| MJD253T4G | ||
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| 产品描述：
MJD Series 100 V 4 A PNP Complementary Silicon Plastic Power Transistor TO-252-3
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率 - 最大值 | 1.4W |
| 频率 - 跃迁 | 40MHz |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 4A |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 600mV @ 100mA，1A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 40 @ 200mA，1V |
| 数据手册： |
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