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ARK（<span style='color:red'>方舟微</span>）—DFN2×2超小体积AKF20P45D：实现高功率密度与优异散热，提供超低导通电阻及2500V ESD防护

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ARK（方舟微）—DFN2×2超小体积AKF20P45D：实现高功率密度与优异散热，提供超低导通电阻及2500V ESD防护

　　ARK(方舟微)推出的双芯片20V P沟道功率MOSFET——AKF20P45D。该产品性能卓越，兼具超低导通电阻与高达2500V的ESD防护能力。其采用的DFN2×2紧凑型封装，不仅有助于节省PCB布局空间，还具备优异的散热表现。　　AKF20P45D广泛应用于DC-DC转换器、智能手机、平板电脑、智能音乐播放器、电子书等手持设备，主要用于电池充电管理与负载开关。其超低的导通电阻能显著降低传导损耗，这不仅有效提升了电能利用效率，延长了电池单次充电的使用时长，还能减少发热，有助于延长电池的整体寿命。　　AKF20P45D具有±8V的栅-源额定电压，其在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V的栅-源电压条件下，分别对应35mΩ、50mΩ、100mΩ和160mΩ的超低导通电阻。相比Vishay公司同类型的SiA923EDJ产品，AKF20P45D具有更低的导通电阻。SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V的栅-源电压条件下，对应54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的导通电阻。　　在关键的导通电阻性能上，AKF20P45D 显著领先于主流竞品。对比 Vishay 的 SiA923EDJ，在相同的栅-源电压(4.5V/2.5V/1.8V/1.5V)条件下，AKF20P45D的导通电阻(35/50/100/160 mΩ)均低于后者的(54/70/104/165 mΩ)，相比AKF20P45D的导通电阻全面更低，性能优势明显。此外，它同样具备 ±8V 的栅-源耐压，确保工作的可靠性。　　AKF20P45D具备低至1.5V的导通阈值，使其非常适用于采用低压栅极驱动器的各类手持设备。该特性使其在低总线电压系统中能直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而有效节省了PCB空间与BOM成本。同时，其超低的导通电阻能够在峰值电流条件下产生更低的导通压降，这有助于稳定系统电压，降低因电压跌落引发非正常欠压锁定事件的风险，从而提升系统可靠性。　　附AKF20P45D的部分典型参数：

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发布时间：2025-12-09 15:03 阅读量：326 继续阅读>>

ARK<span style='color:red'>方舟微</span>：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流

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ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流

　　在单极可控硅调光LED驱动电路中，由于没有bulk电容的储能，当调光器启动时或可控硅前沿调光切相时，会产生大量浪涌电流，如图1。　　浪涌电流或尖脉冲电流是有害的，可能会使调光失败甚至损坏调光器。抑制浪涌电流有以下几种方法。　　采用功率电阻　　如图2，采用功率电阻R1来抑制浪涌电流是最简单的方式。功率电阻抑制了浪涌电流，但同时对反激电路输入电流也造成了限制。并且功率电阻(通常10Ω)的功率损耗较高，导致电路效率降低。即便功率电阻为100Ω，峰值电流仍然超过2.0A。　　采用有源阻尼电路　　抑制浪涌电流另一种方法是采用有源阻尼电路，如图3。采用有源阻尼电路在大幅度地降低尖峰电流的同时，还可以大幅减少功率损耗。　　当调光器启动时，MOSFET Q4还处于关断状态，电流从电阻R1流过，因此能够有效地控制浪涌电流。当尖峰电流过后，Q4导通，电流从Q4通过，由于Q4具有非常低的导通电阻，因此电路的损耗非常低。这种方式的优点是不仅有效地抑制了浪涌电流，同时也具有很低的功率损耗。不足点是电路较为复杂并且成本高。　　采用耗尽型MOSFET　　一个更简单且成本更低廉的抑制浪涌电流的方法是使用耗尽型MOSFET Q4，如图4。Q4与电阻R1串联。当调光器启动时，产生浪涌电流，由于流经电阻R1的电流增大，这使Q4的栅极到源极的电压VGS变大，Q4的导电沟道变窄从而起到抑制浪涌电流的作用。浪涌电流过后，Q4的VGS变小使导电沟道变宽。由于Q4具有较低的VGS(OFF)值以及非常小的RDS(ON)，同时串联电阻R1的电阻也非常小，因此电路功率损耗非常小。　　由于电流值ID由耗尽型MOSFET Q4和串联电阻R1共同决定。当选定了耗尽型MOSFET的型号后，串联电阻R1的大小就非常重要，式(1)给出了计算串联电阻方法：　　式中，R为串联电阻R1的电阻值;VGS(OFF)为耗尽型MOSFET的阈值电压;ID为流过耗尽型MOSFET漏-源极的电流;IDSS为当栅极电压为0V时耗尽型MOSFET漏-源极的饱和电流。　　ARK(方舟微)提供的低阈值电压的耗尽型功率MOSFET DMD4523E，为高效抑制浪涌电流提供了解决之道。DMD4523E耗尽型MOSFET，产品击穿电压BVDSX超过450V，导通电阻RDS(ON)最大值仅2Ω，阈值电压VGS(OFF)为-4V～-1.7V，是抑制浪涌电流应用的首选产品。

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发布时间：2025-11-17 14:19 阅读量：359 继续阅读>>

ARK<span style='color:red'>方舟微</span>：DMZ42C10S & DMX(S)22C40A 系列产品用于智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案

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ARK方舟微：DMZ42C10S & DMX(S)22C40A 系列产品用于智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案

　　01 特点　　1、N沟道耗尽型(常开)　　2、优异的热稳定性　　3、超低泄漏电流　　4、DMZ42C10S具有更低的导通电阻：6Ω(Max)@25℃　　5、DMX(S)22C40A具有更高的耐压：400V　　6、切换速度极快　　02 应用　　1、点火模块　　2、常闭开关　　3、固态继电器　　4、转换器　　5、恒流源　　6、线性放大器　　7、调节器　　8、智能变送器　　03 解决方案(1)：智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案　　下图为具备HART功能的智能变送器电路示意图, DMZ42C10S & DMX(S)22C40A系列产品用于给AD421的VCC供电，该系列产品支持高电压输入，具有极佳的抑制瞬态浪涌能力，可对复杂电磁环境中的传感器、变送器实现有效的过压过流保护。该系列产品的参数、品质完全达到国外同类产品水平，其性能已达到甚至超过常用的BSS169、DN2530、DN2535、DN2540、DN3545、CPC3909、BSP179、LND150等产品，可实现完美替代。　　04 解决方案(2)：非隔离式电源中的应用方案　　该电路无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET器件，即可将较高电压转换为稳定的低电压提供给LDO电路输入端，并且具有良好的瞬态浪涌抑制能力，电路结构简单。

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发布时间：2025-11-17 14:16 阅读量：360 继续阅读>>

ARK（<span style='color:red'>方舟微</span>）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器

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ARK（方舟微）工业级高压调节方案：AKP10M60R ——600V高压电流调节器

　　ARK(方舟微)推出的高压电流调节器AKP10M60R，支持高达600V工作电压，具备优异的瞬态抑制能力，可有效抵御电流/电压冲击，确保稳定输出。该器件尤其适用于工业控制、汽车电子等严苛电磁环境，保障系统可靠运行。　　典型应用原理　　如图1所示，AKP10M60R的输入端A可支持高达600V的耐压，远高于常规几十伏或整流后300V的市电输入，具有充足的电压裕量。其内置负反馈机制可确保输出电流恒定，从而有效抑制浪涌电流/电压冲击，具备卓越的抗瞬态能力。　　输出电流可通过调节电阻R灵活设定，实现稳定的恒流输出。此外，通过在G-K端施加负电压，可完全关断AKP10M60R，增强系统控制灵活性。　　高压电机驱动电路应用　　AKP10M60R特别适用于驱动感性负载，其内置的瞬态抑制电路可有效吸收由电感关断产生的高压脉冲(如继电器、电机等产生的反电动势)。该器件不仅能简化传统RC吸收或TVS保护等外围电路设计，同时显著降低BOM成本和PCB面积，提升系统性价比。　　车载电器应用　　AKP10M60R专为车载电子系统设计，可有效抑制电机启停工况下产生的400V以上负载突波(Load Dump)，满足ISO 7637-2标准要求。其集成化设计可替代传统TVS+LC滤波的复杂保护方案，在保障多媒体系统可靠性的同时，减少30%以上的外围器件数量，显著优化车载娱乐系统的空间布局和制造成本。

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方舟微

发布时间：2025-06-20 14:01 阅读量：675 继续阅读>>

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ARK方舟微：可靠易用的高压稳压元件：DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL

　　01产品简介　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL是ARK(方舟微)利用特有的UltraVt®专利技术开发的一款具有超高阈值电压的耗尽型功率MOSFET。该系列产品相对于DMZ(X)1015E产品，具有更高的击穿电压，其漏-源击穿电压(BVDSX)超过130V，且具有ESD防护设计，可在-55℃至150℃的温度范围内稳定工作。　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL可直接作为高压稳压器使用，利用其(超高)亚阈值特性，可直接将输入的高电压转换为稳定的低电压，给PWM IC等负载供电。　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL专为满足IC在宽范围电压输入场景下的供电需求而设计，其简单易用的稳压特性，非常适合用于QC 2.0/3.0/4.0快充、USB Type-C PD快充、USB Type-C直充、具有宽输出电压范围的电源适配器等多种电源系统中，可有效简化PWM IC供电方案，提高电源系统的稳定性。　　02产品特性　　★ 产品类型：N沟道(超高阈值)耗尽型MOSFET。　　★ 阈值电压：　　DMZ(X)1315E：-27V|VGS(OFF)| >17V@ID=8μA);-11.5V>VGS(OFF)@ID=5mA(数值上：11.5V<|VGS(OFF)|@ID=5mA)。　　DMZ(X)1315EL：-20V|VGS(OFF)| >13V@ID=8μA);-10.5V>VGS(OFF)@ID=5mA(数值上：10.5V<|VGS(OFF)|@ID=5mA)。　　★ 高耐压：允许输入电压高达130V。　　★ ESD能力：具有ESD防护能力。　　★ 功能特点：具有可靠易用的稳压特性。　　03应用领域　　■ QC2.0/3.0/4.0快充系统　　■ USB Type-C PD 电源系统　　■ USB Type-C 直充系统　　■ 宽输出电压范围电源适配器　　■ 直流接触器

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发布时间：2025-04-18 16:48 阅读量：739 继续阅读>>

ARK（<span style='color:red'>方舟微</span>）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D

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ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D

　　ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D信息如下：一、基本信息　　1. 产品名称：FTE03R20D　　2. 产品描述：200V N沟道和P沟道增强型MOSFET　　3. 产品电路图：　　4. 产品基本参数：　　二、产品特性　　集成栅源电阻和齐纳二极管　　可以避免二次击穿　　阈值、导通电阻和输入电容低　　开关速度快　　有独立且电气隔离的N沟道和P沟道　　三、产品介绍　　FTE03R20D是由高电压，低阈值的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET组成的器件。该器件集成了栅源电阻和齐纳二极管，这对于高压脉冲应用至关重要。　　FTE03R20D是一款互补型、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道的MOSFET对管，采用先进的垂直双扩散MOSFET结构和成熟的硅栅制造工艺。这种设计使得器件既具备了双极晶体管的功率处理能力，又继承了MOSFET器件固有的高输入阻抗和快速的开关速度。　　与所有MOS结构一样，该器件不会发生热失控和热致二次击穿。VDMOSFET因其低阈值、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速的开关速度等特性，非常适合各种开关和放大应用。　　四、常见应用　　1. CMOS逻辑电路：N沟道和P沟道增强型MOSFET经常被集成在一起，用于构建CMOS反相器。这种反相器电路利用N沟道和P沟道MOSFET的互补特性，通过控制输入信号来实现逻辑功能的反转。　　 2. 功率开关应用：增强型VDMOSFET因其低导通电阻和高电流承载能力，在功率开关电路中扮演重要角色。　　3. 电源管理：在电源管理领域，N沟道和P沟道增强型MOSFET被用于构建高效的电源转换器和稳压器。由于它们能够提供快速的开关速度和较低的导通电阻，这些器件可以有效减少能量损耗并提高系统的整体效率。　　4. 放大器电路：在放大器电路设计中，N沟道和P沟道MOSFET也可以被用来构建共源共栅放大器结构。这种设计利用了两种沟道类型的互补特性，以实现更高的增益和更好的频率响应。　　N沟道和P沟道集成的增强型VDMOSFET在现代电子电路设计中具有广泛的应用前景，特别是在需要高效、快速响应和高可靠性的场合。这些器件的互补特性和优异的电气性能使其成为构建复杂电子系统的关键组件。

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发布时间：2025-03-24 10:00 阅读量：725 继续阅读>>

突破工业接口壁垒！ARK（<span style='color:red'>方舟微</span>）DMZ42C10S 让 PLC

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突破工业接口壁垒！ARK（方舟微）DMZ42C10S 让 PLC "万能适配" 成为现实！

　　一、行业背景：工业自动化升级，PLC接口兼容性成关键瓶颈　　随着工业4.0的推进，PLC(可编程逻辑控制器)作为自动化系统的“大脑”，需连接多种设备(如驱动器、传感器)。然而，不同厂商设备的接口电压标准各异(5V/12V/24V)，导致PLC与驱动器间的信号传输常需外置转接电路或特制电缆，成本高、布线复杂、占用空间大，严重制约系统灵活性与效率。　　根据数据统计，全球工业自动化设备市场规模已达5200亿美元(MarketsandMarkets 2025)，但PLC与驱动器、传感器间的多电压接口壁垒仍困扰着85%的制造企业。以汽车焊装产线为例，24V伺服系统、12V光电传感器、5V通信模块并存，传统方案需配置3组独立接口模块，导致以下问题：　　1. 布线复杂度提升40%　　2. 机柜空间占用增加25%　　3. 维护成本上升30%(数据来源：ARC咨询集团报告)　　二、痛点分析：传统方案的三大缺陷　　1. 多电压适配困难：不同电压级接口需定制连接器，增加库存和管理成本。　　2. 外置电路复杂：额外添加电阻、PTC限流元件或隔离模块，占用PCB空间。　　3. 高频信号受限：传统限流方案(如PTC)工作频率低(通常<100kHz)，难以满足高速脉冲信号(如500kHz)需求。　　三、解决方案：耗尽型MOSFET + 自适应限流电路　　1. 方案核心：耗尽型MOSFET——DMZ42C10S　　2. 步进电机驱动控制器接口电路设计适配电路，利用耗尽型MOSFET恒流控制电路基本原理，仅需一颗耗尽型MOSFET(DMZ42C10S)，配合一颗限流电阻，即可实现5V-24V宽电压输入适配，无需外置电路。　　电路工作原理：　　1. 耗尽型MOSFET和限流元件(通常为电阻)构成限流单元　　2. 自适应限流：当输入电压升高时，MOSFET栅源电压VGS降低，自动限制电流增长，形成负反馈。　　3. 公式支撑：限流电阻值 I(MAX)= |VGS(OFF)| / R，精准设定最大电流。　　性能优势：　　1. 宽电压兼容：5V-24V输入下，电流波动<±2%。　　2. 高频支持：工作频率高达500kHz，满足高速脉冲需求。　　3. 高鲁棒性：DMZ42C10S耐压达100V，抗浪涌能力强。　　技术优势对比传统方案：　　实测数据：　　1. 输入24V脉冲信号时，电流稳定在17mA，信号失真率<1%。　　2. 在-40℃~85℃环境下，接口电路性能无衰减。　　四、ARK(方舟微)DMZ42C10S关键参数说明　　1. 耐压值(Vds)：100V，轻松应对工业环境电压波动。　　2. 导通电流 530mA：从容应对工业标准电流输出要求。　　3. 导通电阻(RDS(on))：典型值2Ω，功耗低、发热小。　　4. 工作频率：支持500kHz，满足高速信号传输。　　5. 封装：SOT-23，体积小，适合高密度PCB布局。　　以上产品参数源于ARK(方舟微)耗尽型MOSFET产品DMZ42C10S产品手册，对比分析数据源自方舟微电子公司实验室测试结果。　　额外需要说明的是：DMZ42C10S是ARK(方舟微)研发的一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品，该产品性能优异，可靠性高，且参数定义范围与Infineon的BSS169基本一致。相较于BSS169，DMZ42C10S具有更低的导通电阻，以及更大的电流能力，可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。

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发布时间：2025-03-24 09:54 阅读量：859 继续阅读>>

ARK（<span style='color:red'>方舟微</span>）：耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

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ARK（方舟微）：耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

　　耗尽型MOSFET的基本特性：　　耗尽型MOSFET，与常见的增强型MOSFET不同，它在栅极电压为零时就已经处于导通状态，即沟道已经存在。耗尽型MOSFET在电路设计中具有独特的优势，包括高输入阻抗、低漏电流、可调性和高速性。其工作原理主要基于电场效应，通过改变栅极电压来控制沟道的导电性，从而实现对电流的精确调控。在稳压及过压保护中主要利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性。　　稳压应用中的优势　　简化电路设计　　图一：耗尽型MOSFET在供电电路中的应用　　耗尽型MOSFET在栅极电压为零即导通，这意味着在某些应用中可以省去额外的驱动电路，从而简化电路设计。例如，在实现PWM IC的VCC供电电路中，传统方法使用三极管、功率电阻和齐纳二极管等多颗器件，但这会导致PCB上的热量过高且效率低下。而采用耗尽型MOSFET的方法，可以用一颗器件代替，节省空间，简化电路，减小功耗。　　宽泛的直流工作电压范围　　图二：LDO应用电路　　图三：搭配耗尽型MOSFET应用电路　　耗尽型MOSFET具有宽泛的直流工作电压范围(Vin)，这使其在稳压应用中更加灵活。如图二中在线性电压调节器中，输入电压可能来自母线电压，存在较大的电压变化，包括电压尖峰。如图三所示耗尽型MOSFET(DMZ6012E)可以通过源极跟随器配置连接，减少电压瞬变，直至达到器件额定电压VDS的耐受能力。这种配置不仅保护了电路免受浪涌电压的影响，还通过低静态电流实现了最小功耗。　　过压保护应用中的优势：　　耗尽型MOSFET在过压保护应用中表现出色。如图四所示，在这种电路中，耗尽型MOSFET与电阻和稳压二极管相结合，利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性，通过选择合适的稳压二极管，可以设定一个稳定的输出电压值。当输入电压超过该值时，稳压二极管开始工作，将栅极电压钳制在一定水平，从而限制漏极电流，防止过压对后续电路造成损害。这种电路结构简单，成本低廉，适用于需要过压保护的多种场合。　　图四：过压保护电路　　某些耗尽型MOSFET产品具有超高的阈值电压参数，如ARK(方舟微)的UltraVt®系列，这些产品非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中。UltraVt®超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　它们既能实现PWM IC在宽电压范围输入下的供电需求，又能有效抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。这种高阈值电压特性使得耗尽型MOSFET在高压及宽电压输出条件下具有更高的可靠性和稳定性。典型应用电路 (以 DMZ1015E 为例)如图五：　　图五：耗尽型MOSFET稳压应用典型电路

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发布时间：2024-08-05 11:31 阅读量：1266 继续阅读>>

<span style='color:red'>方舟微</span>UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用

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方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用

　　ARK（方舟微）研发的UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压60V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。　　该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　01　　典型电路　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：　　图1. UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路　　02　　应用原理　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：　　如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|VGS|电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流IDS下都会有唯一的VGS电压相对应，且该VGS电压数值上与同样IDS电流下的|VGS(OFF)|相等。　　而在图1所示电路中，VGS≤0V，因此VGS电压的范围为：0V≤|VGS|≤|VGS(OFF)|(MAX)，即VCC的电压大小根据IDS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，IDS电流越大，|VGS|数值越小。当IDS电流一定时，输出电压|VGS|也唯一确定。　　因此使用ARK（方舟微）UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。

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发布时间：2023-11-17 15:49 阅读量：2532 继续阅读>>

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新品发布 I ARK（方舟微）电路保护专家

　　过压过流保护器　　过压过流保护器（30V/30mA）　　外形图　　AKF30V30MPD为ARK（方舟微）研发的30V/30mA集成功率保护器件，特别适合应用于工业领域（如4～20mA电流环）的过流过压保护方案，产品响应速度快，以集成控制的方式，提供更高的稳定性及便捷性，使被保护的器件或电路的工作电压不超过30V，电流不超过30mA，能有效避免瞬态浪涌造成损伤，同时可以简化电路，节省空间，减低成本。　　应用示意图如下：　　Form B 固态继电器　　100V / 400V Form B 固态继电器　　外形图　　ARK（方舟微）依据自身多年来在MOSFET研发与制造领域的独特优势，开发出了100V、400V等不同耐压等级的Form-B系列光MOSFET固态继电器，产品可靠性高，性能优异，封装类型包含SOP-4、SOP-6等通用形式，非常适合应用于需要使用高端继电器产品的设备。　　专用于射频领域的LDMOS　　130V N沟道耗尽型 LDMOS　　外形图　　DLZ1304E系列产品是ARK（方舟微）最新研发的N沟道耗尽型LDMOS，产品采用平面工艺，性能优良，可靠性高。该系列产品的耐压值为130V，相较于JFET或射频功率MOSFET，具有更高的耐压值和更低的泄漏电流，同时具有很低的阈值电压及输入电容，非常适合用于高频率的射频应用，以及气体传感器的放电回路。产品封装类型为SOT-23。　　有源钳位MOSFET　　小型有源钳位MOSFET　　外形图　　AKZSS04R06A是ARK（方舟微）研发的小型有源钳位MOSFET，器件采用平面工艺，可靠性高，稳定性好，其内部采用有源钳位结构，封装类型为SOT-23，特别适合用于驱动机械继电器等电感负载。　　集成高阈值双芯MOSFETs　　集成高阈值双芯MOSFETs　　外形图　　ARK（方舟微）研发的N沟道、P沟道增强型集成高阈值双芯MOSFETs，产品采用PDFN3*3封装，特别适合用于四线制PCB测试机等设备，能有效提高测试机测试精度。如图所示，M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在如下图所示的应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。　　M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。

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发布时间：2023-07-12 10:50 阅读量：1734 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor

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