| US6M11TR | ||
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| 产品描述：
US6M11 Series N/ P-Channel 20 V/12 V 1 W 600 mOhm Drive MosFet SMT - TUMT-6
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
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| 漏源极电压（Vdss） | 20V，12V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 1.8nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.5A，1.3A |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 110pF @ 10V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
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