Littelfuse丨FlatSuppressX™ 技术解析：低而稳定的钳位电压与无 DC 闩锁风险如何兼得

　　随着系统工作电压持续升高，瞬态保护器件必须提供更低的钳位电压，以防止敏感电子元件过应力。传统雪崩 TVS 二极管可以有效抑制浪涌事件;然而，其钳位电压随浪涌电流增加而升高，在高能瞬变期间降低了保护余量。

　　Littelfuse FlatSuppressX™ TVS 二极管采用专有的瞬态抑制架构，将钳位电压的回扫深度进行了有效的设计及控制。

　　触发后，器件转入稳定的低阻抗状态，并在宽浪涌电流范围内保持近乎恒定并且更低的钳位电压。与传统雪崩 TVS 技术相比，这种受控工作模式可实现显著更低的钳位电压和更小的瞬态应力。

　　与传统雪崩 TVS 保护器件不同，FlatSuppressX™ TVS 兼具低钳位电压、稳定瞬态响应和无闩锁风险操作，提高了系统稳健性，并使得在严苛电气环境中使用更低额定电压的元件成为可能。

　　特性

　　FlatSuppressX™ TVS 采用专有的浅回扫设计。与传统雪崩 TVS 器件(其钳位电压随浪涌电流显著增加)不同，FlatSuppressX™ TVS 二极管在宽电流范围内保持稳定的、近乎平坦的钳位特性。这种行为最大限度地减少了电压过冲并降低了对被保护电路的瞬态应力。

　　该架构专为实现低钳位性能而设计，且无 DC 闩锁风险。

　　PPPM 峰值脉冲功率耗散 (IPP x VC) —— 最大功率耗散

　　VR 关断电压 —— 可施加到 TVS 上而不使其工作的最大电压

　　VBR 击穿电压 —— 在指定测试电流 (IT) 下流过 TVS 的最大电压

　　VC 钳位电压 —— 在指定 IPPM(峰值脉冲电流)下，TVS 两端测得的峰值电压

　　IR 反向漏电流 —— 在 VR 下测得的电流

　　VCMIN 双向的 Snap 电压

　　低钳位性能

　　FlatSuppressX™ TVS 通过在以受控回弹导通模式下工作，实现了比传统雪崩 TVS 器件显著更低的钳位电压。

　　图 3 比较了 TP5.0SMD60CA-FL FlatSuppressX™ TVS 和传统 5 kW 汽车 TVS xxxxx60CA 在等效浪涌条件下的瞬态性能。TP5.0SMD60CA-FL 在整个浪涌事件期间保持显著更低的钳位电压，降低了下游电路的电压应力并增加了系统保护余量。

　　系统级优势

　　FlatSuppressX™ TVS 提供的更低钳位电压降低了对敏感电子元件的瞬态过应力，并提高了整体系统可靠性。

　　通过限制瞬态电压暴露，FlatSuppressX™ TVS 使得使用更低额定电压的元件成为可能，包括电容器、功率 MOSFET、反向极性保护器件、负载开关 IC、电压调节器和 PMIC。这一能力支持改善功率密度、优化元件利用率和降低系统成本。

　　结论

　　FlatSuppressX™ TVS 二极管结合专有浅回扫设计，实现了稳定的、近乎平坦的钳位特性。与传统雪崩 TVS 器件相比，它提供显著更低的钳位电压、更大的保护余量和更高的浪涌电流能力且无直流闩锁风险。它为汽车、工业和其他高可靠性电子系统提供了稳健的保护解决方案。