| 安装类型 | 表面贴装 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 12A(Ta) |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 11 毫欧 @ 12A,20V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
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