| UMZ1NT1G | ||
|---|---|---|
|
|
||
|
||
| 产品描述：
General Purpose Complementary Dual Amplifier Transistor
|
||
| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 2µA |
|---|---|
| 频率 - 跃迁 | 114MHz，142MHz |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 200mA |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 数据手册： |
|---|
登录之后就可发表评论
请输入下方图片中的验证码：