SCT2450KEC
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产品描述:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 7A; Idm: 25A; 85W
标准包装:1
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FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
安装类型 通孔
功率 - 最大值 85W
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 27nC @ 18V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 585 毫欧 @ 3A,18V
FET 功能 碳化硅 (SiC)
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
工作温度 175°C(TJ)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 463pF @ 800V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 900µA
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
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