| NST847BPDP6T5G | ||
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| 产品描述：
Dual Complementary General Purpose Transistor
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| 标准包装：8000 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA / 700mV @ 5mA，100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 200 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，5V |
| 数据手册： |
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