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威兆半导体锂电保护应用<span style='color:red'>功率器件</span>解决方案

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威兆半导体锂电保护应用功率器件解决方案

　　引言　　随着锂电技术的持续进步，新型应用场景的涌现，中国锂电行业呈现出规模扩张、结构优化的发展态势。数据显示，2024年中国锂离子电池出货量达到1214.6GWh，同比增长36.9%，在全球总出货量的占比达到78.6%，且份额仍在持续扩大。展望未来，伴随着固态电池技术走向成熟，AIDC/储能等应用需求的增加，全球锂电市场前景仍十分广阔。　　安全是锂电行业发展的生命线，BMS/锂电保护板作为锂电系统的“保护神”，是系统安全可靠运行不可或缺的关键环节，近年来亦展现出高速发展的趋势。　　锂电保护板典型结构　　BMS/锂电保护板主要功能包括电池状态监测，包括电压、电流、温度等;电池状态计算，SOC、SOH监测及分析;电池安全保护，过流、过温、过充过放与短路保护等;电池能量管理，充放电及均衡控制等;还有电池信息管理，即信息交互及储存。　　锂电保护板的常见结构如下所示：图1 储能保护板典型结构　　正常工作时，充放电保护MOSFET处于常通状态，MOSFET的低Rds(on)特性有利于降低系统损耗，提升系统效率。发生异常工况时，可根据控制指令快速关断，对用户和用电设备实现有效保护。　　锂电保护板工作原理及失效模式分析　　短路是锂电系统面临的极端危险场景，提升短路保护的可靠性是系统维持安全运行的关键环节。负载短路时，回路电流会迅速升至最大值，该值的大小取决于电池电压和回路阻抗。从短路保护波形可以看到，整个过程分为两个阶段：短路保护延时时间，是系统对异常工况的检测与反应时间;短路保护动作时间，则是关闭保护MOSFET的时间。CH2:Vgs CH3:Vds CH4:Ishort图2 锂电保护板短路保护模式　　短路保护失效模式　　锂电保护板的短路失效模式主要有过电压失效和过热失效两种。热失效源于MOSFET关断时长时间处于线性模式，高电压大电流交叠会产生很大的能量损耗，关断速度过慢导致损耗过高，使晶圆温度超过其能承受的最大结温，器件被烧毁，将可能引发系统失控的严重后果。过电压失效则是由于MOSFET关断瞬间，板卡的寄生电感与高di/dt，产生高电压尖峰，叠加在MOSFET两端，严重时可导致MOSFET雪崩失效，进而导致系统失控。　　实际应用中，通过合理调整MOSFET的动作时间、增加电压钳位等保护措施，在过电压失效和过热失效这两种模式间找到平衡，以提升极端工况下的系统可靠性。　　功率器件失效机理分析　　深入探究锂电保护应用中的MOSFET失效机理，有助于精准把握功率器件在不同工况下的性能表现，从而优化设计，提高锂电保护的可靠性和稳定性。　　1. 短路失效机理　　热失效模式，短路保护关断过程中，MOSFET的关断动作时间过长，热量累计导致MOSFET晶圆的Tj超过其最大值Tj_max，晶圆被烧毁，出现不可逆的损坏。过压失效模式，则是因为短路保护关断过程中，MOSFET进入雪崩状态，高dv/dt可能导致寄生晶体管导通，出现闩锁失效现象，从而导致器件被击穿。　　2. 不同失效模式下的晶圆形态　　对不同失效模式的晶圆进行开盖分析，热失效模式下失效点会呈现高温状态的碳化等现象;而过压失效模式，MOSFET会进入雪崩状态，其瞬间的大能量则会导致晶圆损伤点较大，晶圆伴有开裂现象。回路的电感值越小，短路峰值电流越大，关断瞬间产生的能量越大，破坏区域亦更大。　　3. 热不稳定性曲线　　以VSP9R5N15HS-G型号为例，对MOS管SOA和ZTC点进行说明。零温度系数点ZTC作为一个关键指标，当Vgs高于ZTC点时，温度上升电流减小，Rds(on)呈正温度系数;Vgs低于ZTC点时，温度上升电流增大，呈负温度系数，此时容易形成热点导致器件损坏。　　锂电保护应用中，MOSFET关断时，在跨越线性区过程中，较易形成局部过热从而导致器件失效。通过对器件本身的优化设计，有利于提升功率MOSFET在此工况下的应用表现。　　4.驱动电阻的影响　　实际应用中，驱动电阻的阻值可有效影响器件的开关速度，改变MOS管的关断时间，在过压失效和过热失效之间找到折中点。实验中将驱动电阻的阻值从510Ω调整到300Ω，观察到短路保护动作时间和关断过程中产生的损耗均有了显著减小的趋势。　　这一改变具有重要意义，短路关断时间的优化能直接改善MOSFET短路保护的可靠性。所以，在设计和使用MOS管时，合理调整驱动电阻至关重要。　　威兆锂电保护应用系统解决方案　　威兆低压MOSFET具备优异性能和高可靠性，配备强有力的支持团队，可为客户提供有效的技术支持和全生命周期的服务能力。功率器件已安全可靠应用于多个行业，涵盖ESS、E-Bike、低速汽车、电动叉车、电动工具、AGV等不同场景，满足不同的用户需求。　　产品组合广泛，具备20V至200V多种电压规格，产品具备导通电阻Rds(on) 低、Vth一致性高、抗雪崩能力强等特点。能适配多样化的市场应用。典型型号如VS1891GKH、VSM006N15HS-G等，已得到市场的广泛使用，并得到优异反馈。　　表1 威兆BMS/锂电保护功率器件解决方案

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威兆半导体

发布时间：2025-12-25 16:57 阅读量：220 继续阅读>>

小巧、轻便、高效，安森美垂直GaN解锁<span style='color:red'>功率器件</span>应用更多可能

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小巧、轻便、高效，安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能

　　在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。　　垂直架构：功率技术新高度　　垂直 GaN 创新：vGaN 支持高电压和高频率运行，效率优于硅芯片　　先进制造工厂：GaN 研发工作在占地 66,000 平方英尺、配备 GaN 生产专用工具的洁净室设施中进行　　专有 GaN 生长工艺：工程师借助安森美 (onsemi) 独特的专有技术，直接在 GaN晶圆上生长 GaN 层　　市场领先与发展进度：安森美率先实现 vGaN 技术规模化生产，目前已向早期客户提供 700V 和 1,200V 器件样品　　什么是垂直 GaN?　　垂直 GaN 结构：GaN 层生长在 GaN 衬底上，电流可以垂直流过芯片　　更高性能：与横向 GaN 器件相比，可实现更高的电流密度和电压　　出色的开关速度：支持的开关频率超越硅和碳化硅技术的能力范围　　先进应用：非常适合用于人工智能数据中心、电动汽车充电桩与主驱逆变器，以及可再生能源系统　　垂直 GaN 与横向 GaN　　功率性能比较：　　vGaN 正推动众多关键领域的创新和效率提升　　安森美的垂直 GaN赋能未来　　人工智能数据中心：通过减小 800V 电源转换器的尺寸，提高计算密度　　电动汽车：电动汽车充电速度更快，相关设备尺寸更小、效率更高　　可再生能源：高效的太阳能逆变器和风能系统，减少能源浪费　　航空航天：紧凑、坚固、可靠的高性能电源系统　　安森美成功驾驭复杂技术，助力实现规模化创新　　垂直 GaN 技术的重要进展：研究人员对这项技术的探索已逾 15 年。安森美实现垂直 GaN 的商业化，是制造领域的重要里程碑。　　先进制造工艺：垂直 GaN 制造需要在块状衬底上生长厚实且无缺陷的 GaN 层，这一过程依赖精密外延生长技术和新型制造方法。　　创新与专利组合：安森美拥有 130 多项相关专利，涵盖器件架构和加工工艺，展现其强大的创新能力和知识产权保护水平。　　GaN 的科学原理　　纤锌矿结构 - 六方晶系的优势　　高键合强度与低本征缺陷　　垂直 GaN 晶体的生长和掺杂过程旨在提升其性能和可靠性，同时简化制造工艺。这一特性使垂直 GaN 有别于硅和碳化硅，成为未来高能效电子产品的战略材料。　　六方晶系的优势：纤锌矿晶体结构提升性能　　垂直 GaN 的六方纤锌矿晶体结构是其优异性能的基础。这一结构赋予其独特的电子特性，显著增强其耐高压能力，并有助于电源系统微型化。　　这种晶系优势与 pGaN 和 nGaN 的制备方法使垂直 GaN 有别于传统材料，成为推动下一代电子产品性能提升的关键因素。　　高精准度：垂直 GaN 在高温环境中表现稳定　　垂直 GaN 通过高温生长工艺获得出色的稳定性和性能，为高能效、高可靠性电力电子技术的发展提供支撑。　　垂直 GaN 器件能够承受超过 1,200 V 的电压。利用该技术，已经研制出额定电压达 3,300V 的器件。　　Si、 SiC 和 GaN 材料参数　　GaN 在高频应用中表现出色　　GaN-on-GaN 具备高耐用性　　与 GaN-on-Si/GaN-on-SiC 等横向器件相比，垂直结构的 GaN-onGaN 器件因其同质外延结构，天然具备更强的稳健性。　　垂直 GaN：简单的 GaN-on-GaN 三维结构　　垂直 GaN-on-GaN e-JFET 提供了一种可扩展的高导电性功率开关　　JFET 沟道利用 GaN的高体迁移率，实现较低的整体 RDS(ON)　　器件结构具备稳健的边缘端接设计，可实现完整的雪崩防护能力　　　　适用于各种应用的功率开关技术　　安森美的垂直 GaN 技术不仅是一项技术突破。对于那些寻求在能效、电气化和先进制造领域占据领先地位的企业和国家而言，它更是一项战略资产。　　能源需求：以高效率、高性能的电力电子器件满足 AI 和电动汽车市场日益增长的能源需求　　性能和效率：相比传统解决方案，更小巧、更轻便、更高效;支持先进的产品设计　　行业投资：为高能效电子产品提供竞争优势，同时具备技术前瞻性，能够满足未来市场需求

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发布时间：2025-12-02 10:00 阅读量：459 继续阅读>>

上海贝岭安规级IGBT<span style='color:red'>功率器件</span>通过UL1557认证！

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上海贝岭安规级IGBT功率器件通过UL1557认证！

　　近日，上海贝岭自主研发的安规级IGBT功率器件-BLG15T65FUA系列产品成功通过UL1557认证。这一突破标志着产品在安全性、可靠性表现上达到了先进水平，为进军高端安规级工业市场拿到了关键“通行证”，为电力电子设备的安全稳定运行注入强劲信心。　　详细介绍　　UL1557认证：功率半导体器件的"安全证书"　　UL1557认证是美国保险商实验室专门针对半导体器件安全制定的认证标准。该认证通过对产品的架构设计、材料选择、制造工艺等多个维度进行严格测试评估，确保产品在过流、过压、过热等极端条件下仍能保持安全可靠。　　BLG15T65FUA系列：性能与安全的完美融合　　本次通过认证的BLG15T65FUA系列绝缘栅双极晶体管，不仅满足UL1557认证的严格要求，更在性能参数上表现出色：：　　高耐压能力：650V耐压等级，适应严苛工作环境　　低导通损耗：优化器件结构，显著降低导通压降;　　快速开关特性：提升系统效率，减少开关损耗;　　宽安全工作区：确保在复杂工作条件下稳定可靠　　应用价值：为多个领域注入新动力　　BLG15T65FUA系列获得UL1557认证，将为以下应用领域带来更可靠的选择：　　新能源领域：光伏逆变器、风电变流器　　工业控制：电机驱动、变频器、UPS电源　　智能家电：变频空调、冰箱、洗衣机　　展望未来　　BLG15T65FUA系列通过UL1557认证，是上海贝岭在功率半导体领域的重要里程碑，更是持续追求卓越的新起点。未来，上海贝岭将继续践行用“芯”创造美好生活的使命，为客户提供更安全、更可靠、更高效的半导体解决方案。

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上海贝岭

发布时间：2025-11-03 10:22 阅读量：695 继续阅读>>

罗姆与英飞凌携手推进 SiC <span style='color:red'>功率器件</span>封装兼容性，为客户带来更高灵活度

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罗姆与英飞凌携手推进 SiC 功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

　　2025 年 9 月 25 日全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，与英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”)就建立 SiC 功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及 AI 数据中心等领域的 SiC 功率器件封装展开合作，推动彼此成为 SiC 功率器件特定封装的第二供应商。未来，用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。　　英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 表示：“我们很高兴能够通过与罗姆的合作进一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中提供更丰富的选择与更大的灵活性，同时还有助于开发出能够推动低碳进程的高能效应用方案。”　　罗姆董事兼常务执行官功率器件事业部负责人伊野和英表示：“罗姆的使命是为客户提供最佳解决方案。与英飞凌的合作将有助于拓展我们的解决方案组合，同时也是实现这一目标的重要一步。我们期待通过此次合作，能够在推进协同创新的同时降低复杂性，进一步提升客户满意度，共同开拓功率电子行业的未来。”英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer(左)罗姆董事兼常务执行官伊野和英(右)　　作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌创新的 SiC 顶部散热平台(包括TOLT、D-DPAK、Q- DPAK、Q-DPAK Dual 和 H-DPAK 封装)。该平台将所有封装统一为 2.3mm 的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。　　同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构 SiC 模块“DOT-247”，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的 Double TO-247 IGBT 产品组合新增 SiC 半桥解决方案。罗姆先进的 DOT-247 封装相比传统分立　　器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个 TO-247 封装连接的独特结构，较 TO- 247 封装降低约 15%的热阻和 50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到 TO-247 封装的 2.3倍。　　罗姆与英飞凌计划今后将不仅在硅基封装，还将在 SiC、GaN 等各类封装领域进一步扩大合作。此举也将进一步深化双方的合作关系，为用户提供更广泛的解决方案与采购选择。　　SiC 功率器件通过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性，同时还使更加小型化的设计成为可能。借助罗姆与英飞凌的 SiC 功率器件，用户可为电动汽车充电、可再生能源系统、AI 数据中心等应用开发高能效解决方案，实现更高功率密度。　　关于罗姆　　罗姆是成立于 1958 年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的 IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动 IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情，欢迎访问罗姆官方网站：https://www.rohm.com.cn/　　关于英飞凌　　英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约 58,060 名员工(截至 2024 年 9 月底)，在 2024 财年(截至 9 月 30 日)的营收约为 150 亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码：IFX)，在美国的 OTCQX 国际场外交易市场上市(股票代码：IFNNY)。

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罗姆

发布时间：2025-09-26 09:43 阅读量：615 继续阅读>>

2025发布：中国半导体<span style='color:red'>功率器件</span>十强！

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2025发布：中国半导体功率器件十强！

　　根据第十九届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2025年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛公布的信息，2024年中国半导体行业功率器件十强企业如下：　　中国半导体功率器件十强企业发布　　华润微电子：国内产品线最全面厂商之一，功率器件竞争优势显著，多项产品性能国内领先。　　闻泰科技：全球功率半导体龙头，覆盖全产业链，应用于汽车、工业、消费电子等领域。　　新洁能：专注高性能功率器件，率先掌握超结技术，量产屏蔽栅及超结功率 MOSFET。　　长晶科技：技术创新能力突出，产品应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。　　士兰微：技术积累深厚，产品含分立器件、IGBT、SiC 等，覆盖汽车、光伏、家电领域。　　扬杰科技：采用 IDM 与 Fabless 模式，构建全产业链，MOSFET、IGBT、SiC 研发拓展成效显著。　　时代电气：轨道交通技术积淀深厚，功率器件含 IGBT/IPM 模块，应用于轨交、新能源汽车等。　　斯达半导：国内领先 IGBT 模块供应商，芯片设计与封装技术扎实，应用于新能源汽车、光伏等。　　捷捷微电：专注功率器件研发生产，产品含二极管、MOSFET、IGBT，覆盖消费电子等多领域。　　华微电子：知名功率器件供应商，在 MOSFET、IGBT、二极管领域技术与市场优势显著。

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发布时间：2025-08-04 11:08 阅读量：1102 继续阅读>>

一站式扫货！罗姆SiC<span style='color:red'>功率器件</span>指南请收好

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一站式扫货！罗姆SiC功率器件指南请收好

　　近年来，为实现无碳社会，电动汽车的普及速度进一步加快。在电动汽车领域，为延长车辆的续航里程并提升充电速度，所采用的电池正在往更高电压等级加速推进，同时，提升OBC和DC-DC转换器输出功率的需求也日益凸显。另一方面，市场还要求这些应用实现小型化和轻量化，其核心是提高功率密度，同时亟需在影响功率密度提升的散热性能改善方面实现技术性突破。　　新品直击　　针对这些挑战，罗姆于2025年4月推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(以下简称“OBC”)的PFC和LLC转换器等应用。其通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。您可查看产品新闻或下载产品参考资料获取产品详细信息。　　产品特点　　1.构建大功率电源电路拓扑(PFC、LLC)的理想产品阵容　　- 内置4枚/6枚1,200V/750V耐压的SiC MOSFET，可构建更简洁小巧的电源电路　　- 产品阵容丰富，提供多种导通电阻(13mΩ~62mΩ)，用户可根据需求选择合适的产品　　2.采用导热性能优异的绝缘材料，散热性能出色，绝缘设计简便　　- 与散热性好的分立器件封装产品相比，其卓越的散热性能可有效抑制封装发热　　3.与同等小型功率模块相比，输出功率更高　　- 采用具有高散热性封装和低导通电阻的SiC MOSFET，电流密度是其他公司DIP模块的1.5倍　　产品阵容　　HSDIP20是罗姆SiC功率器件家族的新成员，作为SiC领域的深耕者，罗姆自2010年在全球率先实现SiC MOSFET的量产以来，已经自主开发了从SiC晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等SiC元器件所需的各种技术。　　另外，罗姆还提供各种形式的SiC元器件，其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此，为满足SiC市场不断扩大的需求，罗姆于2023年开始生产8英寸衬底，并计划从2025年开始量产并销售相应的元器件。　　产品矩阵　　- 罗姆SiC功率器件系列产品　　- SiC支持页　　- 第4代SiC MOSFET　　- 应用合作案例　　新型二合一SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”　　TRCDRIVE pack™的功率密度高，并采用ROHM自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。您可查看产品新闻或下载产品参考资料。　　产品阵容　　宽爬电距离封装，SiC肖特基势垒二极管　　采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高!与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理。更多内容您可点击查看产品新闻或点击下载产品参考资料。　　产品阵容　　未来，ROHM将继续开发新产品，通过提供满足市场需求的优质功率元器件，为汽车和工业设备的节能和效率提升贡献力量。

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发布时间：2025-06-26 16:34 阅读量：726 继续阅读>>

新洁能第三代40V SGT-MOS：定义中低压<span style='color:red'>功率器件</span>新标杆

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新洁能第三代40V SGT-MOS：定义中低压功率器件新标杆

　　作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列产品，构建全场景解决方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列凭借革命性的性能升级，为消费级、工业级以及车规级应用领域树立新标杆。　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用国际先进屏蔽栅沟槽工艺技术，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的开关特性和导通特性，其特征比导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)相比上一代产品降低33%，品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)降低31%，具备更高的电流密度、功率密度和鲁棒性。并且三代40V SGT-MOS通过三维沟槽结构创新与低阻晶圆工艺技术升级，提高全温度区间Ron稳定性，突破传统导通损耗与散热的极限平衡。以同面积的MOS芯片相比，Gen.3在150℃结温下Ron增量较Gen.1 减少16%，在保持超低Ron的同时，实现温升效率行业领先，有效解决高温场景下的效率衰减难题，助力系统小型化与长期可靠性，重构中低压功率器件的热管理能力。NCE世代产品与最优竞品Rsp性能对比　　全系产品分为高VTH和低VTH 2个细分方向，提供不同档位RDS(ON) 产品供客户挑选，灵活匹配不同的应用领域，如电机驱动、锂电池保护、同步整流、新能源汽车和AI算力等。同时全系产品包含DFN5*6、DFN5*6-DSC、DFN3*3、DFN3*3-DSC、sTOLL、TOLL、TOLT、TO-220、TO-263等封装形式，能够提供更灵活的交期与本地化服务。40V产品系列丰富，本文优先推荐DFN5*6、DFN5*6-DSC、sTOLL、TOLL封装重点产品型号。　　产品型号　　产品特点　　◆ 超低特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)　　◆ 极优品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)　　◆ 更小阈值电压Vth Range，利于并联应用　　◆ 更优温升效率，有效解决高温场景下的效率衰减难题　　◆ 极高功率密度　　◆ 更优抗振荡能力　　◆ 更强鲁棒性　　◆ 更齐全的封装形式　　◆ 更齐全的电阻、电流型号规格　　应用领域　　◆ 新能源汽车　　◆ AI算力　　◆ 通信服务器　　◆ 不间断电源UPS　　◆ 锂电池保护　　◆ 电动工具　　◆ 无人机　　◆ 适配器　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET以“更优设计、更高效率、更高品质”为核心竞争力，重新定义中低压功率器件技术边界。

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发布时间：2025-06-09 09:58 阅读量：1214 继续阅读>>

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新洁能：车规级双面散热功率器件新品，助力汽车电子性能升级

　　在汽车电子行业飞速发展的今天，提升可靠性、效率和散热性能成为了功率器件设计的重要方向。新洁能车规级 PDFN5*6 双面散热产品，以其优异的散热性能和紧凑的封装设计，成为新一代汽车应用中的明星产品。　　市场趋势驱动产品需求　　随着新能源汽车、ADAS(高级驾驶辅助系统)和车联网等技术的普及，车规级功率器件需要在更高功率密度、更复杂工作环境下保持出色的性能和可靠性。传统单面散热封装已难以满足这些需求，而本次新洁能正式宣布推出一款40V的 PDFN 5x6(NCEAP008NH40AGW)双面散热车规级MOSFET新品，凭借高效的热管理能力，为高功率场景带来了新的解决方案。　　产品信息基本概要　　这是一款40V的双面散热车规级的MOSFET新品，采用的PDFN 5x6双面散热封装，结壳热阻RθJC低达0.63℃/W，最大持续电流(ID)365A@Tc=25℃，RDS(ON)最大值为1.05mΩ，工作温度范围-55 To 175℃。同时，由于RDS(ON)和Qg的极低的组合，具有较小的导通电阻和栅极电荷，确保了导通和开关功率损耗均得以最小化，可提供最高效的高频开关性能，是专为汽车电子而设计的高可靠性、高品质和高性能器件。　　PDFN5*6 双面散热封装的核心优势　　1. 双面散热，极致热性能　　● 更高效的热流路径：双面散热结构允许热量从芯片正反两侧同时导出，形成平衡的热流路径。相比单面散热结构，热流分布更加均匀，能有效避免芯片局部过热问题。　　● 大幅降低热阻：通过铜夹片技术将芯片热量直接传导到封装顶部和底部，大大降低了热阻RθJC，热阻比单面散热器件下降了 20%-50%，显著提升热性能。　　● 与散热片直接接触：顶部和底部的散热金属层可以直接连接散热片或冷却系统，增强导热效率，同时降低系统散热设计的复杂度。　　2. 紧凑封装，灵活设计，提升系统效率　　顶部开窗式的 PDFN 5x6 封装与 NCE标准的 PDFN 5x6具有相同的封装和尺寸(5mmx6mm)，无需修改现有 PCB 布局，同时双面散热封装可直接与散热片或冷却系统结合，为系统设计提供更多灵活性。适用于汽车电子对空间高度敏感的应用场景，如电池管理系统(BMS)、DC-DC 转换器、车载充电器(OBC)和功率控制单元(PCU)。产品支持低导通电阻(Rds(on))和高开关频率，有助于降低导通损耗和开关损耗，提高整体能效。　　 3. 高可靠性，满足车规要求　　采用第三代 Super Trench技术，符合 AEC-Q101 标准，具有卓越的耐高温、耐潮湿和抗温冲性能，能够在严苛的车载环境中长期稳定运行。　　典型应用场景　　新能源汽车电池管理系统(BMS)　　在新能源汽车中，BMS 负责监控电池状态，确保安全和高效运行。PDFN5*6 双面散热产品为 BMS 提供卓越的热性能支持，可以将工作温度降低 15%-20%，从而延长系统寿命，减少冷却设备的负担，帮助系统更好地应对高功率充放电的热管理需求。　　车载充电器(OBC)与 DC-DC 转换器　　高功率密度的 DC-DC 转换器和 OBC 对功率器件的散热性能和效率提出了更高要求。PDFN5*6 双面散热封装能够显著提升系统效率，降低散热方案复杂度。　　ADAS 驱动模块　　在摄像头、雷达等 ADAS 模块中，PDFN5*6 双面散热功率器件可以显著降低模块发热，确保性能稳定，为驾驶安全保驾护航。　　技术实力保障产品优势　　我们深耕车规级功率器件领域，通过自主研发和制造，全面掌控芯片设计、封装和测试流程，确保每一颗器件的性能和可靠性达到行业领先水平。　　● 创新的封装工艺：采用先进的铜夹片双面散热技术，确保更低的热阻和更高的功率密度。　　● 完善的质量体系：符合 ISO 16949 质量标准，为客户提供可信赖的解决方案。　　● 卓越的客户服务：快速响应客户需求，提供定制化的技术支持。　　结语　　车规级 PDFN5*6 双面散热功率器件，是未来汽车电子系统发展的关键助力，能够为客户带来高效、可靠、灵活的功率解决方案。新洁能致力于与客户携手，共同推动汽车电子行业的持续创新与发展。

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新洁能

发布时间：2025-03-04 11:54 阅读量：1604 继续阅读>>

安森德多层外延高压超结MOS助力高端<span style='color:red'>功率器件</span>国产化

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安森德多层外延高压超结MOS助力高端功率器件国产化

　　总部位于深圳的安森德半导体有限公司(ASDsemi)成立于2018年，是一家更懂应用的模拟芯片和系统级芯片设计公司，致力于为全球客户提供半导体功率器件和模拟IC，产品覆盖功率器件：中低压、高压、超结MOSFET，第三代半导体SiC、GaN;模拟芯片：电源管理芯片、信号链芯片;SiP系统级芯片三大类产品线。产品可广泛应用于工业电源、电机驱动、消费电子、新能源、光伏储能等众多领域，并与全球顶尖企业在技术与业务方面进行深入合作。先后获得国家高新技术企业，创新型中小企业，科技型中小企业等荣誉资质。　　安森德高压超结MOS，使用行业最通用的多层外延工艺，经过资深的研发团队多年的研发和技术积累，成功的把22mΩ到1.6Ω成系列的产品实现了量产并推向市场，电压范围覆盖500V、600V、650V、700V、800V、900V、封装包括TO-247、TO-263、 TO-220、 TO-252、 TOLL、 DFN 8*8等主流封装形式。　　拥有20多年海内外著名功率半导体公司工作经验的研发团队，保证了产品设计处于行业领先水平。安森德高压超结MOS选用国际领先的晶圆代工厂进行流片，国内一流的封装厂进行封装，选用的晶圆厂和封装厂都通过了TS16949, ISO9001等质量体系认证，保证了产品生产的可靠性和一致性。　　已经实现量产的ASJ028N60L2H-T，最小Rdson达到了业内领先的22mΩ水平，全可靠性的测试认证保证了该产品适用于各种高端场合应用：通讯电源、服务器电源、工业电源、充电桩等。高性价比的ASJ037N65L2H-T(650V/37mΩmax), 在保持优秀的开关损耗的同时，改善了EMI和EAS性能，大大提高了客户系统的效率和性能，能够很好应对苛刻条件下的的产品设计。　　最新推出的650V，180mΩmax产品成功的实现TO-252的封装，是业内能把200mΩ以下产品封装到TO-252封装的少数厂家之一。　　安森德半导体在致力于为全球客户提供领先的半导体功率器件和模拟IC的道路上不断地探索，即将推出的600V、18mΩ、TO-247封装和650V,40mΩ, TOLL封装产品，将能为客户提供更优异性能和更先进封装的产品选择。　　安森德高压超结MOS将在助力高端功率器件国产化的道路上不断前进。

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发布时间：2024-12-17 15:46 阅读量：1058 继续阅读>>

罗姆与台积公司在车载氮化镓<span style='color:red'>功率器件</span>领域建立战略合作伙伴关系

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罗姆与台积公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系

　　全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(以下简称“台积公司”)就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。　　通过该合作关系，双方将致力于将罗姆的氮化镓器件开发技术与台积公司业界先进的GaN-on-Silicon工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率元器件日益增长的需求。　　氮化镓功率器件目前主要被用于AC适配器和服务器电源等消费电子和工业设备应用。作为可持续发展和绿色制造的领导者，台积公司看好未来氮化镓功率器件在电动汽车(EV)的车载充电器和逆变器等车载应用中的环境效益，正在加强自身的氮化镓技术实力。　　此次的合作关系是基于罗姆与台积公司在氮化镓功率器件领域的合作历史建立起来的。2023年，罗姆采用台积公司的650V耐压氮化镓HEMT工艺，推出了属于罗姆EcoGaN™系列的新产品，目前新产品已被用于包括Delta Electronics, Inc.旗下品牌Innergie的45W AC适配器“C4 Duo”在内的众多消费电子和工业领域应用。　　罗姆董事兼专务执行官东克己表示：“能够高频工作的氮化镓器件，因其具有小型、节能且有助于实现无碳社会的优势而被寄予厚望。要想将其产品优势落实到实际应用中，拥有可信赖的合作伙伴非常重要，我们非常高兴能够与拥有世界尖端制造技术的台积公司合作。在该合作关系基础上，我们还将通过提供包括可更大程度地激发氮化镓性能的控制IC在内的、易用的氮化镓解决方案，来促进氮化镓功率器件在车载应用领域的普及。”　　台积公司特殊技术业务开发资深处长李健欣表示：“随着我们在氮化镓制程技术的下一代发展，台积公司和罗姆将扩展我们的合作伙伴关系，致力于开发和生产用于汽车应用的氮化镓功率器件。通过结合台积公司在半导体制造领域的专业知识和罗姆在功率器件设计方面的专长，我们将努力推动氮化镓技术及其在电动车上的应用边界。”　　关于台积公司　　台积公司成立于 1987 年，率先开创了专业集成电路制造服务之商业模式，自此成为世界领先的专业集成电路制造服务公司。台积公司以领先业界的制程技术及设计解决方案组合支援其客户及伙伴生态系统的蓬勃发展，以此释放全球半导体产业的创新。身为全球的企业公民，台积公司的营运范围遍及亚洲、欧洲及北美，致力成为企业社会责任的行动者。2023 年，台积公司提供最广泛的先进制程、特殊制程及先进封装等 288 种制程技术，为 528个客户生产 1 万 1,895 种不同产品。台积公司企业总部位于中国台湾新竹。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情，欢迎访问罗姆网站：https://www.rohm.com.cn/　　・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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罗姆

发布时间：2024-12-11 10:50 阅读量：1153 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

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STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
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