| SI7106DN-T1-E3 | ||
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| 产品描述：
Single N-Channel 20 V 6.2 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 27nC @ 4.5V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 12.5A（Ta） |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| Categories | Discrete Semiconductor Products |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Series | TrenchFET® |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Part Status | Active |
| Vgs (Max) | ±12V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| 数据手册： |
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