为智能健身注入高效动能|萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机<span style='color:red'>驱动</span>与电源管理
  在现代智能健身器材中,高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET,凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性,成为跑步机、动感单车、划船机、力量器械等设备中电机控制与电源系统的理想半导体解决方案。  一、产品核心特点  1、先进沟槽单元设计  采用高效Trench结构,实现低导通电阻与高开关速度的平衡。  2、低热阻设计  结到壳热阻(Rjc)仅为 1.3℃/W,散热性能优异,支持高功率持续输出。  3、低栅极电荷与快速开关  栅极电荷(Qg)低至 33.6nC(N沟道) 与 30nC(P沟道),配合 ns 级开关时间,提升系统响应效率。  4、全面可靠性保障  100% EAS(雪崩能量)测试、100% Rg(栅极电阻)测试,确保每颗器件都符合严苛标准。  5、环保工艺  符合无卤、无铅环保要求,适用于绿色电子产品设计。  二、关键性能参数  作为一款兼顾高电流承载与低损耗的 MOSFET,SR45C03PS 的关键参数堪称 “实力派”:  N沟道 MOSFET  VDSS:30V  RDS(on):6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A  连续漏极电流:82A @ TC=25℃  栅极阈值电压:1.0V ~ 2.5V  P沟道 MOSFET  VDSS:-30V  RDS(on):7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A  连续漏极电流:-75A @ TC=25℃  栅极阈值电压:-1.2V ~ -2.5V  三、在健身器材中的核心应用  跑步机  高连续电流与峰值电流能力,满足电机驱动的动力需求,应对启动瞬间的冲击电流;低导通损耗减少长时间运行的能耗,配合宽温范围适配不同使用环境;  筋膜枪  N+P 沟道集成设计适配无刷电机驱动,快速开关响应支持精准 PWM 调速,实现多档位力度调节;紧凑封装与低功耗特性,助力产品小型化与长续航;  动感单车  稳定的功率控制性能适配电动磁控系统,实现 32 档以上精准调阻,让阻力变化均匀丝滑;低损耗设计延长设备使用寿命,适配智能阻力自动调节场景;  椭圆机  高效 DC-DC 转换能力助力能量回收系统,将运动产生的可变电压稳定转换,实现绿色能源再利用;  健身功率计  低栅极电荷与快速开关特性,提升功率检测的响应速度与精度,为运动数据监测提供可靠支持。
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发布时间:2026-01-20 11:49 阅读量:194 继续阅读>>
荣湃 Pai8233X 隔离<span style='color:red'>驱动</span>器干货:使用注意事项 + 常见问题全解析
  Pai8233X是基于荣湃iDivider技术开发的双通道隔离栅极驱动器,具有4A的峰值源电流和8A的峰值灌电流,最高开关频率可达5MHz,适用于MOSFET、IGBT和SiC MOSFET的栅极驱动。每个驱动器都可以作为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个可编程死区时间(DT)的半桥驱动器使用。输入VCCI支持3V至5.5V的范围,使该驱动器适合与模拟和数字控制器接口。输出侧欠压保护支持6V、9V、12V三种电平,每个器件都支持高达25V的VDD电源电压。具有供电范围广、传输延时低、CMTI能力强等特点。  01使用注意事项  为应对高频、大功率等复杂工况下隔离栅极驱动器的误动作与损坏风险,保证系统安全可靠工作,须在系统电路设计及PCB布局时,留意以下芯片使用相关的注意事项。图1 Pai8233X典型应用原理图  1.1 输入端口滤波器  为抑制PCB长走线或布局不当引入的输入噪声,建议在INA/INB端口配置RC滤波器(RIN: 0~100Ω,CIN: 10~100pF)。具体参数需在信号抗扰度与传播延时之间取得平衡。  1.2 供电去耦电容/自举电容  荣湃Pai8233X系列隔离驱动器的逻辑侧(VCCI)供电范围为3-5.5V,高压侧(VDDA/VDDB)最大工作电压25V。为提高工作鲁棒性并抑制电源噪声,建议在逻辑侧VCCI引脚至GND引脚采用100nF和1uF(16V/X7R)的低ESR和低ESL的标贴型多层陶瓷电容器(MLCC)并联组合。同理,在高压侧推荐VDDX引脚至VSSX引脚采用100nF和10uF(50V/X7R)的MLCC并联组合。需要注意的是,所有去耦电容应紧邻VCCI/VDDX引脚和GND/VSSX引脚放置。  1.3 栅极驱动电阻  合理选型栅极驱动电阻可抑制由PCB寄生参数、高电压/电流开关dv/dt、di/dt及体二极管反向恢复引起的振铃,改善EMI表现,并优化开关损耗与驱动速度。电阻值过小可能导致电压过冲与开关过快;电阻值过大则易引起开关速度降低和开关损耗过大,不利于驱动性能。栅极驱动电阻对功率器件的性能与鲁棒性具有重要影响,为了平衡系统效率和电磁干扰性能,设计中应综合考虑系统需求进行选型,其驱动电流峰值可参考下式计算:  其中,ROH/ROL为驱动芯片导通/关断输出内阻,RON/ROFF为外部栅极导通/关断电阻,RGFET_int为功率管内部栅极电阻(可查对应功率管数据表)。  1.4 栅极-源极并联电阻/电容  MOS管的栅漏寄生电容(米勒电容)会在开关过程中导致栅极电压波动。当漏极电压快速变化时,米勒电容会将漏极电压的变化耦合到栅极,可能使栅极电压超过阈值,导致MOS管在关断状态下误导通。在栅极和源极之间并联电阻、电容,可以增加米勒电容电流释放路径,增大栅源电容的容值,分担米勒电容耦合的电压,从而降低栅极电压的波动幅度,减少误导通的风险。此外,并联CGS可以减小谐振频率,减小在开关过程中栅极的振铃幅度,使栅极电压波形更平滑、更稳定。RGS通常在5kΩ~20kΩ之间,CGS通常在100pF~10nF之间,具体可根据实际应用场景进行选择。  02常见问题汇总  1、死区时间Dead Time如何设置?  答:Pai8233X 允许用户通过以下方式设置死区时间(DT):  DT引脚连接到VCCI:没有死区时间,A、B两路输出信号可以同时为高。  DT引脚悬空或通过编程电阻连接到GND:如果DT引脚保持开路,则死区时间(tDT)设置为<15ns。如果DT引脚通过电阻与GND相连,死区时间tDT可以电阻RDT来设置。死区时间可以用公式tDT ≈ 10×RDT来计算。电阻RDT的单位kΩ,死区时间tDT的单位ns。  当DT功能激活时,如果两个输入同时为高,则两个输出将立即变为低,此功能可以防止直通,并且不会影响正常工作时的死区时间。各种输入输出情况下死区逻辑关系如下图。图2. 输入、输出、死区逻辑关系  2、DT引脚在芯片上电后还能更改配置模式吗?  答:DT引脚只有在上电的时刻会去识别配置模式,一旦确定后就无法更改,除非重新下电。但是如果配置模式为接RDT到GND的模式,上电时可以通过更改电阻来修改DT时间,但无法在上电状态下更改成其他的配置模式。  3、通过电阻RDT配置的硬件死区时间与上位机软件设置的死区时间如何选择?  答:通过电阻RDT配置的硬件死区时间与上位机软件设置的死区时间应按照最大值进行选择。即当硬件死区时间大于上位机软件设置的死区时间时,则隔离驱动器将按照硬件死区时间进行工作。当上位机软件设置的死区时间大于硬件死区时间时,则隔离驱动器将按照上位机软件设置的死区时间进行工作。  4、为了提高驱动器的驱动能力,能否将Pai8233X的两个驱动通道并联使用?  答:不建议将双通道隔离驱动器的两个通道并联使用。因为并联使用对器件同步性能要求很高,Pai8233X的两个驱动通道之间有传播延时差异(一般<5ns),且Pai8233X的默认输出状态为低电平。如果通道间出现传播延时差异,可能会导致驱动器上通道与下通道短路,最终无法实现驱动功能。荣湃目前已推出驱动能力更强的双通道隔离驱动器Pai8236X系列,峰值源电流和灌电流均达10A。如果需要更强驱动能力的芯片,可以选择此系列产品。  5、双通道隔离驱动器如何实现负压偏置电路?  由PCB布局非理想或MOS封装引线引入的寄生电感,可能导致功率管在开关过程中出现栅极电压振铃。若振铃超过阈值电压,将引发误导通甚至器件击穿的风险。为将振铃电压抑制在安全范围内,施加负栅极偏置是一种常用且有效的解决方案,以下是几种典型实现电路。  图3显示了一个示例,在二次侧隔离电源上使用齐纳二极管构造一个负电源电压,为驱动器输出提供负压,让开关管实现负压关断。用户可以根据实际需求,选择不同钳位电压的齐纳二极管ZX,实现相应的关断负压值。此电路需要2路独立的隔离电源用于实现半桥配置,并且RZ上存在稳态功耗。图3. 利用2路独立电源输出级上的齐纳二极管生成负偏置  图4显示了一个使用两组独立/四路电源的解决方案。每组电源VDDX有2路输出(VX+和VX-)。电源VX+决定驱动输出电压,VX-决定负电压关断。此方案比第一个例子所需的电源数量多,但在设置正负电源电压时更具有灵活性。图4. 利用两组/四路电源生成负偏置  图5所示的方案采用单电源与齐纳二极管生成负偏置,结构简单、成本最低,并兼容自举高侧驱动。但需注意其存在以下局限:(1)负栅极驱动偏置同时受齐纳二极管和占空比共同影响。负偏置的能量来自于驱动信号高电平器件对耦合电容的充电,这意味着占空比决定了每个周期内对耦合电容的充电时间。因此,在此方案中,使用变频谐振转换器等具有固定占空比(约50%)的转换比较有利。(2)高侧VDDA-VSSA必须维持足够的电压来保持在建议的电源电压范围内,这意味着必须保证低侧有足够的导通时间来刷新自举电容器。因此高侧驱动无法实现100%占空比。图5. 利用单电源和栅极驱动路径上的齐纳二极管生成负偏置  总 结  为方便客户设计负压关断电路,荣湃现已推出集成负压偏置功能的隔离驱动产品Pai8236XNX。该芯片内部集成负偏压功能,无需外部增加额外电路元器件。
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发布时间:2026-01-08 15:40 阅读量:290 继续阅读>>
罗姆2025重点产品特辑:技术<span style='color:red'>驱动</span>·赋能未来
  当2025年的进度条拉满,2026年的新篇已在指尖展开。过去一年,全球半导体产业在人工智能、智能汽车与高性能计算的多元需求驱动下,技术迭代持续提速。从AI算力的爆发到高端制造的精进,从材料革新到器件升级,每一次技术迭代都在重新定义产业边界。此刻,让我们聚焦核心亮点,共同盘点这一年的“芯”意之作。  01 SiC领航,构筑高效能源基石  在追求理想能效的过程中,碳化硅(SiC)产品及技术是罗姆的核心引擎。2025年,罗姆推出了系列重磅产品,为光伏、电动汽车、服务器电源等关键领域提供硬核支持。  二合一SiC模块 DOT-247  该模块适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。  查看新闻  高功率密度的新型SiC模块 HSDIP20  适用于xEV(电动汽车)车载充电器的PFC和LLC转换器等应用。  查看新闻  TOLL封装的SiC MOSFET:SCT40xxDLL 系列  该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。  查看新闻  02 MOSFET迭代,驱动汽车与AI服务器发展  MOSFET是电力转换的基石。罗姆的MOSFET产品线实现了车载高可靠与AI服务器高效能的双轨并进,以精准的技术迭代,推动两大前沿产业的蓬勃发展。  车载40V/60V MOSFET高可靠性小型新封装产品  新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装产品相比,体积可以更小,通过采用鸥翼型引脚,提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外,通过采用铜夹片键合技术,还能支持大电流。  查看新闻  适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET  适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路,以及需要电池保护的工业设备电源等应用。  查看新闻  适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET  具有业界超宽SOA范围的MOSFET,并且实现了更低导通电阻,从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。  查看新闻  更多MOSFET系列产品,点击查看  实现业界超低导通电阻的小型MOSFET  适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET  03 多元布局  赋能更广阔的应用版图  除上述产品外,罗姆在汽车电子、工业控制及消费电子等广泛领域同样提供多款关键元器件与解决方案,以完整的产品生态支持系统创新。  - 高精度检测与保护:金属烧结分流电阻器、高精度电流检测放大器、保护用肖特基势垒二极管,为系统提供可靠的电流感知与电路保护。  - 智能控制与驱动:适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关、通用电机驱动IC、三相无刷电机驱动器IC,实现更智能、更高效的功率控制与运动控制。  - 环境感知与信号处理:搭载VCSEL的高速接近传感器、超小尺寸CMOS运算放大器、近红外LED及小型热敏打印头,实现环境感知、信号调理到信息输出的全功能覆盖。  未来,罗姆将持续聚焦前沿技术突破,携手生态伙伴,共同推动半导体产业迈向更高能效、更广场景的下一阶段。让我们在新的一年里,继续以“芯”之力,共赴新程。
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发布时间:2026-01-08 14:50 阅读量:321 继续阅读>>
川土微电子 CA-DV8008 I²C控制八通道低边<span style='color:red'>驱动</span>
  在家用电器和工业控制领域,多路负载驱动常面临控制器GPIO资源有限、系统成本高昂的难题。为应对这一挑战,川土微电子正式推出CA-DV8008——一款I²C控制的八通道低边驱动。该器件通过高效的串行转并行控制架构,显著优化系统资源占用,降低整体方案成本,为多路驱动应用提供高集成度、高可靠性的国产芯片解决方案。  01产品概述  CA-DV8008是一款I²C控制的八通道低边驱动。该器件采用串行接口转并行输出的控制方式,可大幅节约主控制器GPIO资源,简化系统设计,有效降低硬件成本。  器件每通道支持500mA的灌电流能力,输出端口耐压高达50V,内置钳位二极管为感性负载关断时提供退磁回路,适用于步进电机、直流电机、继电器及螺线管等多种负载的驱动。  CA-DV8008支持最高400kHz的快速I²C总线,有3个硬件地址配置引脚,支持同一I²C总线上最多挂载8片CA-DV8008,实现64路输出的集中控制。器件的SCL与SDA引脚采用CMOS逻辑电平,逻辑供电电压VCC支持3V至5.5V宽范围输入,可直接与3.3V或5V微控制器直连和共电源。  CA-DV8008提供SOIC16-NB与TSSOP16两种封装型式,环境工作温度(TA)范围覆盖-40°C至+125°C,满足家用电器和工业级应用环境要求。  简化电路框图  02特性  八通道低边输出  单通道500mA灌电流能力(25°C,单通道开启)  单通道250mA灌电流能力(25°C,八通道开启,SOIC16-NB封装)  输出端口电压高达50V  内置钳位二极管应对感性负载  输入I²C控制,支持最高400kHz的时钟速率  SCL/SDA引脚CMOS逻辑电平  3个地址可配引脚,同一总线上最多可挂载8片CA-DV8008  VCC电源电压范围:3V~5.5V  环境工作温度范围:–40°C ~ 125°C  提供SOIC16-NB和TSSOP16封装选项  03 典型应用场景  运动控制:步进电机驱动、直流有刷电机驱动  功率开关:继电器驱动、接触器控制、螺线管驱动  照明系统:多路LED驱动与调光控制  信号分配:线驱动器、逻辑缓冲器与电平转换  家用电器和工业自动化:多路执行器控制、阀门驱动、电磁铁控制  CA-DV8008可以用来驱动2个四相五线制步进电机,逻辑侧电源VCC可以和微控制器共电源,支持3V到5.5V的供电电压范围,在使用时SCL和SDA需通过电阻上拉至VCC,通过A2~A0引脚短接至VCC或者GND来设定器件地址。CA-DV8008内部集成钳位二极管,在应用时连接到系统高压电源,为感性负载关断时提供续流回路。
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发布时间:2025-12-25 17:04 阅读量:438 继续阅读>>
3通道线性LED<span style='color:red'>驱动</span>器 | 力芯微推出车规级3通道线性LED<span style='color:red'>驱动</span>芯片
  产品概述  随着汽车照明设计的日益复杂化,市场对车灯驱动芯片的稳定性、调光灵活性以及故障诊断能力提出了极高的要求。  力芯微推出的ETQ62630,是一款专为汽车LED照明应用打造的高性能 3通道线性恒流驱动器。它支持 5V至40V 的宽输入电压范围,每个通道可提供最高 150mA 的恒流输出。通过并联输出模式,单芯片更可实现高达 450mA 的驱动电流,有效满足高亮度照明需求。  ETQ62630 具备卓越的调光性能,支持模拟调光及每个通道独立的 PWM 调光,可灵活应用于日行灯、位置灯、雾灯、尾灯及车内照明等场景。针对汽车应用的高可靠性要求,该芯片集成了强大的故障诊断功能,能够检测开路、短路(包括单颗LED短路)及过热故障。  此外,其特有的故障反馈引脚支持多达 15 个器件并联至同一总线,实现级联故障保护。ETQ62630 符合 AEC-Q100 Grade 1 标准,在 -40°C 至 +125°C 的宽温环境下均能稳定运行,为汽车照明系统提供了高可靠性的解决方案。  产品特性  宽输入电压范围:5V 至 40V,适应汽车电气环境  3通道LED驱动:支持模拟调光和独立的PWM调光功能  可调节恒定输出电流:  - 单通道最大电流:150mA  - 并联模式最大电流:450mA  - 高精度:当 Iout > 30mA 时,通道间精度 ±1.5%,器件间精度 ±2.5%  低压差设计:  - 60mA时,每通道最大压差仅400mV  - 150mA时,每通道最大压差仅0.9V  全面的故障诊断与保护:  - 开路和短路检测功能  - 具备每通道LED串电压反馈,可检测单颗LED短路故障  - 独立的故障引脚用于报告单颗LED短路  级联保护功能:故障引脚支持连接多达15个器件,共享开路、短路及热关断信号  智能热管理:具备可编程的热电流折返功能,防止LED闪烁及过热  车规级可靠性:符合 AEC-Q100 Grade 1 标准,工作环境温度范围 -40°C 至 +125°C  管脚定义  典型应用  功能框图
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发布时间:2025-12-23 11:06 阅读量:423 继续阅读>>
16×8恒流LED矩阵<span style='color:red'>驱动</span>芯片| 力芯微推出ET61626
  产品概述  在智能设备普及的今天,LED点阵屏成为信息交互的重要窗口,它不仅能够清晰展示设备状态、时间、温度等信息,还能通过动态效果增强用户体验,选择一颗高效、稳定的驱动芯片,是确保显示效果清晰、运行可靠的关键。力芯微推出了一款专为LED矩阵显示设计的高性能恒流驱动芯片ET61626,单芯片最大支持16×8 LED点阵,最多128颗LED。  ET61626显示效果细腻,每颗LED支持256阶PWM调光,可实现平滑的亮度过渡与丰富的灰度表现,整体电流支持64档调节,适应不同亮度环境与功耗要求,内置消隐功能,有效避免鬼影,提升视觉清晰度。稳定可靠,内置双重过温保护(125℃降流/150℃关断),保障芯片长时间稳定工作,支持死区时间可调,避免扫描冲突,提升显示稳定性,具备掉电复位功能,系统异常时可快速恢复。灵活节能,支持宽电压供电与低功耗睡眠模式,适配各类电池供电与便携设备,封装采用SOP28(18mm×7.5mm)、EQSOP28(9.8mm×3.8mm)和QFN28(4mm×4mm)可适应不同空间需求。  产品特性  电源电压范围 2.7~5.5V  最大应用点阵16×8,最大驱动128个LED  16路恒流驱动,输出电流最大30mA  整体电流支持64档调节  每点支持256级辉度调节  I2C通讯接口  内置时钟模块  内置上电复位模块  内置睡眠模式  内置消隐功能  封装:SOP28(18mm×7.5mm)、EQSOP28(9.8mm×3.8mm)和QFN28(4mm×4mm)  管脚定义  典型应用
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发布时间:2025-12-19 10:37 阅读量:396 继续阅读>>
兆易创新GD32H78D/77D系列MCU强劲来袭,以澎湃算力<span style='color:red'>驱动</span>图形交互新体验
  12月18日,兆易创新(GigaDevice)宣布正式推出GD32H78D/77D系列高性能32位通用微控制器,产品基于高性能Arm® Cortex®-M7内核,主频高达750MHz,配备高速大容量内存架构及640KB可与CPU同频运行紧耦合内存(TCM),搭载专用数学加速引擎及丰富的外设接口,实现了高性能、低功耗与专用加速器的完美融合。该系列MCU全新集成MIPI DSI接口,提供出色的多媒体处理能力,广泛适用于高端嵌入式HMI、手持云台、专业声卡、便携医疗设备、智能家居等丰富人机交互场景,为高性能嵌入式系统提供全面可靠的硬件平台。  强劲内核与高速存储架构  释放极限算力  GD32H78D/77D系列芯片基于先进的Arm® Cortex®-M7内核。GD32H78D系列MCU主频高达750MHz,GD32H77D系列MCU主频高达600MHz,为不同性能与可靠性需求的应用提供精准选择。该系列CoreMark®测试得分高达3736分,性能表现达4.98 CoreMark/MHz。  该系列拥有优异的存储配置,集成了2MB Execution Flash与8MB Storage Flash,并搭载1.2MB的SRAM,其中特别配备高达640KB大容量紧耦合内存(TCM),可与CPU同频运行,实现指令与数据的零等待执行。这一核心架构设计可让CPU以峰值效率持续运行,充分释放其全部计算潜能,确保系统即便在极度消耗算力的实时任务、复杂控制算法及高频数据处理中,也能实现更快、更稳定的代码执行,为高端嵌入式应用提供了至关重要的性能基础。  GD32H78D/77D系列芯片支持1.71V至3.6V的工作电压范围,内置三种可灵活配置的节能模式,无论在高性能动态运行,还是在低功耗静态待机状态下,其功耗表现均具有显著优势,为能效管理提供了精细化的解决方案。  先进多媒体引擎  打造沉浸式音视频体验  GD32H78D/77D系列芯片全新集成MIPI DSI(2 lane)接口,原生支持从QCIF到XVGA的广泛分辨率,支持可编程的视频与命令双工作模式,使其具备直驱现代移动显示屏的能力,为高端人机交互界面提供原生高效的显示解决方案。同时内置图像处理加速器(IPA)、TFT-LCD接口和数字摄像头接口(Digital Camera I/F),能够支持流畅的图形显示与高效的图像数据采集。该系列还配备2个OSPI接口,支持双倍数据速率(DTR)模式,时钟频率高达200MHz,可直连多种外部存储器,为高清显示与大容量数据存储提供硬件支持。在GUI软件生态适配上,GD32H78D/77D支持emWin,LVGL,Embedded Wizard,ThreadX GUIX等多款主流GUI框架,构建了多元化的软硬件生态。  在音频处理方面,GD32H78D/77D系列芯片展现出多面手能力,集成4路SAI与4路I²S接口,可灵活连接多路音频编解码器与麦克风阵列,并配备S/PDIF接口直接输出高保真数字音频,全面满足专业影音及通信设备的苛刻要求。  高度集成化外设  构建核心功能矩阵  GD32H78D/77D系列MCU集成了丰富的高速连接与外设接口,为复杂应用构建了全功能的通信与交互枢纽。其核心外设资源包括:  高速有线通信:8xU(S)ART、4xI²C、6xSPI、4xI²S  先进网络与总线:2x10/100Mbps Ethernet、3xCAN-FD  高性能模拟系统:2x14bit ADC、1x12bit ADC、2CHsx12bit DAC、2xCOMP、1xHPDF  高速数据接口:1xUSB HS OTG(内置PHY)、1xUSB FS(内置PHY)、2xSDIO  全域守护,筑牢安全屏障  GD32H78D/77D系列芯片面向工业及消费类关键应用,构建了从硬件到软件的全栈安全体系。该系列不仅提供基于安全启动与安全更新(SBSFU)的软件平台,更依托用户安全存储区等硬件机制,实现对代码与数据的多级防护,确保固件升级、完整性校验、真实性验证及防回滚检查全程可靠。芯片内置专用硬件安全引擎,集成SHA-256、AES-128/256及真随机数发生器(TRNG),为密码学运算提供高效支撑;同时每颗芯片具备独立唯一标识(UID),为设备身份认证与全生命周期管理建立不可篡改的硬件信任根,助力客户从容应对《网络弹性法案》(CRA)等法规要求,加速产品安全认证进程。  GD32H78D/77D系列MCU STL获得德国莱茵TÜV IEC 61508 SC3(SIL 2/SIL 3)功能安全认证。为助力客户产品快速满足认证要求,该系列还提供了完整的功能安全包(Safety Package),内含安全手册、FMEDA报告及安全自检库等关键资料,为工业应用构建了高可靠性基石。
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发布时间:2025-12-18 11:19 阅读量:718 继续阅读>>
罗姆漫画第一弹 | 电机<span style='color:red'>驱动</span>器课堂开课!
  罗姆"R课堂"应各位工程师的要求,开启了全新漫画系列“Sugiken老师的电机驱动器课堂”!目的是让参与电机设备开发和设计的工程师,特别是面向三相无刷电机驱动电路亦或是初学者们告别从前枯燥无趣的文字,在轻松的漫画氛围中同样可以掌握电机驱动器知识。  现在让我们跟着主人公一濑学,一起进入Sugiken老师的电机驱动课堂吧!  详细解读  前言  电机已经被广泛应用于家用电器、计算机相关设备、工业设备和汽车等众多领域。  全球每年的电机产量约为100亿台,而且对电机需求还在不断上升。  另一方面,据统计,电机的耗电量约占全球总耗电量的50%,从应对全球能源问题的角度看,不仅电机本身要更省电,而且高效的电机驱动和控制方法也非常重要。  因此,参与需要使用电机的设备开发和设计的工程师数量也在不断增加,其中也有不少人是第一次从事电机设备相关的工作。  考虑到这些情况,本课程的内容设置属于入门级,适合从事电机设备开发和设计的工程师,再具体一点讲,很适合三相无刷电机驱动电路的开发和设计工程师,也很适合初学者。  首先,我们先来了解以下两个主题,这会帮助我们了解什么是电机驱动器。电机驱动器IC的作用电机驱动器IC与电机设备之间的关系  电机驱动器的作用  用来使电机旋转(驱动电机)的集成电路(IC)通常被称为“电机驱动器IC”或“电机驱动IC”,在某些情况下还会被称为“电机驱动器”。市场上的电机驱动器IC种类非常多。  那么,为什么需要用电机驱动器IC来让电机转动呢?  下面我来简单解释一下这其中的原因。首先,电机之所以能够转动,是由于构成电机的电磁体和永磁体会产生吸引力和排斥力。为了使电机持续转动,就必须切换电机多个电磁体各自的极性,并调整磁力的大小。而电机驱动器IC正是被用来控制电磁体的,也就是说,由它对电机中的绕组(线圈)所流电流的顺序和电流的大小进行控制。  当然,世界上也有不使用电机驱动器IC的情况。比如,有一种电机可以通过机械开关来控制电流,从而实现电机旋转。不过,如果使用电机驱动器IC,就可以进行更复杂的控制和电流量调整了。另外,使用微控制器也可以实现与电机驱动器IC相同的功能。只要创建一个程序能够控制线圈通电开关即可。但是这也涉及到成本是否合适、程序开发的时间与精力等方面的考量。综合来看,电机驱动器IC的价格相对便宜,并且在驱动电机方面可以达到与微控制器同等甚至更好的效果,因此得以广泛应用。  电机驱动器IC与外围电子元器件一起被安装在电路板上。电路板可能内置在电机中不可见,也可能安装在电机的侧面,还有可能与电机分开被一并配置在配套设备的电路板上。然后,电机被安装在空调、电脑或汽车等配套设备中,用来使风扇、滚筒、磁盘和轮胎等旋转。  *各种应用场景示例  近年来,配备这种电机的设备需要更节能、更安静,因此在设计电机时必须满足这些要求。另外,电机的性能还会受到流过线圈的电流变化(电流控制程度)的影响。因此,控制这些因素的电机驱动器IC是让电机高效率、低振动(节能、静音)旋转的重要器件。  关键要点  需要用电机驱动器IC来控制流过电机绕组(线圈)的电流顺序和电流大小。  尽管也有不使用电机驱动器IC的驱动方法,但由于电机驱动器IC的价格相对便宜,并且在驱动电机方面可以达到与微控制器同等甚至更好的效果,因而得以广泛应用。  接下来,我将为您介绍电机驱动器与电机设备之间的关系。  电机驱动器与电机设备之间的关系  在接下来的讲解中,将会出现电机设备的组成和各部分相关的一些术语,比如电机驱动器IC、由电机驱动器IC和外围元器件组成的电机驱动器(电机电路)、当电机驱动器与电机机身组合并通电时便会执行预期工作的“电机”、安装了该“电机”的设备等。请大家结合图片来了解它们的含义和定位。  当然,仅凭电机驱动器IC一种器件是做不了什么的。只有将它与电机的绕组(线圈)连接起来,并从电源获得电力之后才能构成使电机旋转的驱动电路。这部分的目标是通过电机驱动器将电能有效转换为机械能(旋转动力),激发出电机机身的能力。另一方面还需要认识到,很难激发出超过电机机身固有特性的性能。  由电机驱动器和电机机身组成的“电机”,需要具备高效率、低振动、低噪声等特性。将电机安装在配套设备上之后,这些特性会体现在设备的节能性能和静音性能上。因此,电机驱动器的电机驱动性能将会影响设备的性能(节能、静音)。另外,电机驱动器还需要同时考虑电气可靠性和运动体(电机)的机械可靠性。  在控制方面,有一种说法是“如果不充分了解控制对象就控制不了控制对象”。也就是说,要想设计出好的电机驱动器,需要先了解电机的结构、旋转原理、在配套设备(应用产品)中的使用方式、以及应用需求。后续我将会依次为大家介绍电机的工作原理、电机的控制方式以及电路配置等基础知识。  关键要点  了解电机驱动器IC、由电机驱动器IC和外围元器件组成的电机驱动器(电机电路)、由电机驱动器与电机机身组合而成的“电机”、安装了该“电机”的设备等相关术语的定位与关系。  在控制方面,有一种说法是“如果不充分了解控制对象就控制不了控制对象”。  也就是说,要想设计出好的电机驱动器,需要先了解电机的结构、旋转原理、在配套设备中的使用方式、以及应用需求。  本文作者Sugiken老师简介  应用在ROHM的电机LSI事业部任技术主干(专家)之职,负责为电机驱动器IC开发提供各种技术方面的建议与指导,也负责开发旨在改善电机特性的新驱动算法,并担任公司内部和外部电机相关培训课程的讲师,还会举办一些电机技术讲座等活动。
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发布时间:2025-12-09 16:02 阅读量:419 继续阅读>>
川土微电子CA-IS3217/8-Q1集成隔离ADC单通道栅极<span style='color:red'>驱动</span>器
  在新能源汽车、高效能源转换等关键系统中,功率器件的驱动与保护性能直接影响整机可靠性与能效表现。川土微电子全新推出的 CA-IS3217/8-Q1 系列增强型隔离栅极驱动器,目前已正式量产。该产品集成±10A强驱动、隔离ADC(精度±0.5% ,用于母线采样)、原副边ASC、快速DESAT保护与软关断等多项主动保护功能于一体,以系统级思维重新定义驱动芯片的安全边界,为SiC/IGBT应用提供更高集成度、更高可靠性的驱动解决方案。  01 产品概述  CA-IS3217/8-Q1 是一系列基于电容隔离的集成多种保护功能的单通道栅极驱动器,可用于驱动SiC、IGBT和MOSFET器件。器件具有先进的主动保护功能、出色的动态性能和高可靠性,同时具有高达±10A 峰值的拉/灌电流能力。  CA-IS3217/8-Q1 通过 SiO2 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离,支持1.5kVRMS的隔离工作电压、12.8 kVPK 浪涌抗扰度,额定工作电压下隔离栅寿命超过 40年,同时具有良好的器件一致性以及>150 kV/μs 的共模瞬态抗扰度(CMTI)。  CA-IS3217/8-Q1 具有PWM输出的隔离采样功能(ANW版本),可用于温度采样,包含NTC或热敏二极管等,以及母线电压采样等功能。  CA-IS3217/8-Q1 具有以下多重保护功能:快速过流和短路检测、有源短路保护、有源米勒钳位、主动下拉、短路钳位、软关断、故障报告、控制和驱动侧电源UVLO,同时针对SiC和IGBT开关行为进行了优化,并提高了可靠性。CA-IS3217/8-Q1 全系列采用SOIC-16宽体封装,爬电距离和间隙距离大于8mm。图1 CA-IS17-Q1系统典型应用图  02 特性  5.7 kVRMS耐压等级的单通道隔离栅极驱动器  驱动最高达 2121 VPK的 SiC MOSFET和 IGBT  VDD电源耐压最大 36 V(VDD–VEE)  ±10A 峰值驱动电流能力  内置 5A 峰值电流有源米勒钳位  200ns 响应时间的快速 DESAT 保护功能  短路故障时 400 mA (IGBT)或1 A (SiC) 软关断  驱动侧和控制侧独立的ASC 输入控制,用于在系统故障时强制开通功率管(CA-IS3217/8LNW-Q1和CA-IS3217/8SNW-Q1版本)  集成隔离ADC功能(CA-IS3217/8ANW-Q1版本),可用于温度采样和母线采样  - AIN范围 0.04 V~4.96 V  - APWM输出精度 ±0.5%  - APWM输出频率 10 kHz  - 200 μA内置电流源可选  过饱和故障时,FLT警告,通过RST/EN复位  快速响应的RST/EN关断/使能  输入引脚上40 ns(典型值)瞬态和脉冲抑制功能  12 V VDD UVLO 和电源READY指示功能  直通死区保护  延时特性:  - 130 ns(最大值)传播延迟  - 30 ns(最大值)脉宽失真  - 30 ns(最大值)器件间延时匹配  高共模瞬态抗扰度:150 kV/μs(最小值)  SOIC-16 宽体封装,爬电距离和间隙距离 >8mm  额定工作电压下隔离栅寿命大于40年  工作结温(TJ)范围 :–40°C至 150°C  03 典型应用场景  汽车电驱逆变器  新能源车载充电器(OBC)  汽车高压DC-DC变换器  直流快速充电桩  工业电机驱动、光伏/储能逆变器  04 隔离ADC特性  CA-IS3217/8-Q1 系列集成了高精度隔离SAR ADC功能,将驱动侧AIN 引脚的模拟输入信号经过增强隔离栅传输至控制侧APWM引脚的占空比输出信号,MCU可直接计算占空比信号或外置RC滤波后MCU读取模拟量,如下图所示可实现隔离温度采样或母线电压采样等功能。AIN引脚内部集成一个200μA电流源,精度为±3%,可为热敏二极管提供正向偏压或在温度感应电阻器上产生压降。  AIN电压支持0.04 V - 4.96 V满量程输入,则APWM占空比从99.2% - 0.8%线性变化。不同温度下满量程精度可满足±0.5%,无需校准。APWM工作频率为10 kHz。  APWM占空比满足如下公式:  DutyAPWM(%)= -20 × VAIN +100图2 隔离ADC典型应用图  如下图所示,基于CA-IS3217-Q1 产品实验室实测隔离ADC精度结果,在有效输入0.04-4.96 V范围内,每1 mV 取样一次,其结果在不同温度下满量程总误差约 ±10 mV,可达到 ±0.2% 精度。图3 隔离ADC输入电压与总误差关系  05 小结  CA-IS3217/8-Q1 系列是川土微电子在“隔离+驱动+采样+保护”技术路径上的重要突破。它不仅延续了川土微在电容隔离与栅极驱动领域的技术积累,更通过高度集成化的主动保护策略与可配置采样功能,大幅提升了系统层面的功能安全与设计灵活性。  未来,川土微将继续围绕客户在新能源汽车、能源基础设施等领域的核心需求,持续拓展高性能、高可靠性隔离类芯片产品组合,助力客户构建更安全、更高效的下一代电力电子系统。
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发布时间:2025-12-01 15:09 阅读量:375 继续阅读>>
极海正式发布GALT62120:12通道汽车高边LED<span style='color:red'>驱动</span>器

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