STL23NM60ND
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产品描述:
MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
标准包装:3000
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 70nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19.5A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 600V
封装/外壳 4-PowerFlat™ HV
FET 功能 标准
供应商器件封装 PowerFlat™(8x8) HV
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 10A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2050pF @ 50V
功率 - 最大值 3W
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