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士兰微推出三电平拓扑模块SGM600TL14D6TFD 为<span style='color:red'>逆变器</span>“强芯赋能”

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士兰微推出三电平拓扑模块SGM600TL14D6TFD 为逆变器“强芯赋能”

　　近期，国家发改委、能源局联合印发了《新型储能规模化建设专项行动方案(2025—2027年)》，发挥新型储能支撑建设新型能源体系和新型电力系统作用，培育能源领域新质生产力，进一步扩大内需，推动新型储能规模化建设和高质量发展。　　这标志着新型储能发展进入规模化建设新阶段。“光伏+储能”已不再是可选项，而是必然趋势。对于逆变器厂商而言，这既是机遇，也是挑战——如何打造更高效率、更可靠、更能适应市场化竞争的光储产品?　　一、逆变器迎来“升维”挑战　　当前，光伏行业正经历新一轮的变革。一方面，光伏、储能应用场景对逆变器的效率、功率密度要求高，主流光伏组串逆变器的功率正从320kW向450kW+迈进，设备亟需“减重增肌”;另一方面，储能装机规模激增，光储深度融合对逆变器的转换效率、功率密度和长期可靠性提出了近乎苛刻的要求。　　与此同时，全国范围内新能源上网电价市场化改革全面推进，光伏电站的收益将直接由市场交易决定。这意味着，逆变器的每一分效率提升、每一处可靠性增强，都将直接转化为电站业主的真金白银。　　核心的突破口，就在于逆变器的“心脏”——功率半导体。　　二、士兰微三电平拓扑模块的特点　　面对行业挑战，士兰微电子基于完全自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术，推出了SGM600TL14D6TFD三电平拓扑模块。它并非简单的部件升级，而是为应对下一代光储2kV系统设计的功率器件半导体解决方案。　　该方案采用最新的FS5+IGBT芯片技术，实现光伏新能源转换效率最大化;采用士兰自主开发D6封装：可选焊接和压接，可满足2kV系统安规要求。　　01 为何它能提升效率?　　核心在于“三电平拓扑”与“低损耗芯片”　　“三电平拓扑”结构相比传统的两电平拓扑有两方面的优势：一是可以用低电压规格芯片满足高电压应用场景，一般来说，功率器件的电压越低，同等条件下损耗越低，采用低电压规格芯片可以提升效率;二是三电平技术开关电压只有半bus电压，开关损耗近似只有两电平的一半，也可带来效率的提升;另外，开关电压减半，dv/dt也近似减半，可降低功率器件开关的电磁干扰。　　假如把传统的两电平技术比作单档位的汽车，提速慢且费油。那么三电平技术则像一台多档位变速器，换挡更平顺(开关损耗降低近一半)，运行更安静(电磁干扰EMI显著减小)，从而让能量转换一路“畅通无阻”。　　更重要的是，士兰SGM600TL14D6TFD模块采用了士兰微最新一代FS5+微沟槽IGBT芯片，其本身的导通损耗和开关损耗就更低。“低VCE(sat)”特性让电流通过时的“阻力”更小，如同拓宽了高速公路，减少了拥堵和能量浪费。　　02 为何它能助力设备小型化?　　秘诀是“高电流密度”与“高开关频率”　　组串电站光伏逆变器的发展趋势是提升功率，且逆变器体积要小、重量不能增加太多。士兰SGM600TL14D6TFD模块具有“高电流密度”与“高开关频率”的特性，可以提升芯片的通流能力、降低功率器件的损耗，提升逆变器的效率。　　“高电流密度”意味着在同样大小的芯片面积上，能通过更大的电流，这直接允许逆变器在功率大幅提升的同时，不必被迫使用更庞大的散热系统。　　同时，“低开关损耗”使得逆变器可以运行在更高的开关频率下，低损耗使得散热器尺寸更小，减小了外围无源器件的体积和成本，从而降低了整机成本。　　这带来的直接好处是：逆变器后端的电感和电容等磁性元器件的体积可以做得更小。两项技术结合，共同实现了逆变器“功率提升，体积不增”的轻量化设计。　　03 为何它更可靠?　　凭借“正温度系数”与“铜底板技术”　　光伏、储能应用场景对逆变器的可靠性要求越来越高，光伏逆变器和储能变流器生命周期长，对模块的长期可靠性要求高，对模块的芯片和封装都提出了严苛的要求，芯片和封装175℃结温下要求满足长期可靠性要求，封装要求满足高功率循环和温度循环能力。　　在需要多芯片并联的大功率模块中，最怕的就是“有的芯片忙死，有的芯片闲死”。“正温度系数”就像一个自动调节系统：当某个芯片因电流过大而温度升高时，其自身电阻会略微增大，从而抑制电流的继续增加，实现了芯片间的“均富济贫”，确保了系统在高温下的稳定运行。　　此外，模块采用的“铜底板技术”其导热性更好，能快速将芯片产生的热量均匀散开，避免局部“高烧”。这不仅提升了散热效率，其更大的热容量还能“熨平”温度波动，显著提升模块在严苛环境下的使用寿命。　　三、客户价值：从技术参数到商业收益的直观转化　　对于逆变器制造商和终端电站投资者而言，SGM600TL14D6TFD模块带来的价值是清晰可量化的：　　支持功率跃迁：当前光伏组串电站整机大多为320kW，士兰SGM600TL14D6TFD模块支持整机功率提升至500kW@16kHz、450kW@24kHz，且支持系统电压提升到2kV。　　显著降低系统成本：对于一个既定容量的电站，逆变器用量可减少约40%，相应的电缆、施工、土地等建造成本也随之下降。据某行业标杆客户参考数据，按100G瓦的装机容量计算，在整个光伏电站的生命周期里，因电压提升就可以带动收益约165亿元人民币。　　提升市场竞争力：在电价市场化交易中，更高的逆变器效率意味着在同等光照条件下能有更多电力上网交易，直接提升电站收益;模块的高可靠性也保障了电站在沙漠、沿海、高海拔等多样环境下的长期稳定运行，减少运维开支。　　四、携手士兰，共创光储未来　　士兰微电子作为国内少数拥有“芯片设计-晶圆制造-封装测试”全产业链能力的IDM企业，始终致力于以持续稳定的产能供应、敏捷高效的技术响应以及具备竞争力的成本优势，为客户创造长期价值。　　在光储充赛道，士兰微电子已打造出覆盖Si基IGBT分立器件与模块、MOS分立器件，SiC基MOS分立器件与模块、SBD分立器件，以及Si基和SiC混合模块方案的完整产品矩阵。这些产品在功率密度与能效方面表现卓越，助力系统效率不断突破。　　展望未来，士兰微电子期待与您同行，以自主“芯”动力，共创光储新标杆，携手迈进绿色能源新时代。

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士兰微

发布时间：2025-11-10 13:40 阅读量：422 继续阅读>>

上海贝岭650V80A IGBT在光伏<span style='color:red'>逆变器</span>上的应用

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上海贝岭650V80A IGBT在光伏逆变器上的应用

　　当今世界的主要能源来源还是化石能源，而化石能源在使用后会排出大量的污染物，严重影响到人类的健康问题。太阳能因其取之不尽用之不竭且无环境污染等优点，已经成为人类追求新能源的首选;太阳能的应用非常广泛，其中最主要的发电应用有光热发电、光伏发电等;在太阳能的多种应用中，光伏发电是目前世界上最为普遍的一种方式。　　光伏逆变器是太阳能发电系统的心脏，它将太阳能电池板产生的直流电转化为符合电网电能质量要求的交流电，其性能直接影响发电效率、电网兼容性和系统可靠性。　　绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点，具有大电流、高电压、易驱动等良好的特性，广泛应用于光伏逆变器。上海贝岭一直积极研发新一代的IGBT技术，为满足市场终端需求，推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDH7，助力客户光伏逆变器应用高效率、高可靠性设计。　　典型应用拓扑　　上海贝岭IGBT单管BLG80T65FDH7，额定电流80A，耐压650V，对目前主流户用光伏逆变器拓扑Heric等都有很好的匹配，同时也适用于三相NPC1和NPC2(横管)的应用。　　表1 主流光伏逆变拓扑　　BLG80T65FDH7 产品特点　　上海贝岭BLG80T65FDH7采用新一代微沟槽多层场截止IGBT技术，通过微沟槽结构增加载流子注入效率，优化导通压降;场截止层加速关断时的载流子抽取，降低开关损耗;多层场截止结构提高高温稳定性;同时内部采用超快速软恢复二极管进行反并联。技术特性精准匹配光伏逆变器对高效、高频、高可靠性的需求。　　性能特点：　　优化开通损耗和关断损耗，开关频率高　　低导通压降Vce(sat)，减小器件的导通损耗　　Vce(sat)正温度系数，易于并联使用　　高BVces耐压能力　　低VF和快软恢复二极管　　HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命　　符合175℃结温的工业级和车规级考核标准　　BLG80T65FDH7 产品核心优势　　4.1 效率优势——低饱和压降Vce(sat)　　光伏应用中IGBT的导通损耗占总损耗比例较大，影响导通损耗的主要参数为VCE(sat)，常温25℃和高温175℃下贝岭BLG80T65FDH7导通压降达到国际大厂水平，且比竞品略低。且随着结温上升，VCE(sat)正温度系数，有利于解决并联应用中的均流和热平衡问题。　　图4.1 VGE=15V 饱和压降对比　　4.2 动态性能升级——低开关损耗　　在光伏逆变应用中，单管IGBT一般设计工作在20kHz左右，并且有高频化的趋势，因此降低IGBT开关损耗也尤为重要，上海贝岭BLG80T65FDH7降低导通压降，同时优化了开关损耗，如图4.2所示， BLG80T65FDH7开启损耗和竞品相差不大，关断损耗比竞品略低，总开关损耗略小于竞品，性能达到国际大厂 S5系列水平。　　图4.2 IGBT开关损耗对比　　4.3 IGBT合封二极管——较低VF 和Qrr　　BLG80T65FDH7合封较低VF的二极管，有利于降低二极管续流过程的导通损耗。如表2所示，贝岭IGBT合封二极管VF和竞品相差不大。　　表2 IGBT合封二极管压降对比　　相同测试条件下，BLG80T65FDH7合封二极管 Qrr比竞品更小，在高频应用中损耗更小，更有优势。　　图4.3 IGBT合封二极管Qrr对比　　4.4 温升表现良好——板级温升测试　　上海贝岭BLG80T65FDH7基于优异的器件设计，各项参数和功率器件国际大厂I公司接近，部分参数更优，为光伏应用通过系统测试提供了保障。如图4.4，在常温环境下，上海贝岭BLG80T65FDH7和I公司产品在10kW光伏逆变平台测试，壳温基本一致，产品性能满足客户的需求。　　图4.4 IGBT壳温对比　　上海贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭功率器件产品系列齐全，包括MOSFET、IGBT等产品，满足客户各类光伏逆变器设计需求，具体型号参考表3：　　表3 功率器件选型表　　上海贝岭IC器件选型方案　　上海贝岭在光伏逆变器领域产品配套齐全，除功率器件以外，还可以提供各类电源管理IC和信号链IC供客户选择，具体型号参考表4：　　表 4 IC器件选型表

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发布时间：2025-08-06 16:05 阅读量：702 继续阅读>>

Wolfspeed 与恩智浦携手推出经过全面测试的800V牵引<span style='color:red'>逆变器</span>参考设计

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Wolfspeed 与恩智浦携手推出经过全面测试的800V牵引逆变器参考设计

　　为了实现零排放的未来，汽车行业迫切需要重塑。我们今天所了解和驾驶的燃油车历经了数十年的演变发展。新型电动汽车的舒适度、驾驶体验、耐用期限和安全性应能够与燃油车相媲美。为此，汽车制造商必须加速推出性能相当甚至超越燃油车的新款差异化电动车型，这需要做出大胆决策、尝试新材料，并寻找拥有同样愿景和创新渴望的合作伙伴。图 1：功率逆变器模块解剖构造　　为了支持其汽车合作伙伴并加速汽车电气化进程，Wolfspeed 与恩智浦 (NXP) 携手推出了一款经过全面测试的 800 V 牵引逆变器参考设计。该设计能够帮助电动汽车系统架构师有效克服诸多障碍，包括选择合适的组件以提升系统效率、符合功能安全认证标准，以及确保长期可靠性。　　电动汽车牵引逆变器参考设计是一个完整的系统解决方案，包含基于 Arm® Cortex®-M7 的 S32K39 MCU、电源管理符合功能安全标准的 FS26 系统基础芯片，以及最新一代高压隔离栅极驱动器 GD3162。为了完善该系统，设计中还包含 Wolfspeed 1200 V 三相全桥 YM 碳化硅功率模块。图 2：基于恩智浦 (NXP) 800 V EV -INVERTERGEN3 参考设计和 Wolfspeed 碳化硅功率模块的完整 ECU 解决方案　　该电动汽车牵引逆变器参考设计已在 Wolfspeed 慕尼黑实验室通过硬件在环 (HIL) 设置进行了联合测试。在 800 V 电池工作条件下，其峰值功率超过了 300 kW。图 3：实验室 HIL 设置的测试结果　　为最大限度提升效率而设计：动态栅极强度满足不同的功率需求　　实验室仿真结果显示，得益于恩智浦 (NXP) 高压栅极驱动器的专用功能，最高效率提升近 1%。该功能使设计人员能够根据实时运行条件动态调整栅极驱动信号强度，从而在效率、开关速度和电磁性能之间实现平衡。根据全球统一轻型车辆测试程序(WLTP) 的一些模型，与传统电动汽车解决方案相比，该设计有望将续航里程增加 14 英里(近 22.5 公里)。图 4：效率提升增益曲线　　全面的功能安全设计理念：确保从器件到系统级功能安全　　在 FuSA 方面，合规组件的设计始终以高质量和高可靠性为优先原则。安全性贯穿于设计、制造、文档编制以及技术支持的每一个环节。在电动汽车牵引逆变器参考设计中，采用了符合最高风险等级 ASIL D 的组件，包括恩智浦 (NXP) 的 S32K396 MCU、FS2633 系统基础芯片及 GD3162 高压栅极驱动器。为了进一步简化客户集成流程，设计还提供了一些 FuSa 文档，例如系统安全概念，详细阐释了从假设安全目标到硬件和软件级别的安全要求。　　为实现可靠性和长久耐用性而设计：YM 碳化硅功率模块　　针对 800 V 牵引逆变器而设计的碳化硅解决方案。相比传统的硅 IGBT，碳化硅材料本质上更可靠、更耐用。Wolfspeed YM 系列车规模块以先进封装技术为支撑，将为系统的长期可靠性注入新的选择。　　1200 V 三相全桥YM系列碳化硅功率模块采用直接冷却的铜针翅基板设计，通过将针翅直接浸入冷却剂中，不仅简化了系统组装，还显著提升了热性能。此外，模块使用氮化硅基板，这种坚固的陶瓷材料具有卓越的抗热冲击和耐磨性，有效地将芯片产生的热量快速散发，从而降低系统工作温度。另一个创新的封装特性是烧结芯片粘接技术。这种先进的芯片粘合方法在芯片和氮化硅基板之间建立了牢固的结合，从而确保出色的导热性和机械耐久性，支持更高的功率输出并提供优异的热循环性能。直接冷却铜针翅技术和烧结芯片粘接技术共同提高了热性能和系统使用寿命。　　YM 模块通过铜夹片代替传统的焊线，大幅提升了模块的载流能力与功率循环寿命。同时，其优化的端子布局有效降低了封装电感，减少电压过冲，实现了超低开关损耗。为了降低潜在的机械故障风险，车规级 YM 模块采用硬质环氧树脂封装。与凝胶基封装相比，环氧树脂模塑料不仅提供了优异的防潮性能，还具备更强的结构完整性。通过将烧结芯片粘接、铜夹和环氧树脂模塑料相结合，与同类竞争产品相比，模块使用寿命得以延长至 3 倍。图 5：Wolfspeed 三相全桥 YM 系列碳化硅功率模块　　先进的封装技术为车规级的 YM3 功率模块提供了强有力保障，能够有效应对在严苛汽车环境中运行的挑战。这一设计确保了性能的一致性，还赋予了模块卓越的耐用性。　　结论　　Wolfspeed 与恩智浦 (NXP) 携手打造的 800 V 牵引逆变器参考设计，标志着汽车行业向电动化迈出的重要一步。该参考设计解决了电动汽车设计人员面临的关键挑战，包括提升效率、功能安全和长期可靠性，确保了电动汽车的性能可与燃油车相媲美甚至超越燃油车。凭借动态栅极强度调节技术和先进的碳化硅功率模块，这款参考设计成为电动汽车设计人员的重要工具，助力打造高质量、高能效、安全的电动车型，同时确保其在整个生命周期内保持卓越的性能表现。

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发布时间：2025-07-14 13:44 阅读量：945 继续阅读>>

捷捷微电MOSFET&IGBT双杀，微型<span style='color:red'>逆变器</span>效率狂飙200%

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捷捷微电MOSFET&IGBT双杀，微型逆变器效率狂飙200%

　　微型逆变器作为光伏发电系统的核心组件，其性能与功率器件的选型密切相关。捷捷微电针对不同功率需求，提供了基于MOSFET和IGBT的多样化解决方案。本文结合两种典型架构，分析其器件选型特点及适用场景。　　宽功率范围(250W-2000W)　　架构1采用MOSFET实现高效调制，覆盖功率范围广，支持反激拓扑等设计。关键器件参数如下：　　特点：　　高压MOSFET(650V)：如JMH65R系列，支持高功率密度设计，适用于调制电路。　　低压低阻MOSFET(150V)：如JMSH15系列，导通电阻低至9.9mΩ，优化反激拓扑效率。　　针对高功率段(>800W)，架构1引入IGBT以降低导通损耗，提升系统可靠性：　　特点：　　高耐压(650V)与低饱和压降(1.7V)，平衡开关损耗与导通性能，适用于高频调制场景。　　中低功率范围(250W-800W)　　架构2专注于中低功率段，采用全桥拓扑设计，全系使用MOSFET以实现更高效率：　　特点：　　低压MOSFET(80V)：如JMSL/JMSH系列，导通电阻低至2.4mΩ，支持全桥拓扑的高频开关需求。　　紧凑封装(TO-252/PDFN)：优化空间布局，适配小型化设计。　　对比与选型建议　　功率覆盖：　　架构1(250W-2000W)：MOSFET+IGBT组合，适合宽范围功率需求，高功率段依赖IGBT的低损耗特性。　　架构2(250W-800W)：全MOSFET方案，以高集成度满足中低功率场景。　　拓扑适配：　　架构1支持反激拓扑，架构2适配全桥拓扑，需根据系统设计要求选择。　　效率与成本：　　低压MOSFET(如80V/150V)在低功率段效率更优，而IGBT在高功率段更具成本效益。　　捷捷微电始终致力于为工程师伙伴提供更灵活、更贴心的产品选择。无论是中小功率的轻量化设计，还是高功率场景下的稳定需求，我们通过多样化的MOSFET与IGBT组合方案，让您能够轻松匹配项目中的功率目标、电路结构以及成本规划。选型时，只需聚焦核心需求——高效率的MOSFET可赋能轻载场景，而高可靠性的IGBT则能扛起大功率重任。两种技术路线相辅相成，助您在性能与成本之间找到最优解，让每一款微型逆变器都能高效运行、长久稳定。

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发布时间：2025-05-30 10:13 阅读量：1094 继续阅读>>

森国科650V/60A IGBT助力提升光伏<span style='color:red'>逆变器</span>转换效率

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森国科650V/60A IGBT助力提升光伏逆变器转换效率

　　森国科推出的650V/60A IGBT(选型：KG060N065LD-R)具备业界领先的低传导损耗和高速开关性能，器件采用了先进的制造工艺和材料技术，确保了应用的高可靠性，有助于减少应用上的维护成本。IGBT的高鲁棒性，有助于提升应用设备在极端环境下的稳定性和可靠性，从而延长设备的使用寿命。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　易于并联使用　　VCE(sat)正温度系数　　低热阻　　高鲁棒性　　高逆变器效率　　竞争优势　　软开关能力　　高效率　　应用领域　　功率因数校正应用　　不间断电源　　光伏逆变器　　最大额定数值

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发布时间：2025-03-26 14:51 阅读量：542 继续阅读>>

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森国科1200V/40A IGBT产品阵容再增一员，助力逆变器高效设计

　　森国科的1200V/40A IGBT(型号：KG040N120SD-R)为电机驱动、逆变器、UPS系统以及太阳能和风能发电系统应用设计而生。KG040N120SD-R IGBT具有低导通损耗和快速开关特性，不仅提升了系统的效率和性能，还为工程师提供了更多的设计灵活性和可靠性保障。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　短路耐受时间超过10μs　　易于并联使用　　VCE(sat)正温度系数　　低热阻　　并联超快恢复二极管　　高鲁棒性　　高速开关　　竞争优势　　高效率　　高可靠性　　应用领域　　逆变器　　电机驱动器　　最大额定数值

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发布时间：2025-03-25 14:03 阅读量：642 继续阅读>>

纳芯微：升级电流传感器NSM201x-P系列赋能汽车三电和光伏<span style='color:red'>逆变器</span>

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纳芯微：升级电流传感器NSM201x-P系列赋能汽车三电和光伏逆变器

　　近日，纳芯微推出全新车规级集成电流路径霍尔传感器NSM201x-P系列。该系列产品是对纳芯微已量产的NSM201x系列的完美升级与补充。基于成熟的技术基础，NSM201x-P系列进一步优化了性能表现，显著降低了灵敏度误差与漂移、零点误差与漂移，同时大幅提升了EMC(电磁兼容性)抗干扰能力。　　该系列产品延续了NSM201x系列极低原边导通电阻的特性，在无需外部隔离元件的情况下，能够提供高精度的电流测量，满足AEC-Q100车规级严格要求。凭借这些卓越性能，NSM201x-P系列特别适用于新能源汽车OBC(车载充电器)、DC-DC转换器以及光伏逆变器等对精度和可靠性要求极高的应用场景，为相关系统的升级与优化提供了强大助力。　　新能源汽车的高效能源转化与分配离不开精准的电流监测，这对于优化电池管理系统、确保电池充放电的稳定性与高效性至关重要。NSM201x-P系列凭借其自有知识产权的量产标定技术和芯片补偿技术，实现了测量精度的显著提升，能够更精准地捕捉电流数据，为电池管理系统提供高精准度的数据支持。　　与此同时，随着OBC和DC-DC转换系统功率密度的提升以及系统小型化需求的增加，电流传感器的EMC性能面临着更高的要求。基于NSM201x系列广泛的应用数据以及对客户系统需求的深入理解，NSM201x-P系列对EMC性能做了进一步优化，特别是芯片的抗干扰能力得到了显著增强。其卓越的性能表现在头部客户的小型化机型中得到了充分验证和高度认可。　　随着光伏产业的发展，光伏发电系统并网接入的需求与日俱增。根据相关法规，光伏逆变器在并网运行时，向电网馈送的直流电流分量不得超过其交流额定值的0.5%，这对其并网电流检测所用的电流传感器的零点误差提出了极为严苛的要求。同时，支持V2G(车辆到电网)功能的双向OBC应用日益广泛，同样对电流传感器的零点误差提出了很高的要求。　　纳芯微全新NSM201x-P系列电流传感器凭借其卓越的性能完美应对了上述挑战。该系列产品在全工作温度范围内实现了极低的零点误差，确保在极端工况下仍能提供高精度的电流测量。这一特性不仅满足了光伏逆变器并网检测的严格要求，还为V2G双向OBC系统提供了可靠和更高性价比的电流监测解决方案。　　高精度高可靠性　　凭借芯片内部精准的温度补偿算法与出厂前的严格校准工艺，NSM201x-P系列在全工作温度范围内均能保持卓越的测量精度。用户无需进行二次编程，即可在整个温度范围内实现小于±1%的灵敏度误差以及小于±1mV的零点误差，有力保障了电流测量的高精度与高可靠性。　　高隔离耐压快速过流保护　　NSM201x-P系列凭借其卓越的电气性能，为新能源汽车的复杂电磁环境提供可靠的解决方案。该系列产品实现了高达8.2mm的爬电距离，并满足UL标准的5000Vrms隔离耐压要求，确保在高电压条件下的电气安全。同时，其原边阻抗低至0.27mΩ，具有承载高达100A的持续通流能力，抗电流冲击能力更是高达20kA，展现出强大的电流耐受性，完美适应新能源汽车对高隔离性能的严苛需求。　　此外，NSM201x-P系列还配备了快速过流保护功能，其典型响应时间仅为1.5μs。这种超快速的过流保护机制为检测过载和短路事件提供了高效且简单的解决方案。用户可以根据实际需求灵活配置过流保护阈值，范围覆盖满量程电流的75%至200%，进一步提升了系统的安全性和可靠性。　　多种封装选型灵活　　NSM201x-P系列包含NSM2012P、NSM2013P、NSM2015P、NSM2019P等多个型号，提供全面的产品组合以满足多样化的系统需求。该系列产品覆盖SOP8、SOW16和SOW10三种封装形式，适用于不同的安装空间和应用场景。此外，NSM201x-P系列还提供单向和双向测量选项以及多种量程选择，进一步增强了其灵活性和适用性，能够精准匹配不同系统的设计需求。

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发布时间：2025-03-11 13:53 阅读量：708 继续阅读>>

永铭电容器：提升储能系统<span style='color:red'>逆变器</span>效率的核心利器：液态大直径插件铝电解电容器

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永铭电容器：提升储能系统逆变器效率的核心利器：液态大直径插件铝电解电容器

　　储能行业是现代能源系统中不可或缺的一部分，逆变器在现代储能系统中的作用是多方面的，包括能量转换、控制与通信、隔离保护、功率控制、双向充放电、智能控制、多重保护以及兼容性强等，这使得逆变器成为储能系统不可或缺的核心组件之一。　　储能逆变器通常由输入端、输出端和控制系统组成。电容器在逆变器中起到包括稳压与滤波、储能与释能、提高功率因数、保护以及平滑直流脉动等作用，这些作用共同保证了逆变器的稳定运行和高效性能。对于储能系统而言，可以提高系统的整体效率和稳定性。　　永铭电容在逆变器中优势　　高容量密度：　　逆变器接收太阳能电池板或风力发电机等可再生能源装置产生的电能，将其转换为符合需求的电力形式。在这一过程中，由于负载电流可能瞬时增大，逆变器需要具备强大的能量调节能力，以确保电能的平稳输出。　　永铭铝电解电容具有大容量密度的优势，能够在相同体积下存储存更多电荷，完全满足负载电流可能瞬间增大的需求。在逆变器的工作中，这一特性确保了电能的平稳输出。　　耐大纹波电流：　　在逆变器工作过程中，如果未进行功率因数校正，其输出端的电流可能会包含大量谐波成分。永铭铝电解电容凭借其低等效串联电阻(ESR)和优异的高频特性，能够有效减少谐波含量，不仅满足负载对高质量交流电的需求，还确保逆变器符合电网接入的相关标准，降低对电网的干扰和负面影响。　　此外，在逆变器的直流输入侧，永铭电容凭借其高容量密度和出色的滤波性能，能够进一步滤除输入直流电源中的杂波和干扰，确保输入电流更加纯净，从而减少干扰信号对逆变电路后续部分的影响，全面提升系统的稳定性和运行效率。　　高耐压优势：　　由于光照强度的变化，光伏系统输出电压可能存在不稳定性，逆变器中的功率半导体器件在开关过程中也会产生电压和电流尖峰。这些尖峰可能对功率器件造成损害。因此，缓冲电容起到了吸收电压和电流尖峰的重要作用，保护功率器件不受过高电压或电流冲击。同时，电容能够平滑电压和电流的变化过程，减少开关过程中的能量损耗，从而提高逆变器的转换效率和整体稳定性。　　永铭液态铝电解电容选型推荐：　　永铭电容在逆变器中选型推荐　　总结　　永铭电容凭借耐高压、高容量密度、低ESR和强大的耐纹波电流能力等卓越特性，全面提升了逆变器在储能系统中的性能。它不仅通过出色的滤波与稳压特性减少能量转换过程中的损失，还能够稳定地调节电压、电流和频率，确保系统输出更可靠。同时，电容器快速吸收瞬态冲击、平滑电压脉动，增强了系统的抗干扰性与稳定性。此外，永铭电容在充放电过程中高效支持能源存储与释放，最大限度地提高了储能系统的能源利用效率，助力整个系统实现更高的转换效率、更强的稳定性和更低的能量损耗。

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永铭电容器

发布时间：2025-01-15 14:19 阅读量：771 继续阅读>>

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提升储能系统逆变器效率的关键元件——永铭电容器

　　逆变器在储能行业中的重要应用　　储能行业是现代能源系统中不可或缺的一部分，逆变器在现代储能系统中的作用是多方面的，包括能量转换、控制与通信、隔离保护、功率控制、双向充放电、智能控制、多重保护以及兼容性强等，这使得逆变器成为储能系统不可或缺的核心组件之一。　　储能逆变器通常由输入端、输出端和控制系统组成。电容器在逆变器中起到包括稳压与滤波、储能与释能、提高功率因数、保护以及平滑直流脉动等作用，这些作用共同保证了逆变器的稳定运行和高效性能。对于储能系统而言，可以提高系统的整体效率和稳定性。　　永铭电容在逆变器中的优势　　高容量密度：　　在微逆的输入端，需要接收太阳能电池板、风力发电机等可再生能源装置产生的电能，这些电荷需要在短时间内由逆变器进行转换，负载电流会瞬间增大。永铭电容高容量密度的特性，在同体积的情况下可以承载更多的电荷，吸收部分电能，帮助逆变器平滑电压，稳定电流提高转换效率，实现直流到交流的转换，将电流输送到电网等需求端。　　耐大纹波电流：　　逆变器在工作时，当逆变器没有进行功率因数校正，其输出端产生的电流可能会含有大量的谐波成分，输出滤波电容能够有效地减少谐波含量，满足负载对高质量交流电的需求，从而使逆变器符合电网接入的相关标准，减少对电网的负面影响。　　此外，在逆变器的直流输入侧，滤波电容可以进一步滤除输入直流电源中的杂波和干扰。确保输入的直流电更加纯净，减少干扰信号对逆变电路后续部分的影响。　　高耐压优势：　　由于光照强度的变化，光伏输出的电压不稳定，逆变器中的功率半导体器件也会在开关过程中产生电压尖峰和电流尖峰。缓冲电容可以吸收这些尖峰，保护功率器件，让电压和电流的变化过程更加平缓，这样可以减少开关过程中的能量损耗，提高逆变器的效率。避免功率器件受到过高的电压或电流冲击。　　永铭电容选型推荐　　PART01光伏逆变器基板自立型铝电解电容：　　低ESR、耐大纹波、小体积　　PART02微逆　　液态引线型铝电解电容：　　容量足、特性一致性好，低阻抗、耐大纹波、高压电、小体积、低温升，长寿命。　　超级电容：　　耐宽温，高温高湿、低内阻、长寿命　　液态贴片型铝电解电容：　　小型化、大容量、耐大纹波、长寿命　　PART03便携储能　　液态引线型铝电解电容：　　容量足、特性一致性好，低阻抗、耐大纹波、高压电、小体积、低温升，长寿命。　　总结　　永铭电容通过耐高压，高容量密度，低ESR和耐纹波电流能力强等特点赋能逆变器提高能量转换效率，调节电压电流频率，增强系统稳定性,帮助储能系统减少能量损失，提高能源存储与利用效率。

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永铭电容器

发布时间：2024-12-10 11:05 阅读量：894 继续阅读>>

长晶科技FST3.0 IGBT新品发布&光伏储能/<span style='color:red'>逆变器</span>/充电模块应用方案

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长晶科技FST3.0 IGBT新品发布&光伏储能/逆变器/充电模块应用方案

　　长晶科技本次推出了FST3.0(对标国际Gen7.0) 650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。

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长晶科技

发布时间：2024-12-02 14:04 阅读量：754 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
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