鲁光 LGE3D10120A 碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>
  在现代电力电子领域,追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度已成为不可逆转的趋势。碳化硅半导体材料的出现,为功率器件带来了革命性的突破。鲁光电子推出的LGE3D10120A 正是一款基于先进碳化硅技术的高性能肖特基二极管,以其卓越的特性,成为众多高效能电源设计的理想选择。  核心优势  1.高效率:零反向恢复和低正向压降共同保证了极低的导通和开关损耗。  2.高频率:允许电路工作在更高频率,实现电源系统的小型化和轻量化。  3.高可靠性:高工作结温、卓越的开关鲁棒性和正温度系数,确保了系统在苛刻环境下的长期稳定运行。  二、特性曲线  三、典型应用领域  基于上述卓越性能,鲁光LGE3D10120A广泛应用于以下领域:  1. 工业开关电源:  1.1用于通信电源、服务器电源的高频PFC电路,作为升压二极管,能显著提升整机效率。  1.2在LLC谐振变换器的次级同步整流电路中,可作为高效整流器件。  2. 新能源发电系统:  2.1光伏逆变器:在组串式或微型逆变器的DC-DC升压环节和逆变桥臂的续流回路中,使用该二极管可以降低损耗,提高逆变器的最大功率点跟踪效率和整体发电量。  2.2储能系统:用于双向DC-DC变换器,实现高效的电能充放。  3. 充电桩及电机驱动:  3.1充电机:作为PFC和DC-DC电路的关键器件,帮助实现小型化、高效率的充电。  3.2直流充电桩:在充电模块的高频整流和逆变电路中发挥核心作用。  3.3电机驱动控制器:作为逆变器的续流二极管,提高驱动效率。  4. 不间断电源:  4.1用于高频在线式UPS的PFC和逆变单元,提升整机效率和功率密度。  四、总结  鲁光LGE3D10120A碳化硅二极管凭借其1200V的耐压、10A的电流能力以及零反向恢复这一特性,完美地契合了现代电力电子对高效率、高功率密度和高可靠性的要求。无论是在传统的工业电源,还是在蓬勃发展的新能源领域,它都是一款极其关键的功率器件。
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发布时间:2025-12-02 13:37 阅读量:254 继续阅读>>
鲁光 LGE3D20120H 碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>
  现代电力电子领域,对高效率、高功率密度和高可靠性的追求。碳化硅作为新一代的宽禁带材料,正以其卓越的性能,逐步取代传统硅基器件,成为实现这一目标的关键。鲁光推出的LGE3D20120H 碳化硅二极管,便是这一技术浪潮中受欢迎的一款产品,广泛应用于各种高效功率转换场景。  优势  1.零反向恢复:实现极高的开关频率,降低开关损耗和EMI。  2.高耐压:1200V耐压,为工业级应用提供充足的安全裕量。  3.高温工作能力:175°C最高结温,提升了系统的可靠性。  4.正温度系数:易于多颗器件并联以实现更大电流应用。  二、特性曲线  三、主要应用领域  凭借上述卓越性能,LGE3D20120H在多个对效率和功率密度有严苛要求的领域大放异彩。  1. 高频开关电源  在通信电源、服务器电源等高密度电源中,可以作为PFC电路中的升压二极管。由于其零反向恢复特性,允许电源工作在更高的开关频率(如100kHz以上)。  2. 太阳能/光伏逆变器  其低损耗特性可以有效提升逆变器的转换效率,尤其是在部分负载条件下,优势更为明显,从而最大化太阳能板的发电收益。  3. 不间断电源  降低逆变桥臂的开关损耗,减少散热器尺寸,提高整机功率密度和可靠性,确保关键负载的稳定供电。  4. 工业电机驱动与变频器  在变频器的整流单元或制动单元中,其能够高效处理高电压和大电流。其快速开关特性和高耐压能力,有助于实现更精确的电机控制和更高的系统效率。  四、总结  鲁光LGE3D20120H 碳化硅二极管以其1200V耐压、20A电流、零反向恢复和高温工作能力,为现代高效功率转换系统提供了一个理想的选择。它不仅是提升现有系统性能的利器,更是迈向下一代高密度、高效率电力电子产品的关键基石。
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发布时间:2025-11-21 16:39 阅读量:304 继续阅读>>
鲁光 LGE3D06065N 碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>
  在追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度的现代电力电子领域,碳化硅半导体技术正扮演着越来越重要的角色。鲁光电子推出的LGE3D06065N 是一款采用紧凑的DFN5*6封装的碳化硅二极管,以其卓越的性能,成为众多高效能电源设计的理想选择。  核心特性优势:  1.零反向恢复:消除了开关过程中的电流“拖尾”现象,显著降低了开关损耗和开关噪声。  2.开关速度极快:不受反向恢复限制,可以实现数百kHz甚至MHz级别的高频开关。  3.优异的温度特性:其反向漏电流和开关特性随温度变化很小,在高温下依然能保持高效稳定。  二、特性曲线  三、典型应用领域  凭借上述优势,鲁光LGE3D06065N适合以下高端应用场景:  1. 开关电源  1.1服务器/数据中心电源:用于PFC和LLC谐振电路,是实现高效率的关键器件。  1.2通信电源:提升功率密度和效率,满足严苛的能效标准。  2. 新能源与工业  2.1光伏逆变器:用于Boost升压电路和逆变桥,最大化能量转换效率。  2.2充电机(OBC):帮助实现更小、更轻、充电更快的OBC设计。  2.3工业电机驱动:用于变频器的整流或缓冲电路,提高控制精度和效率。  3. 不间断电源 (UPS)  3.1在高频在线式UPS中,能显著提升整机效率,减少体积和重量。  4. 高效能功率转换  4.1焊接设备、等离子发生器、高端消费类电子产品快充等任何需要高效能功率转换的场合。  四、总结  鲁光LGE3D06065N DFN5*6碳化硅二极管是一款性能卓越、封装先进的功率器件。它完美地解决了传统硅二极管在高频、高效应用中的瓶颈问题,为设计下一代高效、高功率密度的电力电子系统提供了强有力的支持。
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发布时间:2025-11-12 09:59 阅读量:319 继续阅读>>
碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>的优点和局限性分析
  碳化硅(SiC)二极管是一种新型半导体器件,具有许多优点和独特的特性,但也存在一些局限性。本文将探讨碳化硅二极管的优点和局限性。  1. 碳化硅二极管的优点  1.1 高温稳定性  碳化硅二极管具有出色的高温稳定性,能够在极端环境下工作。相比传统硅二极管,碳化硅二极管能够承受更高的工作温度,适用于高温应用场景。  1.2 低开关损耗  由于碳化硅二极管的导通压降较低,具有较低的开关损耗。这使得碳化硅二极管在高频率开关电源等要求低损耗的应用中具有显著的优势。  1.3 高击穿电压  碳化硅二极管的击穿电压远高于传统硅二极管,能够提供更高的耐压性能。这使得碳化硅二极管在高压应用中表现出色,并可减少对外围保护电路的需求。  1.4 高速开关性能  碳化硅二极管具有优秀的开关特性,响应速度快、开关损耗小,适合高频率、高效率的功率转换系统。  2. 碳化硅二极管的局限性  2.1 制造成本高  目前,碳化硅二极管的制造技术相对成熟,但生产成本仍然较高。与传统硅二极管相比,碳化硅二极管的价格较高,限制了其大规模应用。  2.2 封装与散热难题  碳化硅二极管的高温特性和功率密度较大会带来封装和散热方面的挑战。有效的封装设计和散热技术对于确保器件性能和寿命至关重要。  2.3 稳定性  尽管碳化硅二极管具有高温稳定性,但在某些特定工况下可能存在稳定性问题,如过热或超载情况下的性能退化。  2.4 可靠性  碳化硅二极管的可靠性和寿命是一个需要关注的问题。在长期高温、高压、高频率工作条件下,器件的寿命和稳定性仍需要进一步验证和改进。
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发布时间:2025-11-11 16:22 阅读量:350 继续阅读>>
鲁光LGE3D10065G 碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>
  在追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度的现代电力电子领域,碳化硅应运而生,成为推动下一代功率转换系统发展的关键。鲁光电子推出的LGE3D10065G,便是一款在紧凑的DFN8x8封装内集成了优异性能的碳化硅二极管,为众多高效能应用提供了理想的解决方案。  核心特性优势:  1.零反向恢复:消除了开关过程中的电流“拖尾”现象,显著降低了开关损耗和开关噪声。  2.开关速度极快:不受反向恢复限制,可以实现数百kHz甚至MHz级别的高频开关。  3.优异的温度特性:其反向漏电流和开关特性随温度变化很小,在高温下依然能保持高效稳定。  二、特性曲线  三、典型应用领域  基于上述卓越性能,鲁光LGE3D10065G广泛应用于以下领域:  1.高频功率因数校正电路:  在通信电源、服务器电源的PFC升压电路中,它是升压二极管的绝佳选择。其零反向恢复特性可以显著降低开关损耗,使PFC级能够工作在更高频率。  2. 开关电源/太阳能逆变器:  用于反激、正激、LLC谐振等拓扑中的续流或钳位二极管。在高频下实现高效率,有助于提升整个电源的功率密度。  3. 工业电机驱动与不间断电源:  在变频器的整流或缓冲电路中,其高性能可以降低系统损耗,提高功率密度和动态响应速度。  4. 高频焊接与感应加热:  这些应用要求极高的开关频率,传统硅二极管无法胜任,而碳化硅二极管正是理想之选。  四、总结  鲁光LGE3D10065G 650V/10A碳化硅二极管,以其零反向恢复、高开关频率、高效率、出色的高温稳定性,完美地满足了现代电力电子设备对高性能和高可靠性的苛刻要求。是替代传统硅二极管的战略性选择,能够显著提升产品竞争力,推动绿色能源和高效电力应用的发展。
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发布时间:2025-10-31 17:57 阅读量:359 继续阅读>>
鲁光LGE3D30120H碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>
  在追求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电力电子世界中,碳化硅技术正以前所未有的速度取代传统硅基器件。鲁光电子推出的LGE3D30120H,便是一款采用标准TO-247AC封装的碳化硅肖特基二极管,它以其卓越的性能,成为中大功率应用领域升级换代的理想选择。  一、LGE3D30120H主要参数  核心特性优势:  1.零反向恢复:消除了开关过程中的电流“拖尾”现象,显著降低了开关损耗和开关噪声。  2.开关速度极快:不受反向恢复限制,可以实现数百kHz甚至MHz级别的高频开关。  3.优异的温度特性:其反向漏电流和开关特性随温度变化很小,在高温下依然能保持高效稳定。  4. 正温度系数: 正向压降随温度升高而增大,这一特性使得多个二极管并联时能够自动实现电流均衡。  二、特性曲线  三、应用领域  凭借1200V的高压和30A的大电流能力,LGE3D30120H在以下中高功率应用场景中表现出色:  1. 高频功率因数校正电路  1.1在通信电源、服务器电源及工业电源的PFC升压电路中,LGE3D30120H是升压二极管的绝佳选择。  2. 光伏/储能逆变器  2.1用于5-30KW功率的光伏逆变器和储能变流器的DC-AC逆变级中,常作为逆变桥的续流二极管或Boost电路的升压二极管。  3. 工业电机驱动与变频器  3.1 用于5-25KW的功率变频器的整流单元或逆变单元中,提高驱动系统的效率和响应速度。  4. 充电机及DC-DC变换器  4.1用于5-25KW功率的PFC和DC-DC阶段,以及高压到低压的DC-DC转换器中。  5. 不间断电源及焊接电源  5.1 用于5-30KW功率的高频化、模块化的UPS和工业焊接设备中。  四、总结  鲁光LGE3D30120H 碳化硅二极管,凭借其1200V/30A的额定值以及碳化硅材料带来的零反向恢复和高速开关特性,提供了一个强大而可靠的解决方案。它不仅能够直接提升现有系统的效率和频率,更是推动下一代高功率密度、高性能电力电子设备创新的关键元件。
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发布时间:2025-10-11 13:24 阅读量:326 继续阅读>>
森国科推出用于5G微基站电源的碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>(SiC JBS)
  第5代通信技术5G频率越高,穿透和绕射能力会相对下降,信号智能直射传播,很多偏僻地方就会收不到信号,微基站很好弥补了这项缺陷。因此5G将会采取“宏基站+微基站”组网覆盖的模式,整个5G网络基站近80%将由微基站承载。  微基站是一种从产品形态、发射功率、覆盖范围等方面都相比传统宏站小得多的低功率基站设备。特征是:小型化;低发射功率;可控性好;智能化;组网灵活。微基站电源应用场景如下:  直流远供电源  应用于BBU、RRU基站整合优化,运营商的室分系统、室外基站、灯杆站、微基站、直放站、综合接入 ONU 等设备;  光电一体箱供电  是对未来城市主干道信号覆盖提供支点,并与现有城市设施相融合,可应用于居民小区、沿街小巷、商业密集区、地下停车场。光电一体箱将传统的交流配电箱、光纤配线箱融为一体,有效解决了微基站配套设备的建设需求,满足了市政美化需求。微站电源产品,应用于小型程控交换机、接入网、传输设备、移动通信、卫星通信地面站、微波通信供电、室外基站、灯杆站、微基站、直放站、综合接入 ONU 等设备。  太阳能模块供电  主要安装在高山、公路、铁路等地,扩大基站的覆盖面,解决乡村信号盲区;高速公路、国道及铁路线上的信号覆盖;在需要建基站但又没有条件建的地方;解决业务边界问题。但是这些地方供电较为困难或有可能解决供电问题但耗资巨大,而且电力解决以后还有安全、维护等因素。具有可靠性、寿命长、连续阴雨天,全天侯、不间断地野外工作时间长的特点,与拉电力线相比有经济安全、故障率低、维护方便等优点。  智慧路灯电源  通过市政对路灯进行供电,解决路灯微基站供电问题。“智慧灯杆联网系统”,是以照明灯杆为基础,集成了音视频监控设备、无线基站、WIFI热点、多媒体屏幕、充电桩以及天气、环境等各种感知器的新型智能设备,结合应用“NB—IOT系统”技术通讯手段,将采集的交通信息、环境信息、河道信息和安防信息等进行运算、分析、形成大数据平台层,实现对城市照明、安防、交通、能源、市政等公共设施运营管控应用层面的智慧城市管理。  微基站内部电源系统系统中对交流接触器的选用、断路器熔断器及空气开关的选用、保护电路的设计、交流电量检测电路的设计、防雷及抗涌措施的选择等要符合规范。  下图是一款研发的5G基站建设的移动微站电源:  由上图可以看出,此款电源产品主要由4个单元组成,其中通信模块和开关电源部分决定了5G微基站运行的可靠性。开关电源部分:由于基站供电多样性和复杂性,决定了微基站电源需要综合考虑不同输入兼容问题,其开关电源的功率从1000W~3000W不等,处理大功率器件及相关模块的稳定性是非常关键的。对于如此之大的大功率开关电源开机瞬间的浪涌电流抑制成为了关键中的关键。森国科为此开发了高Bv、低Vf、高浪涌电流的碳化硅二极管KS06065,标称650V的Bv值,实际测试可以达到900V,冲击电流高达65A,典型漏电流低至1nA。  森国科SiC二极管系列产品主要分为650V和1200V系列,使用6寸晶圆生产,车规级的生产工艺,具有高耐温,高频,高效,高压特性,在广大高功率电源产品中得到广泛应用。主要应用于矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块、新能源汽车充电机、光伏逆变器等。
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发布时间:2025-08-19 11:43 阅读量:580 继续阅读>>
森国科推出极小封装碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>,提升电源效率!
  深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS02065(650V/2A),该系列二极管主要用来提升电源类产品的效率、减少体积、降低EMI问题、提升高温特性,进而全面提升功率密度。目前2A系列的碳化硅二极管已通过多家客户的测试验证,并实现了大批量供货。  森国科第五代650/2A TMPS二极管具有一流的鲁棒性和耐久性 ,具备高浪涌电流和雪崩能力,并通过100%雪崩(UIL)生产测试,技术参数对标国际一线公司的最新产品,足以满足高端领域的国产化替代需求。为了提升KS02065在不同应用中的灵活性,确保整个流程的稳定运行,森国科为客户提供TO-220, TO-252, SMA三种不同的封装:  TO-220-2L封装散热效果最佳,但是相对来说占用空间;  TO-252-2L封装具备优秀的散热能力,体积上也有一定的优势,在应用场景上的利用率较高;  SMA是碳化硅功率器件封装中体积最小的一款,约为4.5mm*2.7mm,也是目前国内少有的封装样式。SMA封装通常在硅二极管中比较常见,在一些电源类产品中如需使用碳化硅二极管来替代,可以在节省电路修改和PCB设计的前提下,保障系统效率的稳步提升,这对应用端来说是一举多得的选择。  典型应用电路如单向PFC电路: D5,电路简单,成本低,初级无电解电容。  森国科深耕宽禁带半导体领域多年,目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作,秉承着“做最合适的功率器件”的理念,致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品,助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求,持续赋能低碳发展。
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发布时间:2025-08-19 11:40 阅读量:793 继续阅读>>
<span style='color:red'>硅二极管</span>和锗二极管的区别是什么
  二极管是一种重要的半导体器件,广泛应用于电力、通信、计算机等各个领域。硅二极管和锗二极管作为最早被发明和广泛应用的两种二极管类型,它们在材料特性、工作性能、温度稳定性等方面存在显著差异。本文将探讨硅二极管和锗二极管之间的区别。  1. 硅二极管与锗二极管的材料特性  1.1 硅二极管:  硅(Silicon) 是一种常见的半导体材料,具有较高的热稳定性和机械强度,适用于高温环境。硅二极管的导电性较好,具有较高的击穿电压和较短的载流子寿命。  1.2 锗二极管:  锗(Germanium) 是另一种常见的半导体材料,比硅具有较低的禁带宽度,因此其导电性也较好。然而,锗材料相对脆弱,导致其应用范围受到一定限制。  2. 工作特性比较  2.1 导电性:  硅二极管:由于硅的禁带宽度较大,硅二极管的导电性较差,需要较高的电压才能使其导通。  锗二极管:锗的禁带宽度较小,因此锗二极管具有较好的导电性,只需较低电压即可导通。  2.2 温度稳定性:  硅二极管:硅材料具有较好的热稳定性,在高温环境下仍能保持较好的性能。  锗二极管:锗材料对温度变化较为敏感,温度升高会影响其性能表现。  3. 应用场景对比  3.1 硅二极管:  由于硅二极管具有较高的击穿电压和热稳定性,常用于功率放大器、整流器等高功率应用场合。  3.2 锗二极管:  锗二极管由于其导电性能优良,常用于射频放大器、检波器等低功率高频电路中。
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发布时间:2025-06-06 11:29 阅读量:692 继续阅读>>
森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化<span style='color:red'>硅二极管</span>KS10065(650V/10A)
  深圳市森国科科技股份有限公司发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A), 该系列产品提供多达八种封装,充分满足客户在OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个应用场景的需求。  森国科KS10065系列产品拥有超低的VF值,可降低正向导通损耗;少子器件零反向恢复,在反向恢复过程中极大的减少了反向恢复损耗,同时又减少了EMI干扰,可大大提升整机效率,整体损耗的减少也带来更小的温升;卓越的IFSM值,在抗雷击/浪涌等产品可靠性上有极其出色的表现;灵活多样的封装形式,助力客户在不同场景中的高效应用。  KS10065(650V/10A) 碳化硅二极管, 主要应用于5种PFC电路和IGBT续流二极管,以下是典型应用电路:  无桥PFC: D1,D2,使用SiC二极管和SiC MOS替代了传统的整流二极管,可明显提高效率。  单向PFC: D5,电路简单,成本低,初级无电解电容。  交错并联PFC: D5, D6,可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值,并提升电路的功率等级。  维也纳(VIENNA)PFC :具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。  IGBT续流二极管:降低开关损耗,增大开关频率。  森国科深耕宽禁带半导体领域多年,目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作,秉承着“做最合适的功率器件”的理念,致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品,助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求,持续赋能低碳发展。  名词释义  TMPS:是Thinned Merged PIN Schotty Diode 的缩写, 中文翻译为:减薄的混合型PN结势垒肖特基二极管,森国科将该系列产品注册商标为:Thinned MPS®  PFC:英文全称为“PowerFactorCorrecTIon”,意思是“功率因数校正”,功率因数指的是有效功率与总耗电量(视在功率)之间的关系,也就是有效功率除以总耗电量(视在功率)的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度,当功率因数值越大,代表其电力利用率越高。  维也纳整流桥:Vienna 整流桥是脉冲宽度调变的整流器,可以接收三相交流电源,也是功率因数修正电路,是Johann W. Kolar在1990年发明。
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发布时间:2025-05-12 14:27 阅读量:615 继续阅读>>

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