STB24NM65N
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产品描述:
N-Channel 710 V 0.19 Ohm Surface Mount MDmesh? Power MosFet - D2PAK
标准包装:1000
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 70nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 650V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 D2PAK
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2500pF @ 50V
功率 - 最大值 160W
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