900V,冲击电流高达65A，典型漏电流低至1nA。　　森国科SiC二极管系列产品主要分为650V和1200V系列，使用6寸晶圆生产，车规级的生产工艺，具有高耐温，高频，高效，高压特性，在广大高功率电源产品中得到广泛应用。主要应用于矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块、新能源汽车充电机、光伏逆变器等。
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发布时间：2025-08-19 11:43 阅读量：218 继续阅读>>
森国科推出极小封装碳化硅二极管，提升电源效率！
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森国科推出极小封装碳化硅二极管，提升电源效率！

　　深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS02065(650V/2A),该系列二极管主要用来提升电源类产品的效率、减少体积、降低EMI问题、提升高温特性，进而全面提升功率密度。目前2A系列的碳化硅二极管已通过多家客户的测试验证，并实现了大批量供货。　　森国科第五代650/2A TMPS二极管具有一流的鲁棒性和耐久性 ，具备高浪涌电流和雪崩能力，并通过100%雪崩(UIL)生产测试，技术参数对标国际一线公司的最新产品，足以满足高端领域的国产化替代需求。为了提升KS02065在不同应用中的灵活性，确保整个流程的稳定运行，森国科为客户提供TO-220, TO-252， SMA三种不同的封装：　　TO-220-2L封装散热效果最佳，但是相对来说占用空间;　　TO-252-2L封装具备优秀的散热能力，体积上也有一定的优势，在应用场景上的利用率较高;　　SMA是碳化硅功率器件封装中体积最小的一款，约为4.5mm*2.7mm，也是目前国内少有的封装样式。SMA封装通常在硅二极管中比较常见，在一些电源类产品中如需使用碳化硅二极管来替代，可以在节省电路修改和PCB设计的前提下，保障系统效率的稳步提升，这对应用端来说是一举多得的选择。　　典型应用电路如单向PFC电路: D5，电路简单，成本低，初级无电解电容。　　森国科深耕宽禁带半导体领域多年，目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作，秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。
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发布时间：2025-08-19 11:40 阅读量：252 继续阅读>>
纳芯微发布NS800RT737x高性能实时控制MCU（DSP），赋能工业与能源核心控制
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纳芯微发布NS800RT737x高性能实时控制MCU（DSP），赋能工业与能源核心控制

　　在实时性要求极高的电力电子与电力拖动领域，如新能源逆变器、工业伺服控制及车载电机驱动中，系统必须在毫秒甚至微秒级完成数据处理与响应。纳芯微全新推出的NS800RT737x系列MCU(DSP)：NS800RT7374/7377/7379，以高性能实时控制内核为核心，集成丰富外设与保护功能，能够显著提升控制精度和系统稳定性，缩短开发周期，提供高可靠国产选择。　　高性能内核与存储架构，赋能实时运算　　NS800RT737x系列采用单/双Cortex®-M7内核@400MHz内核，每个内核配备自研eMath/mMath加速核，支持数学函数、FFT及矩阵运算加速，大幅提升实时运算效率。产品集成1MB eFlash+13KB DFlash，搭配高达768KB RAM(含256KB TCM*2+256KB SRAM)，为复杂算法和多任务处理提供充足空间。NS800RT737x系列详细规格　　多通道高速采样与超高精度控制　　NS800RT737x系列内置4个12位ADC模块(4.375MSPS)，最高支持25路ADC，8对比较器以及2路DAC，可同时采集多路信号，适配高动态响应需求。36路PWM(其中32路高精度PWM)具备124ps最小细分，实现超精细的功率控制，满足光伏储能逆变器、数字电源、电机控制等对控制精度极高的应用。　　丰富可编程与信号处理外设，提升系统集成度　　NS800RT737x系列最高支持6个CLB可配置逻辑模块，可通过编程实现各种灵活的功能;16路SDFM(Sigma-Delta Filter Module)提供多路高精度数字输入，适配隔离式电流/电压采样场景;四线QSPI实现高速外部通信;双32通道DMA提升数据传输效率，减轻CPU负载。　　完善通信接口，护航信息安全　　NS800RT737x系列最高支持2路CAN-FD、1路CAN 2.0、4路SPI、6路UART、2路I²C、1路PMBus及一路EMIF外扩总线，确保在车载、工业等多总线环境下的稳定通信。　　同时，芯片内置CRC、BGCRC、TRNG、HASH-AES等硬件加密引擎，加持信息安全。　　生态友好，降低开发门槛　　NS800RT737x系列兼容ARM常用IDE(Keil、IAR)并支持纳芯微自主开发的NovoStudio工具链，帮助客户快速迁移和部署，缩短产品上市周期。NS800RT737x系列评估板
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发布时间：2025-08-19 09:42 阅读量：221 继续阅读>>
森国科：当人工智能遇上碳化硅，高算力时代的“电力心脏”革新
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森国科：当人工智能遇上碳化硅，高算力时代的“电力心脏”革新

　　人工智能掀起的高算力浪潮中，算力中心日夜不息地运转，训练着庞大的模型，支撑着自动驾驶、科学发现和智能体机器人技术的快速发展。然而，这辉煌算力背后却藏着不容忽视的“能量焦虑”--急剧增长的电力消耗与转换效率瓶颈。传统硅基功率器件这只能量转换的“老旧心脏”，在高频、高温的极限环境下已日益力不从心。　　这场能源革命的曙光，落在了第三代半导体碳化硅(SiC)身上。　　1. 破局者诞生：碳化硅功率器件的核心优势　　如果说传统硅(Si)材料打造的功率器件是我们熟悉的“蒸汽机”，那么碳化硅功率器件便是新时代的“内燃机”，实现了能源转换效率的颠覆性跨越。作为功率半导体材料的新物种，材料特性独具一格：　　相对于第一代(硅基)半导体，第三代半导体(碳化硅等)禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力，耐温能力大幅提升(最高200°C以上，硅器件极限约150°C)，高温可靠性无可比拟;　　碳化硅更适合作为衬底材料：在高压和高可靠性领域选择碳化硅外延;　　碳化硅衬底器件体积小：由于碳化硅具有较高的禁带宽度，碳化硅功率器件可承受较高的电压和功率，其器件体积可变得更小，约为硅基器件的1/10。同样由于碳化硅较高的禁带宽度，碳化硅器件可进行重掺杂，碳化硅器件的电阻将变得更低，约为硅基器件的1/100。　　碳化硅衬底材料能量损失小：在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%～60%之间;800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%～50%之间。碳化硅器件的能量损失更小。　　碳化硅功率器件卓越的性能，　　带来了电力电子系统层面的跃升表现　　--更优转换效率：碳化硅材料的核心指标优势使系统综合效率得以极致突破，电能损耗可大幅降低;　　--更强功率密度：更高频的开关允许电路中使用更小的磁性元件(电感、变压器)，电源整体尺寸可缩小30%～50%;　　--更简冷却系统：低发热使得所需冷却资源大幅缩减，冷却结构设计得以简化。　　2. 高算力背后的电力脉搏：碳化硅的应用战场　　在算力中心与电力基础设施的心脏部位，碳化硅功率器件已成为高电压、大功率应用的隐形“力量源泉”。　　AI算力中心的“能源命脉”　　-- 服务器电源(PSU)：数据中心海量服务器需要超高效率、极高功率密度的电源单元。全球领先电源厂商已发布超过钛金级效率的3kW+碳化硅电源模块，能将整机效率拉升到97%+以上;　　--高压直流供电(HVDC)：直接支持400V～1000V直流输入，减少转换环节，损耗预计降低30%以上;　　--不间断电源(UPS)：备用电源效率提升是关键。碳化硅UPS系统实现了行业领先的98%+效率，同时在功率密度、体积上也极具优势，100kW~200kW 的碳化硅UPS已经陆续量产;　　--机架级配电：48V母线和新型分布式架构中，SiC功率芯片负责高压到中低压的高效、高频降压转换。　　支撑算力基石的“绿色枢纽“　　--光伏/储能变流器：光伏发电和电网级储能装置中，碳化硅功率器件让逆变器效率可超过99%。　　--新能源充电桩：电动汽车快速发展的支撑关键，15分钟充满电的超级快充需800V/1000V高压平台。碳化硅模块满足高电压(1200V/2000V)高频高功率要求。　　未来科技的”动力心脏“　　--电动汽车：从电机驱动控制器(电驱)、车载充电器(OBC)到DC/DC变换器，采用碳化硅可有效实现5%～10%的系统效率提升，同等电量下续航延长30公里以上。　　--高速轨道交通、工业电机驱动：碳化硅是高频、大功率应用的理想选材。　　3. 因果循环：人工智能如何驱动碳化硅革命　　这是一个不可分割的因果闭环链：　　· AI引爆算力 ▶ 算力渴求电力 ▶ 效率亟待提升 ▶ 硅基功率芯片效率已达瓶颈　　· SiC带来电力电子效率革命 ▶ 更高效能源转换支撑更庞大算力 ▶ 推动更复杂的AI落地　　没有碳化硅功率器件对电力损失的精简优化，支撑千万级服务器的数据中心根本无法运作，更不可能为ChatGPT这样的人工智能提供稳定澎湃的基础保障。每一次AI模型的迭代背后，都是高效电力心脏“泵血”能力的跃迁式支撑。　　当千层算法在计算洪流中奔涌探寻智慧之光，是碳化硅功率器作为隐形的能量心脏，在高频节律中泵送着支撑未来所需的磅礴能量。它不再只是硬件清单中的寻常元器件--从算力中心、智能电网到风驰电掣的电动汽车，每一份高效电能都在突破硅时代的物理边界，重绘AI时代的能源图景。或许这硬核革命终将隐匿于技术进步的光辉之中，但这枚第三代“电力之心”在高算力时代的核心价值不言自明--它带来的不仅是能效跃升的百分点，更是通往智能时代的能源通行证。　　硅基时代的老旧心脏渐弱，碳化硅芯的电力脉搏已在高算力胸腔中强劲共振。　　当万亿参数规模的GPT模型在服务器阵列中高速运行，300亿美元的碳化硅市场如同新生血管般在全球电力网络深处悄然延伸--每一次计算脉冲的传递，都是新材料对物理极限的重新定义。　　森国科作为中国第三代半导体碳化硅(SiC)功率器件的领军企业，是驱动AI算力时代高效能基础设施的关键赋能者，历经8年的努力，推出了覆盖650V, 1200V, 1500V, 2000V 系列的碳化硅功率器件及模块，成为革新电源系统效率的“硬核力量”。森国科正以SiC之“芯”，为澎湃的AI算力打造高效、绿色的“电力血管”。
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发布时间：2025-08-18 17:17 阅读量：463 继续阅读>>
集成电路设计：地电平面反弹噪声和回流噪声是什么？
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集成电路设计：地电平面反弹噪声和回流噪声是什么？

　　在集成电路(IC)及电路板(PCB)设计中，地电平面反弹噪声与回流噪声是影响电路性能稳定性的重要因素。尤其在电流变化剧烈或地电平面分割的情况下，这两种噪声问题尤为突出。　　1.地电平面反弹噪声　　定义：地电平面反弹噪声(简称地弹)是指在电路中存在大电流涌动时，由于芯片封装与电源平面间的电感、电阻效应，导致真正的地平面(0V)上产生电压波动和变化的现象。　　产生原因：大量芯片输出同时开启，形成瞬态大电流，通过芯片与电源平面间的路径时，由于电感、电阻的存在，产生压降，使地平面电位偏离0V。　　影响因素：负载电容增大、负载电阻减小、地电感增大、同时开关器件数目增加，均会加剧地弹现象。　　2.回流噪声　　定义：回流噪声是由于地电平面(包括电源和地)被分割为多个区域(如数字地、模拟地、屏蔽地等)，当信号跨越不同地平面区域时，产生的电流回流路径上的噪声。　　产生原因：地平面分割导致信号路径上的电流不得不通过其他路径回流，如数字信号进入模拟地线区域时，产生的回流电流会干扰模拟电路。　　影响因素：电源层分割为不同电压等级(如2.5V、3.3V、5V等)，地电平面的分割程度，以及信号跨区域的频率和幅度。
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发布时间：2025-08-18 15:06 阅读量：224 继续阅读>>
全球半导体市场复苏，上半年市场规模达3460亿美元！
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全球半导体市场复苏，上半年市场规模达3460亿美元！

　　据世界半导体贸易统计组织 WSTS 数据，今年 1~6 月全球半导体市场规模达 3460 亿美元，同比增长 18.9%。　　按时间划分，一季度市场规模约 1670 亿美元，同比增长 18.1%;二季度约 1800 亿美元，同比增长 19.6%。　　按类别划分，上半年逻辑半导体市场规模提升 37%、存储半导体则增长 20%、传感器增长 16%、模拟和微型器件均小幅增长 4%，而分立器件和光电器件分别出现 4% 和 0.5% 的环比下滑。　　WSTS 同时将对 2025 全年世界半导体市场规模的预测上调至 7280 亿美元，这一数据较 2024 年提升 15.4%;而 2026 年半导体市场规模则有望达到 8000 亿美元，进一步同比增长 9.9%。　　美国半导体行业协会(SIA)的数据也在佐证市场的缓慢回升。据SIA统计，2025年6月，全球销售额达599亿美元，同比增长19.6%，环比增长1.5%。2025年第二季度全球半导体销售额达1797亿美元，环比增长7.8%。　　SIA总裁兼首席执行官John Neuffer表示：“今年第二季度全球芯片销售依然强劲，比第一季度增长8%，比去年同期增长近20%。市场同比增长主要得益于亚太和美洲市场的销售增长，预计下半年全球市场将实现年度增长。”
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发布时间：2025-08-18 13:55 阅读量：321 继续阅读>>

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