ROHM罗姆6月研讨会| 报名开启

发布时间：2024-06-06 13:04
作者：AMEYA360
来源：罗姆
阅读量：471

　　电阻器是ROHM的创业产品，ROHM在电阻器产品开发方面始终走在行业前列。电流检测用分流电阻器主要用于电机驱动电路、电源的过电流保护以及电池剩余电量检测，目前已被广泛应用于汽车、工业设备、消费电子设备等众多领域。要满足各种应用的节能要求，就需要使用高精度且高可靠性的分流电阻器进行精确的电路控制。

　　此外，随着应用产品的功能改进，电路板上的安装密度越来越高，这就要求分流电阻器体积更小、功率更高。另外，在汽车领域，非常看重在高温环境下也能确保高电流检测精度。此次线上研讨会将围绕分流电阻器的种类和特点、电流检测要点、安装注意事项等进行详细剖析介绍，同时带来罗姆提供的产品阵容和支持资料。

　　扫描下方海报，报名本次研讨会，深入了解分流电阻器实际使用的相关知识，并有机会获得精美礼品!

ROHM罗姆6月研讨会| 报名开启

　　

　　研讨会主题

　　小电阻大奥秘--分流电阻器使用方法之实践篇

　　研讨会提纲

　　1. 分流电阻器的介绍

　　2. 电流检测的要点

　　3. 安装分流电阻器时的注意事项

　　4. 罗姆分流电阻器产品阵容和相关支持资料

　　研讨会讲师

　　ROHM罗姆6月研讨会| 报名开启

　　高金 高级工程师

　　12年FAE经验，资深工程师

　　分流电阻器实践进阶必备

　　*基础知识

　　*ROHM分流电阻器 产品阵容

　　*ROHM 6432尺寸金属板分流电阻器“PMR100”新增3款超低阻值产品!

　　*金属板分流电阻器“PMR100”

　　*电阻器常见问题解答

　　资料下载

　　1)电阻器产品目录

　　2)超低阻值(0.5,1,1.5mΩ)5W大功率 平面贴片型 6432尺寸 分流电阻器

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　　根据日本本土的市场数据，在碳化硅半导体市场，罗姆日本市场占有率第一，全球第五。同时在碳化硅晶圆制造技术方面也处于世界领先地位。2024年，罗姆在宫崎县国富町建立全新的碳化硅工厂，在碳化硅领域的战略目标也逐渐清晰。　　罗姆从出光兴业的子公司手里，收购了其国富工厂，投资3000亿日元展开了150mm-200mm碳化硅晶圆的生产制造。而罗姆为了实现碳化硅半导体的增产计划，从2021年到2027年的7年间，将会投资5100亿日元。　　预计截至2025年，仅在碳化硅半导体的企业销售额，计划增长18%，达到年销售额1300亿日元，剑指世界市场占有率30%。到2027年销售额更计划达到2700亿日元。　　罗姆的底气，来自自身的产品力信心，也来自于日益增长的汽车应用市场及积极拓展该市场带来的订单。　　近年来，新能源汽车持续快速增长，我国2023年产销量分别是958.7万辆和949.5万辆，同比分别增长35.8%和37.9%，已连续九年位居世界第一;新能源市场占有率达到了31.6%，同比增加5.9pct。据预测，中国新能源汽车预计今年有望达到1100万辆，全球在未来5年继续保持15%~30%的增速。　　在全球汽车电动化的浪潮下，行业最关心的课题是续航里程。影响续航里程的因素有很多，包括电池容量、车身重量、电力系统的电能转化效率等。功率半导体是电能转换的核心，SiC作为第三代半导体的代表，其禁带宽度约为Si基材料的3倍，可在200℃以上的温度条件下工作;临界击穿场强约为Si基材料的10倍，耐高压能力强，可在高达3000V电压下工作;热导率约是Si基材料的3倍，散热效果更佳，可简化冷却系统;电子饱和漂移速率约是Si基材料的3倍，工作频率高，驱动功率小，损耗低。　　在新能源汽车中，功率模块已从Si基IGBT为主的时代，开始逐步进入以SiC 功率器件为核心的发展阶段。SiC功率器件主要应用在电机驱动逆变器、电源转换系统(车载DC/DC)、车载充电系统 (OBC)、车载空调系统 (PTC加热器和空压缩机)等方面。　　罗姆(ROHM)自2000年开始一直在推动SiC元器件的基础研究并不断完善工艺，其IDM(垂直统合型生产体系)和品质保证体系，从晶圆到芯片、封装、模组，可满足半导体厂商、模块厂商以及OEM厂商的各种各样的需求。　　罗姆2010年全球量产SiC SBD和MOSFET;2021年发布了第4代的沟槽SiC MOSFET，备有不同RDS(on)的750V和1200V器件。2023年量产8英寸碳化硅衬底，2024年推出全SiC牵引功率模块产品。　　罗姆第4代的SiC MOSFET技术优势：　　1.在改善短路耐受时间的前提下实现业内超低导通电阻　　通过进一步改进自有的双沟槽结构，成功地在改善短路耐受时间的前提下，使导通电阻比第3代产品降低约40%。作为SiC MOSFET，实现了业界超低的导通电阻。　　2.通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗　　通过大幅降低栅漏电容(Cgd)，成功地使开关损耗比第3代产品降低约50%。　　3.支持15V栅源驱动电压，应用产品设计更容易　　在MOSFET中，需要在器件ON时向晶体管的栅极施加一定量的电压。除了到第3代SiC MOSFET为止所支持的18V栅源驱动电压(Vgs)外，第4代SiC MOSFET还支持处理的15V栅源驱动电压，更容易可与IGBT一起用来设计驱动电路(栅极驱动电路)。
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　　ROHM面向智能手机和小型物联网设备等应用开发出一款超小型封装的CMOS运算放大器“TLR377GYZ”，该产品非常适合在中放大温度、压力、流量等的传感器检测信号。本文将为各位工程师呈现该产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。　　产品特点　　1.超小型WLCSP，有助于设备的小型化　　外形尺寸仅0.88x0.58x0.33(Max)mm　　2.尺寸小且精度高，非常适用于小型设备的感测应用　　实现低失调电压和低噪声：失调电压1mV(Max)，等效输入噪声电压密度12nV/√Hz(TyP)      通过工艺技术和电路设计技术实现更高精度，并通过实测保证实现可安心使用的产品。　　3.配备关断功能，可抑制设备的功耗　　通过使运算放大器仅在感测期间内工作，大幅降低待机电流：待机时的电路电流1.5μA (Max)　　支持信息　　在新产品验证用的仿真模型中，利用ROHM自有的建模技术，忠实地再现了实际IC的电气特性和温度特性，成功地使仿真值与IC实物的值完全一致。　　ROHM提供这种高精度SPICE模型“ROHM Real Model”，通过可靠的验证，可有效防止实际试制后的返工等情况发生，有助于提高应用产品的开发效率，这种SPICE模型可通过ROHM官网获取。　　产品阵容及应用示例　　产品非常适用于电池供电设备中的感测应用　　应用示例：智能手机、IoT设备、可穿戴式设备、小型无人机等
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　　凭借高频、高压、高效、高耐温和低损耗的产品特性，目前第三代半导体SiC(碳化硅)器件已经成为各行业打造电气化方案的首选，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。根据市场调研机构Yole的统计数据，2023年全球SiC功率器件市场规模达19.72亿美元，近五年年均复合增长率达35.79%;在新能源汽车及光伏领域需求的带动下，全球SiC功率器件市场规模预计将会在2024年达到26.23亿美元。       为了更好地推动SiC产品研发落地和业务开展，全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)推出了SiC品牌——EcoSiC™。罗姆工作人员表示，EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的SiC的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。       在解读EcoSiC™品牌设计时，罗姆工作人员称，EcoSiC™结合了“Eco”和“SiC”两个术语，象征着生态系统和卓越技术之间的联系。该设计集成了电路图案和六边形晶体结构，代表了SiC技术的精确性和创新性。这些要素突出了罗姆对提供先进和可持续解决方案的承诺。该品牌是罗姆“Power Eco Family(功率节能家族)”品牌理念的一部分，旨在最大限度地提高电子应用程序的效率和紧凑性，同时对环境做出积极贡献。       除了EcoSiC™，罗姆目前还拥有EcoGaN™，该公司还计划在未来的Eco系列添加高性能硅产品。       罗姆方面的数据显示，预计到该公司2025财年，全球SiC潜在市场规模将超过2,000亿日元，预计到2028财年将达到10,000亿日元。罗姆公司的目标是在2025财年取得1,100亿日元(约合7.6亿美元)的市场份额，在2027财年取得2,200亿日元(约合15.2亿美元)的市场份额。目前，罗姆在全球已经获得超过130家客户的SiC订单，预计到2027财年超过70%的订单来自欧洲和中国。SiC市场预测　　二合一 SiC封装模块　　在宣布新品牌的同时，罗姆也推出了EcoSiC™品牌下的一款新品——二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”。       在xEV应用场景中，传统的xEV构成包括DC-DC、OBC、电池以及驱动单元(牵引逆变器、电机等)，未来这些结构逐渐变为“多合一”，比如牵引逆变器、驱动用电机、减速器“三合一”而成的一体化结构。如下图所示，在牵引逆变器方面，目前用户可以采用三颗罗姆的二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”来构建。罗姆工作人员表示，未来公司也会开发六合一的SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”。“六合一的SiC封装型模块‘TRCDRIVE pack™’会配有散热器，将于2024年第二季度开始供应样品，相比以往的SiC壳体型模块，功率密度提升了1.3倍，有助于加快设计符合规格要求的牵引逆变器和产品阵容扩展。”基于“二合一”和“六合一”的牵引逆变器设计       值得注意的是，TRCDRIVE pack™是牵引逆变器驱动用SiC封装型模块的专用商标，标有该商标的产品利用罗姆自有的结构，更大程度地扩大了散热面积，从而实现了紧凑型封装。就以二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”来说，这款模块通过创新的设计实现了更小的器件体积且无需焊接。       下图是二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”的真实产品图，可以非常明显地看到，和传统SiC模块不同，罗姆SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”体积更小，且模块顶部配备了“Press fit pin”方式的控制用信号引脚。二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”       罗姆工作人员介绍称，创新的产品设计让二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”具有四大明显的优势：　　·小型化：采用电流和控制信号分离的罗姆自有机构，相较于传统封装，实现了28%的器件体积下降;　　·高功率密度：通过尽可能扩大主电流布线中的电流路径和采用双层布线结构，以及银烧结、高性能树脂(Tg>230℃)等领先工艺，实现了1.5倍业界超高的功率密度;　　·减少安装工时：模块顶部配备了“Press fit pin”方式的控制用信号引脚，栅极驱动器电路板只需从顶部按下即可完成连接，无需焊接电路板，并克服了传统模块引脚公差难确认的问题;　　·大量生产：二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”虽然是模块，但已经确定了类似于分立产品的量产体系，和普通SiC模块相比，量产效率提高了约30倍。　　结语　　EcoSiC™品牌的推出，体现出罗姆致力于从晶圆生产到制造工艺、封装到产品设计，全面引领全球SiC器件发展的决心。二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”很好地体现了罗姆EcoSiC™品牌的领先性，在终端用户非常在意的体积和散热问题上给出了更好的解决方案，助力实现更高的功率密度。
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　　近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。GaN作为比肩SiC的第三代半导体，虽然在耐压(650V)及大电流方面并无惊艳之处，但其在开关频率特性上，有着绝对量级上(200kHz以上)的优势。因此，在数据电源、基站电源、小型充电器等一般领域以及OBC、48V系统、激光雷达等车载领域中，可以充分发挥其低功耗、高工作频率的优势。　　扫描下方海报，即刻本次研讨会，深度探索EcoGaN™与LSI Technology，参与即有机会赢取精美礼品，不容错过!　　研讨会时间　　2024年7月31日 10:00　　研讨会主题　　ROHM’s EcoGaN™ & LSI Technology　　研讨会提纲　　1. GaN的介绍　　2. 使用罗姆GaN的产品解决方案　　3. 罗姆GaN产品开发路线　　研讨会讲师陆昀宏/经理　　2010年加入ROHM。现任HighPowerSolution经理，负责面向包括车载，工业等各领域的SiC&GaN产品的推广和方案设计。在HighPower产品领域中有着丰富的产品知识面和经验，为客户进行选型指导和技术支持。　　EcoGaN™ 介绍GaN功率器件产品页面EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术基于EcoGaN™系列的创新型电源解决方案　　Nano 介绍实现节能和小型化的罗姆"Nano"电源技术Nano Pulse Control™系列产品“Nano”电源技术小册子解决电源IC困扰的ROHM先进电源技术“Nano”
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